JPH03124063A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH03124063A JPH03124063A JP1261805A JP26180589A JPH03124063A JP H03124063 A JPH03124063 A JP H03124063A JP 1261805 A JP1261805 A JP 1261805A JP 26180589 A JP26180589 A JP 26180589A JP H03124063 A JPH03124063 A JP H03124063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- photoelectric conversion
- lighting window
- conversion element
- rows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリ、コピー等に用いるイメージセ
ンサに関する。
ンサに関する。
特公昭５８−１４０７３号、特公昭５８−４６１８６号
および特開昭６１−３９５７４号等において、光電変換
素子と採光窓の組合体の１つ１つかたゾ１列に配置され
ていた。
および特開昭６１−３９５７４号等において、光電変換
素子と採光窓の組合体の１つ１つかたゾ１列に配置され
ていた。
このように、たｆ１列だけの配列にすると光電変換素子
１と採光窓２の組合体Ｃは１つの採光窓から入ってくる
光の影響範囲を第１図の円Ｒで示すと、円Ｒが隣りの光
電変換素子１′に影響を与えない範囲までしか光電変換
素子と採光窓の組合体ＣとＣ′の距離を近づけることは
できない。
１と採光窓２の組合体Ｃは１つの採光窓から入ってくる
光の影響範囲を第１図の円Ｒで示すと、円Ｒが隣りの光
電変換素子１′に影響を与えない範囲までしか光電変換
素子と採光窓の組合体ＣとＣ′の距離を近づけることは
できない。
したがって、隣りの採光窓から入ってくる光の影響度に
より、前記組合体の密度は自づと制約が生じていた。
より、前記組合体の密度は自づと制約が生じていた。
本発明の目的は、隣の採光窓からの光の影響をできるだ
け抑え、かつ前記組合体の密度を高める点にある。
け抑え、かつ前記組合体の密度を高める点にある。
本発明のイメージセンサは、透明絶縁基板上に、採光窓
を設けた遮光層と光電変換素子を配置したイメージセン
サにおいて、１つの光電変換素子と１つの採光窓が１つ
の対となった光電変換素子−採光窓組合体を形成し、こ
の組合体が２列以上配置されていることを特徴とするも
のである。
を設けた遮光層と光電変換素子を配置したイメージセン
サにおいて、１つの光電変換素子と１つの採光窓が１つ
の対となった光電変換素子−採光窓組合体を形成し、こ
の組合体が２列以上配置されていることを特徴とするも
のである。
２列に配置した場合には、１列目の採光窓群と２列目の
光電変換素子群とが遠くなるように組合体の方向を定め
ることが好ましい。
光電変換素子群とが遠くなるように組合体の方向を定め
ることが好ましい。
これを反対方向で配置すると予定以上に隣りの採光窓２
に光電変換素子１′が接近してしまい予定外の隣りの採
光窓からの光の影響をうけることになる。
に光電変換素子１′が接近してしまい予定外の隣りの採
光窓からの光の影響をうけることになる。
前記組合体の配位は第２図、第３図に示すような千鳥状
の配置が好ましい。
の配置が好ましい。
第１図Ａは前記組合体をたゾ１列に配置し、採光窓２の
光の影響範囲Ｒが隣りの光電変換素子１′に及ばないよ
うな位置にとどめたものである。
光の影響範囲Ｒが隣りの光電変換素子１′に及ばないよ
うな位置にとどめたものである。
ところが、本発明のように前記組合体を２列にすると第
２図にみられるように採光窓２の光の影響範囲Ｒが隣り
の光電変換素子１′に及ばない位置にとどめであるにも
かかわらず原稿に対する光電変換素子の密度は第１図Ａ
に較べてかなり高くすることができる。
２図にみられるように採光窓２の光の影響範囲Ｒが隣り
の光電変換素子１′に及ばない位置にとどめであるにも
かかわらず原稿に対する光電変換素子の密度は第１図Ａ
に較べてかなり高くすることができる。
従来型の第１図Ｂは、採光窓２の光の影響範囲Ｒ内に隣
りの光電変換素子１′かや）かかった状態の場合である
が、この程度の隣りの採光窓の光の影響を許容するので
あれば、本発明では第３図のように前記組合体の密度を
高めることができる。
りの光電変換素子１′かや）かかった状態の場合である
が、この程度の隣りの採光窓の光の影響を許容するので
あれば、本発明では第３図のように前記組合体の密度を
高めることができる。
〔実施例〕 （第２図、第５図参照）
石英基板１１上に、センサ即動回路部を簿膜トランジス
タ等で形成する。ついで下部遮光を兼ねたセンサ部の一
次電極１２として例えば蒸着法によってＣｒ等の金属層
を形成し、フォトリソ法により第２図の位置になるよう
採光窓のバターニングを行う。
タ等で形成する。ついで下部遮光を兼ねたセンサ部の一
次電極１２として例えば蒸着法によってＣｒ等の金属層
を形成し、フォトリソ法により第２図の位置になるよう
採光窓のバターニングを行う。
眉間絶縁膜１３として、たとえばＣＶＤ法によりＳｉｎ
、を堆積させ、ついで−次電極と受光素子とのコンタク
トホールを形成する。
、を堆積させ、ついで−次電極と受光素子とのコンタク
トホールを形成する。
ひきつづいて、例えばアモルファスシリコン１４と透明
電極１５を形成して光電変換素子とする。この上に層間
絶縁膜１６、たとえばＣＶＤ法による５ｉＯＮ膜を形成
し、これにコンタクトホールを設け、二次電極１７とし
て、例えばスパッタリング法によるＡＱを１μｍ程度堆
積し、所定のパターニングを行う。以下、パッシベーシ
ョン膜１８の形成、シールド層１９の形成、接着剤２０
による表面保護用ガラス薄板２１の接着を常法により行
う。
電極１５を形成して光電変換素子とする。この上に層間
絶縁膜１６、たとえばＣＶＤ法による５ｉＯＮ膜を形成
し、これにコンタクトホールを設け、二次電極１７とし
て、例えばスパッタリング法によるＡＱを１μｍ程度堆
積し、所定のパターニングを行う。以下、パッシベーシ
ョン膜１８の形成、シールド層１９の形成、接着剤２０
による表面保護用ガラス薄板２１の接着を常法により行
う。
本発明は、光電変換素子と採光窓との組合体を２列以上
に配列したことにより、前記組合体の密度を高めること
ができた。
に配列したことにより、前記組合体の密度を高めること
ができた。
第１図Ａ、Ｂは従来の光電変換素子−採光窓の組合体と
採光窓の光の影響範囲との関係を示すモデルであり、第
２〜３図は、本発明のモデルを示すものであり、前記組
合体を２列に配置したときの前記組合体と採光窓の光の
影響範囲との関係を示す。第４図は、光源とイメージセ
ンサの位置関係を示し、第５図は、本発明の１実施態様
のイメージセンサ断面図を示す。 １．１′・・・光電変換素子 ２・・・採光窓 ３・・・イメージセンサ４・
・・前記組合体の中心線 ４′・・・光源の中心線 ５・・・光源１１・・・透明
基板（たとえば石英） １２・・・−次電極 １３・・・Ｍ間絶縁膜１４
・・・アモルファスシリコン層 １５・・・透明電極 １６・・・層間絶縁膜 １７・・・二次電極１８・
・・パッシベーション膜 １９・・・シールド／ｌ ２０・・・接着剤２１
・・・薄膜ガラス ２２・・・活性層２３・・・ゲ
ート Ｃ・・・光電変換素子と採光窓の組合体Ｒ・・・採光窓
の光の影響範囲 （Ｂ） 第 ２図 第３図 第 図
採光窓の光の影響範囲との関係を示すモデルであり、第
２〜３図は、本発明のモデルを示すものであり、前記組
合体を２列に配置したときの前記組合体と採光窓の光の
影響範囲との関係を示す。第４図は、光源とイメージセ
ンサの位置関係を示し、第５図は、本発明の１実施態様
のイメージセンサ断面図を示す。 １．１′・・・光電変換素子 ２・・・採光窓 ３・・・イメージセンサ４・
・・前記組合体の中心線 ４′・・・光源の中心線 ５・・・光源１１・・・透明
基板（たとえば石英） １２・・・−次電極 １３・・・Ｍ間絶縁膜１４
・・・アモルファスシリコン層 １５・・・透明電極 １６・・・層間絶縁膜 １７・・・二次電極１８・
・・パッシベーション膜 １９・・・シールド／ｌ ２０・・・接着剤２１
・・・薄膜ガラス ２２・・・活性層２３・・・ゲ
ート Ｃ・・・光電変換素子と採光窓の組合体Ｒ・・・採光窓
の光の影響範囲 （Ｂ） 第 ２図 第３図 第 図
Claims (1)
- １、透明絶縁基板上に、採光窓を設けた遮光層と光電変
換素子を配置したイメージセンサにおいて、１つの光電
変換素子と１つの採光窓が１つの対となった光電変換素
子−採光窓組合体を形成し、この組合体が２列以上配置
されていることを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1261805A JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1261805A JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124063A true JPH03124063A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17366962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1261805A Pending JPH03124063A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124063A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2004251541B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-03-04 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Sustained drug-release particles and process for producing the same |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1261805A patent/JPH03124063A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2004251541B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-03-04 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Sustained drug-release particles and process for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11274445A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| TW564564B (en) | Pixel structure and fabricating method thereof | |
| JPH10214955A (ja) | 放射撮像装置用のコンタクト・パッド | |
| JPH03124063A (ja) | イメージセンサ | |
| JPS62154780A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0456351U (ja) | ||
| EP0321224B1 (en) | Image sensor | |
| JPS6132571A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0797639B2 (ja) | 表示パネル基板 | |
| JPS6184860A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0691105B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS60227467A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH11121728A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0318354B2 (ja) | ||
| JPH01130562A (ja) | 電荷結合素子 | |
| KR100545509B1 (ko) | 고개구율 박막 트랜지스터형 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| JP3146509B2 (ja) | ２次元密着型イメージセンサ | |
| JPH01173752A (ja) | 等倍イメージセンサー | |
| JPS59172764A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0712076B2 (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2573342B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPH08335685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60260020A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS62229874A (ja) | イメ−ジセンサ及びその製造方法 | |
| JPH0447973Y2 (ja) |