JPH03145718A - 気相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
気相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH03145718A JPH03145718A JP28403989A JP28403989A JPH03145718A JP H03145718 A JPH03145718 A JP H03145718A JP 28403989 A JP28403989 A JP 28403989A JP 28403989 A JP28403989 A JP 28403989A JP H03145718 A JPH03145718 A JP H03145718A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、エピタキシャル層を成長させる気相エピタキ
シャル成長方法に関するものである。
シャル成長方法に関するものである。
従来の技術
近年、エピタキシャル成長は半導体を用いた高速デバイ
スや光デバイスの作製に必要不可欠であり、特に複数の
物質からなる化合物半導体デバイスでは特に重要となっ
ている。エピタキシャル成長方法は大別して液相エピタ
キシャル成長方法と気相エピタキシャル成長方法があり
、中でも異種化合物半導体の界面の急峻性を必要とする
ペテロ接合デバイスや量子井戸あるいは超格子など量子
効果デバイスでは気相エピタキシャル成長方法が多用さ
れている。この気相エピタキシャル成長方法としては水
素化物気相エピタキシャル成長方法（Ｈ−ＶＰＥ）、有
機金属気相エピタキシャル成長方法（ＭＯＶＰＥ）など
がある。
スや光デバイスの作製に必要不可欠であり、特に複数の
物質からなる化合物半導体デバイスでは特に重要となっ
ている。エピタキシャル成長方法は大別して液相エピタ
キシャル成長方法と気相エピタキシャル成長方法があり
、中でも異種化合物半導体の界面の急峻性を必要とする
ペテロ接合デバイスや量子井戸あるいは超格子など量子
効果デバイスでは気相エピタキシャル成長方法が多用さ
れている。この気相エピタキシャル成長方法としては水
素化物気相エピタキシャル成長方法（Ｈ−ＶＰＥ）、有
機金属気相エピタキシャル成長方法（ＭＯＶＰＥ）など
がある。
以下に従来の気相エピタキシャル成長方法について説明
する。
する。
第３図は従来の気相エピタキシャル成長方法の原理を示
す模式図である。第３図において、１はエピタキシャル
用半導体基板、２はその上に形成されたエピタキシャル
成長層である。３はたとえばｍ−ｖ化合物では■族元素
または■族元素を含む気体であり、５は■族元素あるい
は■族元素を含む気体である。４はエピタキシャル成長
層２の表面で■族、■族元素あるいは■族、■族元素を
含む気体が分解し、エピタキシャル層表面から脱着した
元素と混合した反応相である。６は基板ホルダ、７は基
板ホルダ６を加熱するヒータであり。
す模式図である。第３図において、１はエピタキシャル
用半導体基板、２はその上に形成されたエピタキシャル
成長層である。３はたとえばｍ−ｖ化合物では■族元素
または■族元素を含む気体であり、５は■族元素あるい
は■族元素を含む気体である。４はエピタキシャル成長
層２の表面で■族、■族元素あるいは■族、■族元素を
含む気体が分解し、エピタキシャル層表面から脱着した
元素と混合した反応相である。６は基板ホルダ、７は基
板ホルダ６を加熱するヒータであり。
これらを反応槽８に閉じ込めている。
以上のように構成された気相エピタキシャル成長方法に
ついて、以下にその原理を説明する。まずヒータ７によ
って基板ホルダ６を介し半導体基板１をエピタキシャル
層成長温度に加熱し、この半導体基板１に所望するエピ
タキシャル成長膜の構成元素あるいは構成元素を含む気
体３，５をエピタキシャル基板と格子整合する供給比に
設定し、３ａ、３ｂ、５ａ、５ｂのように供給する。た
とえば、３ａをトリメチルインジウム（以下ＴＭＩｎと
いう）、３ｂをトリメチルガリウム（以下Ｔ Ｍ Ｇ
ａという）としてＩｎ、、Ｇａの供給源とし、さらに５
ａをＡ ｓ Ｈ３，５ｂをＰＨ３としてＡｓ、Ｐの供給
源とし、エピタキシャル膜がＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐであるとすれば、前記元素を全て供給する。エピタキ
シャル膜の組成の変更あるいは化合物の変更は３ａ、３
ｂ、５ａ、５ｂの供給量の変更、供給の有無によって行
い、所望のエピタキシャル膜を得る。このように供給し
た構成元素ＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、 Ａ ｓ
Ｈ３、ＰＨ，はエピタキシャル成長層２近傍の反応相
４では原子あるいは単純な分子に分解され、エピタキシ
ャル成長層２への付着、一部解離を繰り返し、適当な分
圧のもとて所望のエピタキシャル膜を成長させる。
ついて、以下にその原理を説明する。まずヒータ７によ
って基板ホルダ６を介し半導体基板１をエピタキシャル
層成長温度に加熱し、この半導体基板１に所望するエピ
タキシャル成長膜の構成元素あるいは構成元素を含む気
体３，５をエピタキシャル基板と格子整合する供給比に
設定し、３ａ、３ｂ、５ａ、５ｂのように供給する。た
とえば、３ａをトリメチルインジウム（以下ＴＭＩｎと
いう）、３ｂをトリメチルガリウム（以下Ｔ Ｍ Ｇ
ａという）としてＩｎ、、Ｇａの供給源とし、さらに５
ａをＡ ｓ Ｈ３，５ｂをＰＨ３としてＡｓ、Ｐの供給
源とし、エピタキシャル膜がＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐであるとすれば、前記元素を全て供給する。エピタキ
シャル膜の組成の変更あるいは化合物の変更は３ａ、３
ｂ、５ａ、５ｂの供給量の変更、供給の有無によって行
い、所望のエピタキシャル膜を得る。このように供給し
た構成元素ＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、 Ａ ｓ
Ｈ３、ＰＨ，はエピタキシャル成長層２近傍の反応相
４では原子あるいは単純な分子に分解され、エピタキシ
ャル成長層２への付着、一部解離を繰り返し、適当な分
圧のもとて所望のエピタキシャル膜を成長させる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、たとえば半導体基板１として化合物半導
体基板であるＩｎＰ基板を用いた場合、この上にエピタ
キシャル成長をする際には基板温度を数百℃以上に設定
する必要がある。一方ＩｎＰ基板は４００℃程度で分解
し、蒸気の高いＰは気相中に放出される。この分解を抑
えるために一般には気相中にＰの分圧を与え、ＩｎＰの
分解、気相中へのＰの放出を防いでいる。しかし、実際
のエピタキシャル成長においては、常にこの基板と同一
の■族元素の分圧を与える訳にはいかない。
体基板であるＩｎＰ基板を用いた場合、この上にエピタ
キシャル成長をする際には基板温度を数百℃以上に設定
する必要がある。一方ＩｎＰ基板は４００℃程度で分解
し、蒸気の高いＰは気相中に放出される。この分解を抑
えるために一般には気相中にＰの分圧を与え、ＩｎＰの
分解、気相中へのＰの放出を防いでいる。しかし、実際
のエピタキシャル成長においては、常にこの基板と同一
の■族元素の分圧を与える訳にはいかない。
たとえば、ＩｎＰ基板上にこれと格子整合するＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓを直接成長することを考える。この場合
、基板温度がエピタキシャル成長に必要な所定の温度に
なるまでは、たとえば第３図におけるように、ＰＨ，を
基板に供給すれば、基板近傍ではＰの分圧が生じ、Ｉｎ
Ｐ基板の分解を防止でき３− る。次に、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ形成のためにＰＨ３
の供給を止め、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓそれぞれの供給源であ
るＴ”Ｍ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、Ａ ｓ Ｈ３の
供給を開始する。これと同時に基板近傍のＰに分圧が無
くなるためＩｎＰの分解が生じる。しかし基板表面のエ
ピタキシャル面ではＩｎＰ上に直ちにＩ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓが成長し、この面は安定な面となる。
Ｇ ａ Ａ ｓを直接成長することを考える。この場合
、基板温度がエピタキシャル成長に必要な所定の温度に
なるまでは、たとえば第３図におけるように、ＰＨ，を
基板に供給すれば、基板近傍ではＰの分圧が生じ、Ｉｎ
Ｐ基板の分解を防止でき３− る。次に、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ形成のためにＰＨ３
の供給を止め、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓそれぞれの供給源であ
るＴ”Ｍ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、Ａ ｓ Ｈ３の
供給を開始する。これと同時に基板近傍のＰに分圧が無
くなるためＩｎＰの分解が生じる。しかし基板表面のエ
ピタキシャル面ではＩｎＰ上に直ちにＩ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓが成長し、この面は安定な面となる。
一方基板裏面ではＩｎＰの分解を防止するものが無くな
り分解を開始し、気相中へＰ（リン）５ｃが放出される
。この気相中へ放出されたＰ５ｃは拡散などによって基
板表面付近にも存在するようになり、エピタキシャル面
へのＰの堆積、異物の形成、ディフェクトの発生、Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ中への取り込みによる格子不整の発
生、これにともなう界面での歪の発生、劣化、エピタキ
シャル層の品質の低下、表面モホロジーの劣化などを生
じる問題がある。また特に電子デバイス、光デバイスと
してはリーク電流の増大、効率の低下を生じる問題が生
じる。
り分解を開始し、気相中へＰ（リン）５ｃが放出される
。この気相中へ放出されたＰ５ｃは拡散などによって基
板表面付近にも存在するようになり、エピタキシャル面
へのＰの堆積、異物の形成、ディフェクトの発生、Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ中への取り込みによる格子不整の発
生、これにともなう界面での歪の発生、劣化、エピタキ
シャル層の品質の低下、表面モホロジーの劣化などを生
じる問題がある。また特に電子デバイス、光デバイスと
してはリーク電流の増大、効率の低下を生じる問題が生
じる。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、基４−
板に異種化合物の気相エピタキシャル層を容易に成長さ
せることができる気相エピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的とするものである。
せることができる気相エピタキシャル成長方法を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の気相エピタキシャル
成長方法は、エピタキシャル用半導体基板の裏面を成長
温度では基板より安定である絶縁物により被覆しておき
、その後にエピタキシャル層を成長させるものである。
成長方法は、エピタキシャル用半導体基板の裏面を成長
温度では基板より安定である絶縁物により被覆しておき
、その後にエピタキシャル層を成長させるものである。
作用
この構成により、エピタキシャル用半導体基板裏面は少
なくとも成長温度では周囲の雰囲気によらず安定である
絶縁物によって保護されることになり、基板構成元素の
分圧の無い状態でもその元素の解離を防止し、基板表面
エピタキシャル層への混入、モホロジーの劣化を防ぐこ
とができる。
なくとも成長温度では周囲の雰囲気によらず安定である
絶縁物によって保護されることになり、基板構成元素の
分圧の無い状態でもその元素の解離を防止し、基板表面
エピタキシャル層への混入、モホロジーの劣化を防ぐこ
とができる。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の気相エビタキシャル成長方
法を説明する模式図である。第１図において、１０はエ
ピタキシャル用半導体基板１■の裏面に、たとえばプラ
ズマＣＶＤなどによって形成された酸化シリコン（以下
５ｉ０２という）膜である。もちろん、ＳｉＯ２膜１０
は成長温度で蒸発しない絶縁物であれば何でも良く、た
とえば窒化シリコン膜などでも構わないことは言うまで
もない。
法を説明する模式図である。第１図において、１０はエ
ピタキシャル用半導体基板１■の裏面に、たとえばプラ
ズマＣＶＤなどによって形成された酸化シリコン（以下
５ｉ０２という）膜である。もちろん、ＳｉＯ２膜１０
は成長温度で蒸発しない絶縁物であれば何でも良く、た
とえば窒化シリコン膜などでも構わないことは言うまで
もない。
エピタキシャル用半導体基板１１はたとえばＩｎＰ半導
体基板である。１２はエピタキシャル成長層で、たとえ
ばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓの複数の層で
ある。１３ａ、１３ｂはたとえば■−■化合物では■族
元素または■族元素を含む気体であり、ここではそれぞ
れキャリアガスに水素を用いたＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭ
Ｇ ａである。１５ａ、１５ｂは■族元素あるいは■族
元素を含む気体で、たとえば水素で希釈したＰＨ，、Ａ
Ｓ Ｈ，である。これら■族、■族元素の供給源はさ
らに多く設置されていても良く、また不純物のドーピン
グ用の供給源を備えていても良い。１４はエピタキシャ
ル成長層１２の表面で■族、■族元素あるいは■族、■
族元素を含む気体が分解し、エピタキシャル層表面から
脱着した元素と混合した反応相である。１６は炭素など
からなる基板ホルダ、１７は基板ホルダ１６を加熱する
ヒータであり、直接基板ホルダ１６に取り付けられてい
ても、高周波などによって外部から加熱する構造であっ
ても良い。８はこれらを閉じ込める反応槽で、石英ガラ
スからなっている。
体基板である。１２はエピタキシャル成長層で、たとえ
ばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓの複数の層で
ある。１３ａ、１３ｂはたとえば■−■化合物では■族
元素または■族元素を含む気体であり、ここではそれぞ
れキャリアガスに水素を用いたＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭ
Ｇ ａである。１５ａ、１５ｂは■族元素あるいは■族
元素を含む気体で、たとえば水素で希釈したＰＨ，、Ａ
Ｓ Ｈ，である。これら■族、■族元素の供給源はさ
らに多く設置されていても良く、また不純物のドーピン
グ用の供給源を備えていても良い。１４はエピタキシャ
ル成長層１２の表面で■族、■族元素あるいは■族、■
族元素を含む気体が分解し、エピタキシャル層表面から
脱着した元素と混合した反応相である。１６は炭素など
からなる基板ホルダ、１７は基板ホルダ１６を加熱する
ヒータであり、直接基板ホルダ１６に取り付けられてい
ても、高周波などによって外部から加熱する構造であっ
ても良い。８はこれらを閉じ込める反応槽で、石英ガラ
スからなっている。
以上のように構成された気相エピタキシャル成長方法に
ついて、以下にその動作を説明する。まず、第２図に示
すように、裏面にＳ工０２膜２０を形成したＩｎＰ半導
体基板２１上に第１層としてＩｎＰ２２、第２層として
ＩｎＧａＡｓＰ２３、第３層としてＩｎＧａＡｓ２４を
順次エピタキシャル成長する場合を考える。最初にＩｎ
Ｐ半導体基板２１を成長に必要な温度にまでヒータ１７
で加熱する。
ついて、以下にその動作を説明する。まず、第２図に示
すように、裏面にＳ工０２膜２０を形成したＩｎＰ半導
体基板２１上に第１層としてＩｎＰ２２、第２層として
ＩｎＧａＡｓＰ２３、第３層としてＩｎＧａＡｓ２４を
順次エピタキシャル成長する場合を考える。最初にＩｎ
Ｐ半導体基板２１を成長に必要な温度にまでヒータ１７
で加熱する。
このとき、ＩｎＰの分解の始まる４００℃以下でＰＨ３
を基板に供給し、ＩｎＰの分解を防止する。
を基板に供給し、ＩｎＰの分解を防止する。
所定の基板温度になったらＴＭＩｎを供給し、第１層の
ＩｎＰ２２を所望の厚さに対応する時間成長する。さら
にＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、 Ｐ Ｈ３、７− ＡｓＨ３をＩｎＰに格子整合する所定の量に調整した後
に供給し、第２層のＩｎＧａＡｓＰ２３を所望の厚さ成
長する。この第１層および第２層の成長中はＰの供給源
であるＰＨ，を供給しているので、基板のＩｎＰの分解
は起こらない。次に、ＰＨ３の供給を停止し、ＴＭＩｎ
、ＴＭＧａ、ＡｓＨ３をＩｎＰに格子整合するように供
給量を調整し、第３層のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ２４
を成長する。このとき、ＩｎＰの分解を防止するＰの分
圧がなくなり、基板近傍の雰囲気はＩｎＰの分解を生じ
させる状態になる。しかし、基板表面では直ちにＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓが成長し、Ｐの分圧の無い状態でも安
定な面となり、さらに基板裏面は数百℃の温度では安定
な５ｉ０２膜２０で覆われているため、ＩｎＰの分解は
起こらず、したがってこの状態での基板のＩｎＰからの
Ｐの解離は生じず、反応相１４への不純物としてのＰの
混入は生じない。
ＩｎＰ２２を所望の厚さに対応する時間成長する。さら
にＴＭ Ｉ ｎ 、 ＴＭＧ ａ 、 Ｐ Ｈ３、７− ＡｓＨ３をＩｎＰに格子整合する所定の量に調整した後
に供給し、第２層のＩｎＧａＡｓＰ２３を所望の厚さ成
長する。この第１層および第２層の成長中はＰの供給源
であるＰＨ，を供給しているので、基板のＩｎＰの分解
は起こらない。次に、ＰＨ３の供給を停止し、ＴＭＩｎ
、ＴＭＧａ、ＡｓＨ３をＩｎＰに格子整合するように供
給量を調整し、第３層のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ２４
を成長する。このとき、ＩｎＰの分解を防止するＰの分
圧がなくなり、基板近傍の雰囲気はＩｎＰの分解を生じ
させる状態になる。しかし、基板表面では直ちにＩ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓが成長し、Ｐの分圧の無い状態でも安
定な面となり、さらに基板裏面は数百℃の温度では安定
な５ｉ０２膜２０で覆われているため、ＩｎＰの分解は
起こらず、したがってこの状態での基板のＩｎＰからの
Ｐの解離は生じず、反応相１４への不純物としてのＰの
混入は生じない。
以上のように本実施例によれば、エピタキシャル用半導
体基板であるＩｎＰ半導体基板２１の裏面に絶縁物とし
てのＳｉｎ、膜２０を設けることによ８− って、基板と構成の異なるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ層の
エピタキシャル成長に際しても基板のＩｎＰの分解を防
止し、分解によるＰの解離を防ぎ、異種エピタキシャル
成長の界面への汚染を回避し、界面での異物の形成、デ
ィフェクトの発生を抑制し、格子不整の無い良好な界面
を持つヘテロエピタキシャルが可能となり、表面モホロ
ジーも良好な成長面を持つ気相エピタキシャル層の形成
が可能となる。
体基板であるＩｎＰ半導体基板２１の裏面に絶縁物とし
てのＳｉｎ、膜２０を設けることによ８− って、基板と構成の異なるＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ層の
エピタキシャル成長に際しても基板のＩｎＰの分解を防
止し、分解によるＰの解離を防ぎ、異種エピタキシャル
成長の界面への汚染を回避し、界面での異物の形成、デ
ィフェクトの発生を抑制し、格子不整の無い良好な界面
を持つヘテロエピタキシャルが可能となり、表面モホロ
ジーも良好な成長面を持つ気相エピタキシャル層の形成
が可能となる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、エピタキシャル成長用半
導体基板の裏面を少なくとも成長温度では安定な絶縁物
で被覆することにより、基板と構成の異なるエピタキシ
ャル層成長に対しても基板の分解、これによるエピタキ
シャル層への汚染などの影響を除外することができ、良
好なヘテロエピタキシャル界面を持つエピタキシャル層
成長を実現することができ、特にペテロ接合を利用する
電子デバイス、光デバイスに対して有効である。
導体基板の裏面を少なくとも成長温度では安定な絶縁物
で被覆することにより、基板と構成の異なるエピタキシ
ャル層成長に対しても基板の分解、これによるエピタキ
シャル層への汚染などの影響を除外することができ、良
好なヘテロエピタキシャル界面を持つエピタキシャル層
成長を実現することができ、特にペテロ接合を利用する
電子デバイス、光デバイスに対して有効である。
第１図は本発明の一実施例に於ける気相エビタキシャル
成長方法を説明する模式図、第２図は本実施例のエピタ
キシャル層構造図、第３図は従来の気相エピタキシャル
成長方法を説明する模式図である。 １．０．２０・・酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、１．１
、２１・ＩｎＰ半導体基板、１２・・・エピタキシャ
ル成長層、＋３ａ −ＴＭ Ｉ ｎ、１３ｂ−ＴＭＧａ
、］５ ａ −Ｐ Ｈ３，１５ｂ −Ａ ｓ Ｈ３，２
２−Ｉ ｎ Ｐ、２３−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ、
２４−ＩｎＧａＡｓ。
成長方法を説明する模式図、第２図は本実施例のエピタ
キシャル層構造図、第３図は従来の気相エピタキシャル
成長方法を説明する模式図である。 １．０．２０・・酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、１．１
、２１・ＩｎＰ半導体基板、１２・・・エピタキシャ
ル成長層、＋３ａ −ＴＭ Ｉ ｎ、１３ｂ−ＴＭＧａ
、］５ ａ −Ｐ Ｈ３，１５ｂ −Ａ ｓ Ｈ３，２
２−Ｉ ｎ Ｐ、２３−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ、
２４−ＩｎＧａＡｓ。
Claims (1)
- １、化合物半導体エピタキシャル成長用基板の裏面を前
記基板より成長温度では安定である絶縁物により被覆し
てエピタキシャル層を成長させる気相エピタキシャル成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28403989A JPH03145718A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28403989A JPH03145718A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03145718A true JPH03145718A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17673508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28403989A Pending JPH03145718A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 気相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03145718A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227356A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Nec Corp | Manufacturing process of silicon epitaxial wafer |
| JPS5244169A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5752141A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor element |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP28403989A patent/JPH03145718A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227356A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Nec Corp | Manufacturing process of silicon epitaxial wafer |
| JPS5244169A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5752141A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Sharp Corp | Manufacture of semiconductor element |
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