JPH03133009A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
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- JPH03133009A JPH03133009A JP27036289A JP27036289A JPH03133009A JP H03133009 A JPH03133009 A JP H03133009A JP 27036289 A JP27036289 A JP 27036289A JP 27036289 A JP27036289 A JP 27036289A JP H03133009 A JPH03133009 A JP H03133009A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング法による透明導電膜の製造方
法に関する。
法に関する。
近年、可視光に対し、高い透過率をもち、さらに高い導
電性すなわち、低抵抗の透明導電膜は、液晶、エレクト
ロルミネッセンス、エレクトロクロミックなどの表示素
子、タッチパネルおよび太陽電池用の電極として用いら
れている。透明導電膜としてのすぐれた特性より、酸化
インジウムと酸化すず膜すなわちＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）膜が代表的に用いられ、こ
の膜の形成法として、膜の緻密性と表面の平滑性の面か
らスパッタリングによる成膜法が急速に採用されつつあ
る。上述の用途のうち、タッチパネル用にはプラスチッ
クス基板が、その他に対しては、ガラス基板が用いられ
る。
電性すなわち、低抵抗の透明導電膜は、液晶、エレクト
ロルミネッセンス、エレクトロクロミックなどの表示素
子、タッチパネルおよび太陽電池用の電極として用いら
れている。透明導電膜としてのすぐれた特性より、酸化
インジウムと酸化すず膜すなわちＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）膜が代表的に用いられ、こ
の膜の形成法として、膜の緻密性と表面の平滑性の面か
らスパッタリングによる成膜法が急速に採用されつつあ
る。上述の用途のうち、タッチパネル用にはプラスチッ
クス基板が、その他に対しては、ガラス基板が用いられ
る。
スパッタリング法は、真空中でアルゴン、窒素などの不
活性ガスまたはこのガスと酸素、水素などの反応性ガス
を用い、Ｉ Ｘ １０−４〜２ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ
の雰囲気とし、基板とＩＴＯ膜形成材料であるターゲッ
トとの間に直流（ＤＣ）電源または高周波（ＲＦ）電源
をターゲットをカソードとして印加し、雰囲気ガスを電
離し、プラズマを形成させ、ターゲット表面に電離した
ガスが衝突し、ターゲット組成成分が飛び出し、基板上
に堆積させ、成膜する方法である。このターゲットには
、インジウム、すずの単体金属または合金を用いる金属
ターゲットと金属酸化物が用いられる。後者は、形成膜
の組成の制御１蓉易であることから最近、広（採用され
ている。また、ターゲットに永久磁石または電磁石によ
り、磁場を付加し、プラズマ密度を上げ、成膜速度を上
げるマグネトロンスパッタリングが一般に用いられてい
る。
活性ガスまたはこのガスと酸素、水素などの反応性ガス
を用い、Ｉ Ｘ １０−４〜２ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ
の雰囲気とし、基板とＩＴＯ膜形成材料であるターゲッ
トとの間に直流（ＤＣ）電源または高周波（ＲＦ）電源
をターゲットをカソードとして印加し、雰囲気ガスを電
離し、プラズマを形成させ、ターゲット表面に電離した
ガスが衝突し、ターゲット組成成分が飛び出し、基板上
に堆積させ、成膜する方法である。このターゲットには
、インジウム、すずの単体金属または合金を用いる金属
ターゲットと金属酸化物が用いられる。後者は、形成膜
の組成の制御１蓉易であることから最近、広（採用され
ている。また、ターゲットに永久磁石または電磁石によ
り、磁場を付加し、プラズマ密度を上げ、成膜速度を上
げるマグネトロンスパッタリングが一般に用いられてい
る。
スパッタリング法によるＩＴＯ膜の形成において、低抵
抗、高透過率のＩＴＯ膜を得る技術が提起されている。
抗、高透過率のＩＴＯ膜を得る技術が提起されている。
金属ターゲットを用いる方法として、特開昭５７−１６
５９０５、特開昭５７−１３０３０３、特開昭５９−２
９３０４、特開昭６０−６３８１４、特開昭６１−２９
２８１７、特開昭６１−２６０５０５および特公昭６３
−５４７８８が、金属酸化物ターゲットを用いる方法と
して特開昭５９−１４９６０４、特開昭６１−２９０６
０５、特開昭６３−１７８４１４および特公昭６１−５
５２０５が提起され、さらに、膜形成材料のターゲット
の製法に関して特開昭５９１３６４８０が提起され、ま
た、耐熱性に劣るプラスチックス基板への適用について
、電子情報通信学会論文ｃ−ｎ、Ｊ７２−Ｃ−ＩＩ巻、
４号、頁２３１〜２３６ （１９８９年４月号）に発表
されている。
５９０５、特開昭５７−１３０３０３、特開昭５９−２
９３０４、特開昭６０−６３８１４、特開昭６１−２９
２８１７、特開昭６１−２６０５０５および特公昭６３
−５４７８８が、金属酸化物ターゲットを用いる方法と
して特開昭５９−１４９６０４、特開昭６１−２９０６
０５、特開昭６３−１７８４１４および特公昭６１−５
５２０５が提起され、さらに、膜形成材料のターゲット
の製法に関して特開昭５９１３６４８０が提起され、ま
た、耐熱性に劣るプラスチックス基板への適用について
、電子情報通信学会論文ｃ−ｎ、Ｊ７２−Ｃ−ＩＩ巻、
４号、頁２３１〜２３６ （１９８９年４月号）に発表
されている。
ＩＴＯ膜は、液晶デイスプレィの電極に多く用いられ、
従来ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成する方式では、上述
の技術で低抵抗、高透過率をもつ電極を形成できたが、
最近カラー液晶デイスプレィは、ガラス基板上に有機質
のカラーフィルターを形成したのち電極用のＩＴＯを形
成する必要が生じ、この有機質は、耐熱性が劣り、耐熱
性は通常１６０〜２００°Ｃであり、この耐熱性を上げ
るためカラーフィルターの改質も試みられているものの
、高くしても２３０°Ｃが限界とされている。低抵抗で
かつ高透過率とするのにガラス基板上では３００ ’Ｃ
以上に基板を加熱し、ＩＴＯ膜を形成するかまたは成膜
後、基板を高温に加熱し、焼成を行っていた。カラーフ
ィルター上のＩＴＯ膜では、２００°Ｃ以下で成膜を行
わなければならず、また量産化に対応した成膜方法が要
求される。このカラーフィルター上の電極としての特性
は、シート抵抗（または面抵抗とよばれる。）は３０Ω
以下が要求される。従来、膜厚を上げ、抵抗を下げる方
法が講じられているが、電極形成のための電極バターニ
ング工程でのＩＴＯ膜のエツチングにおいて、エツチン
グに時間を要し、またパターンの精細度を低下させるの
で膜厚を上げることができない。さらに、電極は、デイ
スプレィとしての画質を上げるには、膜厚は薄い方がよ
い。この用途に対しての膜厚は、約１５００Å以下とさ
れ、この膜厚でシート抵抗３０Ω以下とするには抵抗率
３Ｘ１０’Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜が必要であり、上述
した先行技術において、基板を３００°Ｃ以上に加熱し
ない限り、この低抵抗のＩＴＯ膜が得られない。ＩＴＯ
成膜において、液晶デイスプレィは大型化の傾向があり
、一般的には３００ Ｘ ３００ｍｍ、さらに大型化し
たものでは６００Ｘ６００ｍｍが要求されている。この
ため、■ＴＯ成膜のコスト低減化のためには、生産速度
を高め、特性の変動要因である放電ガスの流量、放電ガ
スの圧力、スパッタリングパワー（電流×電圧）等に対
し、なるべく広範囲で特性が安定していなければならな
い。生産性を高めるには、成膜速度として、５００人／
ｍｉｎ以上でないと、成膜に対し、長時間を要し、量
産用として不適である。
従来ガラス基板上にＩＴＯ膜を形成する方式では、上述
の技術で低抵抗、高透過率をもつ電極を形成できたが、
最近カラー液晶デイスプレィは、ガラス基板上に有機質
のカラーフィルターを形成したのち電極用のＩＴＯを形
成する必要が生じ、この有機質は、耐熱性が劣り、耐熱
性は通常１６０〜２００°Ｃであり、この耐熱性を上げ
るためカラーフィルターの改質も試みられているものの
、高くしても２３０°Ｃが限界とされている。低抵抗で
かつ高透過率とするのにガラス基板上では３００ ’Ｃ
以上に基板を加熱し、ＩＴＯ膜を形成するかまたは成膜
後、基板を高温に加熱し、焼成を行っていた。カラーフ
ィルター上のＩＴＯ膜では、２００°Ｃ以下で成膜を行
わなければならず、また量産化に対応した成膜方法が要
求される。このカラーフィルター上の電極としての特性
は、シート抵抗（または面抵抗とよばれる。）は３０Ω
以下が要求される。従来、膜厚を上げ、抵抗を下げる方
法が講じられているが、電極形成のための電極バターニ
ング工程でのＩＴＯ膜のエツチングにおいて、エツチン
グに時間を要し、またパターンの精細度を低下させるの
で膜厚を上げることができない。さらに、電極は、デイ
スプレィとしての画質を上げるには、膜厚は薄い方がよ
い。この用途に対しての膜厚は、約１５００Å以下とさ
れ、この膜厚でシート抵抗３０Ω以下とするには抵抗率
３Ｘ１０’Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ膜が必要であり、上述
した先行技術において、基板を３００°Ｃ以上に加熱し
ない限り、この低抵抗のＩＴＯ膜が得られない。ＩＴＯ
成膜において、液晶デイスプレィは大型化の傾向があり
、一般的には３００ Ｘ ３００ｍｍ、さらに大型化し
たものでは６００Ｘ６００ｍｍが要求されている。この
ため、■ＴＯ成膜のコスト低減化のためには、生産速度
を高め、特性の変動要因である放電ガスの流量、放電ガ
スの圧力、スパッタリングパワー（電流×電圧）等に対
し、なるべく広範囲で特性が安定していなければならな
い。生産性を高めるには、成膜速度として、５００人／
ｍｉｎ以上でないと、成膜に対し、長時間を要し、量
産用として不適である。
また、放電ガスのうちの反応性ガスとして、真空排気に
おいて、排気能力を低減する水、水素などを用いること
は量産に障害となる。特開昭６１２６０５０５は、基板
温度を１００００で、低抵抗膜（膜厚３０人でシート抵
抗約１００Ωすなわち抵抗率３ＸＩＯ’Ω・ｃｍ）が得
られるものの、合金ターゲットを用いているため、膜中
の酸素濃度の制御のための反応性酸素ガスの流量が僅か
変動（例えば１６ ＳＣＣＭ （ｃｍ３／ ｍ１ｎ）に
対し０．５ＳＣＣＭ） してもシート抵抗は、１０倍以
上変動し、反応性ガスの厳密なコントロールが必要で実
用上程々の障害がある。また、基板温度を１００°Ｃ以
下で低抵抗を得る方法として、電子情報通信学会論文ｃ
−ｎ、Ｊ ７２− Ｃ−■巻４号、頁２３１〜２３６
（１９８９年４月号）の提起があるが、成膜速度１５
０人／ ｍｉｎと遅く、これを解決することが必要であ
る。また、酸化物ターゲットを用いた場合の特性改善方
法として特開昭５９−１３６４８０および特公昭６１−
５５２０５が提起されている。前者は、酸化インジウム
と酸化すずターゲットにおいて、理論密度の７５％以上
の密度を有し、抵抗率０．６〜０，１Ω・ｃｍであるタ
ーゲットを用いることにより、ターゲットの機械的安定
性をもたらし、ＤＣスパッタリングに適したターゲット
材料を提供し、ハイパワーのスパッタリング技術に進歩
をもたらした。また、後者は密度（見掛は比重）を理論
密度の８０％以上とし、ターゲットへの酸素、水分等の
有害物の吸蔵を抑制し、ターゲット表層に形成される有
害膜の除去の時間短縮をすることにあった。
おいて、排気能力を低減する水、水素などを用いること
は量産に障害となる。特開昭６１２６０５０５は、基板
温度を１００００で、低抵抗膜（膜厚３０人でシート抵
抗約１００Ωすなわち抵抗率３ＸＩＯ’Ω・ｃｍ）が得
られるものの、合金ターゲットを用いているため、膜中
の酸素濃度の制御のための反応性酸素ガスの流量が僅か
変動（例えば１６ ＳＣＣＭ （ｃｍ３／ ｍ１ｎ）に
対し０．５ＳＣＣＭ） してもシート抵抗は、１０倍以
上変動し、反応性ガスの厳密なコントロールが必要で実
用上程々の障害がある。また、基板温度を１００°Ｃ以
下で低抵抗を得る方法として、電子情報通信学会論文ｃ
−ｎ、Ｊ ７２− Ｃ−■巻４号、頁２３１〜２３６
（１９８９年４月号）の提起があるが、成膜速度１５
０人／ ｍｉｎと遅く、これを解決することが必要であ
る。また、酸化物ターゲットを用いた場合の特性改善方
法として特開昭５９−１３６４８０および特公昭６１−
５５２０５が提起されている。前者は、酸化インジウム
と酸化すずターゲットにおいて、理論密度の７５％以上
の密度を有し、抵抗率０．６〜０，１Ω・ｃｍであるタ
ーゲットを用いることにより、ターゲットの機械的安定
性をもたらし、ＤＣスパッタリングに適したターゲット
材料を提供し、ハイパワーのスパッタリング技術に進歩
をもたらした。また、後者は密度（見掛は比重）を理論
密度の８０％以上とし、ターゲットへの酸素、水分等の
有害物の吸蔵を抑制し、ターゲット表層に形成される有
害膜の除去の時間短縮をすることにあった。
一方、ＩＴＯ膜は液晶デイスプレィ用電極として用いら
れ、ラップトツブパソコンあるいは、ワードプロセッサ
ーの表示素子としてカラー液晶デイスプレィの開発が急
速に高まり、このデイスプレィは、単純マトリックス方
式とアクティブマトリックス方式に大別され、アクティ
ブマトリックスが一部採用されようとしている。しかし
、単純マトリックス方式は、低コストでカラー液晶デイ
スプレィが製造できる利点があり、最近注目され、開発
が進められている。従来、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形
成させればよ（、上述のように基板温度を３００℃以上
に加熱しスパッタリングするか、または成膜後３００°
Ｃ以上の加熱により焼成を行うことができ、これにより
低抵抗でかつ高透過率のＩＴＯ膜を得てきた。従来方法
は、表示素子用電極としての特性を改善するものの、有
機系のカラーフィルター上へのＩＴＯ膜の成膜に対し、
種々の困難があった。また、量産化するには、スパッタ
リング条件としての成膜速度、使用ガスの種類、雰囲気
ガスの状態、使用ターゲットの変動に対し、安定した抵
抗率および透過率を示し、均質な膜を高速成膜できなけ
ればならない。
れ、ラップトツブパソコンあるいは、ワードプロセッサ
ーの表示素子としてカラー液晶デイスプレィの開発が急
速に高まり、このデイスプレィは、単純マトリックス方
式とアクティブマトリックス方式に大別され、アクティ
ブマトリックスが一部採用されようとしている。しかし
、単純マトリックス方式は、低コストでカラー液晶デイ
スプレィが製造できる利点があり、最近注目され、開発
が進められている。従来、ガラス基板上にＩＴＯ膜を形
成させればよ（、上述のように基板温度を３００℃以上
に加熱しスパッタリングするか、または成膜後３００°
Ｃ以上の加熱により焼成を行うことができ、これにより
低抵抗でかつ高透過率のＩＴＯ膜を得てきた。従来方法
は、表示素子用電極としての特性を改善するものの、有
機系のカラーフィルター上へのＩＴＯ膜の成膜に対し、
種々の困難があった。また、量産化するには、スパッタ
リング条件としての成膜速度、使用ガスの種類、雰囲気
ガスの状態、使用ターゲットの変動に対し、安定した抵
抗率および透過率を示し、均質な膜を高速成膜できなけ
ればならない。
本発明は、かかる問題点を解決すべくなされたものであ
り、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の製造方
法において、酸化すず０．１〜１５．０重量％を含む酸
化インジウムであって、密度５．０ｇ／ｃｍ３〜６．５
ｇ／ ｃｍ３でかつ、抵抗率が（０，０５〜１０．０）
×１０〜４Ω・ｃｍの透明導電膜形成の材料ターゲット
を用い、酸素ガスを０．１〜５．０体積％を含む不活性
ガスを放電ガスとして、放電ガスの流量をスパッタリン
グ室の体積Ｖに対しく０．０１〜１）ＸＩＯ”ＸＶ （
ｃｍ３／ ｍ１ｎ）で圧力を（０，５〜１０） Ｘ １
０ ３Ｔｏｒｒに制御してスパッタリングを行うことを
特徴とする透明導電膜の製造方法を提供するものである
。
り、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の製造方
法において、酸化すず０．１〜１５．０重量％を含む酸
化インジウムであって、密度５．０ｇ／ｃｍ３〜６．５
ｇ／ ｃｍ３でかつ、抵抗率が（０，０５〜１０．０）
×１０〜４Ω・ｃｍの透明導電膜形成の材料ターゲット
を用い、酸素ガスを０．１〜５．０体積％を含む不活性
ガスを放電ガスとして、放電ガスの流量をスパッタリン
グ室の体積Ｖに対しく０．０１〜１）ＸＩＯ”ＸＶ （
ｃｍ３／ ｍ１ｎ）で圧力を（０，５〜１０） Ｘ １
０ ３Ｔｏｒｒに制御してスパッタリングを行うことを
特徴とする透明導電膜の製造方法を提供するものである
。
スパッタリングは、基板を真空槽内に入れ、所定の枚数
にセットしたのち槽内を排気し、１×１０ ’Ｔｏｒｒ
以下とじ槽内へ放電ガスを挿入して一定圧力下でターゲ
ットに直流（ＤＣ）または、ＲＦ電源により印加し放電
させ基板に成膜する。この工程は１回毎に真空を破り、
成膜された基板を槽内から取り出すバッチ型と放電を行
うスパッタリング室の真空を維持し、連続的に基板をス
パッタリング室へ送り込むインライン型の２種があり、
このいずれにも適用できる。スパッタリングのエネルギ
ー源として直流（ＤＣ）および高周波（Ｒ，Ｆ）電源が
用いられ、本発明にも用いることができる。
にセットしたのち槽内を排気し、１×１０ ’Ｔｏｒｒ
以下とじ槽内へ放電ガスを挿入して一定圧力下でターゲ
ットに直流（ＤＣ）または、ＲＦ電源により印加し放電
させ基板に成膜する。この工程は１回毎に真空を破り、
成膜された基板を槽内から取り出すバッチ型と放電を行
うスパッタリング室の真空を維持し、連続的に基板をス
パッタリング室へ送り込むインライン型の２種があり、
このいずれにも適用できる。スパッタリングのエネルギ
ー源として直流（ＤＣ）および高周波（Ｒ，Ｆ）電源が
用いられ、本発明にも用いることができる。
透明導電膜形成の原料ターゲットは、減圧槽内で基板に
対向するように、またはキャリヤーに取付けられた基板
が搬送され、水平または垂直に基板と対向するよう設置
し、成膜室である真空槽内に放電ガスの流量を制御する
マスフローコントローラーを界して放電ガスを導入する
。用いる原料ターゲットは、酸化すず（５ｎ０２ ）を
０，１〜１５．Ｏ体積％を含む酸化インジウム（Ｉｎ２
０３）の酸化物ターゲットである。酸化物ターゲットを
用いるのは、形成されるＩＴＯ膜の組成の制御が容易で
、Ｉｎ Ｓｎの金属単体ターゲットまたは合金ターゲッ
トの場合のように放電ガス中の活性ガスである酸素の制
御を厳密に行うことなく、ターゲット組成に近い組成の
ＩＴＯ膜を形成できるためである。真空槽内に導入され
た放電ガスは、基板とターゲットとの間にＤＣまたはＲ
Ｆ電源が印加されると、放電ガスが電離し、電離した放
電ガスは、ターゲット表面に当たり、その運動エネルギ
ーによりＩＴＯターゲット中の成分であるＩｎ、 Ｓｎ
および０が飛び出し基板上に堆積し、ＩＴＯ膜が形成さ
れる。形成される膜の抵抗率、透過率は、原料ターゲッ
トの組成、密度および抵抗率に影響され、また放電ガス
の組成、スパッタリング中の放電ガス流量と放電ガス圧
力の制御により、低抵抗でかつ高透過率のＩＴＯ膜を形
成することができ、上述の問題を解決するとともに、量
産するためのハイパワーでの成膜を可能にし、高速成膜
例えば１，０００人／ ｍｉｎ以上でＩＴＯ膜が形成で
き生産能力を高めるともに、大型基板（例えば６００Ｘ
６００ｍｍ）にも対応できる。
対向するように、またはキャリヤーに取付けられた基板
が搬送され、水平または垂直に基板と対向するよう設置
し、成膜室である真空槽内に放電ガスの流量を制御する
マスフローコントローラーを界して放電ガスを導入する
。用いる原料ターゲットは、酸化すず（５ｎ０２ ）を
０，１〜１５．Ｏ体積％を含む酸化インジウム（Ｉｎ２
０３）の酸化物ターゲットである。酸化物ターゲットを
用いるのは、形成されるＩＴＯ膜の組成の制御が容易で
、Ｉｎ Ｓｎの金属単体ターゲットまたは合金ターゲッ
トの場合のように放電ガス中の活性ガスである酸素の制
御を厳密に行うことなく、ターゲット組成に近い組成の
ＩＴＯ膜を形成できるためである。真空槽内に導入され
た放電ガスは、基板とターゲットとの間にＤＣまたはＲ
Ｆ電源が印加されると、放電ガスが電離し、電離した放
電ガスは、ターゲット表面に当たり、その運動エネルギ
ーによりＩＴＯターゲット中の成分であるＩｎ、 Ｓｎ
および０が飛び出し基板上に堆積し、ＩＴＯ膜が形成さ
れる。形成される膜の抵抗率、透過率は、原料ターゲッ
トの組成、密度および抵抗率に影響され、また放電ガス
の組成、スパッタリング中の放電ガス流量と放電ガス圧
力の制御により、低抵抗でかつ高透過率のＩＴＯ膜を形
成することができ、上述の問題を解決するとともに、量
産するためのハイパワーでの成膜を可能にし、高速成膜
例えば１，０００人／ ｍｉｎ以上でＩＴＯ膜が形成で
き生産能力を高めるともに、大型基板（例えば６００Ｘ
６００ｍｍ）にも対応できる。
原料ターゲットは、一般にＩｎ２Ｏ３と５ｎ０２との原
料粉を所定の割合に調合し冷間等方プレス（ＣＩＰ）ま
たは熱間等方プレス（ＨＩＰ）で固結し、プレート状に
成形される。密度は、用いる原料粉および固結する工程
により調整する。５ｎ０２とＩｎ２Ｏ３との組成比は、
５ｎ０２を０．１〜１５．０重量％が好ましく、密度は
５．０ｇ／ Ｃｒｎ３〜６．５ｇ／ｃｍ３である。密度
が少なくとも５．０ｇ／ ｃｍ”でないと、形成される
ＩＴＯ膜は低抵抗の膜が得られなく、６．５ｇ／ｃｍ３
を越えるとＩｎ２Ｏ３と５ｎ０２とからなるＩＴＯ酸化
物焼結体の理論密度の９５％以上となり、スパッタリン
グ時ターゲットが加熱されると、ターゲット冷却用の銅
製バッキングプレートとターゲットとの熱膨張差により
ターゲット中に割れを生じ易くなり、５．０〜６．５ｇ
／ｃｍ３が適している。ターゲットの抵抗率は、１０、
ＯＸ １０−４Ω・ｃｍ以下でないと低抵抗の膜は得
られない。また、０．０５Ｘ １０−’すなわち、５．
０Ｘ１０−６Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ焼結体ターゲットを
製造するには困難である。したがって、抵抗率は（０，
０５〜１Ｏ１Ｏ）Ｘ１０−４Ω・ｃｍが適している。ま
た、ターゲット中のＺｎ、 Ｐｂ、 Ｆｅ等の不純物の
総量は、０．０１重量以下に抑えることが好ましく、不
純物が０．０１０重量％を越えると低抵抗、高透過率の
膜が形成されないばかりか、ターゲットの抵抗率を１０
Ｘ１０−４Ω・ｃｍ以下にすることが困難となる。
料粉を所定の割合に調合し冷間等方プレス（ＣＩＰ）ま
たは熱間等方プレス（ＨＩＰ）で固結し、プレート状に
成形される。密度は、用いる原料粉および固結する工程
により調整する。５ｎ０２とＩｎ２Ｏ３との組成比は、
５ｎ０２を０．１〜１５．０重量％が好ましく、密度は
５．０ｇ／ Ｃｒｎ３〜６．５ｇ／ｃｍ３である。密度
が少なくとも５．０ｇ／ ｃｍ”でないと、形成される
ＩＴＯ膜は低抵抗の膜が得られなく、６．５ｇ／ｃｍ３
を越えるとＩｎ２Ｏ３と５ｎ０２とからなるＩＴＯ酸化
物焼結体の理論密度の９５％以上となり、スパッタリン
グ時ターゲットが加熱されると、ターゲット冷却用の銅
製バッキングプレートとターゲットとの熱膨張差により
ターゲット中に割れを生じ易くなり、５．０〜６．５ｇ
／ｃｍ３が適している。ターゲットの抵抗率は、１０、
ＯＸ １０−４Ω・ｃｍ以下でないと低抵抗の膜は得
られない。また、０．０５Ｘ １０−’すなわち、５．
０Ｘ１０−６Ω・ｃｍ以下のＩＴＯ焼結体ターゲットを
製造するには困難である。したがって、抵抗率は（０，
０５〜１Ｏ１Ｏ）Ｘ１０−４Ω・ｃｍが適している。ま
た、ターゲット中のＺｎ、 Ｐｂ、 Ｆｅ等の不純物の
総量は、０．０１重量以下に抑えることが好ましく、不
純物が０．０１０重量％を越えると低抵抗、高透過率の
膜が形成されないばかりか、ターゲットの抵抗率を１０
Ｘ１０−４Ω・ｃｍ以下にすることが困難となる。
スパッタリングにおける放電ガスのうちの不活性ガスと
してＨｅ、 Ｎｅ、 Ａｒ、 Ｋｒ、 Ｘｅの希ガスお
よびＮ２ガスを用いることができ、通常Ａｒガスが用い
られる。放電ガスとして０２ガスを用いる。放電ガス中
の０２ガスは形成されるＩＴＯ膜の透過率を高くする。
してＨｅ、 Ｎｅ、 Ａｒ、 Ｋｒ、 Ｘｅの希ガスお
よびＮ２ガスを用いることができ、通常Ａｒガスが用い
られる。放電ガスとして０２ガスを用いる。放電ガス中
の０２ガスは形成されるＩＴＯ膜の透過率を高くする。
０２ガスは、０．０１〜５．０体積％が好ましく、０２
ガスが５．０体積％越えると、放電ガスの流量が高い場
合、スパッタリング雰囲気中の０２ガス量が過剰となり
、ＩＴＯ膜の抵抗率を高くし、目的とする低抵抗のＩＴ
Ｏ膜の形成が困難となる。また、このことから放電ガス
流量とスパッタリングにおける放電ガス圧力とを制御し
なければならない。放電ガスの流量υは、成膜室の体積
Ｖに対してυ＝ （０，０１〜１ ） Ｘ １０ ’Ｘ
Ｖ （ｃｒｎ３／ ｍｉｎ ）の範囲にし、かつ放電
ガスの圧力は、（０，５〜１０）ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒが
好ましい。υおよび放電ガス圧力が下限を切ると、放電
が困難となり、成膜ができなくなるばかりか、ターゲッ
トが加熱され、バッキングプレートの水冷が不足すると
、バッキングプレートとターゲットとを接合している低
融点金属が融解し、ターゲットがバッキングプレートか
ら落下するトラブルが生じる。またυが０ 、 ＯＩ
Ｘ Ｖ ｃｍ３／ ｍｉｎを越えると、ターゲットと基
板との間で放電ガスとターゲットから飛び出したターゲ
ット中の成分との衝突確率を高くして、運動エネルギー
が減少して抵抗率の高いＩＴＯ膜が形成され易（なる。
ガスが５．０体積％越えると、放電ガスの流量が高い場
合、スパッタリング雰囲気中の０２ガス量が過剰となり
、ＩＴＯ膜の抵抗率を高くし、目的とする低抵抗のＩＴ
Ｏ膜の形成が困難となる。また、このことから放電ガス
流量とスパッタリングにおける放電ガス圧力とを制御し
なければならない。放電ガスの流量υは、成膜室の体積
Ｖに対してυ＝ （０，０１〜１ ） Ｘ １０ ’Ｘ
Ｖ （ｃｒｎ３／ ｍｉｎ ）の範囲にし、かつ放電
ガスの圧力は、（０，５〜１０）ＸＩＯ−３Ｔｏｒｒが
好ましい。υおよび放電ガス圧力が下限を切ると、放電
が困難となり、成膜ができなくなるばかりか、ターゲッ
トが加熱され、バッキングプレートの水冷が不足すると
、バッキングプレートとターゲットとを接合している低
融点金属が融解し、ターゲットがバッキングプレートか
ら落下するトラブルが生じる。またυが０ 、 ＯＩ
Ｘ Ｖ ｃｍ３／ ｍｉｎを越えると、ターゲットと基
板との間で放電ガスとターゲットから飛び出したターゲ
ット中の成分との衝突確率を高くして、運動エネルギー
が減少して抵抗率の高いＩＴＯ膜が形成され易（なる。
放電ガス圧力も同様の理由により、１０×１Ｏ−３ＴＯ
ｒｒ以下にする必要がある。流量はマスフローコントロ
ーラーにより制御し、ガス圧力はこの流量と真空ポンプ
の排気量により制御する。放電ガスは、ターゲット近傍
に放出するようにステンレスパイプ、銅パイプ等により
ガス導入管を設けることが好ましい。上記の酸化物ター
ゲット、スパッタリングにおける０２を含む放電ガスを
用い、上記の放電ガス流量でかつ放電ガス圧力下でスパ
ッタリングすることにより、基板温度２００°Ｃ以下の
低温成膜において抵抗率３ＸｌＯ’Ω・Ｃｍ以下でかつ
可視光透過率８５％以上のＩＴＯ膜が形成でき、カラー
フィルターのような耐熱性の劣る有機質上に良質のＩＴ
Ｏ膜が形成できる。
ｒｒ以下にする必要がある。流量はマスフローコントロ
ーラーにより制御し、ガス圧力はこの流量と真空ポンプ
の排気量により制御する。放電ガスは、ターゲット近傍
に放出するようにステンレスパイプ、銅パイプ等により
ガス導入管を設けることが好ましい。上記の酸化物ター
ゲット、スパッタリングにおける０２を含む放電ガスを
用い、上記の放電ガス流量でかつ放電ガス圧力下でスパ
ッタリングすることにより、基板温度２００°Ｃ以下の
低温成膜において抵抗率３ＸｌＯ’Ω・Ｃｍ以下でかつ
可視光透過率８５％以上のＩＴＯ膜が形成でき、カラー
フィルターのような耐熱性の劣る有機質上に良質のＩＴ
Ｏ膜が形成できる。
本発明を第１〜３図により詳細に説明する。
実施例１
第１図に示すように、厚み１ 、１ ｍｍ、 サイズ
３００Ｘ３００ｍｍのガラス基板１にカラーフィルター
２およびその保護膜３を被覆したカラーフィルターガラ
ス基板を第２図に示すようなインライン方式のマグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、本発明の方法の
ＩＴＯ膜へ形成した。この装置は、基板の脱着を行うロ
ードアンロード室５と基板にＩＴＯ膜を成膜するスパッ
タリング室１１とからなり、スパッタリング室は加熱セ
クションとスパッタリングセクションとからなっている
。まず基板は、ロードアンロード室で基板を搬送するキ
ャリヤー７に基板２枚を装着する。キャリヤーは、ガイ
ドレール６上に設置されている。ロータリーポンプって
粗引きし、次にクライオポンプ８で高真空排気を行い、
Ｉ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒの高真空にする。スパッタリン
グ室は、クライオポンプとロータリーポンプ により、
あらかじめ８ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒまで排気し、高
真空を維持する。次にロードアンロード室とスパッタリ
ング室とを遮断して、ロードアンロード室が、基板脱着
の際大気圧になってもスパッタリング室をＩ Ｘ １Ｏ
−６Ｔｏｒｒ以下に維持できるように設けられた仕切板
１０をエアー圧で開放し、基板を装着したキャリヤーは
、ガイドレールにより、スパッタリング室の加熱セクシ
ョンに移送する。
３００Ｘ３００ｍｍのガラス基板１にカラーフィルター
２およびその保護膜３を被覆したカラーフィルターガラ
ス基板を第２図に示すようなインライン方式のマグネト
ロンＤＣスパッタリング装置を用いて、本発明の方法の
ＩＴＯ膜へ形成した。この装置は、基板の脱着を行うロ
ードアンロード室５と基板にＩＴＯ膜を成膜するスパッ
タリング室１１とからなり、スパッタリング室は加熱セ
クションとスパッタリングセクションとからなっている
。まず基板は、ロードアンロード室で基板を搬送するキ
ャリヤー７に基板２枚を装着する。キャリヤーは、ガイ
ドレール６上に設置されている。ロータリーポンプって
粗引きし、次にクライオポンプ８で高真空排気を行い、
Ｉ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒの高真空にする。スパッタリン
グ室は、クライオポンプとロータリーポンプ により、
あらかじめ８ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒまで排気し、高
真空を維持する。次にロードアンロード室とスパッタリ
ング室とを遮断して、ロードアンロード室が、基板脱着
の際大気圧になってもスパッタリング室をＩ Ｘ １Ｏ
−６Ｔｏｒｒ以下に維持できるように設けられた仕切板
１０をエアー圧で開放し、基板を装着したキャリヤーは
、ガイドレールにより、スパッタリング室の加熱セクシ
ョンに移送する。
移送後仕切板は閉じられる。基板は加熱セクションに設
けられた抵抗加熱体１２の輻射熱により加熱される。基
板の加熱温度は電力と加熱時間で設定する。ここで基板
は５分間、加熱セクションに置いて１８０°Ｃに到達し
た時点で、スパッタリングセクションに移送する。スパ
ッタリング室は、サイズ１５０ Ｘ ４５０ｍｍ、組成
を５ｎ０２を１０重量％を含むＩｎ２Ｏ３、密度５．３
１ ｇ／ ｃｍ３、抵抗率３．５ Ｘ １０−４Ω・ｃ
ｍのターゲット１３を銅製のバッキングプレート１４上
に粘り着けられたスパッタリングカソードが設置されて
いる。スパッタリングカソードを第３図に示す。第３図
は、ターゲット２３とバッキングプレート２４、スパッ
タリング速度を高めるための永久磁石２５と冷却のため
の冷却水の注排出管２６．２７からなっている。あらか
じめスパッタリング室は、不活性ガスとしてのＡｒ容器
１７と０２ガスを５体積％含むＡｒガス容器１９から放
電ガス流量をコントロールするマスフローコントローラ
ー１８および２０とにより、０□ガスが０，２体積％の
Ａｒガスを５ ｃｍ３７ ｍｉｎスパッタリング室へ放
電ガス導入管２１より送り、排気調整バルブ１６により
、スパッタリング室の圧力を２ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
とした。スパッタリング室は幅１９０×長さ２２６０
ｘ高さ６２０ｍｍであるので体積が２６６２２８ｃｍ３
であるので流量υは、０．０１９ Ｘ １Ｏ−３Ｖ ｃ
ｍ３／ ｍｉｎに相当する。次にテフロン製０リングに
より絶縁されたバッキングプレート上のターゲットと接
地されたガイドレール第２図の６との間にターゲットを
カソードｔして、ｓｏｏｗのＤＣ電源を印加し放電した
。キャリヤーに装着された２枚の基板は、接地されたガ
イドレール上を加熱セクションよりスパッタリングセク
ションへ１５０ｍｍ／ ｍｉｎの速度で搬送し、基板が
ターゲットに近ずくにつれ、基板にＩＴＯ膜が形成され
、搬送中に成膜速度１，０００Å／ ｍｉｎで１．ｏｏ
ｏＡの膜厚のＩＴＯ膜を形成し、予備室第２図の２２に
移送され、成膜を完了し、停止する。次に印加電源と放
電ガスの送入を停止して、クライオンポンプ８によりス
パッタリング室を１０ ’Ｔｏｒｒ台に排気し、キャリ
ヤーに装着された基板はロードアンロード室に移送して
、ロードアンロード室をＮ２を送入して大気にし、ロー
ドアンロード室のドアーを開いて、ＩＴＯ膜を形成した
基板を取り出した。
けられた抵抗加熱体１２の輻射熱により加熱される。基
板の加熱温度は電力と加熱時間で設定する。ここで基板
は５分間、加熱セクションに置いて１８０°Ｃに到達し
た時点で、スパッタリングセクションに移送する。スパ
ッタリング室は、サイズ１５０ Ｘ ４５０ｍｍ、組成
を５ｎ０２を１０重量％を含むＩｎ２Ｏ３、密度５．３
１ ｇ／ ｃｍ３、抵抗率３．５ Ｘ １０−４Ω・ｃ
ｍのターゲット１３を銅製のバッキングプレート１４上
に粘り着けられたスパッタリングカソードが設置されて
いる。スパッタリングカソードを第３図に示す。第３図
は、ターゲット２３とバッキングプレート２４、スパッ
タリング速度を高めるための永久磁石２５と冷却のため
の冷却水の注排出管２６．２７からなっている。あらか
じめスパッタリング室は、不活性ガスとしてのＡｒ容器
１７と０２ガスを５体積％含むＡｒガス容器１９から放
電ガス流量をコントロールするマスフローコントローラ
ー１８および２０とにより、０□ガスが０，２体積％の
Ａｒガスを５ ｃｍ３７ ｍｉｎスパッタリング室へ放
電ガス導入管２１より送り、排気調整バルブ１６により
、スパッタリング室の圧力を２ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
とした。スパッタリング室は幅１９０×長さ２２６０
ｘ高さ６２０ｍｍであるので体積が２６６２２８ｃｍ３
であるので流量υは、０．０１９ Ｘ １Ｏ−３Ｖ ｃ
ｍ３／ ｍｉｎに相当する。次にテフロン製０リングに
より絶縁されたバッキングプレート上のターゲットと接
地されたガイドレール第２図の６との間にターゲットを
カソードｔして、ｓｏｏｗのＤＣ電源を印加し放電した
。キャリヤーに装着された２枚の基板は、接地されたガ
イドレール上を加熱セクションよりスパッタリングセク
ションへ１５０ｍｍ／ ｍｉｎの速度で搬送し、基板が
ターゲットに近ずくにつれ、基板にＩＴＯ膜が形成され
、搬送中に成膜速度１，０００Å／ ｍｉｎで１．ｏｏ
ｏＡの膜厚のＩＴＯ膜を形成し、予備室第２図の２２に
移送され、成膜を完了し、停止する。次に印加電源と放
電ガスの送入を停止して、クライオンポンプ８によりス
パッタリング室を１０ ’Ｔｏｒｒ台に排気し、キャリ
ヤーに装着された基板はロードアンロード室に移送して
、ロードアンロード室をＮ２を送入して大気にし、ロー
ドアンロード室のドアーを開いて、ＩＴＯ膜を形成した
基板を取り出した。
実施例２
実施例１と同様の基板を用い、同様のターゲットを用い
て、放電ガスの０２ガス含有量、流量、ガス圧力以外は
同様の方法で、ＩＴＯ膜を膜厚１０００人形成した。放
電ガスとして０２含有量４．５体積％のＡｒガスをスパ
ッタリング室に３０ ｃｍ３／ ｍｉｎ。
て、放電ガスの０２ガス含有量、流量、ガス圧力以外は
同様の方法で、ＩＴＯ膜を膜厚１０００人形成した。放
電ガスとして０２含有量４．５体積％のＡｒガスをスパ
ッタリング室に３０ ｃｍ３／ ｍｉｎ。
すなわち０．１３ Ｘ １Ｏ−３Ｘ Ｖ （ｃｍ３／
ｍ１ｎ）を送り、放電ガス圧力を７ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒでスパッタリングを行い、ＩＴＯ膜を形成した。
ｍ１ｎ）を送り、放電ガス圧力を７ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒでスパッタリングを行い、ＩＴＯ膜を形成した。
実施例３
実施例１と同様の基板を用い、密度６．０５ｇ／ ｃｍ
３、抵抗率２．４Ｘ１０’Ω・ｃｍである実施例１と同
じサイズのターゲットを用い、放電ガス中の０２ガス含
有量、流量および圧力以外は実施例１と同様の方法でＩ
ＴＯ膜を１０００人形成した。放電ガスとして０２含有
量０．０５体積％のＡｒガスをスパッタリング室に１０
ｃｍ３／ ｍｉｎ、すなわち、０．０１３ｘ １Ｏ−
３ｘ Ｖｃｍ３／ ｍｉｎを送り、放電ガス圧力１．５
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒでスパッタリングを行い、ＩＴ
Ｏ膜を形成した。
３、抵抗率２．４Ｘ１０’Ω・ｃｍである実施例１と同
じサイズのターゲットを用い、放電ガス中の０２ガス含
有量、流量および圧力以外は実施例１と同様の方法でＩ
ＴＯ膜を１０００人形成した。放電ガスとして０２含有
量０．０５体積％のＡｒガスをスパッタリング室に１０
ｃｍ３／ ｍｉｎ、すなわち、０．０１３ｘ １Ｏ−
３ｘ Ｖｃｍ３／ ｍｉｎを送り、放電ガス圧力１．５
Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒでスパッタリングを行い、ＩＴ
Ｏ膜を形成した。
実施例４
実施例１と同様の基板を用い、実施例３と同様のターゲ
ットを用い、放電ガス中の０２ガス含有量、流量および
圧力以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を１０００
人形成した。放電ガスとして０２ガス４．５体積％のＡ
ｒガスをスパッタリング室に、１５ ｃｍ３／ ｍｉｎ
すなわち０．０６５ Ｘ １Ｏ−３Ｘ Ｖ ｃｍ３／
ｍｉｎ送り、放電ガス圧力５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒで
スパッタリングを行いＩＴＯ膜を形成した。
ットを用い、放電ガス中の０２ガス含有量、流量および
圧力以外は実施例１と同様の方法でＩＴＯ膜を１０００
人形成した。放電ガスとして０２ガス４．５体積％のＡ
ｒガスをスパッタリング室に、１５ ｃｍ３／ ｍｉｎ
すなわち０．０６５ Ｘ １Ｏ−３Ｘ Ｖ ｃｍ３／
ｍｉｎ送り、放電ガス圧力５ Ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒで
スパッタリングを行いＩＴＯ膜を形成した。
比較例１
特開昭５９−１３６４８０に従い、実施例１に用いた基
板にＩＴＯ膜を形成した。
板にＩＴＯ膜を形成した。
比較例２
特開昭６１−２９０６０９に従い、実施例１に用いた基
板にＩＴＯ膜を形成した。
板にＩＴＯ膜を形成した。
比較例３
特開昭６３−１７８４１４に従い、実施例１に用いた基
板にＩＴＯ膜を形成した。
板にＩＴＯ膜を形成した。
比較例４
特公昭６１−５５２０５による方法で得られた結果を比
較例として示した。
較例として示した。
実施例１〜４および比較例１〜４の■Ｔｏｍを形成した
カラーフィルター付きガラス基板について次のテストを
行った。
カラーフィルター付きガラス基板について次のテストを
行った。
１）ＩＴＯの膜厚：日本真空技術社製Ｄｅｋｔａｋ −
Ｉｆ（分解能最大５人）粗さ計を用いて、段差法により
測定した。同時に理学電機製螢光Ｘ線分析装置により、
Ｉｎを測定した。
Ｉｆ（分解能最大５人）粗さ計を用いて、段差法により
測定した。同時に理学電機製螢光Ｘ線分析装置により、
Ｉｎを測定した。
２）基板のカラーフィルターの外観、実体顕微鏡により
カラーフィルターの損傷状態を調べた。
カラーフィルターの損傷状態を調べた。
３）シート抵抗および抵抗率・共和理研製４探針法抵抗
率測定器に一７０５Ｒ３を用いて、−面につき１５点測
定、平均値を求めた。
率測定器に一７０５Ｒ３を用いて、−面につき１５点測
定、平均値を求めた。
４）透過率：島津製作所紫外、可視分光光度計ＵＶ −
１６０Ａを用い、カラーフィルターのないＩＴＯ膜付基
板により評価した。可視光領域の波長４５０ ｎｍでの
ガラス基板込みおよびガラス基板（透過率９０．５％）
を基準にしたときのＩＴＯ膜の透過率を測定した。
１６０Ａを用い、カラーフィルターのないＩＴＯ膜付基
板により評価した。可視光領域の波長４５０ ｎｍでの
ガラス基板込みおよびガラス基板（透過率９０．５％）
を基準にしたときのＩＴＯ膜の透過率を測定した。
第１表に示すように、本願の方法によれば、２００℃以
下の低温加熱にもかかわらず、膜厚１０００人でシート
抵抗３０Ω以下、抵抗率３ＸＩＱ−４Ω・ｃｍ以下で、
かつＩＴＯ膜の透過率は、ガラス基板込みで８５％以上
、ガラス基板を基準としＩＴＯ膜自身で９５％以上のＩ
ＴＯ膜が得られ、また、量産にも対応した０２ガスと不
活性ガスのみで１０００人／ｍｉｎ以上の高速成膜が可
能となる。また、従来のように基板を３００°Ｃ以上に
加熱することなく、透明導電膜のカラー液晶デイスプレ
ィ用電極に応用できる。
下の低温加熱にもかかわらず、膜厚１０００人でシート
抵抗３０Ω以下、抵抗率３ＸＩＱ−４Ω・ｃｍ以下で、
かつＩＴＯ膜の透過率は、ガラス基板込みで８５％以上
、ガラス基板を基準としＩＴＯ膜自身で９５％以上のＩ
ＴＯ膜が得られ、また、量産にも対応した０２ガスと不
活性ガスのみで１０００人／ｍｉｎ以上の高速成膜が可
能となる。また、従来のように基板を３００°Ｃ以上に
加熱することなく、透明導電膜のカラー液晶デイスプレ
ィ用電極に応用できる。
第１図は液晶デイスプレィのカラーフィルター用基板の
断面図、第２図はスパッタリング装置の一例を示す図、
第３図はターゲットを含むカソードの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・カラー
フィルター３・・・・・・保護膜、 ４・・・・・・Ｉ
ＴＯ膜５・・・・・・ロードアンロード室 ６・・・・・・ガイドレール ７・・・・・・キャリヤー、 ８・・・・・・クライオ
ポンプ９・・・・・・ロータリーポンプ １０・・・・・・仕切板、１１・・・・・・スパッタリ
ング室１２・・・・・・加熱抵抗体、 １３・・・・・
・ターゲット１４・・・・・・バッキングプレート １５・・・・・・水冷用供給管および排出管１６・・・
・・・排気調整バルブ １７・・・・・・Ａｒガス容器 １８・・・・・・マスフローコントローラー１９・・・
・・・０２ガス混入Ａｒガス容器２０・・・・・・マス
フローコントローラー２１・・・・・・放電ガス供給管 ２２・・・・・・予備室 ２３・・・・・・ターゲット ２４・・・・・・バッキングプレート ２５・・・・・・永久磁石 ２６・・・・・・水冷用供給管 ２７・・・・・・水冷用排出管 第１図
断面図、第２図はスパッタリング装置の一例を示す図、
第３図はターゲットを含むカソードの断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、 ２・・・・・・カラー
フィルター３・・・・・・保護膜、 ４・・・・・・Ｉ
ＴＯ膜５・・・・・・ロードアンロード室 ６・・・・・・ガイドレール ７・・・・・・キャリヤー、 ８・・・・・・クライオ
ポンプ９・・・・・・ロータリーポンプ １０・・・・・・仕切板、１１・・・・・・スパッタリ
ング室１２・・・・・・加熱抵抗体、 １３・・・・・
・ターゲット１４・・・・・・バッキングプレート １５・・・・・・水冷用供給管および排出管１６・・・
・・・排気調整バルブ １７・・・・・・Ａｒガス容器 １８・・・・・・マスフローコントローラー１９・・・
・・・０２ガス混入Ａｒガス容器２０・・・・・・マス
フローコントローラー２１・・・・・・放電ガス供給管 ２２・・・・・・予備室 ２３・・・・・・ターゲット ２４・・・・・・バッキングプレート ２５・・・・・・永久磁石 ２６・・・・・・水冷用供給管 ２７・・・・・・水冷用排出管 第１図
Claims (1)
- 酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の製造方法に
おいて、酸化すずを０．１〜１５．０重量％を含む酸化
インジウムで、密度５．０〜６．５ｇ／ｃｍ＾３、抵抗
率（０．０５〜１０．０）×１０＾−＾４Ω・ｃｍの透
明導電膜形成の材料ターゲットを用い、放電ガスが不活
性ガスと酸素ガスとからなり、酸素ガスを全放電ガスの
０．１〜５．０体積％とし、放電ガスの流量をスパッタ
リング室の体積Ｖに対し、（０．０１〜１）×１０＾−
＾３×Ｖ・ｃｍ＾３／ｍｉｎで、放電ガスの圧力を（０
．５〜１０）×１０＾−＾３Ｔｏｒｒにしてスパッタリ
ングすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270362A JP2688999B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270362A JP2688999B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03133009A true JPH03133009A (ja) | 1991-06-06 |
| JP2688999B2 JP2688999B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17485214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1270362A Expired - Fee Related JP2688999B2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2688999B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344542A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性の薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176010A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の製造方法 |
| JPS62256311A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | 豊田合成株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-19 JP JP1270362A patent/JP2688999B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176010A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | 株式会社日立製作所 | 透明導電膜の製造方法 |
| JPS62256311A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | 豊田合成株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006344542A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性の薄膜形成方法及びその薄膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2688999B2 (ja) | 1997-12-10 |
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