JPH04293781A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置

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JPH04293781A
JPH04293781A JP5636091A JP5636091A JPH04293781A JP H04293781 A JPH04293781 A JP H04293781A JP 5636091 A JP5636091 A JP 5636091A JP 5636091 A JP5636091 A JP 5636091A JP H04293781 A JPH04293781 A JP H04293781A
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JP
Japan
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microwave
window
microwaves
vacuum
vacuum container
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Pending
Application number
JP5636091A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuaki Saito
克明 斉藤
Takuya Fukuda
福田 琢也
Michio Ogami
大上 三千男
Kazuo Suzuki
和夫 鈴木
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Hitachi Engineering and Services Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Engineering and Services Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04293781A publication Critical patent/JPH04293781A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を用いた成
膜やエッチングなどの基板処理プロセスにおいて高効率
のマイクロ波の伝搬、装置のメンテナンス性の向上及び
装置使用時の安全性の向上に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置は
CVD,エッチング等半導体プロセスの様々な分野で利
用されている。以下図面を用い従来のマイクロ波プラズ
マ処理装置について説明する。図4は従来のECRマイ
クロ波プラズマ処理装置の断面図を示すものである。
【0003】あらかじめ排気された真空容器内401に
、マイクロ波電界が入射され磁界コイル406により印
加された磁界によりガスノズル404,405より導入
されたがガスが電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ
となる。生成されたプラズマは磁力線にそって輸送され
、基板ホルダ411に固定された基板409を処理する
【0004】通常、マイクロ波導波管403と真空容器
との連結部あるいはマイクロ波導波管の途中には石英や
酸化アルミニウムなどマイクロ波を透過する物質からな
るマイクロ波入射窓402がある。通常マイクロ波入射
窓における真空シールは図3に示したように真空容器3
01のOリング溝304にあるOリング303が上記入
射窓302と接し真空を保ち、入射窓を透過したマイク
ロ波は真空容器内に伝搬される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は入射窓を透過してきたマイクロ波の一部は真空シール
手段に吸収されあるいは導波管と真空容器とのすき間か
ら外界にマイクロ波リークするなどしてむだに消耗され
、またOリング溝などでのマイクロ波の多重反射や上記
すき間が原因となるマイクロ伝搬の不整合のため、真空
容器内へのマイクロ波の入射効率が低下するといった問
題やマイクロ波の洩れ電界による安全上の問題等があっ
た。
【0006】また、石英ガラスには数ミクロンから数1
0ナノメータ程度の凹凸があり金属製のOリングを用い
た場合には10/−5乗/以上の高真空を得るためには
、高精度の表面研磨を必要としていた。そのため、通常
金属性のOリングを用いずゴム等の弾性体のOリングが
用いられてきた。しかしこのようなOリングはマイクロ
波を吸収しジュール熱を発生しOリングの寿命を短くさ
せるといった問題があった。
【0007】本発明はこれらの問題を解決するものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点のうちOリン
グにマイクロ波が照射されることおよびOリング溝やO
リングによりマイクロ波の位相の不整合が発生すること
を防止するために、マイクロ波導入窓やプラズマ観察窓
のうちOリングなど真空シール手段と接する部位周辺に
金属薄膜を蒸着等によって付着させたものである。この
時、金属薄膜厚さはマイクロ波のスキンデプス程度かそ
れ以上の厚さが必要となるものである。また、導波管と
真空容器とのすき間から外界にマイクロ波が漏洩するこ
とを防止するために、マイクロ波導入窓の外周に金属膜
を付着させたものである。この場合も金属薄膜厚さはマ
イクロ波のスキンデプス程度かそれ以上の厚さが必要と
なるものである。
【0009】
【作用】上記手段のうちマイクロ波導入窓やプラズマ観
察窓のうちOリングなど真空シール手段と接する部位周
辺に金属薄膜を蒸着等によって、マイクロ波のスキンデ
プス程度かそれ以上の厚さを成膜することにより、金属
薄膜面でマイクロ波電界を反射し、OリングやOリング
溝にマイクロ波が入射するのを防止しマイクロ波電界に
よりOリングが劣化するのを防止すると共にOリング溝
によるマイクロ波の位相の不整合が発生することを防止
する。
【0010】また、マイクロ波導入窓の外周に金属膜を
付着させることにより、同様にマイクロ波電界を反射し
導波管と真空容器とのすき間から外界にマイクロ波リー
クすることを防止するとともに、マイクロ波電界伝搬の
不整合を防止するものである。
【0011】
【実施例】以下、本発明のマイクロ波プラズマ処理装置
を図面を用いながら説明する。
【0012】図1は図4に示したECRマイクロ波プラ
ズマ装置において本発明のマイクロ波入射窓付近の断面
図を示す。また、図3は従来装置におけるマイクロ波入
射窓付近の断面図を示した。本装置は真空容器101の
上方に石英窓102を介してマイクロ波導波管103が
接続され、マイクロ波105が真空容器101内に導入
される。マイクロ波の周波数はは2.45GHz であ
る。また、あらかじめ10の−4Pa以下に真空排気さ
れた容器内にガスノズル404,405より反応ガスが
導入され、真空容器401周囲に設けられた磁界コイル
406により発生した磁束密度875Gauss の位
置で、電子サイクロトロン共鳴状態となりガスが分解、
電離しプラズマとなる。
【0013】その際導入ガスの種類により基板表面の物
質をエッチングしたり膜堆積を行ったりする。
【0014】通常マイクロ波入射窓における真空シール
は図3に示したように真空容器301のOリング溝30
4にあるOリング303が上記入射窓302と接し、窓
の破損防止用の弾性体306を介して入射窓を圧縮する
ことにより真空を保つ。弾性体としてはリング状のゴム
板を用いている。
【0015】本発明においては図1及び図2に示すよう
に、マイクロ波入射窓にアルミニウム薄膜1ミクロンが
蒸着されており(110,111,112)それぞれ窓
破損防止用弾性体にマイクロ波が照射されるのを防止す
るもの、マイクロ波導波管と真空容器の連結部からのマ
イクロ波の漏洩を防止するもの、Oリングにマイクロ波
が照射されるのを防止するものである。
【0016】アルミニウムにおけるマイクロ波のスキン
デプスは数千オングストロームであるためアルミニウム
を1ミクロンの膜厚があれば十分である。
【0017】実施例1 上記装置において、マイクロ波入射窓として本発明の図
1の断面構造の窓と従来方式の図3の断面構造の窓とを
用いマイクロ波電力を600ワット投入した際のマイク
ロ波の反射電力および導波管と真空容器との接続部にお
ける漏洩マイクロ波電力を比較した。
【0018】その結果、図1の本実施例における装置に
おいては共に10ワット以下で観測することができなか
った。また、図3に示した従来例の装置においてはそれ
ぞれ50ワット及び10ワットであった。
【0019】Oリング部及び破損防止用弾性体における
マイクロ波の吸収量はそれぞれの位置におけるマイクロ
波電解強度を計算しそれぞれの材質による吸収係数より
推定したところ10ワット程度である。その結果このO
リングにより真空を保つと信頼される期間は1000時
間程度であり24時間装置を稼働させた場合には、2か
月に1度メンテナンスを必要としていた。しかし本発明
の図1に示した構造においてはOリング部には全くマイ
クロ波が照射されないためにメンテナンスを必要としな
い。
【0020】実施例2 上記装置において、プラズマ観察窓の本発明と従来例に
ついての様子を図6及び図7に示した。620,720
はマイクロ波しゃへい用金属網である。観察窓側部には
マイクロ波しゃへい手段は特に施されていない。これら
の構成においてマイクロ波導入窓より1キロワットのマ
イクロ波を投入した場合の漏洩マイクロ波の電力をモニ
タした。従来例の構造においては漏洩マイクロ波電力は
プラズマが生成されている状態で5ワット,プラズマが
生成されていない状態で15ワットに達した。15ワッ
トのマイクロ波電力を長期間人体に照射した場合十分に
有害である。
【0021】一方、本発明の構成においてはいずれの場
合にも漏洩マイクロ波は観測限界以下で安全性に優れた
構成である。
【0022】実施例3 実施例1と同様マイクロ波導入窓部に金属薄膜を形成す
る方法としては、石英窓全面に金属薄膜を形成したのマ
イクロ波が通過する部分のみエッチングなどにより金属
薄膜を除去し、図5に示したように図1においては3個
所に分かれていた金属薄膜の分かれをなくし、よりマイ
クロ波のしゃへい性能を向上させたものである510。
【0023】また本実施例においては導波管中も100
Pa程度の低真空として保つために導波管側の連結部に
もOリングによる真空シールが施されている。
【0024】
【発明の効果】本発明によればマイクロ波装置における
装置メンテナンスの容易化、装置使用時の安全性が向上
するといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例であるマイクロ波プラズマ装置
のマイクロ波導入窓付近の断面図である。
【図2】マイクロ波入射窓を示す図である。
【図3】従来のマイクロ波プラズマ装置のマイクロ波導
入部付近の断面図である。
【図4】従来ECRマイクロ波プラズマ装置の断面図で
ある。
【図5】本発明のマイクロ波プラズマ装置の応用例のマ
イクロ波導入窓付近の断面図である。
【図6】本発明のプラズマ観察窓付近の断面図である。
【図7】従来のプラズマ観察窓付近の断面図である。
【符号の説明】
101…真空容器、102…マイクロ波導入窓、103
…マイクロ波導波管、104…Oリング溝、105…マ
イクロ波、106…窓破損防止用弾性体、110,11
1,112…金属薄膜、301…真空容器、302…マ
イクロ波導入窓、303…マイクロ波導波管、304…
Oリング溝、306…窓破損防止用弾性体、401…真
空容器、402…石英窓、403…マイクロ波導波管、
404,405…ガスノズル、406…磁界コイル、4
09…基板、411…基板ホルダ、412…排気、41
3…プラズマ観測用窓、503…マイクロ波導波管、5
10…金属薄膜、610…金属薄膜、620,720…
マイクロ波しゃへい用金網。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空容器、該真空容器を排気する手段、マ
    イクロ波電磁波を発生させる手段、該マイクロ波を真空
    容器内に入射させるべくマイクロ波を該マイクロ波発生
    手段から真空容器内へ伝搬させる手段、また、マイクロ
    波電界を透過させる物質からなる窓を備え該窓が真空シ
    ール手段と接し真空を保つことができるプラズマ処理装
    置において、該窓と真空シール手段との間に0.1μm
     以上の厚さの金属薄膜を介していることを特徴とする
    、マイクロ波プラズマ処理装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、該窓の外周に金属膜を
    付着させたことを特徴とする、マイクロ波プラズマ処理
    装置。
  3. 【請求項3】請求項1又は2において、該窓がマイクロ
    波導波管と真空容器の間に有るマイクロ波導入窓である
    ことを特徴とする、マイクロ波プラズマ処理装置。
  4. 【請求項4】請求項1又は2において、該窓がプラズマ
    観察用窓であることを特徴とする、マイクロ波プラズマ
    処理装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08119793A (ja) * 1994-10-25 1996-05-14 Niyuuraru Syst:Kk 結晶性薄膜形成装置、結晶性薄膜形成方法、プラズマ照射装置、およびプラズマ照射方法
JP2010251064A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Ulvac Japan Ltd プラズマ発生装置
WO2014118882A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマ処理装置
JP2020038997A (ja) * 2019-11-28 2020-03-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
US10937635B2 (en) 2016-02-10 2021-03-02 Hitachi High-Tech Corporation Vacuum processing apparatus

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