JPH03146666A - 硬質カーボン膜形成方法 - Google Patents
硬質カーボン膜形成方法Info
- Publication number
- JPH03146666A JPH03146666A JP28560089A JP28560089A JPH03146666A JP H03146666 A JPH03146666 A JP H03146666A JP 28560089 A JP28560089 A JP 28560089A JP 28560089 A JP28560089 A JP 28560089A JP H03146666 A JPH03146666 A JP H03146666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hard carbon
- carbon film
- substrate
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板」二に硬質カーボン膜を形成するため
の硬質カーボン膜形成方法に関する。
の硬質カーボン膜形成方法に関する。
光学部品や磁気ディスク、磁気ヘッドの保護膜として、
硬質カーボン膜である夕［イヤモンド状膜（以下、ＤＬ
Ｃ膜と記す）が用いられている。
硬質カーボン膜である夕［イヤモンド状膜（以下、ＤＬ
Ｃ膜と記す）が用いられている。
このＤＬＣｌｉの製造方法としては、従来よりイオンビ
ーム法、スパッタ法、イオンブレーティング法、及びプ
ラズマＣＶＤ法等が用いられている。
ーム法、スパッタ法、イオンブレーティング法、及びプ
ラズマＣＶＤ法等が用いられている。
また最近、プラズマＣＶＤ法の一種として、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法が開発され、既に実用に供されている。こ
のＥＣＲプラズマＣＶＤ法では、ＥＣＲイオン源におい
て電子サイクロトロン共鳴を起こして高密度のプラズマ
を発生させ、このプラズマ流を基板等の試料に照射して
成膜を行っている。
ズマＣＶＤ法が開発され、既に実用に供されている。こ
のＥＣＲプラズマＣＶＤ法では、ＥＣＲイオン源におい
て電子サイクロトロン共鳴を起こして高密度のプラズマ
を発生させ、このプラズマ流を基板等の試料に照射して
成膜を行っている。
前記従来の製造方法を用いて基板上にＤＬＣ膜を形成し
た場合、このＤＩ、ｃｌには１０”ｄｙｎｅ／ｃｍ”台
の内部応力が残留している。この残留応力のために、Ｄ
ＬＣ膜と基板との密着性が悪く、剥離等の問題が生じる
。
た場合、このＤＩ、ｃｌには１０”ｄｙｎｅ／ｃｍ”台
の内部応力が残留している。この残留応力のために、Ｄ
ＬＣ膜と基板との密着性が悪く、剥離等の問題が生じる
。
この発明の目的は、基板との密着性を向上できる硬質カ
ーボン膜形成方法を徒供することにある。
ーボン膜形成方法を徒供することにある。
本発明に係る硬質カーボン膜形成方法は、基板上に硬質
カーボン膜を形成するための方法であって、以下の工程
を含んでいる。
カーボン膜を形成するための方法であって、以下の工程
を含んでいる。
◎ 基板上にシリコン窒化膜からなる中間層を形成する
こと。
こと。
◎ 前記中間層上に硬質カーボン膜を形成すること。
なお、従来方法によって形成される硬質カーボン膜の残
留応力は、圧縮応力である。そこで前記中間層としては
、硬質カーボン膜の残留圧縮応力と同程度の引張応力を
有するものが望ましい。
留応力は、圧縮応力である。そこで前記中間層としては
、硬質カーボン膜の残留圧縮応力と同程度の引張応力を
有するものが望ましい。
本発明に係る硬質カーボン膜形成方法では、まず基板上
にシリコン窒化膜からなる中間層が形成され、この中間
層上に硬質カーボン膜が形成される。そして、前記中間
層により、硬質カーボン膜の残留応力が緩衝され、膜生
成後の剥離等を防止する。また、前記中間層はシリコン
窒化膜で形成されており、シリコン酸化膜等に比較して
ＤＬＣ膜の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有している。
にシリコン窒化膜からなる中間層が形成され、この中間
層上に硬質カーボン膜が形成される。そして、前記中間
層により、硬質カーボン膜の残留応力が緩衝され、膜生
成後の剥離等を防止する。また、前記中間層はシリコン
窒化膜で形成されており、シリコン酸化膜等に比較して
ＤＬＣ膜の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有している。
したがって、膜成形時や成形後の剥離がより少なくなる
。
。
まず、本発明の一実施例による方法が適用されるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置について説明する。
プラズマＣＶＤ装置について説明する。
第２図は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の断面構成図であ
る。
る。
図ＧＪおいて、プラズマ室１は、導入されるマイクロ波
（周波数２．４５０Ｉ＋□）に対して空洞共振器となる
ように構成されている。プラズマ室１には、石英等で構
成されたマイクロ波導入窓２を介して、マイクロ波導入
用の導波管３が接続されている。プラズマ室１の上部に
は、ガス導入孔１０が形成されている。また、プラズマ
室１の周囲には、プラズマ発生用の磁気回路として、電
磁コイル４ａ、４ｂが配設されている。電磁コイル４ａ
。
（周波数２．４５０Ｉ＋□）に対して空洞共振器となる
ように構成されている。プラズマ室１には、石英等で構
成されたマイクロ波導入窓２を介して、マイクロ波導入
用の導波管３が接続されている。プラズマ室１の上部に
は、ガス導入孔１０が形成されている。また、プラズマ
室１の周囲には、プラズマ発生用の磁気回路として、電
磁コイル４ａ、４ｂが配設されている。電磁コイル４ａ
。
４ｂによる磁界の強度は、マイクロ波による電子サイク
ロトロン共鳴の条（′１がプラズマ室１の内部で成立す
るように決定される。この電磁コイル４ａ、４ｂによっ
て、下方に向けて発散する発１１ｋ 磁界が形成される
。
ロトロン共鳴の条（′１がプラズマ室１の内部で成立す
るように決定される。この電磁コイル４ａ、４ｂによっ
て、下方に向けて発散する発１１ｋ 磁界が形成される
。
プラズマ室１の下方には、試ｒＩ室５が設けられている
。試料室５の上部には、反応ガスを導入するための円環
状のガス導入管６が設けられている。
。試料室５の上部には、反応ガスを導入するための円環
状のガス導入管６が設けられている。
ガス導入管６には、複数の孔（図示せず）が形成されて
おり、導入された反応ガスがこれら複数の孔から噴出す
るようになっている。ガス導入管６の下方には、プラズ
マ室１から引き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板
７がホルダー８に保持されている。基板ホルダー８は支
軸９に取り付けられ°ζいる。また、基板ホルダー８に
は支軸９を介して高周波電源（たとえば周波数１３．５
６Ｍｌ２）１１が接続されており、これにより基板７に
対し゛ζ所定の高周波電圧が印加されるようになってい
る。
おり、導入された反応ガスがこれら複数の孔から噴出す
るようになっている。ガス導入管６の下方には、プラズ
マ室１から引き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板
７がホルダー８に保持されている。基板ホルダー８は支
軸９に取り付けられ°ζいる。また、基板ホルダー８に
は支軸９を介して高周波電源（たとえば周波数１３．５
６Ｍｌ２）１１が接続されており、これにより基板７に
対し゛ζ所定の高周波電圧が印加されるようになってい
る。
なお、基板ホルダー８〜には、冷却水が循環するジヤケ
ツト（図示せず）が装着されている。また、ガス導入管
６と基板ホルダー８との間には、開閉自在なシャッタ１
２が設けられ°ζいる。このシャッタ１２の開度により
、プラズマ流Ｍの基板７への照射量が調節されるように
なっている。また試料室５の下部には、排気孔５ａが形
成されており、この排気孔５ａは図示しない排気系に接
続されている。
ツト（図示せず）が装着されている。また、ガス導入管
６と基板ホルダー８との間には、開閉自在なシャッタ１
２が設けられ°ζいる。このシャッタ１２の開度により
、プラズマ流Ｍの基板７への照射量が調節されるように
なっている。また試料室５の下部には、排気孔５ａが形
成されており、この排気孔５ａは図示しない排気系に接
続されている。
次に、本装置の作用を説明しながら、硬質カーボン膜、
特にｆ）ＬＣ膜の形成方法について説明する。
特にｆ）ＬＣ膜の形成方法について説明する。
まず、図示しない排気系により、プラズマ室ｌ及び試料
室５を真空状態にする。次に、ガス導入孔１０からプラ
ズマ室ｌ内にＮ２ガスを導入する。
室５を真空状態にする。次に、ガス導入孔１０からプラ
ズマ室ｌ内にＮ２ガスを導入する。
そし“ζ、プラズマ室１の周囲に設けられた電磁コイル
４ａ、４ｂに通電し°（、プラズマ室１内に６（１界を
発生さ・Ｕる。次に、導波管３を介して周波数２．４５
ＧＩ＋□のマイクロ波をプラズマ室１に導入し、プラズ
マ室ｌ内にプラズマを発生させる。
４ａ、４ｂに通電し°（、プラズマ室１内に６（１界を
発生さ・Ｕる。次に、導波管３を介して周波数２．４５
ＧＩ＋□のマイクロ波をプラズマ室１に導入し、プラズ
マ室ｌ内にプラズマを発生させる。
次に、ガス導入管６から試料室５内にＳｉＨ４ガスを導
入して、シャッタ１２を開く。すると、プラズマ室１か
ら引き出されたプラズマ流とＳｉ夏Ｉ４ガスとが反応し
て、基板７上に、第１Ａ図に示すように、中間層として
の５ｉＮＸＩＩ！１３が形成される。このとき、Ｎ２ガ
ス流■、５ｉｌ１４ガス流量、及び反応圧力は、形成さ
れるＳｉＮ、膜に１０１°ｄｙｎｅ／ｃｍ”台の引張応
力が生ずるような条件下に設定されている。そして、基
板７上のＳｉＮ、膜１３が所要の膜厚になったところで
、シャッタＬ２を閉にする。また、排気系により試料室
５内のガスを排気して、試料室５内の圧力を５Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ以下にする。
入して、シャッタ１２を開く。すると、プラズマ室１か
ら引き出されたプラズマ流とＳｉ夏Ｉ４ガスとが反応し
て、基板７上に、第１Ａ図に示すように、中間層として
の５ｉＮＸＩＩ！１３が形成される。このとき、Ｎ２ガ
ス流■、５ｉｌ１４ガス流量、及び反応圧力は、形成さ
れるＳｉＮ、膜に１０１°ｄｙｎｅ／ｃｍ”台の引張応
力が生ずるような条件下に設定されている。そして、基
板７上のＳｉＮ、膜１３が所要の膜厚になったところで
、シャッタＬ２を閉にする。また、排気系により試料室
５内のガスを排気して、試料室５内の圧力を５Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ以下にする。
次に、ガス導入管６から試料室５内にＣＺＩＩ。
ガスを導入する。そして、電磁コイル４ａ、４ｂに通電
して、プラズマ室１内の磁束密度が８７５ガウスになる
ようにする。次に導波管３を介して周波数２．４５ＧＩ
＋□のマイクロ波をプラズマ室１に導入する。
して、プラズマ室１内の磁束密度が８７５ガウスになる
ようにする。次に導波管３を介して周波数２．４５ＧＩ
＋□のマイクロ波をプラズマ室１に導入する。
このような条件により、プラズマ室１内において、８７
５ガウスの磁場により回転する電子の周波数と、マイク
ロ波の周波数２．４５Ｇ１１□とが−致し、電子サイク
ロトロン共鳴を起こす。その結果、電子はマイクロ波か
ら効率良くエネルギーを吸収し、低ガス圧にて高密度の
プラズマが発生する。このプラズマ室１内に発生したプ
ラズマは、電磁コイル４ａ、４ｂによって形成される発
散！Ｒ界の磁力線に沿って引き出される。次にシャッタ
１２を開くと、引き出されたプラズマ流Ｍは試料室５内
の基板７上に照射される。
５ガウスの磁場により回転する電子の周波数と、マイク
ロ波の周波数２．４５Ｇ１１□とが−致し、電子サイク
ロトロン共鳴を起こす。その結果、電子はマイクロ波か
ら効率良くエネルギーを吸収し、低ガス圧にて高密度の
プラズマが発生する。このプラズマ室１内に発生したプ
ラズマは、電磁コイル４ａ、４ｂによって形成される発
散！Ｒ界の磁力線に沿って引き出される。次にシャッタ
１２を開くと、引き出されたプラズマ流Ｍは試料室５内
の基板７上に照射される。
このとき基板７には、高周波電圧が印加されているので
、周期的に正、負の電位がかかる。この結果、基板７に
負の自己バイアスが発生する。この負の自己バイアスに
よって、プラズマ中の正イオンが基板７側に引き込まれ
、第１Ｂ図に示すように、基板７上のＳｉＮつ膜１３上
にＤＬＣ膜１４が生成される。
、周期的に正、負の電位がかかる。この結果、基板７に
負の自己バイアスが発生する。この負の自己バイアスに
よって、プラズマ中の正イオンが基板７側に引き込まれ
、第１Ｂ図に示すように、基板７上のＳｉＮつ膜１３上
にＤＬＣ膜１４が生成される。
このにうにして生成されたＤＬＣ膜１４には、１０”ｄ
ｙ ｎ ｅ／ｃｍ”台の圧縮応力が生じている。一方
、基板７上のＳｉＮ、膜１３にはＩＱＩ（１ｄｙｎｅ／
ｃｍ”台の引張応力が生じている。このため、ＤＬＣＩ
！！１４に残留する圧縮応力は、５ｉＮＸ膜１３の引張
応力によって解消される。これにより、基板７上に直接
ＤＬＣ膜を形成する場合に比べ、ＤＬＣ膜と基板との密
着性が向上する。
ｙ ｎ ｅ／ｃｍ”台の圧縮応力が生じている。一方
、基板７上のＳｉＮ、膜１３にはＩＱＩ（１ｄｙｎｅ／
ｃｍ”台の引張応力が生じている。このため、ＤＬＣＩ
！！１４に残留する圧縮応力は、５ｉＮＸ膜１３の引張
応力によって解消される。これにより、基板７上に直接
ＤＬＣ膜を形成する場合に比べ、ＤＬＣ膜と基板との密
着性が向上する。
また、Ｓ ｔ Ｎｘ膜１３の熱膨張係数は、ＳｉＯ２等
に比較してＤＬＣ膜のそれに近いので、ＤＬＣ膜生成時
や生成後の剥離をより少なくすることができる。
に比較してＤＬＣ膜のそれに近いので、ＤＬＣ膜生成時
や生成後の剥離をより少なくすることができる。
さらに、本実施例では、中間層とＤＬＣｌｉとを１つの
装置内で生成することができ、効率良くＤ■、Ｃ膜の生
成を行うことができる。
装置内で生成することができ、効率良くＤ■、Ｃ膜の生
成を行うことができる。
（ａ） 前記実施例では、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を
用いた場合について説明したが、本発明の適用はこれに
限定されない。たとえば、プラズマＣＶＤ法やスパッタ
法にも同様に本発明を適用することができる。
用いた場合について説明したが、本発明の適用はこれに
限定されない。たとえば、プラズマＣＶＤ法やスパッタ
法にも同様に本発明を適用することができる。
（ｂ） 前記実施例では、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を用いて基板上にＳｉＮｘ膜Ｉ３膜形３する場合につい
て説明したが、このＳｉＮ、１ｌＱ１３の形成は別の装
置を用いて行うようにしてもよい。
を用いて基板上にＳｉＮｘ膜Ｉ３膜形３する場合につい
て説明したが、このＳｉＮ、１ｌＱ１３の形成は別の装
置を用いて行うようにしてもよい。
（Ｃ） 中間層とし°ζ、ｓｐ３？ｎ成軌道を有軌道
イ素成分からなるもの、たとえばａ−３ｉ膜、ＳｉＯ２
膜、ＳｉＣ膜等であってもよい。
イ素成分からなるもの、たとえばａ−３ｉ膜、ＳｉＯ２
膜、ＳｉＣ膜等であってもよい。
本発明に係る硬質カーボン膜形成方法では、基板上に、
ケイ素成分を含む中間層を介して硬質カーボン膜が形成
されるので、中間層により硬質カーボン膜の残留応力を
緩衝でき、硬質カーボン膜と基板との密着性を向上させ
ることができる。
ケイ素成分を含む中間層を介して硬質カーボン膜が形成
されるので、中間層により硬質カーボン膜の残留応力を
緩衝でき、硬質カーボン膜と基板との密着性を向上させ
ることができる。
第１Ａ図及び第１Ｂ図は前記硬質カーボン膜形成方法の
一例を示す図、第２図は本発明の一実施例による硬質カ
ーボン膜形成方法が適用されるＥＣｌ’？プラズマＣＶ
Ｄ装置の断面概略構成図である。 ７・ｉ板、１３・・・５ｉＮｘ膜（中間層）、１４・・
・ＤＬＣ膜（硬質カーボン膜）。
一例を示す図、第２図は本発明の一実施例による硬質カ
ーボン膜形成方法が適用されるＥＣｌ’？プラズマＣＶ
Ｄ装置の断面概略構成図である。 ７・ｉ板、１３・・・５ｉＮｘ膜（中間層）、１４・・
・ＤＬＣ膜（硬質カーボン膜）。
Claims (1)
- （１）基板上にシリコン窒化膜からなる中間層を形成す
ることと、前記中間層上に硬質カーボン膜を形成するこ
ととを含む硬質カーボン膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285600A JP2995705B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 硬質カーボン膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1285600A JP2995705B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 硬質カーボン膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146666A true JPH03146666A (ja) | 1991-06-21 |
| JP2995705B2 JP2995705B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=17693643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1285600A Expired - Fee Related JP2995705B2 (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 硬質カーボン膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995705B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007139140A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | プラズマｃｖｄ方法、窒化珪素膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS59170262A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Mitsubishi Metal Corp | 耐摩耗性のすぐれた表面被覆工具部材 |
| JPS63153275A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-06-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆アルミナ |
| JPS63286576A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 硬質炭素膜の製造方法 |
| JPS6462468A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-08 | Idemitsu Petrochemical Co | Metallic mold for molding metallic plate |
| JPH01234566A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Nikon Corp | 着色物品 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1285600A patent/JP2995705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS59170262A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Mitsubishi Metal Corp | 耐摩耗性のすぐれた表面被覆工具部材 |
| JPS63153275A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-06-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆アルミナ |
| JPS63286576A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 硬質炭素膜の製造方法 |
| JPS6462468A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-08 | Idemitsu Petrochemical Co | Metallic mold for molding metallic plate |
| JPH01234566A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Nikon Corp | 着色物品 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007139140A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | プラズマｃｖｄ方法、窒化珪素膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US8138103B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-03-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma CVD method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device |
| US8329596B2 (en) | 2006-05-31 | 2012-12-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma CVD method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5276437B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の形成方法、半導体装置の製造方法、およびプラズマｃｖｄ装置 |
| US8569186B2 (en) | 2006-05-31 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Plasma CVD method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2995705B2 (ja) | 1999-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0477890B1 (en) | Processing method and apparatus | |
| JPS593018A (ja) | プラズマデポジシヨンによるシリコン系膜の製造方法 | |
| JP3080843B2 (ja) | 薄膜形成方法及び装置 | |
| US5366586A (en) | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same | |
| JPH03146666A (ja) | 硬質カーボン膜形成方法 | |
| JPH0521986B2 (ja) | ||
| JP3944946B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2808922B2 (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 | |
| JPH04193953A (ja) | 硬質カーボン膜の形成方法及び形成装置 | |
| JPH04304373A (ja) | 硬質カーボン膜形成方法 | |
| JP2936790B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH03146665A (ja) | 硬質カーボン膜製造方法 | |
| JPH04304374A (ja) | 硬質カーボン膜形成方法 | |
| JP2703228B2 (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
| JPH029787A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01309973A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH09125243A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0717147Y2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2725203B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2623827B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS63301517A (ja) | 乾式薄膜加工装置 | |
| JPH04293781A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH03267375A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS61181534A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3106528B2 (ja) | 硬質カーボン膜形成方法及び形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071029 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |