JPH03123068A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03123068A JPH03123068A JP1260482A JP26048289A JPH03123068A JP H03123068 A JPH03123068 A JP H03123068A JP 1260482 A JP1260482 A JP 1260482A JP 26048289 A JP26048289 A JP 26048289A JP H03123068 A JPH03123068 A JP H03123068A
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- capacitor
- metal
- wiring conductor
- metal cap
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に金属キャップで封止さ
れた集積回路に関する。
れた集積回路に関する。
第４図は従来例の断面図、第５図は金属キャップで封止
する前の状態を示す平面図である。
する前の状態を示す平面図である。
ＩＣチップ１をベースにマウントした後、ＩＣチップの
各引き出し端子２は金属ワイヤー３によって配線導体４
に接続され（配線導体４とピン端子８は、ベース内で接
続されている）パッケージのピン端子８に引き出されて
いる。
各引き出し端子２は金属ワイヤー３によって配線導体４
に接続され（配線導体４とピン端子８は、ベース内で接
続されている）パッケージのピン端子８に引き出されて
いる。
金属キャップ９を乗せて封止することによりＩＣチップ
は外気と遮断され保護されると共にベースのアイランド
（ＩＣチップをマウントする面）と金属キャップはＩＣ
チップの裏面電位に接続されシールドされている。従っ
て、ＩＣチップ内の回路で必要となる容量はＩＣチップ
内で形成するか、パッケージの外で容量素子を接続する
方法を取っている。
は外気と遮断され保護されると共にベースのアイランド
（ＩＣチップをマウントする面）と金属キャップはＩＣ
チップの裏面電位に接続されシールドされている。従っ
て、ＩＣチップ内の回路で必要となる容量はＩＣチップ
内で形成するか、パッケージの外で容量素子を接続する
方法を取っている。
しかし上述した半導体装置のうち前者のものては、チッ
プ内素子有効面積にしめる容量素子の面積の割合が大き
く、又、大きな容量値を必要とする容量を形成する場合
、当然のことながら容量素子自体も大きくなってしまう
。
プ内素子有効面積にしめる容量素子の面積の割合が大き
く、又、大きな容量値を必要とする容量を形成する場合
、当然のことながら容量素子自体も大きくなってしまう
。
その結果、チップサイズの増大がさＩｆられなくなり、
集積度の低下、さらには歩留りの低下という欠点を生み
出す。
集積度の低下、さらには歩留りの低下という欠点を生み
出す。
次に上述した後者のものでは、パッケージの外に付ける
為のスペース確保や接続配線が長くなり、リアクタンス
成分が含まれたり接続方法によっては信頼性の低下とい
う欠点を生み出す。
為のスペース確保や接続配線が長くなり、リアクタンス
成分が含まれたり接続方法によっては信頼性の低下とい
う欠点を生み出す。
そこで、本発明の目的は以上の欠点を解決しチップ内の
回路で必要となる大きな容量をチップ内に形成したり、
パッケージ外で容量素子を接続する必要のない半導体装
置を提供することにある。
回路で必要となる大きな容量をチップ内に形成したり、
パッケージ外で容量素子を接続する必要のない半導体装
置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、ベースに半導体チップを搭載し
、金属キャップを被せて封止してなる半導体装置におい
て、前記金属キャップの前記半導体チップに対向する面
に誘電体膜と金属膜を積層したコンデンサが設けられ、
前記金属膜は前記半導体チップの所定の引き出し端子に
接続されているというものである。
、金属キャップを被せて封止してなる半導体装置におい
て、前記金属キャップの前記半導体チップに対向する面
に誘電体膜と金属膜を積層したコンデンサが設けられ、
前記金属膜は前記半導体チップの所定の引き出し端子に
接続されているというものである。
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ＞、
（ｂ）はこの実施例に使用する金属キャップの平面図及
び断面図、第３図は金属キャップを乗せて封止する前の
状態を示すベースの平面図である。
（ｂ）はこの実施例に使用する金属キャップの平面図及
び断面図、第３図は金属キャップを乗せて封止する前の
状態を示すベースの平面図である。
金属キャップ９は、ＩＣチップ１の裏面電位供給端子に
接続されている封止用導体７と接合され、ＩＣチップ１
に対向する面には５ｉ０２Ｓ ｊ−３Ｎ４ 、 Ｔ ｉ
０２等の誘電体ＪＩｕｌＱ、アルミニウム等の金属膜
１１が積層されている。金属膜１１はコンデンサの一つ
の電極をなし、ベースに設けられたコンデンサ接続用の
配線導体６と接触している。
接続されている封止用導体７と接合され、ＩＣチップ１
に対向する面には５ｉ０２Ｓ ｊ−３Ｎ４ 、 Ｔ ｉ
０２等の誘電体ＪＩｕｌＱ、アルミニウム等の金属膜
１１が積層されている。金属膜１１はコンデンサの一つ
の電極をなし、ベースに設けられたコンデンサ接続用の
配線導体６と接触している。
ＩＣチップ１の各引き出し端子２は、金属ワイヤー３に
よって配線導体４に接続され（配線導体４とピン端子８
はベース内で接続されている）ピン端子８に引き出され
ている。
よって配線導体４に接続され（配線導体４とピン端子８
はベース内で接続されている）ピン端子８に引き出され
ている。
又対人後金属膜１１と接続される配線導体６は金属ワイ
ヤー５によって所定の配線導体４と接続することができ
る。
ヤー５によって所定の配線導体４と接続することができ
る。
このようにして金属キャップに容量（コンデンサ）を形
成しＩＣチップ内の回路に容量の必要となる端子を選択
して接続することができる。この場合、封止用導体７及
び金属キャップ９はしかるべきピン端子に接続できるよ
うに浮遊状態にしておけばよい。なお、配線導体として
はメタライズ層や金属板を打抜き加工したリードフレー
ム様のものなどいずれを用いても同様の効果が得られ、
本発明の目的を達成することができる。
成しＩＣチップ内の回路に容量の必要となる端子を選択
して接続することができる。この場合、封止用導体７及
び金属キャップ９はしかるべきピン端子に接続できるよ
うに浮遊状態にしておけばよい。なお、配線導体として
はメタライズ層や金属板を打抜き加工したリードフレー
ム様のものなどいずれを用いても同様の効果が得られ、
本発明の目的を達成することができる。
以上説明したように本発明は、金属キャップにコンデン
サを設けることにより、チップ内に容量を形成したり、
パッケージの外に容量素子を接続することなくチップ内
の回路に必要な容量を接続できる効果がある。
サを設けることにより、チップ内に容量を形成したり、
パッケージの外に容量素子を接続することなくチップ内
の回路に必要な容量を接続できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ）、（
ｂ）はこの一実施例に使用する金属キャップの平面図及
び断面図、第３図はこの一実施例において金属キャップ
で封止する前の状態を示す平面図、第４図は従来例の断
面図、第５図は従来例において金属キャップで封止する
前の状態を示す平面図である。
ｂ）はこの一実施例に使用する金属キャップの平面図及
び断面図、第３図はこの一実施例において金属キャップ
で封止する前の状態を示す平面図、第４図は従来例の断
面図、第５図は従来例において金属キャップで封止する
前の状態を示す平面図である。
１・・・ＩＣチップ、２・・・引き出し端子、３・・・
金属ワイヤー、４・・・配線導体、５・・・金属ワイヤ
ー、６配線導体、７・・・封止用導体、８・・・端子ピ
ン、９・・・金属キャップ、１０・・・誘電体膜、１１
・・・金属膜。
金属ワイヤー、４・・・配線導体、５・・・金属ワイヤ
ー、６配線導体、７・・・封止用導体、８・・・端子ピ
ン、９・・・金属キャップ、１０・・・誘電体膜、１１
・・・金属膜。
Claims (1)
- ベースに半導体チップを搭載し、金属キャップを被せて
封止してなる半導体装置において、前記金属キャップの
前記半導体チップに対向する面に誘電体膜と金属膜を積
層したコンデンサが設けられ、前記金属膜は前記半導体
チップの所定の引き出し端子に接続されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260482A JPH03123068A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260482A JPH03123068A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123068A true JPH03123068A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17348572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260482A Pending JPH03123068A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03123068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19847175A1 (de) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh | Integrierte Speicherschaltungsanordnung |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP1260482A patent/JPH03123068A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19847175A1 (de) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh | Integrierte Speicherschaltungsanordnung |
| US6185124B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-02-06 | Zentrum Mikroelektronik Dresden Gmbh | Storage circuit apparatus |
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