JPH03124052A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH03124052A JPH03124052A JP26133289A JP26133289A JPH03124052A JP H03124052 A JPH03124052 A JP H03124052A JP 26133289 A JP26133289 A JP 26133289A JP 26133289 A JP26133289 A JP 26133289A JP H03124052 A JPH03124052 A JP H03124052A
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- Japan
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- resin
- semiconductor element
- whose
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- semiconductor device
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
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- 238000004382 potting Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に数Ｇｌｌｚ
以上の超高周波で使用する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
以上の超高周波で使用する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
［従来の技術）
従来、数Ｇ１１２以上の超高周波で使用する半導体装置
は、通常、セラミック容器内に封入される。これはセラ
ミックの誘電体損失が小さいので、超高周波領域におい
て所望の利得特性が得やすいこと、また気密封止ができ
るので、信頼性の高い製品が得られるなどの理由による
。
は、通常、セラミック容器内に封入される。これはセラ
ミックの誘電体損失が小さいので、超高周波領域におい
て所望の利得特性が得やすいこと、また気密封止ができ
るので、信頼性の高い製品が得られるなどの理由による
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、セラミック容器は価格が高く、また、特
に封止工程が一括大量生産向きでないので、生産コスト
が高く付くのが難点である。
に封止工程が一括大量生産向きでないので、生産コスト
が高く付くのが難点である。
一方、最近では衛星放送受信機などの普及に見られるよ
うに、家庭用の機器にも超高周波用の半導体装置が多く
使用されるようになって来ているので、この種の半導体
装置には大幅なコストダウンが求められている。従って
、最近では樹脂封止型の超高周波用半導体装置の開発が
進められているが、この場合用いられる封止用樹脂は主
としてエポキシ系樹脂であることが多い。このように、
エポキシ系樹脂が使用される理由は、価格が安いこと、
リードフレームとの密着性が良いこと、それに耐湿性が
優れているためである。
うに、家庭用の機器にも超高周波用の半導体装置が多く
使用されるようになって来ているので、この種の半導体
装置には大幅なコストダウンが求められている。従って
、最近では樹脂封止型の超高周波用半導体装置の開発が
進められているが、この場合用いられる封止用樹脂は主
としてエポキシ系樹脂であることが多い。このように、
エポキシ系樹脂が使用される理由は、価格が安いこと、
リードフレームとの密着性が良いこと、それに耐湿性が
優れているためである。
しかしながら、 ｑＨに、エポキシ系の樹脂は誘電率が
高く、また、誘電体損失が大きいので、この樹脂で気密
封止した半導体装置は気密封止の信頼性は高いが超高周
波領域で高利得が得にくいという欠点がある。
高く、また、誘電体損失が大きいので、この樹脂で気密
封止した半導体装置は気密封止の信頼性は高いが超高周
波領域で高利得が得にくいという欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、気密封止における
高信頼性と超高周波領域における高利得特性とを兼備し
た樹脂封止型半導体装置を提供することである。
高信頼性と超高周波領域における高利得特性とを兼備し
た樹脂封止型半導体装置を提供することである。
本発明によれば、樹脂封止型半導体装置は、半導体素子
と、前記半導体素子のリード端子と、該リード端子と半
導体素子電極とを接続するボンディングワイヤと、前記
半導体素子をボンディングワイヤと共に被覆する低誘電
率、超高周波帯小誘電体損失の選択されたプリコート樹
脂層と、前記プリコート樹脂層の周辺を全面にわたり被
覆する選択された耐）♀性の封止樹脂層とを含んで構成
される。
と、前記半導体素子のリード端子と、該リード端子と半
導体素子電極とを接続するボンディングワイヤと、前記
半導体素子をボンディングワイヤと共に被覆する低誘電
率、超高周波帯小誘電体損失の選択されたプリコート樹
脂層と、前記プリコート樹脂層の周辺を全面にわたり被
覆する選択された耐）♀性の封止樹脂層とを含んで構成
される。
［作 用 １
本発明によれば、半導体素子は比較的誘電率が低く、且
つ誘電体損失の小さな樹脂でプリコートされた後、この
全体がリードとの接着性が良く、また、耐湿性にもすぐ
れた他の樹脂で２重封止されるので、高周波特性および
信頼性の双方にすぐれた樹脂封止型半導体装置を構成す
ることができる。
つ誘電体損失の小さな樹脂でプリコートされた後、この
全体がリードとの接着性が良く、また、耐湿性にもすぐ
れた他の樹脂で２重封止されるので、高周波特性および
信頼性の双方にすぐれた樹脂封止型半導体装置を構成す
ることができる。
［実施例１
次に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明樹脂封止型半導体装置の一実施例を示す
断面構造図である。本実施例によれば、超高周波半導体
素子ｌはボンディングワイヤ３を含めてポツティングに
よるシリコーン樹脂４でまずプリコートされ、ついでこ
の全体がエポキシ系樹脂５でモールド成形される。ここ
で、２はリード端子を示している。シリコーン樹脂４は
リードフレームとの密着性が悪い反面、表１に示すとお
り、エポキシ系樹脂に比べ誘電率が低く、また誘電体損
失の小さな樹脂である。
断面構造図である。本実施例によれば、超高周波半導体
素子ｌはボンディングワイヤ３を含めてポツティングに
よるシリコーン樹脂４でまずプリコートされ、ついでこ
の全体がエポキシ系樹脂５でモールド成形される。ここ
で、２はリード端子を示している。シリコーン樹脂４は
リードフレームとの密着性が悪い反面、表１に示すとお
り、エポキシ系樹脂に比べ誘電率が低く、また誘電体損
失の小さな樹脂である。
表 １
サンプル数それぞれ２０個の場合の実測羽均値を示すも
のであるが、超高周波領域における雑音（ＮＦＩ 、利
得（Ｇａｉｎｌ特性が何れも大きく改善されていること
が確かめられている。
のであるが、超高周波領域における雑音（ＮＦＩ 、利
得（Ｇａｉｎｌ特性が何れも大きく改善されていること
が確かめられている。
表 ２
（測定＋ １２ＧＨｚ ）
従って、本実施例が示す樹脂半導体装置は、シリコーン
樹脂およびエポキシ系樹脂それぞれの特質が半導体素子
に対し互いに補完し合って作用するので、従来の如くエ
ポキシ系樹脂のみでモールドした場合に（らべ、高周波
特性、なかんずくその雑音（ＮＦ）および利得（Ｇａｉ
ｎ）特性を大きく改善することができる。
樹脂およびエポキシ系樹脂それぞれの特質が半導体素子
に対し互いに補完し合って作用するので、従来の如くエ
ポキシ系樹脂のみでモールドした場合に（らべ、高周波
特性、なかんずくその雑音（ＮＦ）および利得（Ｇａｉ
ｎ）特性を大きく改善することができる。
表２は上記実施例構造の低雑音超高周波電界効果トラン
ジスタの高周波特性を従来構造のものとの比較で示した
ものである。この比較表は第２図は本発明樹脂封止型半
導体装置の他の実施例を示す断面構造図である。本実施
例によればシリコーン樹脂４はボッティングによらず移
送成形の手段でプリコートされる。本実施例が示すよう
に、半導体素子ｌをプリコートする方法は、ボッティン
グでも、また、移送成形でも、或いはその他のどのよう
な方法であっても良い。この場合、いかなる手段によろ
うとも前実施例と同様の効果を得ることが可能である。
ジスタの高周波特性を従来構造のものとの比較で示した
ものである。この比較表は第２図は本発明樹脂封止型半
導体装置の他の実施例を示す断面構造図である。本実施
例によればシリコーン樹脂４はボッティングによらず移
送成形の手段でプリコートされる。本実施例が示すよう
に、半導体素子ｌをプリコートする方法は、ボッティン
グでも、また、移送成形でも、或いはその他のどのよう
な方法であっても良い。この場合、いかなる手段によろ
うとも前実施例と同様の効果を得ることが可能である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、超高周波半導体
素子は比較的誘電率が低く、且つ誘電体損失の小さな樹
脂でプリコートされ、更にその周囲全体が誘電率および
誘電体損失がそれぞれ大きい反面、リード端子との接着
性および耐湿性にすぐれたエポキシ系樹脂で２重に封止
されるので、超高周波特性および信頼性の双方が優れた
樹脂封止型半導体装置の提供に顕著な効果を奏し得る。
素子は比較的誘電率が低く、且つ誘電体損失の小さな樹
脂でプリコートされ、更にその周囲全体が誘電率および
誘電体損失がそれぞれ大きい反面、リード端子との接着
性および耐湿性にすぐれたエポキシ系樹脂で２重に封止
されるので、超高周波特性および信頼性の双方が優れた
樹脂封止型半導体装置の提供に顕著な効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明樹脂封止型半導体装置の一実施例を示す
断面構造図、第２図は本発明樹脂１・ｉ上型半導体装置
の他の実施例を示す断面構造図である。 Ｉ・・・超高周波半導体素子、 ２・−・リード端子、 ３・・・ボンディングワイヤ、 ４・・−シリコーン樹脂、 ５・・−エポキシ系樹脂。 特 許 出 願 人 日 本電気
断面構造図、第２図は本発明樹脂１・ｉ上型半導体装置
の他の実施例を示す断面構造図である。 Ｉ・・・超高周波半導体素子、 ２・−・リード端子、 ３・・・ボンディングワイヤ、 ４・・−シリコーン樹脂、 ５・・−エポキシ系樹脂。 特 許 出 願 人 日 本電気
Claims (1)
- 半導体素子と、前記半導体素子のリード端子と、該リー
ド端子と半導体素子電極とを接続するボンディングワイ
ヤと、前記半導体素子をボンディングワイヤと共に被覆
する低誘電率、超高周波帯小誘電体損失の選択されたプ
リコート樹脂層と、前記プリコート樹脂層の周辺を全面
にわたり被覆する選択された耐湿性の封止樹脂層とを含
むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26133289A JPH03124052A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26133289A JPH03124052A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124052A true JPH03124052A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17360346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26133289A Pending JPH03124052A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124052A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276414A (en) * | 1991-12-10 | 1994-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Moistureproof structure for module circuits |
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| EP0637075A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
| KR100270817B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2000-11-01 | 이해영 | 초고주파소자 실장 패키지 및 그 패키지에 사용되는 본딩와이어의 기생효과 감소방법 |
| WO2002015423A1 (fr) * | 2000-08-17 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Module d'emetteur et de recepteur |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117067A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH03116960A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Toyo Alum Kk | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26133289A patent/JPH03124052A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52117067A (en) * | 1976-03-29 | 1977-10-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH03116960A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-17 | Toyo Alum Kk | 半導体装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276414A (en) * | 1991-12-10 | 1994-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Moistureproof structure for module circuits |
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| US5534727A (en) * | 1992-07-21 | 1996-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0637075A1 (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
| US5717232A (en) * | 1993-07-27 | 1998-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device sealed with molded resin |
| KR100270817B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2000-11-01 | 이해영 | 초고주파소자 실장 패키지 및 그 패키지에 사용되는 본딩와이어의 기생효과 감소방법 |
| WO2002015423A1 (fr) * | 2000-08-17 | 2002-02-21 | Hitachi, Ltd. | Module d'emetteur et de recepteur |
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