JPH0316214A - 絶縁膜の製造方法 - Google Patents
絶縁膜の製造方法Info
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- JPH0316214A JPH0316214A JP15183989A JP15183989A JPH0316214A JP H0316214 A JPH0316214 A JP H0316214A JP 15183989 A JP15183989 A JP 15183989A JP 15183989 A JP15183989 A JP 15183989A JP H0316214 A JPH0316214 A JP H0316214A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 半導体装置 あるいは微細加工分野に用い
られる絶縁膜の製造方法に関すも従来の技術 近俄 非品質シリコン（以下ａ −Ｓ ｉと略す）を用
いた薄膜トランジスタアレーは低温で大面積化が可能で
あり、安定性も優れていることか転 液晶表示用基楓
イメージセンサへの応用が積極的に行なわれていも こ
のａ−Ｓｉと良好な界面を形戊する絶縁層としてｓｉＪ
Ｊｘが注目され実用化されていも また 同時に形成さ
れる蓄積容量の誘電体は誘電率の小さい３ｉＱａ、Ｓｉ
Ｎｘを用いていもＴＰＴのゲートとソース・ドレーン間
のショートを防止する目的でゲート金属がＴａ， ゲ
ート絶縁膜にＴａｓＱｓ（陽極酸化膜）／ＳｉＮ※、半
導体としてａ−Ｓｉをもちいた薄膜トランジスタは特開
昭５８−１４７０９号公報に開示されていも また容量
としては高誘電率のＴａ＊Ｑｓが検討され始めているが
そのリーク電流が課題であ’ｈ Ｔａｇ○ｓ／ＳｉＮ
ｘの構造によって安定な容量が実現できることが特開昭
５７−４５９６８号に開示され その工程断面図を第３
図に示九 同図（ａ）の工程はゲート電極形成工程であ
り、例えばＣｒ金属２をスパッタにより、 １０００Ａ
被着形成し、Ｃｒを硝酸セリウムアンモニウムを主成分
とした溶液で選択的にエッチングを行なう工程であも
同図（ｂ）の工程１よ ゲート絶縁膜形成工程弘 例え
ば比誘電率が比較的高く （ε，ｐ３０）融点も高いＴ
ａＯｘ層３をスパッタで２Ｏ００Ａ被着すも そのとき
に スパッタのプラズマ中にＡｒガスに０２ガスを含有
させた混合ガスを導入させて形威すも 同図（ｃ）の工
程は三層デボ工程で、例えば２ ０ ０ ０Ａ／５ ０
０Ａ／１ ０００Ａの膜厚で第１のＳｉＮｘ層４、不
純物をほとんど含まないａ−Ｓｉ層５そして再び第２の
ＳｉＮＸ層６を好ましくは連続的に被着すも これらの
薄膜はいずれもＳｉＨ４層ガスを主成分とする原料ガス
を３００℃前後の温度で高周波グロー放電により分脈
合或するプラズマＣＶＤによって作製されも 同図（ｄ
）の工程は半導体層保護膜形成工程とソース・ドレイン
電極形成工程で、第２のＳｉＮＸ層６をゲート上にのみ
選択的に残ＬＡ ＳｉＨｓガスにＰＨ＄ガスを添加した
プラズマ放電によって全面に５００Ａ程度の膜厚の不純
物を含む第２のａ −Ｓｉ層７を被着した後、全面にＭ
ｏＳｉｓをスパッタでＩＯＯＯＡ被着しＡｌをスパッタ
で７０００Ａ被着し 燐酸系の溶液でＡ１を選択的に食
刻し 形威したＡｌパターンをマスクとし″Ｃ Ｍ
ｏ Ｓ ｉ＊、第１、第２のａ−Ｓｉ層をフッ硝酸系の
溶液で選択的に食刻する工程であム 発明が解決しようとする課題 高融点金属を主成分とした酸化膜をスッパタ法で形成す
る際に入力パワーを同じにして比べると堆積速度につい
て言えば高融点金属を主成分とした酸化膜をターゲット
に用いたＤＣスパッ久 前記のターゲットを用いたＲＦ
スパッタ、高融点金属を主成分としたターゲットを用い
たＤＣリアクティブスパッ久 高融点金属を主成分とし
たターゲットを用いたＲＦリアクティプスパッタの順で
堆積速度が落ちてくん しかし ターゲットの純嵐 コ
ストを考えると、金属ターゲットを使用した方がよ（ち
また 形成できる膜の膜質から言うと、ＲＦスパッタ
の方力＜．ＤＣスパッタよりもよＬ５ これらを総合
して判断すると、高融点金属を主成分としたターゲット
を用いたＤＣリアクティブスパッタやＲＦリアクティプ
スパッタにより、形成しているのが良いという状況であ
も 但し従来の方法であると、リアクティプスパッタで
あるたべ 少しロフト間のばらつきがあり、堆積速度が
遅いという欠点があっ九 本発明（友 このような従来技術の課題を解決すること
を目的とすも 課題を解決するための手段 スパッタ法により高融点金属を主成分とした酸化膜を形
成する際に ターゲットとして高融点金属を少なくとも
一つ含有している材料を用八 スパッタのプラズマ中に
不活性ガスあるいはＮ２ガスの少なくともどちらか一方
を主成分とするガスにＨ２Ｏガスを含有させた混合ガス
を導入して前記酸化膜を形威すも 作用 上記のようＥ， スパッタのプラズマ中に不活性ガス
に加えて小量のＨ２Ｏガスを混入させることにより、従
来のＤＣあるいはＲＦスパッタにかかわらｆ， Ａｒ
＋○ｅの混合ガスによる堆積速度よりもはるかに速く堆
積すも これζ友 不活性ガスをＮ２ガスに代えても同
様の効果が得られも また堆積速度だけでなく、デボ回
数ごとによる膜質の斑が少なくなも 従って、高融点金
属を主成分とする酸化膜を、従来よりも大量にかつロフ
ト間のばらつきがなく同様な膜質に形成することができ
また 本発明の製造方法を用いると、従来よりも表面バ
滑らかに形成できも これにより、高融点酸化膜をパ
ターン化するときに パターンの乱れが生じることがな
い。
られる絶縁膜の製造方法に関すも従来の技術 近俄 非品質シリコン（以下ａ −Ｓ ｉと略す）を用
いた薄膜トランジスタアレーは低温で大面積化が可能で
あり、安定性も優れていることか転 液晶表示用基楓
イメージセンサへの応用が積極的に行なわれていも こ
のａ−Ｓｉと良好な界面を形戊する絶縁層としてｓｉＪ
Ｊｘが注目され実用化されていも また 同時に形成さ
れる蓄積容量の誘電体は誘電率の小さい３ｉＱａ、Ｓｉ
Ｎｘを用いていもＴＰＴのゲートとソース・ドレーン間
のショートを防止する目的でゲート金属がＴａ， ゲ
ート絶縁膜にＴａｓＱｓ（陽極酸化膜）／ＳｉＮ※、半
導体としてａ−Ｓｉをもちいた薄膜トランジスタは特開
昭５８−１４７０９号公報に開示されていも また容量
としては高誘電率のＴａ＊Ｑｓが検討され始めているが
そのリーク電流が課題であ’ｈ Ｔａｇ○ｓ／ＳｉＮ
ｘの構造によって安定な容量が実現できることが特開昭
５７−４５９６８号に開示され その工程断面図を第３
図に示九 同図（ａ）の工程はゲート電極形成工程であ
り、例えばＣｒ金属２をスパッタにより、 １０００Ａ
被着形成し、Ｃｒを硝酸セリウムアンモニウムを主成分
とした溶液で選択的にエッチングを行なう工程であも
同図（ｂ）の工程１よ ゲート絶縁膜形成工程弘 例え
ば比誘電率が比較的高く （ε，ｐ３０）融点も高いＴ
ａＯｘ層３をスパッタで２Ｏ００Ａ被着すも そのとき
に スパッタのプラズマ中にＡｒガスに０２ガスを含有
させた混合ガスを導入させて形威すも 同図（ｃ）の工
程は三層デボ工程で、例えば２ ０ ０ ０Ａ／５ ０
０Ａ／１ ０００Ａの膜厚で第１のＳｉＮｘ層４、不
純物をほとんど含まないａ−Ｓｉ層５そして再び第２の
ＳｉＮＸ層６を好ましくは連続的に被着すも これらの
薄膜はいずれもＳｉＨ４層ガスを主成分とする原料ガス
を３００℃前後の温度で高周波グロー放電により分脈
合或するプラズマＣＶＤによって作製されも 同図（ｄ
）の工程は半導体層保護膜形成工程とソース・ドレイン
電極形成工程で、第２のＳｉＮＸ層６をゲート上にのみ
選択的に残ＬＡ ＳｉＨｓガスにＰＨ＄ガスを添加した
プラズマ放電によって全面に５００Ａ程度の膜厚の不純
物を含む第２のａ −Ｓｉ層７を被着した後、全面にＭ
ｏＳｉｓをスパッタでＩＯＯＯＡ被着しＡｌをスパッタ
で７０００Ａ被着し 燐酸系の溶液でＡ１を選択的に食
刻し 形威したＡｌパターンをマスクとし″Ｃ Ｍ
ｏ Ｓ ｉ＊、第１、第２のａ−Ｓｉ層をフッ硝酸系の
溶液で選択的に食刻する工程であム 発明が解決しようとする課題 高融点金属を主成分とした酸化膜をスッパタ法で形成す
る際に入力パワーを同じにして比べると堆積速度につい
て言えば高融点金属を主成分とした酸化膜をターゲット
に用いたＤＣスパッ久 前記のターゲットを用いたＲＦ
スパッタ、高融点金属を主成分としたターゲットを用い
たＤＣリアクティブスパッ久 高融点金属を主成分とし
たターゲットを用いたＲＦリアクティプスパッタの順で
堆積速度が落ちてくん しかし ターゲットの純嵐 コ
ストを考えると、金属ターゲットを使用した方がよ（ち
また 形成できる膜の膜質から言うと、ＲＦスパッタ
の方力＜．ＤＣスパッタよりもよＬ５ これらを総合
して判断すると、高融点金属を主成分としたターゲット
を用いたＤＣリアクティブスパッタやＲＦリアクティプ
スパッタにより、形成しているのが良いという状況であ
も 但し従来の方法であると、リアクティプスパッタで
あるたべ 少しロフト間のばらつきがあり、堆積速度が
遅いという欠点があっ九 本発明（友 このような従来技術の課題を解決すること
を目的とすも 課題を解決するための手段 スパッタ法により高融点金属を主成分とした酸化膜を形
成する際に ターゲットとして高融点金属を少なくとも
一つ含有している材料を用八 スパッタのプラズマ中に
不活性ガスあるいはＮ２ガスの少なくともどちらか一方
を主成分とするガスにＨ２Ｏガスを含有させた混合ガス
を導入して前記酸化膜を形威すも 作用 上記のようＥ， スパッタのプラズマ中に不活性ガス
に加えて小量のＨ２Ｏガスを混入させることにより、従
来のＤＣあるいはＲＦスパッタにかかわらｆ， Ａｒ
＋○ｅの混合ガスによる堆積速度よりもはるかに速く堆
積すも これζ友 不活性ガスをＮ２ガスに代えても同
様の効果が得られも また堆積速度だけでなく、デボ回
数ごとによる膜質の斑が少なくなも 従って、高融点金
属を主成分とする酸化膜を、従来よりも大量にかつロフ
ト間のばらつきがなく同様な膜質に形成することができ
また 本発明の製造方法を用いると、従来よりも表面バ
滑らかに形成できも これにより、高融点酸化膜をパ
ターン化するときに パターンの乱れが生じることがな
い。
実施例
以下に 本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも （実施例１） 本発明（よ 半導体装置における絶縁膜の製造方法に関
するものである力曳 下記に非結晶シリコンを用いたＴ
ＰＴ構造を例にとって説明すも第１図１；ｔ．．ＴＰＴ
の工程断面図であも 同図（ａ）の工程はゲート電極形
成工程であり、例えばＣｒ金属２をスパッタにより、
ＩＯＯＯＡ被着形ａＬ，．Ｃｒを硝酸セリウムアンモニ
ウムを主成分とした溶液で選択的にエッチングを行なう
工程である。同図（ｂ）の工程は ゲート絶縁膜形戊工
程で、例えば比誘電率が比較的高く （ε，ｐ３０）融
点も高いＴａＯｘ層３をスパッタで２Ｏ００Ａ被著すも
そのときに スパッタのプラズマ中にＡｒガスにＨ黛
０ガスを含有させた混合ガスを導入させて形成すも 同
図（ｃ）の工程は三層デボ工程で、例えば２Ｏ０ＯＡ／
５００Ａ／ＩＯＯＯＡの膜厚で第ｌのＳｉＮＸ層４、不
純物をほとんど含まないａ−Ｓｉ層５そして再び第２の
ＳｉＮ−層６を好ましくは連続的に被着すん これらの
薄膜はいずれもＳｉＨ４層ガスを主成分とする原料ガス
を３００℃前後の温度で高周波グロー放電により分豚
合戊するプラズマＣＶＤによって作製されも 同図（ｄ
）の工程（上 半導体層保護膜形成工程とソース・ドレ
イン電極形成工程で、第２のＳｉＮＸ層６をゲート上に
のみ選択的に残Ｌ，，ＳｉＨａガスにＰＨ＄ガスを添加
したプラズマ放電によって全面に５００Ａ程度の膜厚の
不純物を含む第２のａ−Ｓｉ層７を被着した後、全面に
ＭＯＳｉａをスパッタでｌ０００Ａ被着しＡ１をスパッ
タで７０００Ａ被着獣燐酸系の溶液でＡＩを選択的に食
刻し 形成したＡｌパターンをマスクとして； Ｍ
ｏ Ｓ ｌ ａｓ 第１、第２のａ−Ｓｉ層をフッ硝酸
系の溶液で選択的に食刻する工程であも な耘 本実施例（上 第１図（ａ）の工程で％ Ｃ ｒ
のゲート配線２を形成するのにスバツタ法を使用した力
曳 金属層が形成できるならば 蒸着方法を問わ哄 例
えば 電子ビーム！ （ｕＤ＆ 抵抗加熱法等でも
かまわな八 また 本実施例では基板としてガラスを用
いた力文 絶縁基板であれば任意のもの令よく、ゲート
絶縁膜としてＴａＯｘ層３／ＳｉＮＸ層４を使用した力
ｔ 少なくとも一層以上の絶縁膜で少なくとも一層はス
バツタ法により高融点金属を主戒分とした酸化膜を使用
していれば材料の種類・蒸着方法を問わず任意のもので
あってもよへ また 本実施例で（よ スバツタガスを
Ａｒガス＋Ｈ２Ｏガスの混合ガスであった力曳 不活性
ガスあるいはＮ２ガスの少なくともどちらか一方を主成
分とするガスにＨａＯガスを含有させた混合ガスであれ
ばよｌＸ．ソース・ドレイン電極材料にＭｏＳ ｉ２／
Ａ ｌを本実施例では採用した力ｔ 高温処理を行っ
ても半導体層または絶縁体層に拡散しない物質で、少な
くとも導電体が一層以上あり、かｑ 絶縁膜のコンタク
トホールの断差をカバーするものであればＩＴ○、Ｍｏ
Ｓｉ＊、ＭｏＴａ等でも本発明の特許請求の範囲に属す
も また スパッタを行うときに 混合ガスに外部から
電磁波を照射させたり、基板を加熱したりしても本発明
の特許請求の範囲に属すも 最後阪 本実施例では非品質シリコンを用いた薄膜トラ
ンジスタについて説明した力匁 絶縁薄膜を用いた半導
体装置あれば 素子分離絶縁焦 不純物拡散およびイオ
ン注入マス久 表面の不活性化と保ｉ ＭＯＳ構造の
ゲーＩ・絶縁膜等でも本発明の特許請求の範囲に適用す
瓜 （実施例２） 実施例２の工程断面図を第２図に示机 実施例ｌの工程
とほぼ同じである力曳 同図（ｂ）の工程ζＬ Ｈａ
Ｏ＋Ａｒの混合ガスでスパッタを行うのを、Ｃ）ａ＋Ｈ
＊○＋Ａｒガスに混合ガスを変更すもまた スパッタを
行うときへ 混合ガスに外部から電磁波を照射させたり
、基板を加熱したりしても本発明の特許請求の範囲に属
すも このように 本発明はスパッタのプラズマ中に不活性ガ
スに加えて小量のＨ２ＯガスあるいはＯセ＋Ｈ＊Ｏの混
合ガスを混入させるにより、従来のＤＣあるいはＲＦス
パッタにかかわらｆｓ Ａ ｒ ＋ Ｏ ＊の混合ガ
スによる堆積速度よりもはるかに速く堆積すも これ（
友 不活性ガスをＮ２ガスに代えても同様の効果が得ら
れも また 不活性ガスに加えて小量のＨ２Ｏガスある
いはＯ ｓ ＋ ’Ｈ ｓ Ｏの゛混合ガスを混入させ
るにより、堆積速度だけでなく、デポ回数ごとによる膜
質の斑が少なくなる。また 赤外線のような電磁波を外
部からプラズマ中のＨ２Ｏに与えて酸化膜を形成するこ
とにより堆積速度を向上させる。
明すも （実施例１） 本発明（よ 半導体装置における絶縁膜の製造方法に関
するものである力曳 下記に非結晶シリコンを用いたＴ
ＰＴ構造を例にとって説明すも第１図１；ｔ．．ＴＰＴ
の工程断面図であも 同図（ａ）の工程はゲート電極形
成工程であり、例えばＣｒ金属２をスパッタにより、
ＩＯＯＯＡ被着形ａＬ，．Ｃｒを硝酸セリウムアンモニ
ウムを主成分とした溶液で選択的にエッチングを行なう
工程である。同図（ｂ）の工程は ゲート絶縁膜形戊工
程で、例えば比誘電率が比較的高く （ε，ｐ３０）融
点も高いＴａＯｘ層３をスパッタで２Ｏ００Ａ被著すも
そのときに スパッタのプラズマ中にＡｒガスにＨ黛
０ガスを含有させた混合ガスを導入させて形成すも 同
図（ｃ）の工程は三層デボ工程で、例えば２Ｏ０ＯＡ／
５００Ａ／ＩＯＯＯＡの膜厚で第ｌのＳｉＮＸ層４、不
純物をほとんど含まないａ−Ｓｉ層５そして再び第２の
ＳｉＮ−層６を好ましくは連続的に被着すん これらの
薄膜はいずれもＳｉＨ４層ガスを主成分とする原料ガス
を３００℃前後の温度で高周波グロー放電により分豚
合戊するプラズマＣＶＤによって作製されも 同図（ｄ
）の工程（上 半導体層保護膜形成工程とソース・ドレ
イン電極形成工程で、第２のＳｉＮＸ層６をゲート上に
のみ選択的に残Ｌ，，ＳｉＨａガスにＰＨ＄ガスを添加
したプラズマ放電によって全面に５００Ａ程度の膜厚の
不純物を含む第２のａ−Ｓｉ層７を被着した後、全面に
ＭＯＳｉａをスパッタでｌ０００Ａ被着しＡ１をスパッ
タで７０００Ａ被着獣燐酸系の溶液でＡＩを選択的に食
刻し 形成したＡｌパターンをマスクとして； Ｍ
ｏ Ｓ ｌ ａｓ 第１、第２のａ−Ｓｉ層をフッ硝酸
系の溶液で選択的に食刻する工程であも な耘 本実施例（上 第１図（ａ）の工程で％ Ｃ ｒ
のゲート配線２を形成するのにスバツタ法を使用した力
曳 金属層が形成できるならば 蒸着方法を問わ哄 例
えば 電子ビーム！ （ｕＤ＆ 抵抗加熱法等でも
かまわな八 また 本実施例では基板としてガラスを用
いた力文 絶縁基板であれば任意のもの令よく、ゲート
絶縁膜としてＴａＯｘ層３／ＳｉＮＸ層４を使用した力
ｔ 少なくとも一層以上の絶縁膜で少なくとも一層はス
バツタ法により高融点金属を主戒分とした酸化膜を使用
していれば材料の種類・蒸着方法を問わず任意のもので
あってもよへ また 本実施例で（よ スバツタガスを
Ａｒガス＋Ｈ２Ｏガスの混合ガスであった力曳 不活性
ガスあるいはＮ２ガスの少なくともどちらか一方を主成
分とするガスにＨａＯガスを含有させた混合ガスであれ
ばよｌＸ．ソース・ドレイン電極材料にＭｏＳ ｉ２／
Ａ ｌを本実施例では採用した力ｔ 高温処理を行っ
ても半導体層または絶縁体層に拡散しない物質で、少な
くとも導電体が一層以上あり、かｑ 絶縁膜のコンタク
トホールの断差をカバーするものであればＩＴ○、Ｍｏ
Ｓｉ＊、ＭｏＴａ等でも本発明の特許請求の範囲に属す
も また スパッタを行うときに 混合ガスに外部から
電磁波を照射させたり、基板を加熱したりしても本発明
の特許請求の範囲に属すも 最後阪 本実施例では非品質シリコンを用いた薄膜トラ
ンジスタについて説明した力匁 絶縁薄膜を用いた半導
体装置あれば 素子分離絶縁焦 不純物拡散およびイオ
ン注入マス久 表面の不活性化と保ｉ ＭＯＳ構造の
ゲーＩ・絶縁膜等でも本発明の特許請求の範囲に適用す
瓜 （実施例２） 実施例２の工程断面図を第２図に示机 実施例ｌの工程
とほぼ同じである力曳 同図（ｂ）の工程ζＬ Ｈａ
Ｏ＋Ａｒの混合ガスでスパッタを行うのを、Ｃ）ａ＋Ｈ
＊○＋Ａｒガスに混合ガスを変更すもまた スパッタを
行うときへ 混合ガスに外部から電磁波を照射させたり
、基板を加熱したりしても本発明の特許請求の範囲に属
すも このように 本発明はスパッタのプラズマ中に不活性ガ
スに加えて小量のＨ２ＯガスあるいはＯセ＋Ｈ＊Ｏの混
合ガスを混入させるにより、従来のＤＣあるいはＲＦス
パッタにかかわらｆｓ Ａ ｒ ＋ Ｏ ＊の混合ガ
スによる堆積速度よりもはるかに速く堆積すも これ（
友 不活性ガスをＮ２ガスに代えても同様の効果が得ら
れも また 不活性ガスに加えて小量のＨ２Ｏガスある
いはＯ ｓ ＋ ’Ｈ ｓ Ｏの゛混合ガスを混入させ
るにより、堆積速度だけでなく、デポ回数ごとによる膜
質の斑が少なくなる。また 赤外線のような電磁波を外
部からプラズマ中のＨ２Ｏに与えて酸化膜を形成するこ
とにより堆積速度を向上させる。
な抵 本実施例では非品質シリコンを用いた薄膜トラン
ジスタについて述べたｈ文 絶縁薄膜弘とりわけ素子分
離絶縁脱 不純物拡散およびイオン注入マス久 表面の
不活性化と保Ｋ ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜に用いる
ことができも発明の効果 以上述べたように 本発明ζ友 高融点金属を主成分と
する酸化膜を従来よりも大量にかつロット間にばらつき
がなく同様な膜質のものを製造することが出来も また
本発明の製造方法を用いると、従来よりも表面力ｔ
滑らかに形成でき屯 これにより、高融点酸化膜をパタ
ーン化するときにパターンの乱れが生じることがなくな
り、歩留が向上し 量産性に富水 技術的に工場導入が
可能であも
ジスタについて述べたｈ文 絶縁薄膜弘とりわけ素子分
離絶縁脱 不純物拡散およびイオン注入マス久 表面の
不活性化と保Ｋ ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜に用いる
ことができも発明の効果 以上述べたように 本発明ζ友 高融点金属を主成分と
する酸化膜を従来よりも大量にかつロット間にばらつき
がなく同様な膜質のものを製造することが出来も また
本発明の製造方法を用いると、従来よりも表面力ｔ
滑らかに形成でき屯 これにより、高融点酸化膜をパタ
ーン化するときにパターンの乱れが生じることがなくな
り、歩留が向上し 量産性に富水 技術的に工場導入が
可能であも
第１図は本発明のー・実施例のＴＰＴの工程断面は 第
２図は本発明の他の実施例のＴＰＴの工程断面は 第３
図は従来のＴＰＴの工程断面図であ翫 ２ ・＝Ｃ ｒ層、３ ”Ｔ ａ．ｏ Ｘ層．４ ・−
第ｌのＳｉＮ−、５・・・第Ｉのａ−Ｓｉ膜、６・・・
第２のＳｉＮ−、７・・・第２のａ−Ｓｉ境
２図は本発明の他の実施例のＴＰＴの工程断面は 第３
図は従来のＴＰＴの工程断面図であ翫 ２ ・＝Ｃ ｒ層、３ ”Ｔ ａ．ｏ Ｘ層．４ ・−
第ｌのＳｉＮ−、５・・・第Ｉのａ−Ｓｉ膜、６・・・
第２のＳｉＮ−、７・・・第２のａ−Ｓｉ境
Claims (4)
- （１）スパッタ法により高融点金属を主成分とした酸化
膜を形成する際に、ターゲットとして高融点金属を少な
くとも一つ含有している材料を用い、スパッタのプラズ
マ中に不活性ガスあるいはＮ＿２ガスの少なくともどち
らか一方を主成分とするガスにＨ＿２Ｏガスを含有させ
た混合ガスを導入して前記酸化膜を形成することを特徴
とする絶縁膜の製造方法。 - （２）スパッタ法により高融点金属を主成分とした酸化
膜を形成する際に、ターゲットとして高融点金属を少な
くとも一つ含有している材料を用い、スパッタのプラズ
マ中に不活性ガスあるいはＮ＿２ガスの少なくともどち
らか一方を主成分とするガスにＨ＿２Ｏガスを含有させ
た混合ガスを導入させて前記Ｈ＿２Ｏガスに電磁波を外
部から与えて前記酸化膜を形成することを特徴とする絶
縁膜の製造方法。 - （３）混合ガとして、不活性ガスあるいはＮ象ガスの少
なくともどちらか一方を主成分とするガスに０、ガスと
Ｈ歳ｏガスを含有させたものを用いることを特徴とする
請求項１、または２記載の絶縁膜の製造方法。 - （４）スパッタ中に基板加熱をおこなうことを特徴とす
る請求項１、２、または３記載の絶縁膜の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15183989A JPH0316214A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 絶縁膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15183989A JPH0316214A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 絶縁膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0316214A true JPH0316214A (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=15527424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15183989A Pending JPH0316214A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 絶縁膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316214A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087214A (en) * | 1991-05-21 | 1992-02-11 | United Technologies Automotive, Inc. | Battery terminal connector |
| US5610082A (en) * | 1992-12-29 | 1997-03-11 | Lg Electronics Inc. | Method for fabricating thin film transistor using back light exposure |
| DE102014017289A1 (de) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Fanuc Corporation | Eine Spritzgießmaschine und ein Zentrierverfahren für Spritzgießmaschinen |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15183989A patent/JPH0316214A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087214A (en) * | 1991-05-21 | 1992-02-11 | United Technologies Automotive, Inc. | Battery terminal connector |
| US5610082A (en) * | 1992-12-29 | 1997-03-11 | Lg Electronics Inc. | Method for fabricating thin film transistor using back light exposure |
| DE102014017289A1 (de) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Fanuc Corporation | Eine Spritzgießmaschine und ein Zentrierverfahren für Spritzgießmaschinen |
| DE102014017289B4 (de) | 2013-11-22 | 2019-05-29 | Fanuc Corporation | Eine Spritzgießmaschine und ein Zentrierverfahren für Spritzgießmaschinen |
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