JPH03141252A - 1―アルコキシカルボニルチオ―1―ベンゾイル―2―(n,n―ジメチルアミノ)エテン誘導体およびその製造法 - Google Patents

1―アルコキシカルボニルチオ―1―ベンゾイル―2―(n,n―ジメチルアミノ)エテン誘導体およびその製造法

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JPH03141252A
JPH03141252A JP27659389A JP27659389A JPH03141252A JP H03141252 A JPH03141252 A JP H03141252A JP 27659389 A JP27659389 A JP 27659389A JP 27659389 A JP27659389 A JP 27659389A JP H03141252 A JPH03141252 A JP H03141252A
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dimethylamino
ethene
alkoxycarbonylthio
benzoyl
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Junichi Sato
純一 佐藤
Minoru Sanemitsu
実光 穣
Shinichi Kawamura
河村 伸一
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、除草活性を有する化合物を製造する際の中間
体である一般式(1 c式中、Rは水素原子、あるいはオルト位もしくはメタ
位のハロゲン原子、低級ハロアルキル基、低級アルコキ
シル基または低級ハロアルコキシル基を表わし、Rは低
級アルコキシル基を表わす。〕 で示される1−アルコキシカルボニルチオ−1−ベシゾ
イルー2− (N、N−ジメチルアミノエテン誘導体(
以下、本発明化合物と称す。)およびその製造法に関す
るものである。
〈従来の技術および発明が解決しようとする課題〉特願
平1−208604号明細書に、−船人(If)〔式中
、Rは前記と同じ意味を表わし、Rは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級ア
ルコキシル基または低級ハロアルコキシル基を表わし 
R4は低級アルキル基を表わす。ただし R1とR3と
が共に水素原子を表わすことはない。〕 で示される2、4−ジフェニル−5−フルコキシビリミ
ジン誘導体等が除草剤として有用であることが記載され
ている。
該明細書には、−船人(If)で示されるピリ主ジン誘
導体の有利な製造法が記載されているが、さらに有利な
製造法が望まれている。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、前記−船人園で示されるピリミジン誘導体を
、以下のような新規なルートで合成する際の重要な中間
体である一般式(I)で示される本発明化合物を提供す
るものである。
(ml [11 〔上記式中、R1,Rll、 R8およびR4は前記と
同じ意味を表わし、Xは塩素原子または臭素原子を表わ
し、Mは金属原子を表わす。ただし、−船人(n)にお
いては、RとRとが共に水素原子を表わすことはない。
〕 本発明化合物の製造法について以下に説明する。
本発明化合物は、−船人(II) 02CHs 〔■〕 〔式中、Rは前記と同じ意味を表わす。〕で示される1
−(N、N−ジメチルアミノ)−2−ペンゾイルエテン
誘導体と一般式(6)〔式中 R2およびXは前記と同
じ竜味を表わす。〕で示されるアルコキシカルボニルス
ルフェニルハライドとを反応させて得ることができる。
本反応は、通常、無溶媒または溶媒中、塩基の存在下に
行なわれ、反応温度は0〜40℃、反応時間は0.1〜
5時間である。反応に供される試剤の量は、−船人(D
I)で示されるエテン誘導体1モルに対して一般式(ロ
)で示されるアルコキシカルボニルスルフェニルハライ
ドは1.0〜1.5モル、m基は1.2〜2.0モルで
ある。
使用される溶媒としては、たとえばヘキサン、ヘプタン
等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類等があげられる。また塩基として
は、たとえばピリジン、トリエチルアミン等があげられ
る。
反応終了後の反応液は、炭酸水素ナトリウム水溶液で処
理した後、有機溶媒抽出および濃縮等の通常の処理を行
ない、必要ならば、クロマトグラフィー、蒸留、再結晶
等の操作によって精製することにより、目的の本発明化
合物を得ることができる。
なお、本製造法の原料化合物である一般式(II)で示
されるエテン誘導体および一般式(6)で示されるアル
コキシカルボニルスルフェニルハライドは、それぞnc
hem、 Ber、 97.8897.  (1964
)およびG 、Zumach and E、 k?1h
le Angew、 Chem。
1nternat、 Edit、 9 、54 (19
70)に記載の製造法に準じて製造できる。
上記の製造法で製造できる本発明化合物としては、たと
えば第1表に示すような化合物をあげることができるが
、本発明はもちろんこれらに限定されるものではない。
第  1  表 〈実施例〉 次に製造例をあげ、本発明をさらに詳しく説明するが、
本発明はこれら限定されるものではない。
製造例1(本発明化合物(1)の製造)1−(N、N−
ジメチルアミノ)−2−(2−トリフルオロメチルベン
ゾイル)エテン4.2 F トリエチルアミン2.62
とをベンゼン50mZに加えた。この混合溶液を水浴で
冷却しながら、メトキシカルボニルスルフェニルクロラ
イド2.4yをベンゼン10−に溶解させたものを滴下
した。滴下終了後、反応温度を室温に戻し、1時間攪拌
した。反応終了後、溶媒を減圧留去した後、炭酸水素ナ
トリウム水溶液を加え、エーテルで抽出し、1−メトキ
シカルボニルチオ−1−(2−)リフルオロメチルベン
ゾイル’)−2−(N、N−ジメチルア【))エテン5
.02を得た。
上記の製造例に準じて製造された本発明化合物のいくつ
かを第2表に示す。
第 2 表 *溶媒 CDCl5 + DMSO−dc+ 〈発明の効果〉 本発明化合物は、 除草活性を有する化合物の重 要な中間体である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1は水素原子、あるいはオルト位もしくは
    メタ位のハロゲン原子、低級ハロアルキル基、低級アル
    コキシル基または低級ハロアルコキシル基を表わし、R
    ^2は低級アルコキシル基を表わす。〕 で示される1−アルコキシカルボニルチオ−1−ベンゾ
    イル−2−(N,N−ジメチルアミノ)エテン誘導体。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1は水素原子、あるいはオルト位もしくは
    メタ位のハロゲン原子、低級ハロアルキル基、低級アル
    コキシル基または低級ハロアルコキシル基を表わす。〕 で示される1−(N,N−ジメチルアミノ)−2−ベン
    ゾイルエテン誘導体と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^2は低級アルコキシル基を表わし、Xは塩
    素原子または臭素原子を表わす。〕 で示されるアルコキシカルボニルスルフェニルハライド
    とを、塩基の存在下に反応させることを特徴とする請求
    項1記載の1−アルコキシカルボニルチオ−1−ベンゾ
    イル−2−(N,N−ジメチルアミノ)エテン誘導体の
    製造法。
JP27659389A 1988-08-09 1989-10-23 1―アルコキシカルボニルチオ―1―ベンゾイル―2―(n,n―ジメチルアミノ)エテン誘導体およびその製造法 Pending JPH03141252A (ja)

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