JPH09125243A - 薄膜形成装置 - Google Patents
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- JPH09125243A JPH09125243A JP7280431A JP28043195A JPH09125243A JP H09125243 A JPH09125243 A JP H09125243A JP 7280431 A JP7280431 A JP 7280431A JP 28043195 A JP28043195 A JP 28043195A JP H09125243 A JPH09125243 A JP H09125243A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ターゲットにエロージョンができ、ターゲッ
トの利用効率が低く、結晶性の高い多結晶を成膜するこ
とが困難であるとともに吸収性の低い結晶を成膜するこ
とができない。 【解決手段】 直流電源１０８と、薄膜形成を行う成膜
室１０１と、誘電体１０９を有し、外部からのマイクロ
波電力を伝搬し、成膜室１０１内に供給する導波管１１
０とから構成し、成膜室１０１には、薄膜形成が行われ
る基体１０２と、、基体１０２を支持するための支持体
１０３と、支持体１０３と対向して配置され、かつ、薄
膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源１０８から
電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲ
ット電極１０５と、成膜室１０１内にガスを導入するた
めの第１のガス導入管１０６及び第２のガス導入管１０
７と、成膜室１０１内の排気を行うための排気管１０４
とを設ける。
トの利用効率が低く、結晶性の高い多結晶を成膜するこ
とが困難であるとともに吸収性の低い結晶を成膜するこ
とができない。 【解決手段】 直流電源１０８と、薄膜形成を行う成膜
室１０１と、誘電体１０９を有し、外部からのマイクロ
波電力を伝搬し、成膜室１０１内に供給する導波管１１
０とから構成し、成膜室１０１には、薄膜形成が行われ
る基体１０２と、、基体１０２を支持するための支持体
１０３と、支持体１０３と対向して配置され、かつ、薄
膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源１０８から
電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲ
ット電極１０５と、成膜室１０１内にガスを導入するた
めの第１のガス導入管１０６及び第２のガス導入管１０
７と、成膜室１０１内の排気を行うための排気管１０４
とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来からある薄膜形成装置の１つに直流
電源を利用した直流スパッタ装置がある。
電源を利用した直流スパッタ装置がある。
【０００３】図６は、従来の直流スパッタ装置の一構成
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【０００４】本従来例は図６に示すように、直流電源５
０８と、マグネトロン磁場を発生させる磁石５０６と、
薄膜形成を行う成膜室５０１とから構成され、成膜室５
０１には、薄膜が形成される基体５０２と、直流電源５
０８に接続され、基体５０２を支持するための支持体５
０３と、薄膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源
５０８から電圧が印加されることによりプラズマを生成
するターゲット電極５０５と、成膜室５０１内にガスを
導入するためのガス導入管５０７と、成膜室５０１内の
排気を行うための排気管５０４とが設けられている。
０８と、マグネトロン磁場を発生させる磁石５０６と、
薄膜形成を行う成膜室５０１とから構成され、成膜室５
０１には、薄膜が形成される基体５０２と、直流電源５
０８に接続され、基体５０２を支持するための支持体５
０３と、薄膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源
５０８から電圧が印加されることによりプラズマを生成
するターゲット電極５０５と、成膜室５０１内にガスを
導入するためのガス導入管５０７と、成膜室５０１内の
排気を行うための排気管５０４とが設けられている。
【０００５】以下に、上記のように構成された薄膜形成
装置における薄膜形成工程について説明する。
装置における薄膜形成工程について説明する。
【０００６】まず、基体５０２が支持体５０３上に設置
され、排気管５０４により成膜室５０１内の排気が行わ
れて成膜室５０１内の圧力が１０-6Ｔｏｒｒまで減圧す
る。
され、排気管５０４により成膜室５０１内の排気が行わ
れて成膜室５０１内の圧力が１０-6Ｔｏｒｒまで減圧す
る。
【０００７】次に、ガス導入管５０７から成膜室５０１
内にガスが導入され、成膜室５０１内の圧力が所望の圧
力に保たれる。
内にガスが導入され、成膜室５０１内の圧力が所望の圧
力に保たれる。
【０００８】その後、直流電源５０８からターゲット電
極５０５に電圧が印加されてプラズマが生成され、基体
５０２の表面にターゲット電極５０５の表面に付着され
ていた粒子であるターゲットからなる堆積膜が形成され
る。
極５０５に電圧が印加されてプラズマが生成され、基体
５０２の表面にターゲット電極５０５の表面に付着され
ていた粒子であるターゲットからなる堆積膜が形成され
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の薄膜形成装置においては、マグネトロン
磁場を利用しているため、ターゲットに対してエロージ
ョンが発生し、ターゲットの利用効率が低いという問題
点がある。
たような従来の薄膜形成装置においては、マグネトロン
磁場を利用しているため、ターゲットに対してエロージ
ョンが発生し、ターゲットの利用効率が低いという問題
点がある。
【００１０】また、低エネルギー高密度イオンアシスト
を行うことが不可能なため、結晶性の高い多結晶Ｓｉを
成膜することが困難であるとともに低吸収のＭｇＦ2を
成膜することができないという問題点もある。
を行うことが不可能なため、結晶性の高い多結晶Ｓｉを
成膜することが困難であるとともに低吸収のＭｇＦ2を
成膜することができないという問題点もある。
【００１１】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって、ターゲット
の利用効率を高くすることができるとともに低エネルギ
ー高密度イオンアシストを行うことができる薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって、ターゲット
の利用効率を高くすることができるとともに低エネルギ
ー高密度イオンアシストを行うことができる薄膜形成装
置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、薄膜形成が行われる成膜室と、電源とを有
し、前記成膜室が、前記電源に接続され、薄膜が形成さ
れる基体を保持する支持体と、前記成膜室内にガスを導
入するためのガス導入管と、前記成膜室内の排気を行う
ための排気管と、前記薄膜を形成する粒子が表面に付着
し、前記電源から電圧が印加されることによりプラズマ
を生成するターゲット電極とから構成される薄膜形成装
置において、前記成膜室周囲に、前記成膜室内にマイク
ロ波電力を供給する導波管を具備することを特徴とす
る。
に本発明は、薄膜形成が行われる成膜室と、電源とを有
し、前記成膜室が、前記電源に接続され、薄膜が形成さ
れる基体を保持する支持体と、前記成膜室内にガスを導
入するためのガス導入管と、前記成膜室内の排気を行う
ための排気管と、前記薄膜を形成する粒子が表面に付着
し、前記電源から電圧が印加されることによりプラズマ
を生成するターゲット電極とから構成される薄膜形成装
置において、前記成膜室周囲に、前記成膜室内にマイク
ロ波電力を供給する導波管を具備することを特徴とす
る。
【００１３】また、前記導波管は、無端環状導波管であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１４】また、前記支持体は、前記ターゲット電極
と対向する位置に設置され、前記導波管は、前記支持体
と前記ターゲット電極との間における前記成膜室の周囲
に設けられていることを特徴とする。
と対向する位置に設置され、前記導波管は、前記支持体
と前記ターゲット電極との間における前記成膜室の周囲
に設けられていることを特徴とする。
【００１５】また、前記ガス導入管は、前記ターゲット
電極側に設けられ、スパッタの際に必要となる第１のガ
スが導入されるための第１のガス導入管と、前記基体側
に設けられ、第２のガスが導入される第２のガス導入管
とから構成されることを特徴とする。
電極側に設けられ、スパッタの際に必要となる第１のガ
スが導入されるための第１のガス導入管と、前記基体側
に設けられ、第２のガスが導入される第２のガス導入管
とから構成されることを特徴とする。
【００１６】また、前記電源は、直流電源であることを
特徴とする。
特徴とする。
【００１７】また、前記電源は、高周波電源であること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００１８】また、前記電源は、前記ターゲット電極に
電力を供給する第１の電源と、前記支持体に電力を供給
する第２の電源とから構成されることを特徴とする。
電力を供給する第１の電源と、前記支持体に電力を供給
する第２の電源とから構成されることを特徴とする。
【００１９】また、前記第１の電源は、直流電源であ
り、前記第２の電源は、高周波電源であり、前記薄膜を
形成する粒子は、Ａｌであることを特徴とする。
り、前記第２の電源は、高周波電源であり、前記薄膜を
形成する粒子は、Ａｌであることを特徴とする。
【００２０】また、前記基体は、レンズであり、前記薄
膜を形成する粒子は、ＭｇＦ2であることを特徴とす
る。
膜を形成する粒子は、ＭｇＦ2であることを特徴とす
る。
【００２１】また、前記基体は、液晶表示パネル用基板
であり、前記薄膜を形成する粒子は、Ｓｉであることを
特徴とする。
であり、前記薄膜を形成する粒子は、Ｓｉであることを
特徴とする。
【００２２】また、前記第１のガスは、Ａｒであること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００２３】また、前記第２のガスは、Ｎ2であること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００２４】また、前記第２のガスは、Ｏ2であること
を特徴とする。
を特徴とする。
【００２５】また、前記第２のガスは、フッ化物である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００２６】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、成膜室内にガスが導入され、ターゲット電極
に電圧が印加されることにより、ターゲット電極の表面
に付着した粒子の基体上へのスパッタが行われるが、そ
の際、成膜室周囲に設けられた導波管から成膜室内にマ
イクロ波が供給されるので、成膜室内において環状のプ
ラズマが発生し、それによりターゲットが全面均一にス
パッタされることにより、ターゲットの利用効率を高く
することができる。
おいては、成膜室内にガスが導入され、ターゲット電極
に電圧が印加されることにより、ターゲット電極の表面
に付着した粒子の基体上へのスパッタが行われるが、そ
の際、成膜室周囲に設けられた導波管から成膜室内にマ
イクロ波が供給されるので、成膜室内において環状のプ
ラズマが発生し、それによりターゲットが全面均一にス
パッタされることにより、ターゲットの利用効率を高く
することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２８】（第１の実施の形態）図１は、本発明の薄
膜形成装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
膜形成装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【００２９】本形態は図１に示すように、直流電源１０
８と、薄膜形成を行う成膜室１０１と、誘電体１０９を
有し、外部からのマイクロ波電力を伝搬し、成膜室１０
１内に供給する導波管１１０とから構成され、成膜室１
０１には、薄膜形成が行われる基体１０２と、直流電源
１０８に接続され、基体１０２を支持するための支持体
１０３と、支持体１０３と対向して配置され、かつ、薄
膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源１０８から
電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲ
ット電極１０５と、成膜室１０１内にガスを導入するた
めの第１のガス導入管１０６及び第２のガス導入管１０
７と、成膜室１０１内の排気を行うための排気管１０４
とが設けられている。
８と、薄膜形成を行う成膜室１０１と、誘電体１０９を
有し、外部からのマイクロ波電力を伝搬し、成膜室１０
１内に供給する導波管１１０とから構成され、成膜室１
０１には、薄膜形成が行われる基体１０２と、直流電源
１０８に接続され、基体１０２を支持するための支持体
１０３と、支持体１０３と対向して配置され、かつ、薄
膜を形成する粒子が表面に付着し、直流電源１０８から
電圧が印加されることによりプラズマを生成するターゲ
ット電極１０５と、成膜室１０１内にガスを導入するた
めの第１のガス導入管１０６及び第２のガス導入管１０
７と、成膜室１０１内の排気を行うための排気管１０４
とが設けられている。
【００３０】なお、第１のガス導入管１０６は、ターゲ
ット電極１０５近傍に設けられ、主にスパッタに寄与す
るガス（スパッタ用ガス）が導入されるためのものであ
り、第２のガス導入管１０７は、マイクロ波の導入に影
響がないように誘電体により構成され、リアクティブス
パッタを行う場合にターゲット電極１０５からスパッタ
された粒子と反応するガス（反応性ガス）を導波管１１
０に沿って導入するためのものである。
ット電極１０５近傍に設けられ、主にスパッタに寄与す
るガス（スパッタ用ガス）が導入されるためのものであ
り、第２のガス導入管１０７は、マイクロ波の導入に影
響がないように誘電体により構成され、リアクティブス
パッタを行う場合にターゲット電極１０５からスパッタ
された粒子と反応するガス（反応性ガス）を導波管１１
０に沿って導入するためのものである。
【００３１】図２は、図１に示した導波管１１０の一形
態であるスロット付き無端導波管の構造を示す断面図で
ある。
態であるスロット付き無端導波管の構造を示す断面図で
ある。
【００３２】本形態は図２に示すように、マイクロ波電
源（不図示）から所望のマイクロ波電力が導入される導
入部６０１と、導入部６０１から導入されたマイクロ波
を伝搬する円筒状導波管６０２とから構成され、円筒状
導入管６０２内には、導入部６０１から導入されたマイ
クロ波を２方向に分配する分配ブロック６０３と、分配
ブロック６０３により分配されたマイクロ波を成膜室１
０１内に供給するスロット６０４とが設けられている。
源（不図示）から所望のマイクロ波電力が導入される導
入部６０１と、導入部６０１から導入されたマイクロ波
を伝搬する円筒状導波管６０２とから構成され、円筒状
導入管６０２内には、導入部６０１から導入されたマイ
クロ波を２方向に分配する分配ブロック６０３と、分配
ブロック６０３により分配されたマイクロ波を成膜室１
０１内に供給するスロット６０４とが設けられている。
【００３３】上記のように構成されたスロット付き無端
導波管においては、マイクロ波電源から所望のマイクロ
波が導入部６０１を介して導入され、導入されたマイク
ロ波が分配ブロック６０３により分配ブロック６０３の
両側２方向に分配された後、円筒状導波管６０２内を伝
搬する。
導波管においては、マイクロ波電源から所望のマイクロ
波が導入部６０１を介して導入され、導入されたマイク
ロ波が分配ブロック６０３により分配ブロック６０３の
両側２方向に分配された後、円筒状導波管６０２内を伝
搬する。
【００３４】そして、分配されたマイクロ波同士が干渉
することにより管内波長の１／２おきに発生する電界の
強い部分（腹）の位置に合致させて形成されたスロット
６０４から成膜室１０１内へマイクロ波が導入される。
することにより管内波長の１／２おきに発生する電界の
強い部分（腹）の位置に合致させて形成されたスロット
６０４から成膜室１０１内へマイクロ波が導入される。
【００３５】なお、干渉し合う２方向のマイクロ波の強
度が近いほど干渉力が強くなるので、干渉がない場合に
マイクロ波の強度が弱くなる導入部６０１と対向する部
分におけるマイクロ波の強度を補償することができ、成
膜室１０１内への均一なマイクロ波の導入が可能にな
る。
度が近いほど干渉力が強くなるので、干渉がない場合に
マイクロ波の強度が弱くなる導入部６０１と対向する部
分におけるマイクロ波の強度を補償することができ、成
膜室１０１内への均一なマイクロ波の導入が可能にな
る。
【００３６】以下に、図１に示した薄膜形成装置におけ
る薄膜形成工程について説明する。
る薄膜形成工程について説明する。
【００３７】まず、基体１０２が支持体１０３上に設置
され、排気管１０４により成膜室１０１内の排気が行わ
れて成膜室１０１内の圧力が１０-6Ｔｏｒｒまで減圧す
る。
され、排気管１０４により成膜室１０１内の排気が行わ
れて成膜室１０１内の圧力が１０-6Ｔｏｒｒまで減圧す
る。
【００３８】次に、第１のガス導入管１０６及び第２の
ガス導入管１０７から成膜室１０１内にガスが導入さ
れ、成膜室１０１内の圧力が所望の圧力に保たれる。
ガス導入管１０７から成膜室１０１内にガスが導入さ
れ、成膜室１０１内の圧力が所望の圧力に保たれる。
【００３９】次に、導波管１１０より誘電体１０９を介
して成膜室１０１内にマイクロ波が導入され、プラズマ
が生成される。
して成膜室１０１内にマイクロ波が導入され、プラズマ
が生成される。
【００４０】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧が印加されてスパッタが開始され、基体
１０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着され
ていた粒子であるターゲットからなる堆積膜が形成され
る。
極１０５に電圧が印加されてスパッタが開始され、基体
１０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着され
ていた粒子であるターゲットからなる堆積膜が形成され
る。
【００４１】上述したような工程においては、使用する
ガス及びターゲットの材料を適宜選択することにより、
窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化タンタル膜、酸
化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アルミニウム膜、窒化
アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜などの絶縁膜、ａ
−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ等の半導体
膜、及びＡｌ，Ｍｏ，ＩＴＯなどの導電膜等の堆積膜を
形成することが可能である。
ガス及びターゲットの材料を適宜選択することにより、
窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化タンタル膜、酸
化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アルミニウム膜、窒化
アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜などの絶縁膜、ａ
−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ等の半導体
膜、及びＡｌ，Ｍｏ，ＩＴＯなどの導電膜等の堆積膜を
形成することが可能である。
【００４２】第１の導入管１０６から成膜室１０１内に
導入されるスパッタ用ガス（主にスパッタに寄与するガ
ス）としては、Ｈ2，Ｈｅ，Ｎｅ及びＡｒ等が挙げられ
る。
導入されるスパッタ用ガス（主にスパッタに寄与するガ
ス）としては、Ｈ2，Ｈｅ，Ｎｅ及びＡｒ等が挙げられ
る。
【００４３】また、窒化シリコン、酸化シリコン等のＳ
ｉ化合物系薄膜の形成のために第２の導入管１０７から
成膜室１０１内に導入されるガスとしては、Ｎ2，Ｏ2，
Ｈ2及びフッ化物などが挙げられる。
ｉ化合物系薄膜の形成のために第２の導入管１０７から
成膜室１０１内に導入されるガスとしては、Ｎ2，Ｏ2，
Ｈ2及びフッ化物などが挙げられる。
【００４４】なお、本発明の薄膜形成装置を用いて薄膜
が形成される基体としては、導電性のものであっても、
電気絶縁性のものであっても、半導体であってもよい。
が形成される基体としては、導電性のものであっても、
電気絶縁性のものであっても、半導体であってもよい。
【００４５】（第２の実施の形態）図３は、本発明の薄
膜形成装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
膜形成装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
【００４６】本形態においては図３に示すように、第１
の実施の形態において示したものに対して、支持体２０
３への電源供給を行う直流電源の代わり支持体２０３に
高周波電力を供給するためのＲＦ電源２１１が設けられ
ており、その他の構成においては、第１の実施の形態に
おいて示したものと同様である。
の実施の形態において示したものに対して、支持体２０
３への電源供給を行う直流電源の代わり支持体２０３に
高周波電力を供給するためのＲＦ電源２１１が設けられ
ており、その他の構成においては、第１の実施の形態に
おいて示したものと同様である。
【００４７】（第３の実施の形態）図４は、本発明の薄
膜形成装置の第３の実施の形態を示す断面図である。
膜形成装置の第３の実施の形態を示す断面図である。
【００４８】本形態においては図４に示すように、第１
の実施の形態において示したものに対して、ターゲット
電極３０５及び支持体３０３への電源供給を行う直流電
源の代わりターゲット電極３０５及び支持体３０３に高
周波電力を供給するためのＲＦ電源３０８が設けられて
おり、その他の構成においては、第１の実施の形態にお
いて示したものと同様である。
の実施の形態において示したものに対して、ターゲット
電極３０５及び支持体３０３への電源供給を行う直流電
源の代わりターゲット電極３０５及び支持体３０３に高
周波電力を供給するためのＲＦ電源３０８が設けられて
おり、その他の構成においては、第１の実施の形態にお
いて示したものと同様である。
【００４９】（第４の実施の形態）図５は、本発明の薄
膜形成装置の第４の実施の形態を示す断面図である。
膜形成装置の第４の実施の形態を示す断面図である。
【００５０】本形態においては図５に示すように、第３
の実施の形態において示したものに対して、ターゲット
電極４０５が２個、導波管４１０と支持体４０３との間
にそれぞれ設けられており、その他の構成においては、
第３の実施の形態において示したものと同様である。
の実施の形態において示したものに対して、ターゲット
電極４０５が２個、導波管４１０と支持体４０３との間
にそれぞれ設けられており、その他の構成においては、
第３の実施の形態において示したものと同様である。
【００５１】以下に、実施例を挙げて上述したような本
発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
発明の実施の形態について具体的に説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５２】
【実施例】以下に、上述した第１の実施の形態における
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００５３】（第１の実施例）第１の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を光磁気ディスク用窒化シリコン膜
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を光磁気ディスク用窒化シリコン膜
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
【００５４】基体１０２としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用し、ターゲットとしてはＳｉを使用した。
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用し、ターゲットとしてはＳｉを使用した。
【００５５】まず、基体１０２を支持体１０３に設置
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００５６】次に、第１のガス導入管１０６からＡｒを
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＮ2を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＮ2を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
【００５７】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００５８】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＳｉからなる膜を形成した。
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＳｉからなる膜を形成した。
【００５９】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【００６０】（第２の実施例）第２の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を反射防止用フッ化マグネシウム膜
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を反射防止用フッ化マグネシウム膜
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
【００６１】基体１０２としては、直径５０ｍｍプラス
チック凸レンズを使用し、ターゲットとしてはＭｇＦ2
を使用した。
チック凸レンズを使用し、ターゲットとしてはＭｇＦ2
を使用した。
【００６２】まず、基体１０２を支持体１０３に設置
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００６３】次に、第１のガス導入管１０６からＡｒを
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＮＦ3を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＮＦ3を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
【００６４】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００６５】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＭｇＦ2からなる膜を形成した。
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＭｇＦ2からなる膜を形成した。
【００６６】上記工程においては、低エネルギー高密度
イオンアシストの効果により、吸収の低い良質な膜が形
成され、また、ターゲットが全面均一にスパッタされる
ことにより、ターゲットの利用効率が向上した。
イオンアシストの効果により、吸収の低い良質な膜が形
成され、また、ターゲットが全面均一にスパッタされる
ことにより、ターゲットの利用効率が向上した。
【００６７】（第３の実施例）第３の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のモリブデン膜の
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のモリブデン膜の
形成に応用した例を図１を用いて説明する。
【００６８】基体１０２としては、ガラス基板を使用
し、ターゲットとしてはＭｏを使用した。
し、ターゲットとしてはＭｏを使用した。
【００６９】まず、基体１０２を支持体１０３に設置
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００７０】次に、第２のガス導入管１０７からＡｒを
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を３ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を３ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。
【００７１】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００７２】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＭｏからなる膜を形成した。
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＭｏからなる膜を形成した。
【００７３】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【００７４】（第４の実施例）第４の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のＩＴＯ膜の形成
に応用した例を図１を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のＩＴＯ膜の形成
に応用した例を図１を用いて説明する。
【００７５】基体１０２としては、ガラスフィルタを使
用し、ターゲットとしてはＩＴＯを使用した。
用し、ターゲットとしてはＩＴＯを使用した。
【００７６】まず、基体１０２を支持体１０３に設置
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００７７】次に、第１のガス導入管１０６からＡｒを
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＯ2を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室１０１内に導入するとともに第２のガス導入管１
０７からＯ2を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
【００７８】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００７９】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＩＴＯからなる膜を形成した。
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＩＴＯからなる膜を形成した。
【００８０】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【００８１】（第５の実施例）第５の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の多結晶シリコン
膜の形成に応用した例を図１を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の多結晶シリコン
膜の形成に応用した例を図１を用いて説明する。
【００８２】基体１０２としては、ガラス基板を使用
し、ターゲットとしてはＳｉを使用した。
し、ターゲットとしてはＳｉを使用した。
【００８３】まず、基体１０２を支持体１０３に設置
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管１０４により成膜室１０１内の排気を行い、
成膜室１０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００８４】次に、第２のガス導入管１０７からＡｒを
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を１０
ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を１０
ｍＴｏｒｒに保持した。
【００８５】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管１１０から誘電体１０９を介して成膜室１０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００８６】その後、直流電源１０８からターゲット電
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＳｉからなる膜を形成した。
極１０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体１
０２の表面にターゲット電極１０５の表面に付着してい
たＳｉからなる膜を形成した。
【００８７】上記工程においては、低エネルギー高密度
イオンアシストの効果により、結晶性の高い多結晶膜が
形成され、また、ターゲットが全面均一にスパッタされ
ることにより、ターゲットの利用効率が向上した。
イオンアシストの効果により、結晶性の高い多結晶膜が
形成され、また、ターゲットが全面均一にスパッタされ
ることにより、ターゲットの利用効率が向上した。
【００８８】以下に、上述した第２の実施の形態におけ
る実施例について説明する。
る実施例について説明する。
【００８９】（第６の実施例）第６の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のＡｌ膜の形成に
応用した例を図３を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板のＡｌ膜の形成に
応用した例を図３を用いて説明する。
【００９０】基体２０２としては、ガラス基板を使用
し、ターゲットとしてはＡｌを使用した。
し、ターゲットとしてはＡｌを使用した。
【００９１】まず、基体２０２を支持体２０３に設置
し、排気管２０４により成膜室２０１内の排気を行い、
成膜室２０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管２０４により成膜室２０１内の排気を行い、
成膜室２０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【００９２】次に、第２のガス導入管２０７からＡｒを
成膜室２０１内に導入し、成膜室２０１内の圧力を３ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。
成膜室２０１内に導入し、成膜室２０１内の圧力を３ｍ
Ｔｏｒｒに保持した。
【００９３】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管２１０から誘電体２０９を介して成膜室２０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管２１０から誘電体２０９を介して成膜室２０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【００９４】また、基体２０２に対してＲＦ電源２１１
よりバイアスとして高周波電力を供給した。
よりバイアスとして高周波電力を供給した。
【００９５】その後、直流電源２０８からターゲット電
極２０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体２
０２の表面にターゲット電極２０５の表面に付着してい
たＡｌからなる膜を形成した。
極２０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体２
０２の表面にターゲット電極２０５の表面に付着してい
たＡｌからなる膜を形成した。
【００９６】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【００９７】以下に、上述した第３の実施の形態におけ
る実施例について説明する。
る実施例について説明する。
【００９８】（第７の実施例）第７の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の酸化シリコン膜
の形成に応用した例を図４を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の酸化シリコン膜
の形成に応用した例を図４を用いて説明する。
【００９９】基体３０２としては、電極（ＩＴＯ膜やＡ
ｌ膜など）が形成してあるガラス基板を使用し、ターゲ
ットとしてはＳｉＯ2を使用した。
ｌ膜など）が形成してあるガラス基板を使用し、ターゲ
ットとしてはＳｉＯ2を使用した。
【０１００】まず、基体３０２を支持体３０３に設置
し、排気管３０４により成膜室３０１内の排気を行い、
成膜室３０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管３０４により成膜室３０１内の排気を行い、
成膜室３０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【０１０１】次に、第１のガス導入管３０６からＡｒを
成膜室３０１内に導入するとともに第２のガス導入管３
０７からＯ2を成膜室３０１内に導入し、成膜室３０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室３０１内に導入するとともに第２のガス導入管３
０７からＯ2を成膜室３０１内に導入し、成膜室３０１
内の圧力を５ｍＴｏｒｒに保持した。
【０１０２】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管３１０から誘電体３０９を介して成膜室３０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管３１０から誘電体３０９を介して成膜室３０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【０１０３】その後、ＲＦ電源３０８からターゲット電
極３０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体３
０２の表面にターゲット電極３０５の表面に付着してい
たＳｉＯ2からなる膜を形成した。
極３０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体３
０２の表面にターゲット電極３０５の表面に付着してい
たＳｉＯ2からなる膜を形成した。
【０１０４】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【０１０５】以下に、上述した第４の実施の形態におけ
る実施例について説明する。
る実施例について説明する。
【０１０６】（第８の実施例）第８の実施例として、本
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の酸化タンタル膜
の形成に応用した例を図５を用いて説明する。
発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の酸化タンタル膜
の形成に応用した例を図５を用いて説明する。
【０１０７】基体４０２としては、電極（ＩＴＯ膜やＡ
ｌ膜など）が形成してあるガラス基板を使用し、ターゲ
ットとしてはＴａを使用した。
ｌ膜など）が形成してあるガラス基板を使用し、ターゲ
ットとしてはＴａを使用した。
【０１０８】まず、基体４０２を支持体４０３に設置
し、排気管４０４により成膜室４０１内の排気を行い、
成膜室４０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
し、排気管４０４により成膜室４０１内の排気を行い、
成膜室４０１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒまで減圧させ
た。
【０１０９】次に、第１のガス導入管４０６からＡｒを
成膜室４０１内に導入するとともに第２のガス導入管４
０７からＯ2を成膜室４０１内に導入し、成膜室４０１
内の圧力を３ｍＴｏｒｒに保持した。
成膜室４０１内に導入するとともに第２のガス導入管４
０７からＯ2を成膜室４０１内に導入し、成膜室４０１
内の圧力を３ｍＴｏｒｒに保持した。
【０１１０】次に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管４１０から誘電体４０９を介して成膜室４０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
（不図示）より発振した３ｋＷのマイクロ波電力を導波
管４１０から誘電体４０９を介して成膜室４０１に導入
し、環状のプラズマを発生させた。
【０１１１】その後、ＲＦ電源４０８からターゲット電
極４０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体４
０２の表面にターゲット電極４０５の表面に付着してい
たＴａからなる膜を形成した。
極４０５に電圧を印加し、スパッタを開始させて基体４
０２の表面にターゲット電極４０５の表面に付着してい
たＴａからなる膜を形成した。
【０１１２】上記工程においては、ターゲットが全面均
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
一にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率
が向上した。
【０１１３】
【発明の効果】本発明は、成膜室の周囲に、成膜室内に
マイクロ波を供給する導波管を設けたため、成膜室内に
おいて環状のプラズマが発生し、ターゲットが全面均一
にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率を
高くすることができる。
マイクロ波を供給する導波管を設けたため、成膜室内に
おいて環状のプラズマが発生し、ターゲットが全面均一
にスパッタされることにより、ターゲットの利用効率を
高くすることができる。
【０１１４】また、プラズマ中の電位であるシース電位
が低くなるため、低エネルギー高密度イオンアシストの
効果が発生し、ダメージの少ない成膜を行うことができ
る。
が低くなるため、低エネルギー高密度イオンアシストの
効果が発生し、ダメージの少ない成膜を行うことができ
る。
【図１】本発明の薄膜形成装置の第１の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示した導波管の一形態であるスロット付
き無端導波管の構造を示す断面図である。
き無端導波管の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の薄膜形成装置の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明の薄膜形成装置の第３の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の薄膜形成装置の第４の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】従来の直流スパッタ装置の一構成例を示す断面
図である。
図である。
１０１，２０１，３０１，４０１ 成膜室 １０２，２０２，３０２，４０２ 基体 １０３，２０３，３０３，４０３ 支持体 １０４，２０４，３０４，４０４ 排気管 １０５，２０５，３０５，４０５ ターゲット電極 １０６，２０６，３０６，４０６ 第１のガス導入管 １０７，２０７，３０７，４０７ 第２のガス導入管 １０８，２０８ 直流電源 １０９，２０９，３０９，４０９ 誘電体 １１０，２１０，３１０，４１０ 導波管 ２１１，３０８，４０８ ＲＦ電源 ６０１ 導入部 ６０２ 円筒状導波管 ６０３ 分配ブロック ６０４ スロット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/40 Ｃ２３Ｃ 14/40 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/285 21/285 Ｓ 21/3065 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ
Claims (20)
- 【請求項１】 薄膜形成が行われる成膜室と、電源とを
有し、前記成膜室が、前記電源に接続され、薄膜が形成
される基体を保持する支持体と、前記成膜室内にガスを
導入するためのガス導入管と、前記成膜室内の排気を行
うための排気管と、前記薄膜を形成する粒子が表面に付
着し、前記電源から電圧が印加されることによりプラズ
マを生成するターゲット電極とから構成される薄膜形成
装置において、 前記成膜室周囲に、前記成膜室内にマイクロ波電力を供
給する導波管を具備することを特徴とする薄膜形成装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記導波管は、無端環状導波管であることを特徴とする
薄膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記支持体は、前記ターゲット電極と対向する位置に設
置され、 前記導波管は、前記支持体と前記ターゲット電極との間
における前記成膜室の周囲に設けられていることを特徴
とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜形成装置において、 前記ガス導入管は、前記ターゲット電極側に設けられ、
スパッタの際に必要となる第１のガスが導入されるため
の第１のガス導入管と、前記基体側に設けられ、第２の
ガスが導入される第２のガス導入管とから構成されるこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜形成装置において、 前記電源は、直流電源であることを特徴とする薄膜形成
装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記電源は、直流電源であることを特徴とする薄膜形成
装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜形成装置において、 前記電源は、高周波電源であることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項８】 請求項４に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記電源は、高周波電源であることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
薄膜形成装置において、 前記電源は、前記ターゲット電極に電力を供給する第１
の電源と、前記支持体に電力を供給する第２の電源とか
ら構成されることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項１０】 請求項４に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記電源は、前記ターゲット電極に電力を供給する第１
の電源と、前記支持体に電力を供給する第２の電源とか
ら構成されることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項１１】 請求項９に記載の薄膜形成装置におい
て、 前記第１の電源は、直流電源であり、 前記第２の電源は、高周波電源であり、 前記薄膜を形成する粒子は、Ａｌであることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項１２】 請求項１０に記載の薄膜形成装置にお
いて、 前記第１の電源は、直流電源であり、 前記第２の電源は、高周波電源であり、 前記薄膜を形成する粒子は、Ａｌであることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項１３】 請求項１，２，３，５，７または９に
記載の薄膜形成装置において、 前記基体は、レンズであり、 前記薄膜を形成する粒子は、ＭｇＦ2であることを特徴
とする薄膜形成装置。 - 【請求項１４】 請求項４，６，８または１０に記載の
薄膜形成装置において、 前記基体は、レンズであり、 前記薄膜を形成する粒子は、ＭｇＦ2であることを特徴
とする薄膜形成装置。 - 【請求項１５】 請求項１，２，３，５，７または９に
記載の薄膜形成装置において、 前記基体は、液晶表示パネル用基板であり、 前記薄膜を形成する粒子は、Ｓｉであることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項１６】 請求項４，６，８または１０に記載の
薄膜形成装置において、 前記基体は、液晶表示パネル用基板であり、 前記薄膜を形成する粒子は、Ｓｉであることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項１７】 請求項４，６，８，１０，１２，１４
または１６に記載の薄膜形成装置において、 前記第１のガスは、Ａｒであることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項１８】 請求項４，６，８，１０，１２，１
４，１６または１７に記載の薄膜形成装置において、 前記第２のガスは、Ｎ2であることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項１９】 請求項４，６，８，１０，１２，１
４，１６または１７に記載の薄膜形成装置において、 前記第２のガスは、Ｏ2であることを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項２０】 請求項４，６，８，１０，１２，１
４，１６または１７に記載の薄膜形成装置において、 前記第２のガスは、フッ化物あることを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280431A JPH09125243A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜形成装置 |
| US08/736,681 US5975012A (en) | 1995-10-27 | 1996-10-25 | Deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280431A JPH09125243A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09125243A true JPH09125243A (ja) | 1997-05-13 |
Family
ID=17624966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280431A Pending JPH09125243A (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5975012A (ja) |
| JP (1) | JPH09125243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014522551A (ja) * | 2011-06-09 | 2014-09-04 | コリア ベーシック サイエンス インスティテュート | ベルト型磁石を含むプラズマ発生源及びこれを用いた薄膜蒸着システム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534924B1 (en) | 1998-03-31 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing electron source, and method manufacturing image forming apparatus |
| US20060054494A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Veeco Instruments Inc. | Physical vapor deposition apparatus for depositing thin multilayer films and methods of depositing such films |
| JP2008181710A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Canon Inc | プラズマ処理装置及び方法 |
| KR20140019577A (ko) * | 2012-08-06 | 2014-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| DE3750115T2 (de) * | 1986-10-20 | 1995-01-19 | Hitachi Ltd | Plasmabearbeitungsgerät. |
| US4919077A (en) * | 1986-12-27 | 1990-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus |
| US5294320A (en) * | 1990-02-09 | 1994-03-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber |
| JP2989063B2 (ja) * | 1991-12-12 | 1999-12-13 | キヤノン株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP7280431A patent/JPH09125243A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-25 US US08/736,681 patent/US5975012A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2014522551A (ja) * | 2011-06-09 | 2014-09-04 | コリア ベーシック サイエンス インスティテュート | ベルト型磁石を含むプラズマ発生源及びこれを用いた薄膜蒸着システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5975012A (en) | 1999-11-02 |
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