JPH03124063A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH03124063A JPH03124063A JP1261805A JP26180589A JPH03124063A JP H03124063 A JPH03124063 A JP H03124063A JP 1261805 A JP1261805 A JP 1261805A JP 26180589 A JP26180589 A JP 26180589A JP H03124063 A JPH03124063 A JP H03124063A
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- Japan
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- lighting window
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ、コピー等に用いるイメージセ
ンサに関する。
ンサに関する。
特公昭58−14073号、特公昭58−46186号
および特開昭61−39574号等において、光電変換
素子と採光窓の組合体の1つ1つかたゾ1列に配置され
ていた。
および特開昭61−39574号等において、光電変換
素子と採光窓の組合体の1つ1つかたゾ1列に配置され
ていた。
このように、たf1列だけの配列にすると光電変換素子
1と採光窓2の組合体Cは1つの採光窓から入ってくる
光の影響範囲を第1図の円Rで示すと、円Rが隣りの光
電変換素子1′に影響を与えない範囲までしか光電変換
素子と採光窓の組合体CとC′の距離を近づけることは
できない。
1と採光窓2の組合体Cは1つの採光窓から入ってくる
光の影響範囲を第1図の円Rで示すと、円Rが隣りの光
電変換素子1′に影響を与えない範囲までしか光電変換
素子と採光窓の組合体CとC′の距離を近づけることは
できない。
したがって、隣りの採光窓から入ってくる光の影響度に
より、前記組合体の密度は自づと制約が生じていた。
より、前記組合体の密度は自づと制約が生じていた。
本発明の目的は、隣の採光窓からの光の影響をできるだ
け抑え、かつ前記組合体の密度を高める点にある。
け抑え、かつ前記組合体の密度を高める点にある。
本発明のイメージセンサは、透明絶縁基板上に、採光窓
を設けた遮光層と光電変換素子を配置したイメージセン
サにおいて、1つの光電変換素子と1つの採光窓が1つ
の対となった光電変換素子−採光窓組合体を形成し、こ
の組合体が2列以上配置されていることを特徴とするも
のである。
を設けた遮光層と光電変換素子を配置したイメージセン
サにおいて、1つの光電変換素子と1つの採光窓が1つ
の対となった光電変換素子−採光窓組合体を形成し、こ
の組合体が2列以上配置されていることを特徴とするも
のである。
2列に配置した場合には、1列目の採光窓群と2列目の
光電変換素子群とが遠くなるように組合体の方向を定め
ることが好ましい。
光電変換素子群とが遠くなるように組合体の方向を定め
ることが好ましい。
これを反対方向で配置すると予定以上に隣りの採光窓2
に光電変換素子1′が接近してしまい予定外の隣りの採
光窓からの光の影響をうけることになる。
に光電変換素子1′が接近してしまい予定外の隣りの採
光窓からの光の影響をうけることになる。
前記組合体の配位は第2図、第3図に示すような千鳥状
の配置が好ましい。
の配置が好ましい。
第1図Aは前記組合体をたゾ1列に配置し、採光窓2の
光の影響範囲Rが隣りの光電変換素子1′に及ばないよ
うな位置にとどめたものである。
光の影響範囲Rが隣りの光電変換素子1′に及ばないよ
うな位置にとどめたものである。
ところが、本発明のように前記組合体を2列にすると第
2図にみられるように採光窓2の光の影響範囲Rが隣り
の光電変換素子1′に及ばない位置にとどめであるにも
かかわらず原稿に対する光電変換素子の密度は第1図A
に較べてかなり高くすることができる。
2図にみられるように採光窓2の光の影響範囲Rが隣り
の光電変換素子1′に及ばない位置にとどめであるにも
かかわらず原稿に対する光電変換素子の密度は第1図A
に較べてかなり高くすることができる。
従来型の第1図Bは、採光窓2の光の影響範囲R内に隣
りの光電変換素子1′かや)かかった状態の場合である
が、この程度の隣りの採光窓の光の影響を許容するので
あれば、本発明では第3図のように前記組合体の密度を
高めることができる。
りの光電変換素子1′かや)かかった状態の場合である
が、この程度の隣りの採光窓の光の影響を許容するので
あれば、本発明では第3図のように前記組合体の密度を
高めることができる。
〔実施例〕 (第2図、第5図参照)
石英基板11上に、センサ即動回路部を簿膜トランジス
タ等で形成する。ついで下部遮光を兼ねたセンサ部の一
次電極12として例えば蒸着法によってCr等の金属層
を形成し、フォトリソ法により第2図の位置になるよう
採光窓のバターニングを行う。
タ等で形成する。ついで下部遮光を兼ねたセンサ部の一
次電極12として例えば蒸着法によってCr等の金属層
を形成し、フォトリソ法により第2図の位置になるよう
採光窓のバターニングを行う。
眉間絶縁膜13として、たとえばCVD法によりSin
、を堆積させ、ついで−次電極と受光素子とのコンタク
トホールを形成する。
、を堆積させ、ついで−次電極と受光素子とのコンタク
トホールを形成する。
ひきつづいて、例えばアモルファスシリコン14と透明
電極15を形成して光電変換素子とする。この上に層間
絶縁膜16、たとえばCVD法による5iON膜を形成
し、これにコンタクトホールを設け、二次電極17とし
て、例えばスパッタリング法によるAQを1μm程度堆
積し、所定のパターニングを行う。以下、パッシベーシ
ョン膜18の形成、シールド層19の形成、接着剤20
による表面保護用ガラス薄板21の接着を常法により行
う。
電極15を形成して光電変換素子とする。この上に層間
絶縁膜16、たとえばCVD法による5iON膜を形成
し、これにコンタクトホールを設け、二次電極17とし
て、例えばスパッタリング法によるAQを1μm程度堆
積し、所定のパターニングを行う。以下、パッシベーシ
ョン膜18の形成、シールド層19の形成、接着剤20
による表面保護用ガラス薄板21の接着を常法により行
う。
本発明は、光電変換素子と採光窓との組合体を2列以上
に配列したことにより、前記組合体の密度を高めること
ができた。
に配列したことにより、前記組合体の密度を高めること
ができた。
第1図A、Bは従来の光電変換素子−採光窓の組合体と
採光窓の光の影響範囲との関係を示すモデルであり、第
2〜3図は、本発明のモデルを示すものであり、前記組
合体を2列に配置したときの前記組合体と採光窓の光の
影響範囲との関係を示す。第4図は、光源とイメージセ
ンサの位置関係を示し、第5図は、本発明の1実施態様
のイメージセンサ断面図を示す。 1.1′・・・光電変換素子 2・・・採光窓 3・・・イメージセンサ4・
・・前記組合体の中心線 4′・・・光源の中心線 5・・・光源11・・・透明
基板(たとえば石英) 12・・・−次電極 13・・・M間絶縁膜14
・・・アモルファスシリコン層 15・・・透明電極 16・・・層間絶縁膜 17・・・二次電極18・
・・パッシベーション膜 19・・・シールド/l 20・・・接着剤21
・・・薄膜ガラス 22・・・活性層23・・・ゲ
ート C・・・光電変換素子と採光窓の組合体R・・・採光窓
の光の影響範囲 (B) 第 2図 第3図 第 図
採光窓の光の影響範囲との関係を示すモデルであり、第
2〜3図は、本発明のモデルを示すものであり、前記組
合体を2列に配置したときの前記組合体と採光窓の光の
影響範囲との関係を示す。第4図は、光源とイメージセ
ンサの位置関係を示し、第5図は、本発明の1実施態様
のイメージセンサ断面図を示す。 1.1′・・・光電変換素子 2・・・採光窓 3・・・イメージセンサ4・
・・前記組合体の中心線 4′・・・光源の中心線 5・・・光源11・・・透明
基板(たとえば石英) 12・・・−次電極 13・・・M間絶縁膜14
・・・アモルファスシリコン層 15・・・透明電極 16・・・層間絶縁膜 17・・・二次電極18・
・・パッシベーション膜 19・・・シールド/l 20・・・接着剤21
・・・薄膜ガラス 22・・・活性層23・・・ゲ
ート C・・・光電変換素子と採光窓の組合体R・・・採光窓
の光の影響範囲 (B) 第 2図 第3図 第 図
Claims (1)
- 1、透明絶縁基板上に、採光窓を設けた遮光層と光電変
換素子を配置したイメージセンサにおいて、1つの光電
変換素子と1つの採光窓が1つの対となった光電変換素
子−採光窓組合体を形成し、この組合体が2列以上配置
されていることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1261805A JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1261805A JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03124063A true JPH03124063A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17366962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1261805A Pending JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03124063A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2004251541B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-03-04 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Sustained drug-release particles and process for producing the same |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1261805A patent/JPH03124063A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2004251541B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-03-04 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Sustained drug-release particles and process for producing the same |
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