JPH0312487A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ＣｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の”Ｖｏ！ｔａｇｅ−８ｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　
　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ　（ｔｗｉｓｔｅｄ　
　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかりてしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロスト−りが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（ＳｍＣ’）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多（に対して、かな
り本質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。

この強誘電性液晶層を一対の基板間に挾持した素子で前
述した様な単純マトリクス表示装置とした場合では、例
えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１．９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。又、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極を
配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第５
図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが互
いに交差して配線され、その交差部の走査線５２とデー
タ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳｓは選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、■、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。又、図中（Ｉｓ
−３ｓ）と（ＩＮ　　ｓｓ）は選択された走査線上の画
素に印加する電圧波形で、電圧（ｒｓ−Ｓｓ）が印加さ
れた画素は黒の表示状態をとり、電圧（Ｉｘ　　ｓｓ）
が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、１ラインクリヤ上１位相の時間
が２△ｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータｖ、、　
ｌ　　ｖ＋　＊△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチ
ング特性によって決定される。

第７図は後述するバイアス比を一定に保ったまま駆動電
圧（Ｖｓ　＋Ｖ＋）を変化させたときの透過率Ｔの変化
即ちＶ−Ｔ特性を示したものである。ここでは、△ｔ＝
５０μｓ１バイアス比Ｖ＋　／（Ｖ＋　＋Ｖｓ）＝１／
３に固定されている。第７図の正側は第４図で示した（
ＩＮ　　Ｓｇ）、負側は（ｉｓ−ｓｓ）で示した波形が
印加される。ここで、Ｖ、、Ｖ、をそれぞれ実駆動閾値
電圧、及びクロストーク電圧（＝スイッチング不良電圧
）と呼ぶ。但しくＶ２＜Ｖ、＜Ｖ、）またΔｖ＝（Ｖ３
　　ｖ＋）を電圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能
な電圧幅となる。ｖ３はＦＬＣのマトリクス駆動上、−
船釣に存在すると言ってよい。

具体的には、第４図（Ａ）　（ＩＮ−３Ｓ）の波形にお
けるＶＡによるスイッチングを起こす電圧値である。勿
論、バイアス比を太き（することによりｖ３の値を大き
くすることは可能であるが、パイアス比を増すことは情
報信号の振幅を大きくすることを意味し、画質的にはち
らつきの増大、コントラストの低下を招き好ま（ない。

我々の検討ではバイアス比はｌ／３〜１／４程度が実用
的であった。

ところでバイアス比を固定すれば電圧マージン△Ｖは液
晶材料のスイッチング特性に強く依存し、△Ｖの大きい
液晶材料がマトリクス駆動上非常に有利であることは言
うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素はその「黒」ま
たは「白」の状態を保持することが可能である印加電圧
の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ＝Ｖ
３−Ｖ、）は液晶材料間で差があり、特有なものである
。また環境温度の変化によっても駆動マージンはズして
いくため、実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度
に対して最適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大していく場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップ差
）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶で
は表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な（な
る。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことがある。

透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射光Ｉ０の強度に対してＩの強度を得る。

ユニで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。

前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは６°〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きくし
て■を大きくしたいが、スタティックな配向手法によっ
てはなかなか達成出来ない。

このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３．　ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開
昭６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２
４６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０２４
．６ｌ−２４９０２５）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働くトルクｒ
ｐｓ、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働（
トルクＩ’Ａｅとは、各々次のような物性に比例する。

ｒｐｓ　　Ｏｏ　Ｐｓ・Ｅ　・・凹曲間曲間曲・　（２
）ｒΔａ　（１）　Δε・ε。・Ｅ２・四・・曲　（３
）（３）式によっても明らかなようにＦ　Ｌ　ＣのΔε
の符号及び絶対値がきわめて重要な役割を示すことがわ
かる。

Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦ　Ｌ　Ｃの
Ｖｒｍｓに対するθａの変化を第８図に示した。

測定はＰｓによる影響を除（ために６０　Ｋ　Ｈｚの矩
形交流で行った。

（Ｉ）はΔεニー５．５、（ＩＩ）はΔεニー３．ｏ１
（ＩＩＩ）はΔεニー０、　　（ＩＶ）はΔε＝１．０
であり、定性的にもΔεは（Ｉ）＜　（ｎ）＜　（ｍ）
＜　（ＩＶ）であった。

グラブを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが大きくなり、従って、工に貢献することがわか
る。

この（Ｉ）と（ｍ）を用いた場合の透過率の差を比較し
てみると（Ｉ）では１５％なのに対し、（ＩＩりでは６
％であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ矩形波
印加時）。

以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、５ＳＦＬＣの表示特性を太き
（変えることができる。

強誘電性液晶組成物のΔεを負に大きくするためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり、分子環骨格にヘテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。

Δε＜０の化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。

ε　く２ ２　≦ ε　　≦　５ ５く ε ＜１０ ε　　〉１０ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。

大きく分類すると、１εｌ≦２（］Δε１小）の化合物
、２く１ε１≦１０（１Δε１中）の化合物、Δεｌ＞
１０（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。１Δ
ε１小のものは、１Δε］を増大させる効果は殆どない
。１Δεｉ大のものは１Δε１増大に大変有効な材料で
ある。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体の
みが１Δε１大材料である。

しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
ε１増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪くする傾向が
ある。

一方、１Δε１が中程度のものの中には１Δε増大効果
はｌΔε１大　成分よりは小さいが、ある程度粘性の低
いものもある。

以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率を（ふうする必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、強誘電性液晶素子を実用できるように、駆動
電圧マージンが太き（、液晶素子のエリアにある程度の
温度バラツキがあっても、全画素が良好にマトリクス駆
動できる駆動温度マージンの広いカイラルスメクチック
液晶組成物および該液晶組成物および該液晶組成を使用
する液晶素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、Ａ
Ｃスタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向上さ
せられる液晶組成物および液晶素子を提供することにあ
る。

［問題を解決するための手段］ 本発明は下記−殺伐（１） （ただし、Ｒ２はＣ１〜ＣＩＩの置換基を有していても
良い直鎖状、又は分岐状のアルキル基、Ｒ２はＣ３〜Ｃ
１４の置換基を有していても良い直鎖状又は分岐状のア
ルキル基、ｘｌ　＋　Ｘ　２は単結合、−〇−で示され
る化合物の少なくとも一種と、下記−殺伐（ＩＩ　） （ただし、Ｒ３はＣ８〜ＣＩＩの置換基を有していても
よい直鎖状または分岐状のアルキル基、Ｒ４はＣＩ””
ＣＩＯの直鎖状のアルキル基、り で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
方性が負の液晶性化合物の少な（とも１種とを含有する
ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物ならびに該液晶組成物を１対の電極基板間に配置し
てなる液晶素子を提供するものである。

また本発明は、誘電異方性が負の液晶性化合物が、好ま
しくはΔε＜−２を示し、より好ましくはΔε＜−５、
さらに好ましくはΔε＜−１０を示し液晶化合物を用い
て、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物にさ
らに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものである
。

また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記−殺伐（■−■）から（■−■）で示される中から選
ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物さらに含有させた強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を提供
するものである。

ｔ、　　、２．　／ −殺伐（■−■） 一般式 （■−■） （Ｒ，。

Ｒ「は置換基を有していてもよい直鎖状又は〔Ｒ１゜ Ｒｈは置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のア
ルキル基、 分岐状のアルキル基、 Ａ６゜ Ａ）が同時に単結合にはならない。〕 一般式 Ａｂがともに単結合の場合、 Ｘｂ。

Ｘｃは単結合 であり、 Ｘｋ。

Ｘｄは供に単結合又は供に一〇−で Ｒ，は置換基を有していてもよい直鎖又は分岐Ｙａ。

Ｙｂは、 シアノ基。

ハロゲン。

水素、 ただし のアルキル基、 ただしＡ、Ｉが単結合のとき直鎖アル Ｙ、。

Ｙｂが同時に水素にはならない。〕 キル基であり、 は−〇−又は−８− 一般式 ただしＡ＋が単結合のときＸ は単結合であり、 （Ｒｔ　＊ Ｒｍは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 ＜、Ａ、が単結合のときＸｋは単結合である。〕Ａｋ。

ＡＩは同時に単結合にならない。

′・′ニ・′ −ＣＨ２Ｃ）Ｉ２− −ＣミＣ−） 一般式 Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 −０ＣＨ２− ＣＨ２ＣＨ２− 前述の一般式（りで示される化合物のうち、好ましい化
合物例としては、Ｘ、、Ｘ２が下記（１−ｉ）〜（１−
ｉｖ　）である化合物を挙げることができる。

（１−ｉ）Ｘ、　　は　単結合、　　Ｘ２　は　−〇−
ＣＮ　　　　　　　　　　　ＣＮ Ｚ２は一〇＝ＣＨ−又は−〇ＨＣＨ２：］（１−ｉｔ）
Ｘｌ　　は　単結合、　　Ｘ２　は　−０Ｃ−（１−ｉ
ｉｉ）Ｘ（は　単結合、　　Ｘ２　は　−ＣＯ−（１−
ｉｖ）Ｘ）は−〇−１ｘ２は一〇−又、Ｒ，、Ｒ２のよ
り好ましい例としては、炭素原子数が１個から１４個の
直鎖状アルキル基を挙げることが出来る。

又、前述の一般式（Ｉ［）で示される化合物のうち、好
ましい化合物例としては、下記（Ｉ［−ａ）〜（ｎ−ｈ
）で表わされる化合物が挙げられる。

前記−殺伐（Ｉ）で表わされる液晶性化合物の具体的な
構造式の例を以下に示す。

好ましい例としては、単結合、−ｏ−’−ｏｃ−−ｃｏ
−○ が挙げられる。

ｎ−Ｃ，０Ｈ２７（）０−ｅＣＨ２＋７ＣＨＯ−Ｃ山＊ −殺伐（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。

合成例１　（Ｎｏ、１−２０の化合物の合成）ピリジン
５ｍｌに溶かした５−メトキシヘキサノール！、　０６
　ｇ　（８，０ｍ　ｍｏｌ　）にピリジン５ｍｌに溶か
したｐ−トルエンスルホン酸クロライド１．８３ｇ　（
９，６ｍｍｏｌ）を氷水洛中６℃以下で滴下した。室温
で６時間撹拌後、反応混合物を冷水１００ｍｊ７に注入
した。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエーテ
ルで抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燦し、その後溶媒留去して、５−メトキシヘキシル
−ｐ−トルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｍｆに５−デシル−２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６，４１
ｍｍｏ１）、水酸化カリウム０．６１ｇを加え、１００
℃で４０分間撹拌した。これに、先に得た５−メトキシ
ヘキシル−ｐ−）ルエンスルホネートを加え、１００℃
で４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合物を冷水
１００ｍｊ７に注入し、ベンゼンにより抽出した。水洗
後、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶媒留去して淡
黄色油状物を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカ
ゲル−酢酸エチル／ベンゼン＝　　１／９）により精製
後、ヘキサンより再結晶して　５−デシル−２−［４−
（５’−メトキシへキシルオキシ）フェニル］ピリミジ
ン（化合物Ｎｏ、ｌ−２０）１．３５ｇを得た。

相転移温度（℃） 合成例２　（Ｎｏ、１−２５の化合物の合成）６−ベン
チルオキシヘブタノール２．０４ｇをピリジン８ｍｆに
溶かし水冷した後、ピリジン５ｍｌに溶かしたトシルク
ロライド２．２６ｇを徐々に滴下した（５℃以下、７分
）。その後、室温にて５時間撹拌した。

反応混合物を氷水ＩＥ５０ｍｊ’に注入し、６Ｎ塩酸水
溶液でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した
。これを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後
、溶媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−ト
ルエンスルホネート２．９８ｇを得た。

５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジメ
チルホルムアミド１４ｍｆに溶かし、１００℃で３時間
加熱撹拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）　ｐ
　−）ルエンスルホネート２．９８ｇを添加し、１００
℃で５時間加熱撹拌した。

反応混合物を氷水２００ｍｆに注入し、６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。これを
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒留去し
て粗生成物４．７１ｇを得た。これをシリカゲルカラム
クロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１０／２）
　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ−デシ
ル−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチルオキシ）
フェニル］ピリミジン１．５６ｇを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ″′） ２９２４．２８５２，１６１０，１５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８相
転移温度（℃） ２２．７　　　　　　　３３．３　　　　　　　　　３
９．８合成例以外の化合物についても以下の合成経路Ａ
。

Ｂにより得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ （上記式においてＲ１、Ｒ２、Ｘ　１．ｍ、ｎは前述の
通りである） 前記−殺伐（Ｉｔ） で示される化合物の具体的な 構造式の例を以下に示す。

ＣＩ す ２−１ｏ。

Ｃ５ＨＩＩ舎０ＣＨ２舎合ＱＣ，２Ｈ２５−殺伐（ｎ）
で示される化合物の代表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、２−４の合成）５−ドデシル−
２−（４’　−ヒドロキシフェニル）ピリミジン１．０
ｇ（２，９４ｍｍｏｊりをトルエン４ｍｌ及びピリジン
４ｍｌに溶かした。これにトルエン４ｍｌに溶かしたト
ランス−４−ｎ−プロピ、ルシクロヘキサンカルボン酸
クロリド（関東化学■製）０．５５ｇを氷水洛中５℃以
下で徐々に滴下した。滴下終了後、室温で１２時間撹拌
し、反応混合物を氷水１００ｍ１中に注入した。６Ｎ塩
酸で酸性側とした後、ベンゼンで抽出し、これを水、５
％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄した。硫酸
マグネシウムにより乾燥した後、溶媒留去し、クリーム
色の粗生成物を得た。これをカラムクロマトグラフィー
により精製した後、さらにエタノールｌ酢酸エチル混合
溶媒から再結晶し、白色の標記化合物０．９４ｇを得た
。（収率６４．８％）相転移温度（’Ｃ） 合成例２（化合物Ｎｏ、２−７２の合成）（Ｉ）トラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロラ
イドＬｏｇ　（５３，６ｍｍｏｉ’）をエタノール３０
ｍ、ｇにとかし、これに少量のトリエチルアミンを加え
室温で１０時間撹拌した。反応混合物を氷水１００　ｍ
　Ｉｔに注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした後
、イソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液
が中性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウ
ムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９゜９ｇ
を得た。

（ｎ）水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ　（１９
，１ｍｍｏｆ）を乾燥エーテル３０ｍ１に添加し、１時
間加熱環流した。氷水浴中で１０℃程度まで冷却した後
、乾燥エーテル３０ｍ１に溶かしたトランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル５ｇ
　（２５，５ｍｍｏＪ）を徐々に滴下した。滴下終了後
、室温で１時間撹拌し、さらに１時間加熱環流させた。

これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液で処理した後、氷水
２００ｍｆに注入した。

イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。

（■）トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメタ
ノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｉ）をピリジン２０
ｍ１に溶かした。これにピリジン２０ｍ１に溶かしたｐ
−１ルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを氷水浴中で
５℃以下に冷却しながら滴下−た。室温で１０時間撹拌
した後、氷水２００　ｍ　ｌに注入した。６Ｎ塩酸水溶
液により酸性側とした後、イソプロピルエーテルで抽出
した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り返した
後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶媒留去
して、トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメチ
ル−Ｐ−１−ルエンスルホネートを得た。

（ＩＶ）ジメチルホルムアミド４０ｍ１に５−デシル−
２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６．３ｇ
（２０，２ｍｍｏｉりを溶かした。これに８５％水酸化
カリウム１．５ｇを加え、１００℃で１時間撹拌した。

これにトランス−４−ｎ、−プロピルシクロヘキシルメ
チル−ｐ−トルエンスルホネート６．９ｇを加え、さら
に１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、これを氷水
２００ｍ１に注入し、ベンゼンで抽出した。

有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、２−７２を
得た。

ＩＲ（ａｍ−’）　： ２９２０、　２８４０．　１６０８．　１５８４１４２
８、　１２５８．　１１６４．　８００相転移温度（’
Ｃ） （Ｓｍ２はＳｍＡ、ＳｍＣ以外のスメクチック相、未同
定）前記−殺伐（■−■）から（■−■）で表わされる
液晶性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。但し
、（■）式において、各Ｒが示すアルキル基の炭素数は
１〜１８、好ましくは４〜１６、より好ましくは６〜１
２を示す。

一般式（■−〇） す （ａ−１８） リ リ リ リ リ リ リ リ す す ？Ｊｌ”！ す ｍ す り り り リ リ ｆ”！Ｎ す 一般式（■−■） リ リ ｒ υ リ リ リ す 一般式（■−■） り り （３−１聞） 一＋Ｌノ 一般式（■−■） 一般式（■−■） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （３−１羽） 本発明の液晶組成物は前記一般式（Ｉ）で示される化合
物の少なくとも１種と、前記一般式（Ｉ？）で示される
化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。

本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少なくとも１種以
上適当な割合で混合することにより得ることができる。

また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。

４つパ＼ （以下余白） Ｘ　　／′ Ｃ、Ｈｌ、Ｏ＋ｃｏｓ　＋００１２ＣＨＣ２Ｈ。

ネ ＣＩＯ口！１０　＋ＣＩｆ；　＋　０Ｃ１１２Ｃ）ＩＯ
ｃ　３　ＦＩ？ｐ す す す υ 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（Ｉりで示され
る液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化合
物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液晶
材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部当
り、本発明−殺伐（ｒ）、−殺伐（Ｔ１）で示される液
晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましく
は２〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上用
いる場合も他の液晶材料との配合割合は、前述した液晶
材料１００重量部当り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（
ＩＩ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全
ての２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好ま
しくは２〜１００重量部とすることがのぞましい。

また、−殺伐（１）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ｎ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐（
１）／−殺伐（■）］は１　／３００から３００／　ｌ
であり、好ましくは１１５０から５０／１であることが
望ましい。

一般式ＣＩ）、−殺伐（ｎ）で示される液晶性化合物の
それぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（Ｉ）／−殺伐（
ｎ）は１１５００から５００／　ｌであり、好ましくは
１１５０から５０／１であることが望ましい。

また、−殺伐（１）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ｎ）で示される液晶性化合物の総量と、上述した液晶
材料との配合割合は、−殺伐（Ｉ）と−殺伐（ｎ）の総
量１００重量部当り、他の液晶材料を２〜６００重量部
、好ましくは４〜２００重量部とすることが望ましい。

また、−殺伐（１）、−殺伐（■）で示される液晶性化
合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、−殺伐（１）
で示される液晶性化合物と一般式（ＩＩ）で示される液
晶性化合物の総量と、上述した液晶材料との配合割合は
、−殺伐（Ｉ）と−殺伐（ｎ）の総量１００重量部当り
、上述した液晶材料を２〜ｉ　ｏｏｏ重量部、好ましく
は４〜２００重量部とすることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との
総量は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３〜
１００重量％含有される。

本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさは１ε１〉２であることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号ｌは強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２０ｇ。

ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０
ｘｉｄｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている
。その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやア
セテート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向
に並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁
物質として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリ
コン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有
する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物
、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシ
ウムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニ
ルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロ
ース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂や
フォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層と
して、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（
、また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁
性配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御
層が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば
有機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液
（溶剤０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜ｌＯ重
量％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スク
リーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布
し、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成
させることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によつて任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には駆動電圧マージン、お
よび駆動温度マージンが広いことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均一配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されている。太
線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメント
（Ｐ上）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電
極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２
３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２
４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方
向を変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如（一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを
電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子
モーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応し
て上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第
２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

この様な特性を有する強誘電性液晶材料を一対の基板間
に挟持した素子で単純マトリクス表示装置とした場合、
例えば特開昭５９−１９３４２６号公報、同５９−１９
３４２７号公報、同６０−１５６０４６号公報や同６０
−１５６０４７号公報などに開示された駆動法を適用す
ることができる。

第４図は、本発明の実施例中で用いた駆動法の波形図で
ある。また、第５図は、本発明で用いたマトリクス電極
を配置した強誘電性液晶パネル５１の平面図である。第
５図のパネル５１には、走査線５２とデータ線５３とが
互いに交差して配線され、その交差部の走査線６２とデ
ータ線５３との間には強誘電性液晶が配置されている。

第４図（Ａ）中のＳ、は選択された走査線に印加する選
択走査波形を、ＳＮは選択されていない非選択走査波形
を、Ｉ、は選択されたデータ線に印加する選択情報波形
（黒）を、ＩＮは選択されていないデータ線に印加する
非選択情報信号（白）を表わしている。また、図中（Ｉ
ｓ−８ｓ）と（工、ＳＳ）は選択された走査線上の画素
に印加する電圧波形で、電圧（Ｉｓ　　Ｓｓ）が印加さ
れた画素は黒の表示状態をとり、電圧（ＩＮ　　ＳＳ）
が印加された画素は白の表示状態をとる。

第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）に示す駆動波形で第６図に
示す表示を行ったときの時系列波形である。

第４図に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に
印加される単一極性電圧の最小印加時間△ｔが書込み位
相ｔ２の時間に相当し、エラインクリヤ上１位相の時間
が２△ｔに設定されている。

さて、第４図に示した駆動波形の各パラメータＶｓ、Ｖ
、、△ｔの値は使用する液晶材料のスイッチング特性に
よって決定される。第７図は後述するバイアス比を一定
に保ったまま駆動電圧（Ｖｓ＋Ｖ＋）を変化させたとき
の透過率Ｔの変化、即ちＶ−Ｔ特性を示したものである
。ここでは、△ｔ＝５’ＯμＳ、バイアス比ｖ＋　／　
（Ｖ＋　＋　Ｖｓ　）　＝　１　／　３　ニ固定されて
いる。第７図の正側は第４図で示した（ＩＮ−８ｓ）、
負側は（Ｉｓ　　ｓｓ）で示した波形が印加される。こ
こでｖｌ、ｖ３をそれぞれ実駆動閾値電圧、及びクロス
トーク電圧（ＶｓＶ＋がｖ３を超えると反転がおきるの
で、スイッチング不良電圧ともいう。）と呼ぶ。但しく
Ｖ２＜Ｖ、　＜Ｖ３）また△Ｖ＝（Ｖ３　　Ｖｌ）を電
圧マージンと呼び、マトリクス駆動可能な電圧幅となる
。■、はＦＬＣのマトリクス駆動上、−船釣に存在する
と言ってよい。具体的には、第４図（Ａ）（ＩＮ−８８
）の波形におけるＶＡによるスイッチングを起こす電圧
値である。勿論、バイアス比を太き（することによりｖ
３の値を太き（することは可能であるが、バイアス比を
増すことは情報信号の振幅を太き（することを意味し、
画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下を招き
好ましくない。我々の検討ではバイアス比は１／３〜１
／４程度が実用的であった。ところでバイアス比を固定
すれば、電圧マージン△Ｖは液晶材料のスイッチング特
性に強く依存し、△Ｖの大きい液晶材料がマトリクス駆
動上非常に有利であることは言うまでもない。

この様な、ある一定温度において、情報信号の２通りの
向きによって選択画素に「黒」および「白」の二状態を
書き込むことが可能であり、非選択画素は、その「黒」
または「白」の状態を保持することが可能である印加電
圧の上下限の値およびその幅（駆動電圧マージン△Ｖ）
は液晶材料間で差があり特有なものである。また環境温
度の変化によっても、駆動マージンはズしていくため、
実際の表示装置の場合、液晶材料や環境温度に対して最
適駆動電圧にしておく必要がある。

しかしながら、実用上この様なマトリクス表示装置の表
示面積を拡大してい（場合、各画素における液晶の存在
環境の差（具体的には、温度や電極間のセルギャップの
差）は当然大きくなり、駆動電圧マージンが小さな液晶
では、表示エリア全体に良好な画像を得ることが出来な
くなる。以下実施例により本発明について更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。

実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶性組成物
１−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式この液晶組成
物１−Ａに対して例示化合物１−３．２−１５をそれぞ
れ下記の重量部で混合し、液晶組成物１−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした
。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−５１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３０
０Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１６秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、　　１００℃にて加熱乾燥しセルを作成した。このセ
ルのセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約
１．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物！−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、前述した第４図に示す
駆動波形（１／３バイアス）で駆動電圧マージンΔＶ　
（Ｖｓ　−Ｖ＋　）を測定した。その結果を次に示す。

（尚、△ｔはＶ　２ｓ　１５Ｖとなる様に設定） １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジ＞　　　　１２．ＯＶ　　　　　１２．６Ｖ　　　　
　８．５Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（３６０ｐ　５ｅ
ｅ）　　（１２０μ５ｅｃ）　　（５０μ５ｅｃ）さら
に２５℃における駆動電圧マージンの中央値に電圧を設
定して測定温度を変化させた場合駆動可能な温度差（以
下、駆動温度マージンという）は±３．５℃でありた。

また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは９で
あった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物！−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−３を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−１５のみを混合した液晶組成物１−Ｃと例
示化合物Ｎｏ、２−１５を混合せずにｌ−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、　１−３のみを混合した液晶組成物１−
Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
１−Ｃ及び１−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージンΔＶを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設置ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　７．ＯＶ　　　　　９．ＯＶ　　　　　
６．０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　　（１４０μ５ｅｃ）
　　　（４５μ５ｅｃ）！−Ｃ８，ＯＶ　　　　　１０
．ＯＶ　　　　　６．５Ｖ（４２０μ５ｅｃ）　　　（
１４０μ５ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）１−Ｄ　　　
　？、５Ｖ　　　　　９．ＯＶ　　　　　６．０Ｖ（４
２０μ５ｅｃ）　　　（１２０ａ　５ｅｅ）　　　（４
０Ｂ　５ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージン
は、１−Ａで±２．０℃、１−Ｃで±２．４℃、ｌ−Ｄ
で±２．２℃であった。

実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆
動温度マージンは広がっており、環境温度の変化や、セ
ルギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力が
すぐれている。

実施例２ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

例示化 合物磁　　　　　　　　　構　　造　　式　　　　　　
　　　　　　　重量部モノドメイン状態が得られた。測
定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン１２．ＯＶ　　　　　１２．７Ｖ　　　　　８．５
Ｖ（測定時設定△ｔ）　　　（３３０μ５ｅｃ）　　（
１２０μ５ｅｃ）　　（５０μ５ｅｃ）さらに２５℃に
おける駆動温度マージンは、±３．７℃であった。また
この温度における、この駆動時のコントラストは８であ
った。

これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−１３．１−１４を混合せずに１−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−６９のみを混合した液晶組成物２
−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−６９を混合せずに１−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、１−１３．　１−１４のみを混
合した液晶組成物２−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
２−Ｃ及び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　２５℃　　　　４０℃ １−ｐ、　　　　７．ＯＶ　　　　９．ＯＶ　　　　　
６．０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　（１４０μ５ｅｃ）　
　　（４５、ｃｃ　５ｅｃ）２−ＣＢ、ＯＶ　　　　１
０．ＯＶ　　　　　６．５Ｖ（４２０μ５ｅｃ）　　（
１４０μ５ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）２−Ｄ　　　
　７．５Ｖ　　　　９．ＯＶ　　　　　８．０Ｖ（４０
０μ５ｅｃ）　　（１２０μ５ｅｃ）　　　（４０μ５
ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、１−
Ａで±２．０℃、２−Ｃで±２．５℃、２−Ｄで±２．
３℃であった。

実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

ど・＼５・、゛）′＼、 （以下余白） 、′、／ 実施例３ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。

例示化 合物魔　　　　　　　　構　　造　　式モノドメイン状
態が得られた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２６℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン１１．ＯＶ　　　　　１２．ＯＶ　　　　　８．５
Ｖ（測定時設定Δｔ）　　　（３４０μ５ｅｃ）　　（
１２０μ５ｅｃ）　　（５０μ５ｅｃ）さらに２５℃に
おける駆動温度マージンは、±３．６℃であった。また
この温度における、この駆動時のコントラストは８であ
った。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−２０を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、２−１００．２−１０４のみを混合した液晶組成
物３−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−１００．２−１０４を
混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２０の
みを混合した液晶組成物３−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時寞シｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ！−Ａ　　　　７．ＯＶ　　　　　９．ＯＶ　　　　　
６．０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　　（１４０μ５ｅｃ）
　　　（４５μ５ｅｃ）３−Ｃ８，ＯＶ　　　　　９．
５Ｖ　　　　　７．０Ｖ（４２０ａ　５ｅｅ）　　　（
１４０ｔｔ　５ｅｃ）　　　（５０ａ　５ｅｃ）３−Ｄ
　　　　８．ＯＶ　　　　　９．ＯＶ　　　　　６．０
Ｖ（４００ａ　５ｅｃ）　　　（１２０ｔｔ　５ｅｅ）
　　　（４０ｕ　５ｅｃ）さらに２６℃における駆動温
度マージンは、１−Ａで±２．０℃、３−Ｃで±２．４
℃、３−Ｄで±２゜４℃であった。

実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物３−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　重量部合物魔　　　　　　　　構
　　造　　式モノドメイン状態が得られた。測定結果を
次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ駆動電圧マ
ージン　　　１０．８Ｖ　　　　　１２．３Ｖ　　　　
　８．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（３６０ｔ、ｔ　
５ｅａ）　　（１２０ｔｔ　５ｅｃ）　　（４５μ５ｅ
ｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、上３゜
４℃であった。またこの温度における、この駆動時のコ
ントラストは１０であつた。

す ２く“二〕・、 （以下糸＾） 一、ユ″ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−２６．　１−３８を混合せずに１−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、２−２０のみを混合した液晶組成物
４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２０を混合せずに１−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、１−２６．　１−３８を混合
した液晶組成物４−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
４−Ｃ及び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定特設Ｌｔ） １０℃　　　２５℃　　　　４０℃ ！−Ａ　　　　７．ＯＶ　　　　９．ＯＶ　　　　　６
．０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　（１４０μ５ｅｃ）　　
　（４５μ５ｅｃ）４−Ｃ８，ＯＶ　　　　９．５Ｖ　
　　　　６．５Ｖ（４２０μ５ｅｃ）　　（１４０μ５
ｅｃ）　　　（４５μ５ｅｃ）４−Ｄ　　　　７．５Ｖ
　　　　９．ＯＶ　　　　　６．０Ｖ（４２０μ５ｅｃ
）　　（１１０μ５ｅｃ）　　　（４２μ５ｅｃ）さら
に２５℃における駆動温度マージンは、１−Ａで上２゜
０℃、４−Ｃで上２゜３℃、４−Ｄで上２゜２℃であっ
た。

実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

（以下′ｉ′へ） こノ 実施例５ 実施例１で使用した液晶組成物！−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。

例示化 合物徹　　　　　　　　構　　造　　式モノドメイン状
態が得られた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ 駆動電圧？−シン１０．ＯＶ　　　　　１１．５Ｖ　　
　　　８．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（４００ｕ　
５ｅｃ）　　０２０　ｕ　５ｅｃ）　　（４５ｔｔ　５
ｅｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、±３
．１℃であった。またこの温度における、この駆動時の
コントラストは１０であった。

○ −Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ．１−３６を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ．２−５５．　２−６６のみを混合した液晶組成物
５−Ｃと例示化合物Ｎｏ．２−５５．　２−６８を混合
せずにｌ−Ａに対して例示化合物Ｎｏ．１−３６のみを
混合した液晶組成物５−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ，
５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定特設７ｕｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　７．ＯＶ　　　　　９．ＯＶ　　　　　
６．ＯＶ（５２５　μｓｅｃ）　　　（１４０　）、ｔ
　ｓｅｃ）　　　（４５　μｓｅｃ）５−Ｃ　　　　７
．５Ｖ　　　　　９．５Ｖ　　　　　８．５Ｖ（４９０
　ｕ　ｓｅｃ）　　　（１４０　ａ　ｓｅｃ）　　　（
４６μｓｅｃ）５−Ｄ　　　　８．ＯＶ　　　　　９．
５Ｖ　　　　　６．ＯＶ（４３０　μｓｅｃ）　　　（
１２０　μｓｅｃ）　　　（４５　μｓｅｃ）さらに２
５℃における駆動温度マージンは、１−Ａで±２．０℃
、５−Ｃで±２．３℃、５−Ｄで±２．４℃であった。

実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

実施例６ 下記例示化合物を下記重量部で混合し、液晶組成物６−
Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％） ］ ：１７ この液晶組成物６−Ａに対して例示化合物１−２０、　
２−９．　２−１２．　２−１６をそれぞれ下記の重量
部で混合し、液晶組成物６−Ｂを得た。

−Ａ 液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物６−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で駆動電圧マージン△Ｖを測定し
、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子内の均
一配向性は良好でありモノドメイン状態が得られた。測
定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン　　　！３．８Ｖ　　　　　１４゜ＩＶ　　　　　
１２．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（８４０ａ　５ｅ
ｃ）　　（２８０ｔｔ　５ｅｅ）　　（１１０ｕ　５ｅ
ｃ）さらに２５℃における駆動温度マージンは、±４．
１℃であった。またこの温度における、この駆動時のコ
ントラストは９であった。

・パて”＼ ／　　１・　　＼ （以下余白） 比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−２０を混合せずに６−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、２−９．２−１２．２−１６のみを混合した液晶
組成物６−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−９．２−１２．２
−１６を混合せずに６−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１
−２０のみを混合した液晶組成物６−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ａ、
６−Ｃ及び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ３−Ａ　　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　８．０Ｖ（１３００ｔｔ　５ｅｃ）　　（３４０ｔ
ｔ　５ｅｃ）　　　（１００ｕ　５ｅｃ）６−Ｃ１０，
ＯＶ　　　　　１０．５Ｖ　　　　　９．０Ｖ（１１０
０ｐ　５ｅｃ）　　（３１０１１ｓｅｃ）　　　（１０
０μ５ｅｃ）６−Ｄ　　　　１１．ＯＶ　　　　　１０
．５Ｖ　　　　　８．０Ｖ（１０５０ｕ　５ｅｃ）　　
（３００ｕ　５ｅｃ）　　　（９０ｕ　ｓｅｃ）さらに
２５℃における駆動温度マージンは、６−Ａで±２．４
℃、６−Ｃで±２．９℃、６−Ｄで±２．７℃であった
。

実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化やセルギャッ
プのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれて
いる。

実施例７ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物７−Ｂを得た。

例示化 合物魔 構　　造　　式 ％式％） これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジ：／　　　　１３．ＯＶ　　　　　１３．５Ｖ　　　
　　１１．ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（８７０μ５
ｅｃ）　　（２８０μ５ｅｃ）　　（１００ｐ　５ｅｃ
）さらに２５℃における駆動温度マージンは、±３．７
００であった。またこの温度における、この駆動時のコ
ントラストは９であった。

・二＼ （以下余申） 比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−８．　１−１８を混合せずに６−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−１１２．２−１２０を混合した液
晶組成物７−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−１１２．２−１
２０を混合せずに６−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−
８゜１−１８のみを混合した液晶組成物７−Ｄを作成し
た。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ａ、
７−Ｃ及び７−Ｄをセル内に注入する以外は、全（実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時設定△ｔ） １０、℃２Ｓ℃　　　　４０℃ ６−Ａ　　　　１０．ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　８．０Ｖ（１３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅ
ｃ）　　　（１００１ｔ　５ｅｅ）６−ＣＩｏ、ＯＶ　
　　　　１１．ＯＶ　　　　　８．５Ｖ（１１００ｔｔ
　５ｅｃ）　　（３１０ｉｔ　５ｅｃ）　　　（１００
ｔｔ　５ｅｃ）６−Ｄ　　　　１０，５ｖ１０．５Ｖ　
　　　　８．０Ｖ（１０００μ５ｅｃ）　　（３００μ
５ｅｃ）　　　（９０μｓｅｃ）さらに２６℃における
駆動温度マージンは、６−Ａで上２゜４℃、７−Ｃで上
２゜７℃、７−Ｄで上２゜６℃であった。

実施例７と比較例７より明らかな様に、本発明による液
晶組成物７−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

（以下余白） 実施例８ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶組成
物８−Ｂを得た。

例示化 合物磁 構　　造　　式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で駆動マージンを
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃駆動電圧マー
ジン！３．ＯＶ　　　　　１２．８Ｖ　　　　　１１．
ＯＶ（測定時設定△ｔ）　　　（９００μ５ｅｃ）　　
（３００μ５ｅｃ）　　（１００１，ｔｓｅａ）さらに
２５℃における駆動温度マージンは、上３゜６℃であっ
た。またこの温度における、この駆動時のコントラスト
は１１であった。

比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−３５を混合せずに６−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−１　、　２−３２のみを混合した液晶組成
物Ｓ−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３２を混合せ
ずに６−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−３５のみを混
合した液晶組成物８−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ａ、
８−Ｃ及び８−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、駆動電
圧マージン△Ｖを測定した。その結果を次に示す。

駆動電圧マージン（測定時Ｍ△ｔ） １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ６−Ａ　　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　１０．ＯＶ　　　
　　８．０Ｖ（１３００μ５ｅｃ）　　（３４０μ５ｅ
ｃ）　　　（１００１ｔ　５ｅｃ）８−Ｃ１１，ＯＶ　
　　　　１１．ＯＶ　　　　　９．０Ｖ（１１００ｕ　
５ｅｃ）　　（３００ｔ、ｔ　５ｅｃ）　　　（１１０
ｔ、ｔ　５ｅｅ）８−Ｄ　　　　Ｉｏ、ＯＶ　　　　　
１０．５Ｖ　　　　　８．０Ｖ（１０００μ５ｅｃ）　
　（３００μ５ｅｃ）　　　（９０ｕ　ｓｅｃ）さらに
２５℃における駆動温度マージンは、６−Ａで±２．４
℃、８−Ｃで±２．７℃、８−Ｄで±２．５℃であった
。

実施例８と比較例８より明らかな様に、本発明による液
晶組成物８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が駆動
マージンは広がっており、環境温度の変化や、セルギャ
ップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力にすぐれ
ている。

・３．、ン 実施例９〜１４ 実施例１．６で用いた例示化合物および液晶性組成物に
代えて表１に示した例示化合物および液晶性組成物を各
重量部で用い９−Ｂ〜１４−Ｂの液晶性組成物を得た。

これらを用いた他は全（実施例１と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で２５
℃の駆動マージンを測定し、スイッチング状態等を観察
した。作成した各々の液晶素子内の均−配向性は良好で
あり、モノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に
示す。

実施例１５ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージンΔＶを測定した。

１０℃　　　２５℃　　　　４０℃ 駆動電圧マージン１１．５Ｖ　　　　　１２．５Ｖ　　
　　　　８．５Ｖ（測定時設定△Ｖ）　　　（４００μ
５ｅｃ）　　　（１３０μ５ｅｃ）　　　（５５μ５ｅ
ｃ）さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交
ニコル下でチルト角を測定したところ、７．６°であっ
た。次に６０　ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加
しながらチルト角を測定したところ、１３．７’であっ
た。この時透過率を測定したところ１４％であった。ま
た同時にコントラスト比を測定したところ８０：１であ
った。

比較例１５ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎ１１３−１０の化合物を実施例１６と同様な比率で含
有させた液晶組成物１５−Ｃを作成した。

これら液晶組成物１５−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂを用い
て実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を
作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

また、さらに、実施例１５と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

−Ａ −Ｂ ５−Ｃ 駆動電圧マージン（測定時設定Δｔ） １０℃　　　　　　２５℃ ７、ＯＶ　　　　　　　９．０Ｖ （５２５μ５ｅｃ）　　　　（１４０μ５ｅｃ）１２、
ＯＶ　　　　　　　１２，５Ｖ （３６０μ５ｅｃ）　　　　（１２０μ５ｅｃ）６．５
Ｖ　　　　　　　８．０Ｖ （６００μ５ｅｃ）　　　　（１６０μ５ｅｃ）４０℃ ６．０ｖ （４５μ５ｅｃ） ８．５ｖ （５０μ５ｅｃ） ６．５ｖ （５０μ５ｅｃ） 表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善されるこ
とがわかった。

実施例１６ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｈに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
１６−Ｂを得た。

例示化合物魔　　　　　構造式　　　　　　　重量部チ
ルト角 初期チルト角 （無電界時） １−Ａ　　　　８．０゜ １−Ｂ　　　　７．５゜ １５−０　　　７，８゜ （２５℃） ＡＣスタビライズ時 （６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時） ８．３゜ ７．６゜ １３．１’ 実施例１５と比較例１５により明らかな様に、本。

発明による液晶組成物に誘電異方性が負の液晶性化合物
を混合することにより、駆動マージンが広がった上に、
さらに、ＡＣスタビライズ効果にょる例示化合物魔 構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　　　４０℃駆動電圧
マージン　　　１２．ＯＶ　　　　　１２．ＯＶ　　　
　　　９．ＯＶ（測定時設定△Ｖ）　　　（４００μ５
ｅｃ）　　　（１３０μ５ｅｃ）　　　（５５μ５ｅｃ
）さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニ
コル下でチルト角を測定したところ、８．５’　であつ
た。次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加し
ながらチルト角を測定したところ、１２．９゜であった
。この時透過率を測定したところ１３．１％であった。

また同時にコントラスト比を測定したところ６８：ｌで
あった。

比較例！６ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
丸３−９０．３−１２．３−１２２．３−７０゜３−１
０７゜３−１１１．３−１６７の化合物を実施例１６と
同様な比率で含有させた液晶組成物１６−Ｃを作成した
。

これら１６−Ｃおよび１−Ａ、ｌ−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、駆動電圧マージン△Ｖを測定した。

また、さらに、実施例１６と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

ｉｏ℃　　　　　　　２５℃　　　　　　　４０℃！−
Ａ　　　　　　７．ＯＶ　　　　　　　　９．ＯＶ　　
　　　　　　６．０Ｖ（５２５μ５ｅｃ）　　　　（１
４０μ５ｅｃ）　　　　（４５μ５ｅｃ）１−Ｂ　　　
　　　１２．ＯＶ　　　　　　　　１２．５Ｖ　　　　
　　　８．５Ｖ（３６０μ５ｅｃ）　　　　（１２０μ
５ｅｃ）　　　　（５０μ５ｅｃ）１６−Ｃ７，ＯＶ　
　　　　　　　８．５Ｖ　　　　　　　　７．０Ｖ（５
５０μ５ｅｃ）　　　　（１７５１ｔ　５ｅｃ）　　　
　（５０μ５ｅｃ）チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　８，０°　　　　　　　８．３゜１−
８　　　７，５°　　　　　　　７．６゜１６−０　　
　８゜９°　　　　　　　１３．０゜実施例１６と比較
例１６により明らかなように、本発明による液晶組成物
に誘電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより
、駆動電圧マージ。

ンが広がった上に、さらに、ＡＣスタビライズ効果によ
る表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善される
ことがわかった。

実施例９〜１６より明らかなように、本発明による液晶
性組成物９−Ｂ〜１６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子
は駆動マージンは広がっており、環境温度の変化やセル
ギャップのバラツキに対して画像を良好に保つ能力に優
れている。

また実施例１７．１８より明らかなように、本発明によ
る液晶組成物１７−Ｂ、１８−Ｂを含有する強誘電性液
晶素子は、さらにＡＣスタビライズ効果による表示方法
に用いる場合、表示特性が大幅に改善されている。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、駆動電圧マージンが大きく、素子
の表示エリア上にある程度の温度バラツキがあっても全
画素が良好にマトリクス駆動できる駆動温度マージンの
広がつな液晶素子とすることができる。

また、さらに本発明の特定の化合物を有する強誘電性液
晶組成物に、誘電異方性が負の液晶性化合物を含有する
ことにより、前述の特徴を有したうえに、更にＡＣスタ
ビライズ効果による表示特性が大幅に改善された液晶素
子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第４図は実施例中で用いた駆動法の波形図、第５図はマ
トリクス電極を配置した強誘電性液晶パネルの平面図、 第６図は、第４図（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の
駆動を行ったときの表示パターンの模式図、第７図は、
駆動電圧を変化させたときの透過率の変化を表すつまり
Ｖ−Ｔ特性図、 第８図はΔε値の異なるＦＬＣのＶ　ｒ　ｍ　ｓに対す
るＱａの変化を示す図である。 第１図において、 １・・・・・・・・・・・・・　強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・・・・
・・・・　透明電極４・・・・・・・・・　絶縁性配向
制御層６・・　・・・・　・　・・・　・・・スペーサ
ー６　・・・・・・　・　・・・・　・　・・リード線
７・・・・・　・・・・・・・　・・・・・電源８・・
・・・・・　・・・・・・・・・偏光板９・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・光源１０・・・　・　・・
　・・　・・・・・・入射光１１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・透過光第２図において、 ２１ａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板２１
ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・
・・・・・・・・・　・強誘電性液晶層２３・・・・　
・　・・・・・・・・・・・・・液晶分子２４・・・・
・・・・　双極子モーメント（Ｐ工）第３図において、

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていても良い直鎖状、又は分岐状のアルキル基、Ｒ＿２
   はＣ＿１〜Ｃ＿１＿４の置換基を有していても良い直鎖
   状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、
   −Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、ｍは０〜７、ｎは０もしく
   は１）で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていてもよい直鎖状または分岐状のアルキル基、 Ｒ＿４はＣ＿１〜Ｃ＿１＿０の直鎖状のアルキル基、Ｘ
   ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｙは▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｃ
   Ｈ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
   方性（Δε）が負の液晶性化合物の少なくとも１種とを
   含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチッ
   ク液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
   クチック液晶組成物。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （III−［１］）から（III−［３］）で示される化合物
   の中から選ばれることを特徴とする請求項１から４項記
   載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 一般式（III−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、、−ＣＨ
   ＿２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼（トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
   式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
   に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
   ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
   Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
   が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   III−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅＸ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ
   ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、▲
   数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ＿
   ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（III−［３
   ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
   岐のアルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アル
   キル基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、Ｘ
   ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ＿
   ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｉが▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊが
   単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（III−
   ［４］） 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（III−［３］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。