JPH03124024A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03124024A JPH03124024A JP1262737A JP26273789A JPH03124024A JP H03124024 A JPH03124024 A JP H03124024A JP 1262737 A JP1262737 A JP 1262737A JP 26273789 A JP26273789 A JP 26273789A JP H03124024 A JPH03124024 A JP H03124024A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、主としてＩＭビット以上のダイナミック型Ｒ
ＡＭ等の超ＬＳＩメモリの製造方法に関するもので、更
に詳しくは、前半の製造工程において絶縁膜をエツチン
グしてその下層のメタール上に至るコンタクトホールを
形成する方法に関するものである。
ＡＭ等の超ＬＳＩメモリの製造方法に関するもので、更
に詳しくは、前半の製造工程において絶縁膜をエツチン
グしてその下層のメタール上に至るコンタクトホールを
形成する方法に関するものである。
〈従来の技術〉
通常、集積回路は集積規模を大きくすることによりシス
テムの機能向上並びに小型化を図れるだけでなく、機能
当たりの価格を著しく低下させることができるため、あ
らゆる種類の集積回路が大規模集積化を指向している。
テムの機能向上並びに小型化を図れるだけでなく、機能
当たりの価格を著しく低下させることができるため、あ
らゆる種類の集積回路が大規模集積化を指向している。
この高密度集積化を現在において最も達成しているのが
マイクロプロセッサとメモリ（ダイナミック型ＲＡＭ）
である。
マイクロプロセッサとメモリ（ダイナミック型ＲＡＭ）
である。
特にメモリについては、約４倍／３年の割合で高集積化
されており、ＩＭビット以上のＲＡＭも実用化されてい
る。このような高密度集積化および高速化を達成しなが
らも平面面積が可及的に小さい超ＬＳＩメモリを得るた
めに、メタルを２層にした立体的構造になっている。
されており、ＩＭビット以上のＲＡＭも実用化されてい
る。このような高密度集積化および高速化を達成しなが
らも平面面積が可及的に小さい超ＬＳＩメモリを得るた
めに、メタルを２層にした立体的構造になっている。
従って、両メタル相互間を電気的接続するためのコンタ
クトホールを必要とするが、この種の超ＬＳＩメモリに
おけるコンタクトホールは、極めて微細で高いパターン
精度を必要とするので、近年においては、サイドエツチ
ングが少なく垂直に近いエツチング特性と良好な選択比
並びに高い生産性とを有するリアクティブ・イオン・エ
ッチングと称する手段によりコンタクトホールが形成さ
れている。
クトホールを必要とするが、この種の超ＬＳＩメモリに
おけるコンタクトホールは、極めて微細で高いパターン
精度を必要とするので、近年においては、サイドエツチ
ングが少なく垂直に近いエツチング特性と良好な選択比
並びに高い生産性とを有するリアクティブ・イオン・エ
ッチングと称する手段によりコンタクトホールが形成さ
れている。
次に、従来の超ＬＳＩの製造工程におけるコンタクトホ
ールの形成方法を第４図に基づいて説明する。先ず、同
図（ａ）に示すように、１層目メタル１の表面に形成さ
れた眉間絶縁膜２上におけるコンタクトホールの形成個
所を除く部分に、既存の手段によりフォトレジスト３を
形成する。
ールの形成方法を第４図に基づいて説明する。先ず、同
図（ａ）に示すように、１層目メタル１の表面に形成さ
れた眉間絶縁膜２上におけるコンタクトホールの形成個
所を除く部分に、既存の手段によりフォトレジスト３を
形成する。
続いて、リアクティブ・イオン・エッチング装置を用い
て層間絶縁膜２をエツチングし、同図（ｂ）に示すよう
に層間絶縁膜２中に１層目メタル１の表面に至るコンタ
クトホール４を穿設する。このコンタクトホール４の形
成後に、プラズマエツチング装置を酸素雰囲気中で用い
ることによって、同図（ｅ）に示すように不要となった
フォトレジスト３をアッシングする。
て層間絶縁膜２をエツチングし、同図（ｂ）に示すよう
に層間絶縁膜２中に１層目メタル１の表面に至るコンタ
クトホール４を穿設する。このコンタクトホール４の形
成後に、プラズマエツチング装置を酸素雰囲気中で用い
ることによって、同図（ｅ）に示すように不要となった
フォトレジスト３をアッシングする。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、第４図（ｂｌに示したように、リアクティブ
・イオン・エッチング装置によりコンタクトホール４を
穿設する時に、１層目メタル１の表面に入射するイオン
エネルギーの衝撃効果により該１層目メタル１を逆スパ
ツタし、それにより発注する生成物が、コンタクトホー
ル４の周側壁およびフォトレジスト３に堆積する。この
堆積膜５は、同図（Ｃ１に示すように、フォトレジスト
３のアッシング時に除去されずに残存する。そのため、
その後に眉間絶縁膜２の表面に２層目メタル（図示せず
）を設けた時に、前述の残存堆積膜５によりホール抵抗
が劣化するとともに、コンタクトホール４から突出して
いる堆積膜５に阻害されてコンタクトホール４ヘメタル
と同素材の導電体が十分に充填されず、両メタル間の電
気的接続の信頼性が非常に低いものとなる。
・イオン・エッチング装置によりコンタクトホール４を
穿設する時に、１層目メタル１の表面に入射するイオン
エネルギーの衝撃効果により該１層目メタル１を逆スパ
ツタし、それにより発注する生成物が、コンタクトホー
ル４の周側壁およびフォトレジスト３に堆積する。この
堆積膜５は、同図（Ｃ１に示すように、フォトレジスト
３のアッシング時に除去されずに残存する。そのため、
その後に眉間絶縁膜２の表面に２層目メタル（図示せず
）を設けた時に、前述の残存堆積膜５によりホール抵抗
が劣化するとともに、コンタクトホール４から突出して
いる堆積膜５に阻害されてコンタクトホール４ヘメタル
と同素材の導電体が十分に充填されず、両メタル間の電
気的接続の信頼性が非常に低いものとなる。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みなされたもの
で、コンタクトホールを、その周側壁に堆積膜が付着し
ないように形成することのできる方法を提供することを
技術的課題とするものである。
で、コンタクトホールを、その周側壁に堆積膜が付着し
ないように形成することのできる方法を提供することを
技術的課題とするものである。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、上記した課題を達成するための技術的手段と
して、半導体装置の製造方法を以下の手順で行うように
した。即ち、メタルの表面に被着した絶縁膜におけるコ
ンタクトホールの形成個所を除く部分にレジストを付着
した後に、リアクティブ・イオン・エッチング装置を、
これの高周波電源を４０ Ｍ Ｈｚ以上の高周波で駆動
することにより、前記絶縁膜をエツチングして前記メタ
ルの表面に至るコンタクトホールを穿設し、前記レジス
トを除去し、前記絶縁膜の表面および前記コンタクトホ
ールに他のメタルを被着および充填する手順で行うこと
を特徴としている。
して、半導体装置の製造方法を以下の手順で行うように
した。即ち、メタルの表面に被着した絶縁膜におけるコ
ンタクトホールの形成個所を除く部分にレジストを付着
した後に、リアクティブ・イオン・エッチング装置を、
これの高周波電源を４０ Ｍ Ｈｚ以上の高周波で駆動
することにより、前記絶縁膜をエツチングして前記メタ
ルの表面に至るコンタクトホールを穿設し、前記レジス
トを除去し、前記絶縁膜の表面および前記コンタクトホ
ールに他のメタルを被着および充填する手順で行うこと
を特徴としている。
く作用〉
コンタクトホールの形成に際し、リアクティブ・イオン
・エッチング装置の高周波電源を４０ Ｍ ｌｌｚ以上
の高周波で駆動するので、絶縁膜からメタル表面に入射
するイオンエネルギーが従来に比し格段に減少してイオ
ン衝撃効果が格段に低減するため、このイオンエネルギ
ーがメタルを逆スパツタすることがなくなり、逆スパツ
タによる堆積膜がコンタクトホールの周側壁に被着する
ことがない。
・エッチング装置の高周波電源を４０ Ｍ ｌｌｚ以上
の高周波で駆動するので、絶縁膜からメタル表面に入射
するイオンエネルギーが従来に比し格段に減少してイオ
ン衝撃効果が格段に低減するため、このイオンエネルギ
ーがメタルを逆スパツタすることがなくなり、逆スパツ
タによる堆積膜がコンタクトホールの周側壁に被着する
ことがない。
従って、ホール抵抗の劣化および絶縁膜の表面に被着す
るメタルによるコンタクトホールへのカバレンジ不良は
生じない。
るメタルによるコンタクトホールへのカバレンジ不良は
生じない。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
先ず、第２図により本発明のコンタクトホールの形成に
用いるリアクティブ・イオン・エッチング装置６につい
て説明する。このリアクティブ・イオン・エッチング装
置６は、高周波電源７に接続された平面電極８と、この
平面電極８に相対して設置された対向電極９と、反応性
ガスを工・７チングチヤンバ１１内に導入するガス導入
系１ｏと、エツチングチャンバ１１内の圧力を一定に保
つための排気系１２とから構成されている。エツチング
すべき試料１３は高周波電力が印加される平面電極８上
に配置される。これら相対向する電極８゜９間に放電が
発生し、この時の電子とイオンの易動度の大きな相違に
より平面電極８表面に陰極降下が発生する。この陰極降
下内で活性ガスイオンが平面電極８および試料１３の表
面上の垂直な電界に沿って入射し、その方向にリアクテ
ィブなエツチングが進行する。即ち、試料１３の表面の
原子と入射した活性イオンとが反応し、その結果化じた
反応生成物が気体となってエツチングが進行する。
用いるリアクティブ・イオン・エッチング装置６につい
て説明する。このリアクティブ・イオン・エッチング装
置６は、高周波電源７に接続された平面電極８と、この
平面電極８に相対して設置された対向電極９と、反応性
ガスを工・７チングチヤンバ１１内に導入するガス導入
系１ｏと、エツチングチャンバ１１内の圧力を一定に保
つための排気系１２とから構成されている。エツチング
すべき試料１３は高周波電力が印加される平面電極８上
に配置される。これら相対向する電極８゜９間に放電が
発生し、この時の電子とイオンの易動度の大きな相違に
より平面電極８表面に陰極降下が発生する。この陰極降
下内で活性ガスイオンが平面電極８および試料１３の表
面上の垂直な電界に沿って入射し、その方向にリアクテ
ィブなエツチングが進行する。即ち、試料１３の表面の
原子と入射した活性イオンとが反応し、その結果化じた
反応生成物が気体となってエツチングが進行する。
次に、前記リアクティブ・イオン・エッチング装置６を
用いたコンタクトホールの形成方法を第１図に基づいて
説明する。先ず、同図（ａｌに示すように、１層目メタ
ル１の表面に形成された層間絶縁膜２上におけるコンタ
クトホールの形成個所を除く部分に、既存の手段により
フォトレジスト３を形成する。
用いたコンタクトホールの形成方法を第１図に基づいて
説明する。先ず、同図（ａｌに示すように、１層目メタ
ル１の表面に形成された層間絶縁膜２上におけるコンタ
クトホールの形成個所を除く部分に、既存の手段により
フォトレジスト３を形成する。
続いて、リアクティブ・イオン・エッチング装置６をこ
れの高周波電源７を４０ＭＨｚ以上の高周波で駆動し、
同図（ｂ）に示すように層間絶縁膜２中に１層目メタル
１の表面に至るコンタクトホール４を穿設する。このよ
うに、高周波電源７を４０Ｍ ｔｌｚの高周波で駆動す
ることにより、１層目メタル１に入射するイオンエネル
ギーが減少してイオン衝撃効果が格段に低減し、該メタ
ル１を逆スパツタすることによる堆積膜は同図（ｂ）の
ように生じない。このことは、高周波電源７の駆動周波
数とコンタクトホール４への堆積膜の膜厚との関係の実
測結果を示した第３図から明らかである。
れの高周波電源７を４０ＭＨｚ以上の高周波で駆動し、
同図（ｂ）に示すように層間絶縁膜２中に１層目メタル
１の表面に至るコンタクトホール４を穿設する。このよ
うに、高周波電源７を４０Ｍ ｔｌｚの高周波で駆動す
ることにより、１層目メタル１に入射するイオンエネル
ギーが減少してイオン衝撃効果が格段に低減し、該メタ
ル１を逆スパツタすることによる堆積膜は同図（ｂ）の
ように生じない。このことは、高周波電源７の駆動周波
数とコンタクトホール４への堆積膜の膜厚との関係の実
測結果を示した第３図から明らかである。
このコンタクトホール４の形成後に、プラズマエツチン
グ装置を酸素雰囲気中で用いることによって、同図（Ｃ
）に示すように不要となったフォトレジスト３をアッシ
ングする。
グ装置を酸素雰囲気中で用いることによって、同図（Ｃ
）に示すように不要となったフォトレジスト３をアッシ
ングする。
〈発明の効果〉
以上のように本発明の半導体装置の製造装置によると、
リアクティブ・イオン・エッチング装置の高周波電源を
４０ＭＨｚ以上の高周波で駆動して絶縁膜をエツチング
するようにしたので、このエツチングにより形成される
コンタクトホールの周側壁に堆積膜が生じなく、コンタ
クトホール抵抗の劣化やコンタクトホールの両側のメタ
ルの電気的接続不良と云った不都合の発生を確実に防止
することができる。
リアクティブ・イオン・エッチング装置の高周波電源を
４０ＭＨｚ以上の高周波で駆動して絶縁膜をエツチング
するようにしたので、このエツチングにより形成される
コンタクトホールの周側壁に堆積膜が生じなく、コンタ
クトホール抵抗の劣化やコンタクトホールの両側のメタ
ルの電気的接続不良と云った不都合の発生を確実に防止
することができる。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示す概略断面図
、 第２図は第１図の工程におけるコンタクトホールの形成
に用いるエツチング装置の構成図、 第３図は第２図の装置の高周波電源の駆動周波数とコン
タクトホールへの堆積膜の関係を示す特性図、 第４図は従来方法の製造工程を示す概略断面図である。 第４図 メタル 絶縁膜 レジスト コンタクトホール リアクティブ・イオン・エッチング装置高周波電源
、 第２図は第１図の工程におけるコンタクトホールの形成
に用いるエツチング装置の構成図、 第３図は第２図の装置の高周波電源の駆動周波数とコン
タクトホールへの堆積膜の関係を示す特性図、 第４図は従来方法の製造工程を示す概略断面図である。 第４図 メタル 絶縁膜 レジスト コンタクトホール リアクティブ・イオン・エッチング装置高周波電源
Claims (1)
- （１）メタルの表面に被着した絶縁膜におけるコンタク
トホールの形成個所を除く部分にレジストを付着した後
に、リアクティブ・イオン・エッチング装置を、これの
高周波電源を４０ＭＨｚ以上の高周波で駆動することに
より、前記絶縁膜をエッチングして前記メタルの表面に
至るコンタクトホールを穿設し、前記レジストを除去し
、前記絶縁膜の表面および前記コンタクトホールに他の
メタルを被着および充填することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262737A JP2614331B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1262737A JP2614331B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124024A true JPH03124024A (ja) | 1991-05-27 |
| JP2614331B2 JP2614331B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17379886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1262737A Expired - Fee Related JP2614331B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614331B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863137A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Semiconductor Res Found | 蒸気圧制御ドライエツチング方法 |
| JPS62108525A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 表面処理方法およびその装置 |
| JPS63155728A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
| JPS6419728A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1262737A patent/JP2614331B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863137A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Semiconductor Res Found | 蒸気圧制御ドライエツチング方法 |
| JPS62108525A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 表面処理方法およびその装置 |
| JPS63155728A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
| JPS6419728A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH02298024A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Tadahiro Omi | リアクティブイオンエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2614331B2 (ja) | 1997-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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