JPH03138556A - 接触燃焼式一酸化炭素センサ - Google Patents
接触燃焼式一酸化炭素センサInfo
- Publication number
- JPH03138556A JPH03138556A JP27598089A JP27598089A JPH03138556A JP H03138556 A JPH03138556 A JP H03138556A JP 27598089 A JP27598089 A JP 27598089A JP 27598089 A JP27598089 A JP 27598089A JP H03138556 A JPH03138556 A JP H03138556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- platinum
- carbon monoxide
- sensor
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 title description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 6
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 abstract 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、接触燃焼式一酸化炭素センサに関し、特に、
比較素子を被検ガスに対して不感素子化することによっ
てS/N比を向上させる技術に関するものである。
比較素子を被検ガスに対して不感素子化することによっ
てS/N比を向上させる技術に関するものである。
可燃性ガスの濃度を検出するために用いられる接触燃焼
式ガスセンサは、測定精度が高いという特徴を有してい
る。そして、この形式のセンサは白金線上に可燃性ガス
に対する酸化触媒となるアルミナ等を付着させた検知素
子を用い、同様な構造ではあるが雰囲気ガスに対して感
応しないように処理した不惑素子を比較素子として組み
合わせ、たとえばブリッジ回路を構成してガスの燃焼発
熱に対応した電気的信号を出力するようにしている。
式ガスセンサは、測定精度が高いという特徴を有してい
る。そして、この形式のセンサは白金線上に可燃性ガス
に対する酸化触媒となるアルミナ等を付着させた検知素
子を用い、同様な構造ではあるが雰囲気ガスに対して感
応しないように処理した不惑素子を比較素子として組み
合わせ、たとえばブリッジ回路を構成してガスの燃焼発
熱に対応した電気的信号を出力するようにしている。
または比較素子を検知素子と同様な構造とし、雰囲気ガ
スに対して感応しないようにシールキャップ等で密閉す
るものもある。
スに対して感応しないようにシールキャップ等で密閉す
るものもある。
しかしながら、このような従来技術のうち、不感素子を
比較素子としたものにあっては、比較素子を被検ガスで
ある一酸化炭素(以下「CO」という。)ガスに対して
完全に不感化することば困難で若干の感度を有するため
に、その分だけ検知素子の感度を小さくしてしまうとい
う欠点がある。
比較素子としたものにあっては、比較素子を被検ガスで
ある一酸化炭素(以下「CO」という。)ガスに対して
完全に不感化することば困難で若干の感度を有するため
に、その分だけ検知素子の感度を小さくしてしまうとい
う欠点がある。
次に、比較素子を密閉するものにあっては、検知素子と
の構造上の差により、雰囲気の急激な温度変化が生じた
場合、−時的に検知素子と比較素子の温度バランスのく
ずれが生じ、過渡応答をしたり、また風による0レベル
のずれが生じる。これらの原因によるS/N比の増大は
、メタンやブタン等の可燃性ガスの警報用に使用される
ガスセンサの場合であれば、検出したいガス濃度が高い
こともあってセンサ出力が高く、殆ど問題とならないレ
ベルである。しかし、COセセンの場合、検出したいC
O濃度が低く、センサ出力が小さいことから、S/N比
を小さくしなければ使用できないといった問題があった
。
の構造上の差により、雰囲気の急激な温度変化が生じた
場合、−時的に検知素子と比較素子の温度バランスのく
ずれが生じ、過渡応答をしたり、また風による0レベル
のずれが生じる。これらの原因によるS/N比の増大は
、メタンやブタン等の可燃性ガスの警報用に使用される
ガスセンサの場合であれば、検出したいガス濃度が高い
こともあってセンサ出力が高く、殆ど問題とならないレ
ベルである。しかし、COセセンの場合、検出したいC
O濃度が低く、センサ出力が小さいことから、S/N比
を小さくしなければ使用できないといった問題があった
。
本発明は上記の事実に鑑みてなされたもので、被検ガス
ばかりでなく水素等の他の雑ガスに対する感度も充分に
小さくなり、雰囲気温度等の状態変化による影響を受け
にくい比較素子を提供することを目的としている。
ばかりでなく水素等の他の雑ガスに対する感度も充分に
小さくなり、雰囲気温度等の状態変化による影響を受け
にくい比較素子を提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために本発明は、金属性抵抗導線
をアルミナで包囲した一組の抵抗素子をブリッジ回路に
組み込み、一方を検知素子とし、他方を比較素子とした
接触燃焼式一酸化炭素センサにおいて、前記アルミナに
第8族金属を担持させた検知素子と、シロキサン結合を
有する有機珪素重合体で処理した比較素子とを用いる構
成を採用している。
をアルミナで包囲した一組の抵抗素子をブリッジ回路に
組み込み、一方を検知素子とし、他方を比較素子とした
接触燃焼式一酸化炭素センサにおいて、前記アルミナに
第8族金属を担持させた検知素子と、シロキサン結合を
有する有機珪素重合体で処理した比較素子とを用いる構
成を採用している。
検知素子の作成方法としては、まず、700°C以上で
焼成して得られたγ−アルミナに例えば5%(重量)程
度のロジウム、パラジウムまたは白金等の第8族の金属
の単体、または、これらの内の2種類以上を担持させ、
これを充分に微粉砕する。次にこの触媒にアルミナ系バ
インダを少量添加し、適量の水を混ぜてペースト状にな
るように混練する。
焼成して得られたγ−アルミナに例えば5%(重量)程
度のロジウム、パラジウムまたは白金等の第8族の金属
の単体、または、これらの内の2種類以上を担持させ、
これを充分に微粉砕する。次にこの触媒にアルミナ系バ
インダを少量添加し、適量の水を混ぜてペースト状にな
るように混練する。
次に、金属性抵抗電線として、たとえば線径25μmま
たは30μmの白金線を芯径1mmで巻数13〜19タ
一ン程度のコイル状に成形する。
たは30μmの白金線を芯径1mmで巻数13〜19タ
一ン程度のコイル状に成形する。
このコイルに前述のペーストをビード状に成形した後白
金線に通電し、約700°Cに加熱焼成して検知素子を
得る。
金線に通電し、約700°Cに加熱焼成して検知素子を
得る。
一方、比較素子は同様の手順で作成した検知素子をたと
えばジメチルジクロルシランやジフェニルジクロロシラ
ンのようなりソロシラン類またはこれらから導かれたポ
リシロキサンプレポリマのような有機珪素重合体の溶液
等の中に所定の時間浸積し、必要に応じて乾燥した後、
焼成して作成する。または、上記ペースト状のアルミナ
に前記の有機珪素化合物を混練しておき、検知素子と同
様にして作成する。
えばジメチルジクロルシランやジフェニルジクロロシラ
ンのようなりソロシラン類またはこれらから導かれたポ
リシロキサンプレポリマのような有機珪素重合体の溶液
等の中に所定の時間浸積し、必要に応じて乾燥した後、
焼成して作成する。または、上記ペースト状のアルミナ
に前記の有機珪素化合物を混練しておき、検知素子と同
様にして作成する。
以上によって作成された検知素子と比較素子とをブリッ
ジ回路に組み込んで接触燃焼式一酸化炭素センサとして
使用する。
ジ回路に組み込んで接触燃焼式一酸化炭素センサとして
使用する。
本発明の接触燃焼式一酸化炭素センサは、シロキサン結
合を有する有機珪素化合物による処理を加えた比較素子
を有するものであるから、比較素子のCOガスや水素ガ
ス等の雑ガスに対する感度を低く押さえることができ、
相対的に検知素子の感度を向上させることができる。ま
た、雰囲気温度の変化に対する過渡応答も小さくなるの
で、S/N比を小さくすることができる。
合を有する有機珪素化合物による処理を加えた比較素子
を有するものであるから、比較素子のCOガスや水素ガ
ス等の雑ガスに対する感度を低く押さえることができ、
相対的に検知素子の感度を向上させることができる。ま
た、雰囲気温度の変化に対する過渡応答も小さくなるの
で、S/N比を小さくすることができる。
〔実施例1〕
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
まず、700°C以上で焼成して得られたT−アルミナ
に5%(重量)の白金を担持させ、これを約1μm〜1
0μm程度の粒径になるように微粉砕する。次にこの触
媒にアルミナ系バインダを約10%(重量)添加し、適
量の水を混ぜてペースト状になるように混練する。
に5%(重量)の白金を担持させ、これを約1μm〜1
0μm程度の粒径になるように微粉砕する。次にこの触
媒にアルミナ系バインダを約10%(重量)添加し、適
量の水を混ぜてペースト状になるように混練する。
次に、金属性抵抗導線として線径25μmの白金線を芯
径1mmで巻数16ターンのコイル状に成形する。
径1mmで巻数16ターンのコイル状に成形する。
このコイルに前述のペーストをビード状に成形して乾燥
した後、白金線に通電して700°C程度まで加熱焼成
した後、100メツシユの二重金網を取付けて素子Aを
得た。
した後、白金線に通電して700°C程度まで加熱焼成
した後、100メツシユの二重金網を取付けて素子Aを
得た。
第1図は得られた素子Aの外観を示す図で、1は白金線
のコイル、2はγ−アルミナ触媒の層を示す。
のコイル、2はγ−アルミナ触媒の層を示す。
次に、700 ’C以上で焼成して得られたγ−アルミ
ナに白金を担持させずに、素子Aと同様の方法で素子を
作成し、これをポリシロキサンプレポリマ(トーレ・シ
リコーン■、品番SHY OQ)を容積比で500 m
g / l入れであるデシケータ中に入れ、約300
°Cに通電加熱した状態で24時間以上放置し、その後
100メツシユの二重網を取付けて素子Bを得た。なお
、素子Aと素子Bとは略々同じ大きさに形成して、熱容
量が略々同じになるようにしている。
ナに白金を担持させずに、素子Aと同様の方法で素子を
作成し、これをポリシロキサンプレポリマ(トーレ・シ
リコーン■、品番SHY OQ)を容積比で500 m
g / l入れであるデシケータ中に入れ、約300
°Cに通電加熱した状態で24時間以上放置し、その後
100メツシユの二重網を取付けて素子Bを得た。なお
、素子Aと素子Bとは略々同じ大きさに形成して、熱容
量が略々同じになるようにしている。
上記の素子Aを検知素子3とし、素子Bを比較素子4と
して第2図に示すブリッジ回路に組み込み、一対のセン
サとして使用した。端子5,6はセンサの出力端子であ
る。
して第2図に示すブリッジ回路に組み込み、一対のセン
サとして使用した。端子5,6はセンサの出力端子であ
る。
第3図は、素子Aにおける素子温度とガス感度との関係
を示している。この図に示すように、素子温度が約20
0°Cで使用すれば被検ガスであるCOガスの濃度50
0ppmに対して1.5 m Vであるのに対し、同じ
濃度の水素ガスに対する水素感度は0.3 m Vと低
くすることができる。
を示している。この図に示すように、素子温度が約20
0°Cで使用すれば被検ガスであるCOガスの濃度50
0ppmに対して1.5 m Vであるのに対し、同じ
濃度の水素ガスに対する水素感度は0.3 m Vと低
くすることができる。
第4図は素子Bの素子温度とガス感度との関係を示して
いる。この図に示すように素子温度200°Cで使用す
るとCOガスおよび水素ガスともガス濃度500ppm
に対する出力としては略々OmVである。
いる。この図に示すように素子温度200°Cで使用す
るとCOガスおよび水素ガスともガス濃度500ppm
に対する出力としては略々OmVである。
したがって、これら素子Aを検知素子3とし、素子Bを
比較素子4として組み合わせ、素子温度を150″C〜
200°Cで使用すると、素子Aのガス感度特性を損な
うことなく選択的にCOガスを検知することができる。
比較素子4として組み合わせ、素子温度を150″C〜
200°Cで使用すると、素子Aのガス感度特性を損な
うことなく選択的にCOガスを検知することができる。
第5図は、センサ使用時の雰囲気温度を25゛Cから1
25°Cに20°C/分の昇温速度で変化させた場合の
センサの0レベル応答特性を示す。図において曲線7は
従来の密封型の比較素子を用いた場合の過渡応答特性を
示し、曲線8は本発明の素子Bを比較素子4として用い
た場合の過渡応答特性を示し、曲線9はセンサの雰囲気
温度を示している。すなわち、従来の密封型のセンサで
は、雰囲気温度の変化で5mVもの過渡応答をしていた
が、本発明の素子Bでは1mVにまで改善されている。
25°Cに20°C/分の昇温速度で変化させた場合の
センサの0レベル応答特性を示す。図において曲線7は
従来の密封型の比較素子を用いた場合の過渡応答特性を
示し、曲線8は本発明の素子Bを比較素子4として用い
た場合の過渡応答特性を示し、曲線9はセンサの雰囲気
温度を示している。すなわち、従来の密封型のセンサで
は、雰囲気温度の変化で5mVもの過渡応答をしていた
が、本発明の素子Bでは1mVにまで改善されている。
第6図はセンサ使用時の素子温度を約200°Cで使用
した場合のCOガスおよび水素ガスに対する出力特性を
示すが、センサ出力はガス濃度に比例していることがわ
かる。そして、COガスに対する勾配の方が水素ガスに
対する勾配より大きくなっており、COガスの選択性の
良さを示している。
した場合のCOガスおよび水素ガスに対する出力特性を
示すが、センサ出力はガス濃度に比例していることがわ
かる。そして、COガスに対する勾配の方が水素ガスに
対する勾配より大きくなっており、COガスの選択性の
良さを示している。
第7図は、前記素子Bとの比較のために素子Bの形成途
中における、ポリシロキサンプレポリマによる処理をし
ない素子Cを作り、そのセンサ温度とセンサ出力との関
係を表した図である。同図に示すように素子温度120
°CあたりからCO感度が立ち上がっており、素子温度
200°C近辺では約0.7 m Vの感度を示してい
る。したがって、この素子Cを比較素子4とし、素子A
を検知素子3として組み合わせると、CO感度が約1/
2になってしまうことがわかる。
中における、ポリシロキサンプレポリマによる処理をし
ない素子Cを作り、そのセンサ温度とセンサ出力との関
係を表した図である。同図に示すように素子温度120
°CあたりからCO感度が立ち上がっており、素子温度
200°C近辺では約0.7 m Vの感度を示してい
る。したがって、この素子Cを比較素子4とし、素子A
を検知素子3として組み合わせると、CO感度が約1/
2になってしまうことがわかる。
〔実施例2〕
実施例1で得た素子Aをオルガノポリシロキサン(信越
化学工業■、型番KF−96)の7%ベンゼン溶液中に
1時間浸積した後乾燥し、約4゜OoCで焼成してから
、100メツシユの二重金網を取付けて素子りを得た。
化学工業■、型番KF−96)の7%ベンゼン溶液中に
1時間浸積した後乾燥し、約4゜OoCで焼成してから
、100メツシユの二重金網を取付けて素子りを得た。
この素子りの特性も第4図に示す素子Bの特性と略々同
じであった。
じであった。
そこで、素子Aを検知素子3とし、素子りを比較素子4
として第2図に示すようにブリッジ回路に組み込み一対
のセンサとして使用した。結果は第5図および第6図と
同様になった。なお、有機珪素重合体による処理を、実
施例1で使用したポリシロキサンプレポリマを用いた場
合も同様の結果となった。以上の実施例では、検知素子
と比較素子とを同一の材料で製造することができ、比較
素子の場合のみ有機珪素重合体で処理すればよいので素
子の製造が簡略化できる。
として第2図に示すようにブリッジ回路に組み込み一対
のセンサとして使用した。結果は第5図および第6図と
同様になった。なお、有機珪素重合体による処理を、実
施例1で使用したポリシロキサンプレポリマを用いた場
合も同様の結果となった。以上の実施例では、検知素子
と比較素子とを同一の材料で製造することができ、比較
素子の場合のみ有機珪素重合体で処理すればよいので素
子の製造が簡略化できる。
〔実施例3〕
実施例1に示す素子Aの形成工程において、アルミナの
ペースト中にジフェニルジクロロシラン0 の10%ベンゼン溶液をアルミナ1gに対し0.2CC
添加して混練する。以下素子Aと同様の手順で作成し素
子Eを得た。
ペースト中にジフェニルジクロロシラン0 の10%ベンゼン溶液をアルミナ1gに対し0.2CC
添加して混練する。以下素子Aと同様の手順で作成し素
子Eを得た。
この素子Eの特性も前述の素子Bと略々同じであり、素
子Aを検知素子3とし、素子Eを比較素子4として、実
施例1.2と同様の結果を得た。
子Aを検知素子3とし、素子Eを比較素子4として、実
施例1.2と同様の結果を得た。
以上説明したように本発明によれば、比較素子のガス感
度を従来のもの以上に小さくでき、接触燃焼式一酸化炭
素センサの感度を向上できる。また、雰囲気温度の変化
による過渡応答幅も小さくすることができ、S/N比の
向上が図れる。さらに、検知素子と比較素子とを同一材
料で形成した後、比較素子のみシロキサン結合を有する
有機珪素重合体と処理させることもでき、素子の製造を
単純化できる。以上のことから、本発明によれば、従来
困難とされていた接触燃焼式一酸化炭素センサを用いた
CO警報器の製造が可能になるという効果を奏する。
度を従来のもの以上に小さくでき、接触燃焼式一酸化炭
素センサの感度を向上できる。また、雰囲気温度の変化
による過渡応答幅も小さくすることができ、S/N比の
向上が図れる。さらに、検知素子と比較素子とを同一材
料で形成した後、比較素子のみシロキサン結合を有する
有機珪素重合体と処理させることもでき、素子の製造を
単純化できる。以上のことから、本発明によれば、従来
困難とされていた接触燃焼式一酸化炭素センサを用いた
CO警報器の製造が可能になるという効果を奏する。
第1図は本発明の接触燃焼式一酸化炭素センサに使用す
る素子の断面図、 第2図は第1図の素子を使用したブリッジ回路の図、 第3図は本発明の素子Aの素子温度(°C)とセンサ出
力(mV)との関係を示す線図、第4図は本発明の素子
Bの素子温度(°C)とセンサ出力(mV)との関係を
示す線図、第5図は本発明のセンサと従来の密閉型セン
サにおける雰囲気温度の変化とセンサ出力の過渡応答を
比較して示す図、 第6図は本発明の素子Aを検知素子とし、素子B、Dま
たはEを比較素子として使用した場合のセンサ出力(m
V)とガス濃度(ppm)との関係を示す線図、 第7図は本発明の実施例1において、ポリシロキサンプ
レポリマによる処理をしなかった素子Cの素子温度(°
C)とセンサ出力(mV)との関係を示す線図である。 1 2 1・・・金属性抵抗導線、 素子、4・・・比較素子。 2・・・アルミナ、 3・・・検知
る素子の断面図、 第2図は第1図の素子を使用したブリッジ回路の図、 第3図は本発明の素子Aの素子温度(°C)とセンサ出
力(mV)との関係を示す線図、第4図は本発明の素子
Bの素子温度(°C)とセンサ出力(mV)との関係を
示す線図、第5図は本発明のセンサと従来の密閉型セン
サにおける雰囲気温度の変化とセンサ出力の過渡応答を
比較して示す図、 第6図は本発明の素子Aを検知素子とし、素子B、Dま
たはEを比較素子として使用した場合のセンサ出力(m
V)とガス濃度(ppm)との関係を示す線図、 第7図は本発明の実施例1において、ポリシロキサンプ
レポリマによる処理をしなかった素子Cの素子温度(°
C)とセンサ出力(mV)との関係を示す線図である。 1 2 1・・・金属性抵抗導線、 素子、4・・・比較素子。 2・・・アルミナ、 3・・・検知
Claims (2)
- (1)金属性抵抗導線をアルミナで包囲した一組の抵抗
素子をブリッジ回路に組み込み、一方を検知素子とし、
他方を比較素子とした接触燃焼式一酸化炭素センサにお
いて、前記アルミナに第8族金属を担持させた検知素子
と、シロキサン結合を有する有機珪素重合体で処理した
比較素子とを用いることを特徴とする接触燃焼式一酸化
炭素センサ。 - (2)前記第8金属がロジウム、パラジウム、白金のう
ち何れか1種類以上の金属であることを特徴とする請求
項1記載の接触燃焼式一酸化炭素センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27598089A JP2726886B2 (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 接触燃焼式一酸化炭素センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27598089A JP2726886B2 (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 接触燃焼式一酸化炭素センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03138556A true JPH03138556A (ja) | 1991-06-12 |
JP2726886B2 JP2726886B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=17563100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27598089A Expired - Lifetime JP2726886B2 (ja) | 1989-10-25 | 1989-10-25 | 接触燃焼式一酸化炭素センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2726886B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0449857U (ja) * | 1990-09-01 | 1992-04-27 | ||
DE4100915A1 (de) * | 1991-01-15 | 1992-07-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor fuer die bestimmung von kohlenmonoxid |
-
1989
- 1989-10-25 JP JP27598089A patent/JP2726886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0449857U (ja) * | 1990-09-01 | 1992-04-27 | ||
DE4100915A1 (de) * | 1991-01-15 | 1992-07-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor fuer die bestimmung von kohlenmonoxid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2726886B2 (ja) | 1998-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3786627B1 (en) | Mems type semiconductor gas detection element | |
JPH0517650Y2 (ja) | ||
JP2992748B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ及びその製造方法 | |
GB2125218A (en) | Catalytic gas sensor reference element | |
JPH03138556A (ja) | 接触燃焼式一酸化炭素センサ | |
JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
JPH08226909A (ja) | 接触燃焼式一酸化炭素ガスセンサ | |
KR960000806B1 (ko) | 접촉연소식 일산화탄소 센서 | |
JP2004020377A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JP4315992B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
JPH0433387B2 (ja) | ||
KR100814459B1 (ko) | 센서 소자 및 그 제조 방법 | |
JPS5840695B2 (ja) | ガス感応素子 | |
JPH04269650A (ja) | 酸化物半導体ガスセンサ | |
JP3929199B2 (ja) | 水素ガス検知素子及びその製造方法 | |
JPH0252247A (ja) | ガスセンサ | |
JPH02263145A (ja) | 半導体式ガスセンサ | |
JPH08271466A (ja) | ガスセンサ | |
JPH09145656A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
JPH0735716A (ja) | 厚膜ガスセンサおよびその製造方法 | |
JPH03172749A (ja) | ガスセンサ | |
JPH081490Y2 (ja) | 接触燃焼式一酸化炭素センサ | |
JPS58118953A (ja) | 感ガス素子 | |
JPH0455747A (ja) | ガスセンサ | |
JP2513274B2 (ja) | ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081212 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091212 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |