JPH03136359A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、樹脂封止型半導体装置（プラスチックＩＣ）
のリードフレームに係り、特にプレス加工できないファ
インピッチのリードフレームの製造方法に関するもので
ある。

（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。

第２図はかかる従来のリードフレームの製造工程平面図
である。なお、この図（第１図においても同様）におい
ては、リードフレームは１／４が図示されているが、そ
の他の３／４の部分もその図示された部分と同様である
ので図示及びその説明は省略する。

まず、第２図（Ａ）に示すように、リードフレーム素材
（通常、４２７０イ又は鋼材）にエツチング工程を施し
、ＩＣチップを搭載するためのダイパッド部１及びＩＣ
チップとＡｕ線等で接続するインナリード２等をバター
ニングする。なお、３はダイパッド部ｌを支持するステ
イである。

次に、第２図（Ｂ）に示すように、ダイパッド部ｌ及び
インナリード２に、Ａｇ又はＡｕのメッキ４を行う。

最後に、インナリードが細い場合は、その変形を防止す
るために、第２図（Ｃ）に示すように、ポリイミド等の
耐熱性の優れたテープ５でインナリード２を固定する。

（発明が解決しようとする課題） しかし、以上述べたリードフレームの製造方法では、超
多ピン、多容量メモリ用リードフレームの場合に、イン
ナリード断面積が小さく、インナリード長が長くなって
しまう。そのため、第２図（Ｂ）のメッキ工程でメッキ
液を塗布すると、インナリード２に圧力がかかって、イ
ンナリードが変形を起こし、技術的に満足する形状がで
き難い。

また、製造歩留まりも上がらないため、コストアンプを
招いていた。

本発明は、以上述べたリードフレーム製造時、メッキ工
程において、インナリードが変形し易いという問題点を
除去し、製造性の優れたリードフレームの製造方法を提
供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、樹脂封止型半導
体装置に用いるリードフレームの製造方法において、ダ
イパッド部とインナリードとを接続させてバターニング
する工程と、該ダイパッド部及びそれに接続する前記イ
ンナリードの先端部にメッキする工程と、前記インナリ
ード間を保持する工程と、前記ダイパッド部と接続され
ているインナリードの先端部を切除する工程とを順に施
すようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、上記のように、リードフレームの製造
方法において、ダイパッド部とインナリードを接続させ
てパターニングしておき、メッキ工程後、テーピングを
行い、最後にインナリード先端とダイパッド部間を切除
する。

従って、細く、しかも長いファインピッチのリードフレ
ームであっても容易に製造することができる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の実施例を示すリードフレームの製造工
程を示す平面図である。

まず、第１図（Ａ）に示すように、ダイパッド部１１と
インナリード１２とをエツチング工程でパターニングす
る。また、この時、インナリード１２の先端はダイパッ
ド部１１に接続された状態となっている。なお、１３は
ダイパッド部１１を支持するスティである。

次に、第１図（Ｂ）に示すように、ダイパッド部１１及
びそれに接続するインナリード１２の先端部に、Ａｇ又
はＡｕのメッキ１４を行う。この時、ダイパッド部１１
とインナリード１２の先端とは接続されているため、メ
ッキ液の圧力が加わってもインナリードは変形すること
がない。

次に、第１図（Ｃ）　に示すように、インナリードを固
定するために、ポリイミド等の耐熱性の優れたテープ１
５で各インナリード間を固定する。

最後に、第１図（Ｄ）に示すように、ダイパッド部１１
と接続されているインナリード１２の先端を切除して、
インナリード１２をダイパッド部１１と分離する。なお
、ここで、スティ１３は切断せずに残しておくことは言
うまでもない。

このように構成することにより、断面積が小さく、かつ
、細い長いインナリードのように、これまで製造不可能
であった形状のリードフレームでも容易に製造すること
ができる。また、この方法では変形し易かったインナリ
ードも変形しないため、品質的にも向上し、量産性も上
がるため、コストダウンを図ることができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな（、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない： （発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、リード
フレームの製造方法において、ダイパッド部とインナリ
ードとを接続させてバターニングしておき、メッキ工程
後、テーピングを行い、最終工程でダイパッド部と接続
されているインナリード先端を切除するようにしたので
、これまで製造不可能であったファインピンチのリード
フレームでも容易に製造することができるとともに、そ
れを高品質で、しかも低コストで作製することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示すリードフレームの製造工
程平面図、第２図は従来のリードフレームの製造工程平
面図である。 １１・・・グイパッド部、１２・・・インナリード、１
３・・・ステイ、１４・・・メッキ、１５・・・テープ
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームの製造
   方法において、 （ａ）ダイパッド部とインナリードとを接続させてパタ
   ーニングする工程と、 （ｂ）該ダイパッド部及びそれに接続する前記インナリ
   ードの先端部にメッキする工程と、 （ｃ）前記インナリード間を保持する工程と、（ｄ）前
   記ダイパッド部と接続されてるインナリードの先端部を
   切除する工程とを順に施すことを特徴とするリードフレ
   ームの製造方法。