JPH08506454A - 電子チップ・キャリヤ・パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電子チップ・デバイス、特に高周波（ＲＦ）および９００ＭＨｚ以上のマイクロ波周波数用のデバイスをパッケージングする方法および設計を開示する。金属リード（１００）のアレイを、フレーム（４０，１３０）を形成するように切出した、シート状ポリマ・コンポジットの２つの層の間に接続し、金属リード（１００）が圧力接続および熱接続方法により形成したただ１つのフレーム型の外部から内部へ延びるようにする。ポリマ・コンポジット・フレームには、後の組立てと検査の工程のためにリードを、その領域の内部と外部の両方とも、所望の形状に保持するとともに、低挿入損、低誘電率、およびリードと接地面の間の電気的絶縁機能というマイクロ波特性を得るという２つの目的がある。この２つの目的を独自の原価効率の高い方法で実現しており、これにより消費者および商業応用市場の発達を目的とした高周波電子構成部品のパッケージングが極めて有益なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】 電子チップ・キャリヤ・パッケージおよびその製造方法 ［発明の背景］ ［発明の分野］ 本発明はチップ・キャリヤ・パッケージの改善およびチップ・キャリヤ・パッ ケージを製造する方法に関し、キャリヤが高高周波およびマイクロ波用途に好適 であり、また低損失、低誘電率および低コストを維持するようにするものである 。本発明は９００ＭＨｚ以上の周波数を必要とする用途において特に有益である 。 ［従来の技術］ チップ・キャリヤ業界は、商業および消費者用途における厳しい要求の増大に 応えるための高周波デジタルおよびアナログ・チップ・デバイスをパッケージン グする高誘電率セラミック・チップ・パッケージまたは成形プラスチック・パッ ケージの代替物の必要性および設計上の制約に長い間気づいていた。 リード付きセラミック・チップ・パッケージはセラミック層に厚膜または薄膜 の金属被膜を施し、次いでこれをセラミック・グリーン・シートのカバーで密封 してリード付きフレームを 形成することにより高い原価効率で製造される。一般に、セラミックは比較的誘 電率が高く、ガラス・フリットとともに粉末金属を焼成して形成した金属リード は高い周波数における損失が比較的大きい。 周知のデュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）用のデジタル電子デバ イスの低コスト・パッケージングのために、リード・フレーム設計に担持された 打抜き金属リードを組み込んだ成形プラスチック・パッケージが長い間使用され てきた。これらのパッケージは通常、射出成形可能な熱硬化性コンポジットを使 用しており、はんだ付けなどの実装操作に耐えるパッケージとなっている。これ らのパッケージのリードは低コストとすることができるが、高い周波数における 誘電体の電気的損失によりマイクロ波用途における有効性が制限される。さらに 、そのようなパッケージでは導電接地面がチップに近接して組み込まれていない 。 通常、高速または高い周波数用に設計されたチップ・デバイスまたはダイは、 一般にわずか１００マイクロメータほどの厚さのガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板 上に形成される。９００ＭＨｚまたはそれ以上の周波数において設計性能を実現 するた めには、実装面は導電接地面である必要がある。ＧａＡｓチップは一般に、金す ずまたは金シリコンのはんだを使用して高価な金属ハウジングの床に実装する。 したがって、そのようなパッケージの費用は法外に高くなる。さらに、チップに パッケージを実装する前にチップを試験調査する妥当な方法はなく、したがって 商業規模で生産する場合、故障率が比較的高くなるという危険性がある。 ［発明の概要］ 本発明の新規なチップ・キャリヤ・パッケージおよびその製造方法により従来 技術の前記およびその他の問題および欠陥が克服または軽減される。本発明は従 来技術のチップ・キャリヤを目的としており、高周波およびマイクロ波用途に対 するそれらの欠陥を克服するのに有益である。さらに、本発明のチップ・キャリ ヤ・パッケージの構成方法は極めて原価効率が高く、したがって経済的には望ま しい。 本発明によれば、誘電率の低い誘電材料の第１の層のフレームに順応し、相互 連絡するために適切な寸法および形状にされた金属ベース・プレートを設けるこ とによりチップ・キャリヤを構成する。一般に、ベース・プレートは中心部が隆 起してお り、中心部は任意の所望の形状をとることができる。したがって、誘電材料の第 １のフレーム層を隆起部分にぴったりはまるような形状にする。前もって製造し た、外周および外周から内部へ延びるフィンガー状のリードを有するリード・フ レームを、リードの内部端が誘電材料を覆うように誘電材料の第１のフレーム層 の上に配置する。 ここで、リードの内端に接続しているラインが、ベース・プレートの隆起部分 の形状に類似した形状、好ましくは正方形または長方形を有する空間を画定する ことに留意すべきである。 リード・フレームが正しい位置に配置されたら、リードの端が誘電材料の第１ のフレーム層と第２のフレーム層との間に挟み込まれるように誘電材料の第２の フレーム層を配置する。誘電材料の第２のフレーム層を第１のフレーム層とほぼ 相似な形状にし、形状はリードの内部端によって画定される空間と同じであるが 寸法は若干大きい空隙、好ましくは正方形または長方形を画定する。 ベース、第１の誘電体フレーム層、リード・フレームおよび第２の誘電体フレ ーム層を適切に実装した後、全体構造をクランプ止めし、次いで誘電体を軟化し てリードを誘電材料中に埋 め込むのに十分な温度にまで加熱する。この工程の次に急速冷却工程を行い、リ ードが接触しない領域内で誘電材料が変形するのを防止する。 次にチップ・キャリヤを打抜きなどのさまざまな従来の方法によってリード・ フレームから切り出すことができる。したがって、リードは所望の曲げもしくは 実装に使用することができよう。 本発明の方法を使用して、例えば、めっきを施したスルー・ホール・ピンなど 、その他の形式のキャリヤの実装配置およびチップ・キャリヤの種々様々な形状 が製造可能であることが理解できよう。 前記のことから明らかなように、得られた電子チップ・キャリヤ・パッケージ はシート状ポリマー・コンポジット（例えば、充填フッ素ポリマー誘電体）の２ つの層の間に接着された金属リードのアレイを含んでおり、これらの２つの層は 予め切り出されて、金属リードが圧着および熱接着工程により形成した単一のフ レーム形状の外部から内部へ延びるようにフレームを形成している。ポリマー・ コンポジット・フレームには、後工程の実装ためにリード・アセンブリを所望の 構成に保持し、その 領域の内部と外部の両方の工程を検査する目的と、良好なマイクロ波特性、低挿 入損、低誘電率、およびリードと接地面との間の電気的な絶縁機能を得る目的の ２つの目的がある。この２つの目的を独自の原価効率の高い方法で実現しており 、これにより増大する消費者および商業応用市場を目的とした高周波（例えば、 ９００ＭＨｚ以上）電子構成要素のパッケージングが極めて有益なものとなる。 以下の詳細な説明および図面から、当分野の技術者は前記およびその他の本発 明の特徴および利点を認識し理解するであろう。 ［図面の簡単な説明］ 図面を参照すると、いくつかの図において同一の要素には同一の番号が付けら れている。 第１図は、本発明のチップ・キャリヤの分解透視図である。 第２図は、リード・フレームさらに付加した実装チップ・キャリヤの平面図で ある。 第２ａ図は、断面線ａ−ａに沿った第２図の断面図である。 第２ｂ図は、断面線ｂ−ｂに沿った第２図の断面図である。 第３図は、本発明の完成したチップ・キャリヤ・パッケージ の透視図である。 第４図は、パッケージ外部に広がった部分を有する５つのＲＦリードおよび３ つのＤＣリードを示す本発明の別の実施例の平面図である。 第５図は、金属ベースと第１の誘電層との間に小さな空間を設けた別の実施例 の平面図である。 第５ａ図は、断面線ａ−ａに沿った第５図の断面図である。 第６図は、別の実施例の平面図である。 第６ａ図は、断面線ａ−ａに沿った第６図の断面図である。 第６ｂ図は、断面線ａ−ａに沿った第６図の拡大側面図である。 第７図は、本発明により製造したデュアル・イン・ライン型のチップ・キャリ ヤ・パッケージの透視図である。 第７ａ図は、第７図の側面図である。 第７ｂ図は、第７図の端面図である。 第７ｃ図は、第７図の平面図である。 第８図は、キャリヤ全体を被覆材で密封した本発明の別の実施例の透視図であ る。 第８ａ図は、第８図の側面図である。 第８ｂ図は、第８図の端面図である。 第８ｃ図は、第８図の平面図である。 ［発明の好ましい実施例］ 第１図を参照すると、当分野の技術者には、図の分解部分の最下部であるベー ス・プレート１０を金属にしたり、またはＰＴＦＥ材料などの導電ポリマーに銀 エポキシ樹脂コンポジットで部分的にめっきを施したもので製造することが可能 であることが確認できる。好ましい実施例では、使用する金属は銅であるが、任 意の導電金属を使用することができる。 隆起プラトー領域３０が厚さ約０．０２５インチ（０．６４ｍｍ）、境界領域 ２０が厚さ０．０１３インチ（０．３３ｍｍ）となるように、ベース金属を鋳造 する。プラトー領域３０の形状は、前述のように第１の誘電体フレーム層４０の 形状に適合する形状である。ベース金属の隆起プラトー領域３０は真上から見た ときに正方形または長方形であることがより好ましい。 好ましい誘電材料は充填フッ素ポリマー材料からなっている。フッ素ポリマー の母材はマイクロ・ファイバー充填材の入ったポリテトラフルオロエチレン（Ｒ ＴＦＥ）からなっていることが好ましい。フッ素ポリマーの母材はまたセラミッ ク粉末 （ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂またはアルミナ）等の適切な無機充填材も含有している場合 もある。この種の材料は、コネチカット州、ロジャースのロジャース・コーポレ ーション（Rogers Corporation of Rogers，Conneticut）から登録商標ＲＴ／Ｄ ｕｒｏｉｄで市販されており、ガラス・マイクロ・ファイバー強化ＰＴＦＥを含 んでいるより好ましい材料が登録商標ＲＴ／Ｄｕｒｏｉｄ５８７０で販売されて いる。しかしながら、もっとも好ましい材料はＵｌｔｒａｌａｍＧＨと呼ばれて いるＲＴ／Ｄｕｒｏｉｄ５８７０の変異物であり、これは材料のメーカーが誘電 材料にクラッドを適用していないものである。もっとも好ましい材料を使用すれ ば材料の購入費が下がり、しかも上質の製品を提供できる。ＵｌｔｒａｌａｍＧ Ｈが優れているのは、クラッド無し材料の接着特性が良好であることによる。特 にこの材料を選択する理由は、低誘電率、低損失、マイクロ波適合性、高温能力 、および製造しやすさなど、望ましい電気的特性が分かっているためである。使 用する誘電材料の厚さは、空間の制約および設計インピーダンスの値を満足する ために、各フレーム層について２５０μｍほどの厚さがある。しかしながら、誘 電材料の厚さは５ｍｍ（５０００μｍ）もの厚さにす ることができる。 ベース金属１０を所望の形状および厚さに鋳造した後、誘電材料（第１の層） をプログラム・ルータまたはパンチとチップの組（後者が好ましい）によりフレ ーム４０に切断し、ベース金属のプラトー３０に適合する形状にする。好ましい 実施例では、誘電材料の形状をその外周５０で正方形または長方形とし、それを 同様な形状に打ち抜いてその内周を形成している。内周６０はベース１０のプラ トー３０を受け入れる寸法とされている。第１図に示す実施例の場合、第１のＰ ＴＦＥフレーム層４０は外周寸法が１９０×２３０ミル（４．８２６×５．８４ ２ｍｍ）、内周寸法が１１０×１５０ミル（２．７９４×３．８１０ｍｍ）およ び厚さ２０ミル（５０８μｍ）である。 この場合、通常正方形または長方形の外周フレーム部分８０を有するリード・ フレームがもたらされる。外周部分８０から、所定の数のリードが内部に延びて おり、その内端１１０が所定の形状１２０を規定する位置で終端している。リー ド１００の内端１１０によって規定される形状はベース金属１０プラトー３０の 形状および誘電材料の第１のフレーム層の内周６０の形状とほぼ相似となる。さ らに詳細には、リード１００の内端 １１０によって規定される形状は、第１の誘電体フレーム層の内周６０と同じ寸 法を有している。これにより、リードがこのフレーム層の外周寸法５０を超える ところから正確にその内周寸法６０にまで延びるように、リード・フレームを第 １の誘電体フレーム層４０の上部に平坦に配置することが可能となる。リード材 料は、インピーダンスなどのパラメータに対して所望の用途に応じて任意の導電 材料を使用することができる。本発明者がもっとも好ましいと考える材料は、厚 さ．００５インチ（１２７μｍ）の銅、ベリリウム銅合金、鉄ニッケル・コバル ト合金、または鉄ニッケル合金（アロイ４２）である。第１図の実施例では、リ ード自体がそれぞれ１５×５ミル（３８１×１２７μｍ）であり、各リードの間 の間隔は１０ミル（２５４μｍ）ほどである。しかしながら、望ましい厚さの範 囲は１００ないし２５０μｍである。この厚さの範囲であれば取扱いの際にリー ド形状を十分保持することができ、したがってリードを成形して、パッケージを 実装する基板との整合インピーダンス接続を行うことが可能である。また、キャ リヤの外部に延びるリードの長さもチップ・キャリヤの操作には重要である。曲 げを加えた後 、終端点９０に向かってリードが出てくる誘電 材料の縁部５０および１４０から０．０３０インチという最小距離が必要である 。したがって、使用するリードの長さを決定する場合、使用する実装形式ととも に、ベース・プレートの厚さおよび第１の誘電体フレーム層４０の厚さについて 考慮する必要がある。 次に、誘電材料の第２のフレーム層１３０をリード上に配置する。第２のフレ ーム層１３０の寸法は、第１図の実施例を再度参照すると、外寸１９０×２３０ ミル（４．８２６×５．８４２ｍｍ）、内寸１４０×１８０ミル（３．５５６× ４．５７２ｍｍ）である。第２の誘電体フレーム層の外寸が第１のフレーム層と 一致するが、内寸は異なることが分かろう。第２図を簡単に検討してみると、リ ードの内端１１０を露出して、後工程でビーム・リード溶接またはワイヤ・ボン ドによりチップに接続することが可能となることが明らかとなる。たいていの場 合、露出リードの幅は．０１５インチであるが、容認範囲は．０３０インチまで である。 前記のすべての構成部品が用意されたら、ダイレクト・ボンディング法を使用 して永久的にかつ頑丈に実装する。実装方法としてダイレクト・ボンディング法 を選択したのは、この方法 ではシート状コンポジット中の誘電体どうしが融着し、かつ誘電体とパッケージ に使用した金属が融着するためである。誘電体の融着により十分強力なボンドが でき、製品を安心して使用することができる。さらに、ダイレクト・ボンドを使 用することにより接着剤の使用に付随する妥協案が不要となる。接着剤を使用す ると製造費が法外に高くなり、またパッケージの熱的および電気的特性が低下す ることがある。ダイレクト・ボンディングを行うには、クランプおよび急加熱／ 急冷却法を使用する。温度を急激に変化させる目的は、表面間の接着を良好にし 、かつリードを誘電層中に均一に埋め込むようにするためであり、したがって材 料の側流が発生せず、したがってフレームの歪みや壁が広がることがなくなる。 本願の発明者は、無摩擦締付力により１５０ｐｓｉ（１ＭＰａ）の圧力を加え、 温度を約３８８℃にまで急激に上昇させ、約１０ないし２５秒の間この温度を保 持し、次いで急冷することで、リードを誘電材料中に埋め込み密封し、しかもパ ッケージの変形を避けるには十分であると判断した。この方法は、レジスタの各 構成部品を維持するように設計されたアルミニウムの固定具（図示せず）内で行 うのがもっとも好ましい。ボンディング法を実際に試験する前 には、リードを完全に密封し埋め込むのに十分な材料の流れが得られるか、また フレームの歪みおよび壁の広がりを引き起こす側流がないかという重要な問題が あった。しかしながら、前述のように、意外にも使用したパラメータによりリー ドの所要の密封／埋込みを行うことができ、また密封および埋込みの度合いを確 かめるために行った実験から、誘電体フレーム層を著しく歪ませることなしに完 全な埋込みおよび密封が達成されることが分かった。 リード・フレームのボンディングおよび励起後の、最終的なチップ・キャリヤ ・パッケージは一般に第３図の１３２に示したものになる。前述の高ＲＦおよび マイクロ波チップ・キャリヤの製造方法は、導電体損失および誘電体損失がとも に最小であり、誘電率が低く、また幅および厚さの非常に小さいリードに依存す ることなくインピーダンス整合が得られるように導電体の誘電形状を設計するこ とが可能な、非常にコスト効率の高い新規な製品を提供するものである。 当分野の技術者には、前述の本発明の方法および基本的な設計パラメータを使 用して、様々な種類および形状のチップ・キャリヤを実現できることを直ちに理 解されよう。前記の記述は もっとも好ましい実施例であり、修正は本発明の範囲内に入るものであることを 理解すべきである。 極めて重要な修正のひとつは、金属ベース・プレート１０を、導電樹脂、好ま しくは銀エポキシ樹脂の溶剤で（プラトー３０であるチップの下の領域内の）一 部を覆った誘電材料と置換できることである。これは本発明または従来技術のパ ッケージにおいて実行可能であり、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）チップに適切な接 地面を与える費用を大幅に下げることができる。 多層パッケージおよびマルチ・ダイ・パッケージを製造することもこの開示の 範囲内に入る。 第４図は好ましい実施例の変形である。第４図は５つのＲｆリード１００’お よび３つのＤＣリード１００”を示す。第１図の実施例のこの差異以外は、デバ イスは同じである。ベース・プレート、第１の誘電層、リード・フレームおよび 第２の誘電層はすべて第４図の実施例を形成するために使用される。相違点はリ ードがインピーダンス整合に応じて別々に成形されていることである。これは実 現可能な多くの代替リード設計のうちの一例である。 第５図は、一般にダイレクト放送衛星と併用して使用される、 本発明の代替実施例を示すものであり、ベース・プレート１０の隆起プトラー３ ０は第１の誘電体フレーム層４０の内周寸法６０よりも小さく、それによりその ２つの構成部品が通常係合する領域においてそれら２つの間に空隙６７が形成さ れる。形成された空隙は幅０．００５インチであり、チップを隆起プラトーに取 り付けるのに使用され、はんだ合金（一般的には金すず共晶）のための流れ空間 を提供する役目をし、したがってリードが短絡しない。 第６図は、マルチ・チップ型のチップ・キャリヤに代わる本発明の他の実施例 であり、全体的な構造が細長くなっている。図にはベース・プレート１０、第１ の誘電体フレーム層４０、リード１００および第２の誘電体フレーム層１３０が 示されているのがわかる。この実施例では、隆起プラトー領域（他の図では３０ と呼んでいる）を設けていないことに留意すべきである。これは、チップの下に 層を形成することによりこのキャリヤの特別な利点を提供するものである。すな わち、このパッケージはすでにいくつかのチップが敷き詰めてある小さな回路板 に使用される。 第７図は本明細書で開示し特許請求する方法により作られた、 従来のデュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）に代わるものである。第 ７図の端には、ベース・プレート１０、第１の誘電体フレーム層４０および第２ の誘電体フレーム層１３０が示されている。リードも１００として示してある。 この図の実施例ではさらに金属または誘電体被覆層１７０を被覆してある。その ような層の主要な利点はパッケージの構成部品を汚染または取扱の際の損傷から 保護することである。第７ａ図、第７ｂ図および第７図ｃには同じ番号が付され ており、第７図の種々の平面図を示す。 第８図は本発明のさらに他の実施例を示す。主要な相違点はさらに大きい対候 性を得るためにキャリヤ全体を分離カバーの内部に配置したことである。 第８図には、ベース・プレート１０の代わりに取付プレート１８０が示されて いる。取付プレート１８０はチップ・キャリヤ・フレームを越えて横方向に延び ており、ファスナによりキャリヤを基板に取り付けることが可能となっている。 この実施例は上部カバー１９０も含んでいる。この実施例は一般に高出力用途に 使用される。第８ａ図、第８ｂ図および第８図ｃは第８図の種々の平面図を示す 。 好ましい実施例を図示説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱すること なく種々の修正および置換を行うことが可能である。したがって、本発明は限定 を目的としてではなく、実例として説明されることを理解すべきである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ａ）ベース・プレートを設けるステップと、 ｂ）形状および寸法がベース・プレートの外周寸法と同じである第１の誘電体フ レーム層を設けるステップと、 ｃ）前記第１の誘電体フレーム層をベース・プレート上に配置するステップと、 ｄ）予め選択したパターンに配置された複数のリードを含んでいるリードフレー ムであって、前記リードがそれぞれ第１の端部および第２の端部を有し、前記第 １の端部が外部空間において集合して、終端となっており、かつ前記第２の端部 が内部空間において終端となり、かつ該内部空間を規定している、リード・フレ ーム手段を設けるステップと、 ｅ）前記リード・フレームを、前記リードの前記第２の端部が、第１の誘電体層 の内周寸法の付近において終端となり、かつリードが前記第１の誘電体フレーム 層上で支持されるように配置するステップと、 ｆ）外周寸法が第１の誘電体フレーム層に対応し、内周寸法が第１の誘電体フレ ーム層の内周寸法よりも大きい、第１の誘電 体フレーム層に対応する形状を有する第２の誘電体フレーム層を設けるステップ と、 ｇ）第２の誘電体フレーム層を、前記第２の層が前記第１のフレーム層と一致す るように前記の要素上に積み重ねるステップと、 ｈ）ベース・プレート、第１の誘電体フレーム、リード・フレーム、および第２ の誘電体フレームを接続するために、前記のすべての要素に圧力および高温をか けるステップと、 ｉ）リード・フレームの外部部分をリードから分離し、それにより高周波または マイクロ波チップ・キャリヤを製造するステップと、 を備えていることを特徴とする、高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パ ッケージを製造する方法。 ２．ステップ（ｈ）が、予め選択した温度を所定時間期間中保持し、次いで急冷 するステップをさらに含んでいることを特徴とする、請求の範囲第１項に記載の 方法。 ３．ベース・プレートが金属であることを特徴とする、請求の範囲第１項に記載 の方法。 ４．ベース・プレートが、銅、ベリリウム銅合金、真鍮、鉄ニ ッケル合金、および鉄ニッケル・コバルト合金を含むグループから選択されるこ とを特徴とする、請求の範囲第１項に記載の方法。 ５．ベース・プレートがその上に電気的導電コンポジットのめっきを有するフッ 素ポリマ・コンポジットであることを特徴とする、請求の範囲第１項に記載の方 法。 ６．誘電材料が充填フッ素ポリマ材料であることを特徴とする、請求の範囲第１ 項に記載の方法。 ７．誘電材料がポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする、請求の範 囲第５項に記載の方法。 ８．ＰＴＦＥに無機充填材が充填されていることを特徴とする、請求の範囲第５ 項に記載の方法。 ９．無機充填材がセラミック粉末であるを特徴とする、請求の範囲第６項に記載 の方法。 １０．セラミック粉末がＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂およびアルミナを含むグループから選 択されることを特徴とする、請求の範囲第７項に記載の方法。 １１．充填材がガラス・マイクロ・ファイバであることを特徴とする、請求の範 囲第６項に記載の方法。 １２．充填材がガラス・マイクロ・ファイバおよびセラミック充填材であること を特徴とする、請求の範囲第６項に記載の方法。 １３．誘電材がプログラム・ルータを使用して所定の形状に加工されていること を特徴とする、請求の範囲第１項に記載の方法。 １４．誘電材料がパンチとチップの組を使用して所定の形状に加工されているこ とを特徴とする、請求の範囲第１項に記載の方法。 １５．リード・フレーム材料が、銅、ベリリウム銅合金、真鍮、鉄ニッケル合金 、および鉄ニッケル・コバルト合金を含むグループから選択されることを特徴と する、請求の範囲第１項に記載の方法。 １６．構成部品に加えた圧力が無摩擦締付装置によるものであることを特徴とす る、請求の範囲第１項に記載の方法。 １７．加えた圧力が約１５０ｐｓｉ（１ＭＰａ）の圧力であることを特徴とする 、請求の範囲第１６項に記載の方法。 １８．急速に上昇する温度が約３８８℃において最大に達し、１０ないし２５分 の間その温度のままであることを特徴とする、 請求の範囲第２項に記載の方法。 １９．ステップｈが要素の急冷を含んでいることを特徴とする、請求の範囲第１ 項に記載の方法。 ２０．ベース・プレートが第１の誘電体フレーム層の開口に係合する隆起プラト ーをも含んでいることを特徴とする、請求の範囲第１項に記載の高周波またはマ イクロ波チップ・キャリヤ・パッケージを製造する方法。 ２１．各層を層材料のウェブによって接続された１つまたは複数の列およびコラ ムのアレイとして予め製造し、次いでただ１回のボンディング工程後切断して１ 回のボンディング工程から多くのユニットを製造することを特徴とする、請求の 範囲第１項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージを製 造する方法。 ２２．ａ）ベース・プレートと、 ｂ）形状および寸法がベース・プレートの外周寸法と同じである第１の誘電体フ レーム層と、 ｃ）予め選択したパターンに配置された複数のリードを有し、前記リードがそれ ぞれ第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部が外部フレームにおい て集合し、終端となり、前 記第２の端部が内部空間において終端となりかつ内部空間を規定し、第２の端部 が第１の誘電体フレーム層の内周寸法の付近において終端となり、その第２の端 部の付近の前記リードの部分が第１の誘電体フレーム層で支持されているリード ・フレーム手段と、 ｄ）外周寸法が第１の誘電体フレーム層に対応し、内周寸法が第１の誘電体フレ ーム層の内周寸法よりも大きい第２の誘電体フレーム層とを備えており、その後 すべての前記の要素を外観順に積み重ね、圧力および高温を使用して接続するこ とを特徴とする、高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２３．ベース・プレートが金属であることを特徴とする、請求の範囲第２２項に 記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２４．ベース・プレートが、銅、ベリリウム銅合金、真鍮、鉄ニッケル合金、お よび鉄ニッケル・コバルト合金を含むグループから選択されることを特徴とする 、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッ ケージ。 ２５．ベース・プレートがその上に電気的導電コンポジットの めっきを有するフッ素ポリマ・コンポジットであることを特徴とする、請求の範 囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２６．誘電材料が充填フッ素ポリマ材料であることを特徴とする、請求の範囲第 ２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２７．ベース・プレートがその上に電気的導電コンポジットのめっきを有するフ ッ素ポリマ・コンポジットであることを特徴とする、請求の範囲第２２項に記載 の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２８．ＰＴＦＥに無機充填材が充填されていることを特徴とする、請求の範囲第 ２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ２９．無機充填材がセラミック粉末であることを特徴とする、請求の範囲第２２ 項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ３０．セラミック粉末がＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂およびアルミナを含むグループから選 択されることを特徴とする、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ 波チップ・キャリヤ・パ ッケージ。 ３１．充填材がガラス・マイクロ・ファイバであることを特徴とする、請求の範 囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ３２．充填材がガラス・マイクロ・ファイバおよびセラミック充填材であること を特徴とする、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キ ャリヤ・パッケージ。 ３３．誘電材料がプログラム・ルータを使用して所定の形状に加工されているこ とを特徴とする、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・ キャリヤ・パッケージ。 ３４．誘電材料がパンチとチップの組を使用して所定の形状に加工されているこ とを特徴とする、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・ キャリヤ・パッケージ。 ３５．リード・フレーム材料が、銅、ベリリウム銅合金、真鍮、鉄ニッケル合金 、および鉄ニッケル・コバルト合金を含むグループから選択されることを特徴と する、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・ パッケージ。 ３６．構成部品に加えた圧力が無摩擦締付装置によるものであることを特徴とす る、請求の範囲第２２項に記載の高周波また はマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ３７．加えた圧力が約１５０ｐｓｉ（１ＭＰａ）の圧力であることを特徴とする 、請求の範囲第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッ ケージ。 ３８．ベース・プレートが第１の誘電体フレーム層の開口に係合する隆起プラト ーをも含んでいることを特徴とする、請求の範囲第２２項に記載の高周波または マイクロ波チップ・キャリヤ・パッケージ。 ３９．各層を層材料のウェブによって接続された１つまたは複数の列およびコラ ムのアレイとして製造し、次いでただ１回のボンディング工程後切断して１回の ボンディング工程から多くのユニットを製造することを特徴とする、請求の範囲 第２２項に記載の高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・パッケーン。 ４０．ａ）ベース・プレートを設けるステップと、 ｂ）形状および寸法がベース・プレートの外周寸法と同じであり、かつ開口中心 部位を有する第１の誘電体フレーム層を設けるステップと、 ｃ）前記第１の誘電体フレーム層をベース・プレート上に配置 するステップと、 ｄ）予め選択したパターンに配置された複数のリードを含んでおり、前記リード がそれぞれ第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部が外部フレーム において集合し、終端となっており、前記第２の端部が内部空間において終端し 、かつ該内部空間を規定しているリード・フレーム手段を設けるステップと、 ｅ）前記リード・フレームを、前記リードの前記第２の端部が、第１の誘電体層 の内周寸法の付近において終端となり、かつリードが前記第１の誘電体フレーム 層上で支持されるように配置するステップと、 ｆ）外周寸法が第１の誘電体フレーム層に対応し、内周寸法が第１の誘電体フレ ーム層の内周寸法よりも大きい、第１の誘電体フレーム層に対応する形状を有す る第２の誘電体フレーム層を設けるステップと、 ｇ）第２の誘電体フレーム層を、前記第２の層が前記第１のフレーム層と一致す るように前記の要素上に積み重ねるステップと、 ｈ）ベース・プレート、第１の誘電体フレーム、リード・フレ ーム、および第２の誘電体フレームを接続するために、前記のすべての要素に圧 力および高温をかけるステップと、 ｉ）リード・フレームの外部部分をリードから分離し、それにより高周波または マイクロ波チップ・キャリヤを製造するステップと、 を備えている方法によって製造されることを特徴とする、高周波およびマイク ロ波用途接続チップ・キャリヤ・パッケージ。 ４１．ａ）第１の誘電体フレーム層を設けるステップと、 ｂ）予め選択したパターンに配置された複数のリードを有し、前記リードがそれ ぞれ第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部が外部フレームにおい て集合し、終端となり、前記第２の端部内部空間において終端となり、かつ該内 部空間を規定しているリード・フレーム手段を設けるステップと、 ｃ）前記リード・フレームを、前記リードの前記第２の端部が前記第１の誘電体 層の軸と同一の軸を有し、かつリードが前記第１の誘電体フレーム層上で支持さ れるように配置するステップと、 ｄ）外周寸法が第１の誘電体フレーム層に対応し、内周寸法がリードの第２の端 部によって規定される周囲寸法よりも大きい、 第１の誘電体フレーム層を有する第２の誘電体フレーム層を設けるステップと、 ｅ）第２の誘電体フレーム層を、前記第２の層が前記第１のフレーム層と一致す るように前記の要素上に積み重ねるステップと、 ｆ）第１の誘電体フレーム、リード・フレーム、および第２の誘電体フレームを 接続するために、前記のすべての要素に圧力および高温をかけるステップと、 ｇ）リード・フレームの外部部分をリードから分離し、それにより高周波または マイクロ波チップ・キャリヤを製造するステップと、 を備えていることを特徴とする、高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ・ パッケージを製造する方法。 ４２．ａ）第１の誘電体フレーム層と、 ｂ）予め選択したパターンに配置された複数のリードを有するリード・フレーム であって、前記リードがそれぞれ第１の端部および第２の端部を有し、前記第１ の端部が外部フレームにおいて集合し、終端となり、前記第２の端部が第１の誘 電体層と同軸で終端となり、該第２の端部の付近の前記リードの部分が 第１の誘電体フレーム層によって支持される前記リード・フレームと、 ｃ）外周寸法が第１の誘電体フレーム層に対応し、内周寸法がリードの第２の端 部によって規定される空間よりも大きい、第２の誘電体フレーム層と、 を備えており、 すべての前記の要素が記載順に積み重ねられており、圧力および高温を使用し て接続されていることを特徴とする、高周波またはマイクロ波チップ・キャリヤ ・パッケージ。