JPH03138356A - 薄膜作成装置 - Google Patents
薄膜作成装置Info
- Publication number
- JPH03138356A JPH03138356A JP27809389A JP27809389A JPH03138356A JP H03138356 A JPH03138356 A JP H03138356A JP 27809389 A JP27809389 A JP 27809389A JP 27809389 A JP27809389 A JP 27809389A JP H03138356 A JPH03138356 A JP H03138356A
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- JP
- Japan
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- target
- thin film
- revolving shaft
- substrate
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光を用いた薄膜作成装置に関する。
レーザビームによる薄膜作成法（レーザアブレーション
法）はターゲットにレーザビームを照射して、ターゲッ
ト物質を揮散させ、揮散したターゲット物質を基板上に
付着させて、ターゲット物質の薄膜を作成する方法で、
超電導薄膜の作成等に利用されている。
法）はターゲットにレーザビームを照射して、ターゲッ
ト物質を揮散させ、揮散したターゲット物質を基板上に
付着させて、ターゲット物質の薄膜を作成する方法で、
超電導薄膜の作成等に利用されている。
（従来の技術）
レーザアブレーション法ではターゲット上のレーザビー
ム照射領域（照射スポット）の径が小さく、ターゲット
から揮散した物質の到達距離が限られており、従ってタ
ーゲットと製膜基板との距離も太き（できないので、大
面積の薄膜はできず、現在の断面積にして５ｍｍ角程度
の薄膜が得られるに過ぎない。
ム照射領域（照射スポット）の径が小さく、ターゲット
から揮散した物質の到達距離が限られており、従ってタ
ーゲットと製膜基板との距離も太き（できないので、大
面積の薄膜はできず、現在の断面積にして５ｍｍ角程度
の薄膜が得られるに過ぎない。
（発明が解決しようとする課題）
超電導薄膜は超高速超高感度の電子素子として、現在の
ＩｃとかＬＳＩと共に或はこれらに代る高性能素子を提
供し得るものとして注目されており、ＩＣとかＬＳＩの
形で応用される場合、回路構成の高密度化と共に超電導
膜自体を大面積化する方が価格、信頼性等の面から有利
である。この超電導薄膜の作成法として上述したレーザ
アブレーション法が適しているが、上述したように現在
の所レーザアブレーション法では大面積の薄膜を得るの
は困難である。
ＩｃとかＬＳＩと共に或はこれらに代る高性能素子を提
供し得るものとして注目されており、ＩＣとかＬＳＩの
形で応用される場合、回路構成の高密度化と共に超電導
膜自体を大面積化する方が価格、信頼性等の面から有利
である。この超電導薄膜の作成法として上述したレーザ
アブレーション法が適しているが、上述したように現在
の所レーザアブレーション法では大面積の薄膜を得るの
は困難である。
従って本発明はレーザアブレーション法によって大面積
の薄膜が得られる装置を提供しようとするものである。
の薄膜が得られる装置を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
薄膜を形成すべき基板の垂線を軸として回転可能な軸の
軸端にターゲットを傾けて保持するようにした。
軸端にターゲットを傾けて保持するようにした。
（作用）
ターゲットは回転軸に対して傾けであるので、ターゲツ
ト面に立てた法線はターゲットを上記軸によって回転さ
せると一つの円錐面を掃過するように方向が変り、上記
法線の基板面との交点は基板面で円を画く。ターゲット
にレーザビームを照射したとと、ターゲットからの揮散
物質はレーザビームの照射方向に関係なく、ターゲット
の法線方向を中心に小範囲に広がってターゲットから飛
び出す。従って基板面ではターゲットの中心法線との交
点を中心とした円内に薄膜が形成されるが、上述したよ
うにターゲツト法線の基板面との交点が円を画くにつれ
て薄膜形成範囲も基板面を移動するので、ターゲットが
固定されている場合よりも大面積の薄膜の製作が可能と
なる。
ト面に立てた法線はターゲットを上記軸によって回転さ
せると一つの円錐面を掃過するように方向が変り、上記
法線の基板面との交点は基板面で円を画く。ターゲット
にレーザビームを照射したとと、ターゲットからの揮散
物質はレーザビームの照射方向に関係なく、ターゲット
の法線方向を中心に小範囲に広がってターゲットから飛
び出す。従って基板面ではターゲットの中心法線との交
点を中心とした円内に薄膜が形成されるが、上述したよ
うにターゲツト法線の基板面との交点が円を画くにつれ
て薄膜形成範囲も基板面を移動するので、ターゲットが
固定されている場合よりも大面積の薄膜の製作が可能と
なる。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例を示す。図で１は蒸着室で排
気系２に接続されている。３は鉛直方向の回転軸で、４
はこの回転軸の駆動装置である。
気系２に接続されている。３は鉛直方向の回転軸で、４
はこの回転軸の駆動装置である。
回転軸３の先端には軸線に対して傾けてターゲット取付
座３１が設けられており、その上にターゲットＴが保持
される。ターゲットＴは作成しようとする薄膜物質より
なっている。回転軸３の上方で５は基板保持部で、薄膜
を形成すべき基板Ｓが載置される。６はレーザで、窓１
１より蒸着室内のターゲットに向けてレーザビームを照
射する。ＮはターゲットＴ表面のレーザビーム照射スポ
ット中心に立てた法線である。レーザビームスポットが
回転軸３の中心線とターゲット表面との交点を略々中心
として形成されるようレーザ６が配置されている。従っ
て回転軸３の回転により上記法線Ｎと基板Ｓとの交点は
基板上で円を画（。
座３１が設けられており、その上にターゲットＴが保持
される。ターゲットＴは作成しようとする薄膜物質より
なっている。回転軸３の上方で５は基板保持部で、薄膜
を形成すべき基板Ｓが載置される。６はレーザで、窓１
１より蒸着室内のターゲットに向けてレーザビームを照
射する。ＮはターゲットＴ表面のレーザビーム照射スポ
ット中心に立てた法線である。レーザビームスポットが
回転軸３の中心線とターゲット表面との交点を略々中心
として形成されるようレーザ６が配置されている。従っ
て回転軸３の回転により上記法線Ｎと基板Ｓとの交点は
基板上で円を画（。
レーザビームの照射を受けたターゲット表面からはター
ゲット物質が図示点線で示すような法線Ｎを中心とする
略々円錐状の範囲に揮散する。従って基板上ではＤの範
囲にわたって薄膜が形成される。ターゲットの回転によ
りレーザビームのターゲット表面への入射角は変化する
が、この入射角のＯ〜８５°程度の範囲でターゲットか
らの物質揮散機は殆んど変らず、揮散方向もターゲット
表面の法線を中心に分布しているがら、ターゲットの回
転によるレーザビームの入射角の変化は形成される薄膜
の厚さには影響しない。
ゲット物質が図示点線で示すような法線Ｎを中心とする
略々円錐状の範囲に揮散する。従って基板上ではＤの範
囲にわたって薄膜が形成される。ターゲットの回転によ
りレーザビームのターゲット表面への入射角は変化する
が、この入射角のＯ〜８５°程度の範囲でターゲットか
らの物質揮散機は殆んど変らず、揮散方向もターゲット
表面の法線を中心に分布しているがら、ターゲットの回
転によるレーザビームの入射角の変化は形成される薄膜
の厚さには影響しない。
第２図は本発明の他の実施例で、ターゲットの前面に揮
散物質の広がり角を制限するマスク７を配置したもので
、このマスクはターゲットＴと一体的に軸３の上で回転
する。ターゲットから揮散する物質は広がり角度の大き
い所で元素組成比率がターゲット物質の組成比率と興る
場合があり、マスク７はこのような組成比率の異ってい
る部分をカットする。またマスク７は基板上で薄膜形成
範囲を制限し、第２図に示すように軸３の回転により同
心円帯状に薄膜を形成したいような場合にも用い得る。
散物質の広がり角を制限するマスク７を配置したもので
、このマスクはターゲットＴと一体的に軸３の上で回転
する。ターゲットから揮散する物質は広がり角度の大き
い所で元素組成比率がターゲット物質の組成比率と興る
場合があり、マスク７はこのような組成比率の異ってい
る部分をカットする。またマスク７は基板上で薄膜形成
範囲を制限し、第２図に示すように軸３の回転により同
心円帯状に薄膜を形成したいような場合にも用い得る。
（発明の効果）
うな面倒な機構を必要とせず、単にターゲットを回転さ
せると云うだけの簡単な機構で、レーザアブレーション
法により得られる薄膜の大面積化が可能となる。
せると云うだけの簡単な機構で、レーザアブレーション
法により得られる薄膜の大面積化が可能となる。
第１図は本発明の一実施例装置の側面図、第２図は他の
実施例の要部側面図である。 １・・・蒸着室、２・・・排気系、３・・・回転軸、４
・・・駆動機構、５・・・基板保持部、６・・・レーザ
、Ｔ・・・ターゲット、Ｓ・・・基板、７・・・マスク
。
実施例の要部側面図である。 １・・・蒸着室、２・・・排気系、３・・・回転軸、４
・・・駆動機構、５・・・基板保持部、６・・・レーザ
、Ｔ・・・ターゲット、Ｓ・・・基板、７・・・マスク
。
Claims (1)
- 軸端にその軸方向に対して表面を傾けてターゲットを保
持する回転軸と、上記ターゲットにレーザビームを照射
するレーザと、上記回転軸の軸端延長方向で上記回転軸
と対向する位置に設けられた製膜基板保持部とよりなる
ことを特徴とする薄膜作成装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809389A JPH03138356A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27809389A JPH03138356A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 薄膜作成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03138356A true JPH03138356A (ja) | 1991-06-12 |
| JPH0547628B2 JPH0547628B2 (ja) | 1993-07-19 |
Family
ID=17592539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27809389A Granted JPH03138356A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03138356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581852B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
| US10233534B2 (en) | 2014-07-15 | 2019-03-19 | Essilor International | Process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP27809389A patent/JPH03138356A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100581852B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
| US10233534B2 (en) | 2014-07-15 | 2019-03-19 | Essilor International | Process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547628B2 (ja) | 1993-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |