JPH03120827A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPH03120827A JPH03120827A JP25939689A JP25939689A JPH03120827A JP H03120827 A JPH03120827 A JP H03120827A JP 25939689 A JP25939689 A JP 25939689A JP 25939689 A JP25939689 A JP 25939689A JP H03120827 A JPH03120827 A JP H03120827A
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- chlorine gas
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタンと窒素とを主成分とする第１の膜がア
ルミニウムを主成分とする第２の膜に付されている状態
のこれら第１及び第２の膜をエソ〔発明の概要〕 本発明は、上記の様なエツチング方法において、第１の
膜と第２の膜とで異なるエツチングガスを用いることに
よって、エツチングに伴うダストの発生を低減させるこ
とができる様にしたものである。
ルミニウムを主成分とする第２の膜に付されている状態
のこれら第１及び第２の膜をエソ〔発明の概要〕 本発明は、上記の様なエツチング方法において、第１の
膜と第２の膜とで異なるエツチングガスを用いることに
よって、エツチングに伴うダストの発生を低減させるこ
とができる様にしたものである。
半導体装置の配線の材料としては、ＩＣプロセスとの適
合性に優れていること等から、ＡＮが従来から多く採用
されている。
合性に優れていること等から、ＡＮが従来から多く採用
されている。
ところが、配線ルールが微細になるにつれ、Ａｉ自体の
光の反射を無視できなくなってきて、リソグラフィ工程
でのバターニングが困難になってきている。
光の反射を無視できなくなってきて、リソグラフィ工程
でのバターニングが困難になってきている。
即ち、第２図に示す様に、眉間絶縁膜１１の段差部にＡ
ｊ２−Ｓｉ膜１２を堆積させてパターニングを行う場合
、露光用の光１３がＡＡ−３ｉ膜１２で反射されてレジ
スト１４へ入射するので、レジスト１４を正確にパター
ニングすることができない。
ｊ２−Ｓｉ膜１２を堆積させてパターニングを行う場合
、露光用の光１３がＡＡ−３ｉ膜１２で反射されてレジ
スト１４へ入射するので、レジスト１４を正確にパター
ニングすることができない。
そこで、第３図に示す様に、レジスト１４と＾Ｉｔ−５
ｉ膜１２との間に反射防止用のＴｉＮ膜１膜上５設ける
ことが考えられている（例えば、特開昭６３−２３２４
３２号公報）。
ｉ膜１２との間に反射防止用のＴｉＮ膜１膜上５設ける
ことが考えられている（例えば、特開昭６３−２３２４
３２号公報）。
ところが、ＴｔＮ膜１５等の反射防止膜を設けると、Ｃ
Ｉ、ガスのみでは、レジスト１４をマスクにしてＱｌｌ
−Ｓｉ膜１２をエツチングすることができない。
Ｉ、ガスのみでは、レジスト１４をマスクにしてＱｌｌ
−Ｓｉ膜１２をエツチングすることができない。
第４図は、１μｍの厚さの＾ｊ２−Ｓｉ膜１２上に３９
ｎｍの厚さのＴｉＮ膜１膜上５ジスト１４とを付し、Ｃ
ｌ２＝ ２０ＳＣＣＭ、２Ｐａ、 ０．２ Ｗｃｍ−２
で１２分間エツチングした結果を示している。この第４
図から明らかな様に、ＴｉＮ膜１膜上５ツチングは進行
せず、レジスト１４のみが減少した。
ｎｍの厚さのＴｉＮ膜１膜上５ジスト１４とを付し、Ｃ
ｌ２＝ ２０ＳＣＣＭ、２Ｐａ、 ０．２ Ｗｃｍ−２
で１２分間エツチングした結果を示している。この第４
図から明らかな様に、ＴｉＮ膜１膜上５ツチングは進行
せず、レジスト１４のみが減少した。
このため、第３図に示した様に、ＴｉＮ膜１膜上５けた
場合は、還元性のＢ（Ｊ、ガスをＣＪｚガスに添加した
ＢＣｌ、／ （Ｊ、ガス等でＴｉＮ膜１膜上５ｌｌ−Ｓ
ｉ膜１２とを引き続いてエツチングしていた。
場合は、還元性のＢ（Ｊ、ガスをＣＪｚガスに添加した
ＢＣｌ、／ （Ｊ、ガス等でＴｉＮ膜１膜上５ｌｌ−Ｓ
ｉ膜１２とを引き続いてエツチングしていた。
しかしながらＢ（Ｊ３ガスは、残留水分や酸素等と容易
に反応してホウ酸ＣＢｔｏりを形成するので、ダストの
発生原因となり易い。
に反応してホウ酸ＣＢｔｏりを形成するので、ダストの
発生原因となり易い。
従って、エツチングガスにはＢｌｌ’＋ガスを含まない
方が好ましいが、上述の様に、Ｃβ２ガス単独ではＴｉ
Ｎ膜１膜上５したへ〇−Ｓｔ膜１２をエツチングするこ
とができない。
方が好ましいが、上述の様に、Ｃβ２ガス単独ではＴｉ
Ｎ膜１膜上５したへ〇−Ｓｔ膜１２をエツチングするこ
とができない。
なお、ＴｉＮ膜１膜上５したへ〇−３ｉ膜１２をエツチ
ングするために、ＢＣｆｆｉ、ガスの代りに５ｉＣＮ４
ガスやＣＣｌ４ガス等をＣ１，ガスに添加することもで
きる。しかしこれらの場合も、夫々Ｓｉｎ、、カーボン
等のダストが発生する。
ングするために、ＢＣｆｆｉ、ガスの代りに５ｉＣＮ４
ガスやＣＣｌ４ガス等をＣ１，ガスに添加することもで
きる。しかしこれらの場合も、夫々Ｓｉｎ、、カーボン
等のダストが発生する。
本発明によるエツチング方法は、還元性ガスを添加した
塩素ガスを用いて第１の膜１５をエツチングし、塩素ガ
スを用いて第２の膜Ｉ２をエツチングする様にしている
。
塩素ガスを用いて第１の膜１５をエツチングし、塩素ガ
スを用いて第２の膜Ｉ２をエツチングする様にしている
。
本発明によるエツチング方法では、還元性ガスを添加し
た塩素ガスを用いて第１の膜１５をエツチングしている
ので、チタンと窒素とを主成分とする第１の膜１５のエ
ツチングが可能である。
た塩素ガスを用いて第１の膜１５をエツチングしている
ので、チタンと窒素とを主成分とする第１の膜１５のエ
ツチングが可能である。
一方、アルミニウムを主成分とする第２の膜１２のエツ
チングには塩素ガスのみを用いているので、その分だけ
還元性ガスの使用量が少なくてよい。
チングには塩素ガスのみを用いているので、その分だけ
還元性ガスの使用量が少なくてよい。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例でも、第４図に示した場合と同様に、１μｍの
厚さのＡｊ！−３ｉ膜１２上に３Ｑｎｍの厚さのＴｉＮ
膜１膜上５ジスト１４とを付した。
厚さのＡｊ！−３ｉ膜１２上に３Ｑｎｍの厚さのＴｉＮ
膜１膜上５ジスト１４とを付した。
しかし本実施例では、ＢＣＪ！ ３ ＝ １０ＳＣＣＭ
、 Ｃ１ｚ＝ ２０ ＳＣＣＭ、２Ｐａ、０．２ Ｗｃ
ｍ−”、３分間と、ＣＺ２−１０ＳＣＣＭ、 ２Ｐａ、
０．２ Ｗｃｍ−２，７分間という２段階のエツチン
グを行った。
、 Ｃ１ｚ＝ ２０ ＳＣＣＭ、２Ｐａ、０．２ Ｗｃ
ｍ−”、３分間と、ＣＺ２−１０ＳＣＣＭ、 ２Ｐａ、
０．２ Ｗｃｍ−２，７分間という２段階のエツチン
グを行った。
第１段階のエツチングでは、（１２ガスに還元性のＢＣ
ｌ３ガスを添加したので、ＴｉＮ膜１膜上５元される。
ｌ３ガスを添加したので、ＴｉＮ膜１膜上５元される。
このため、３分間で、ＴｉＮ膜１膜上５全にエツチング
されてＡｎ！−Ｓｉ膜１２が露出した。
されてＡｎ！−Ｓｉ膜１２が露出した。
第２段階のエツチングでは、第１図からも明らかな様に
、Ｃｊ２２ガスのみでＡｎ−Ｓｉ膜１２が異方性エツチ
ングされた。
、Ｃｊ２２ガスのみでＡｎ−Ｓｉ膜１２が異方性エツチ
ングされた。
これは、イオンがレジスト１４をスパッタエッチし、そ
の分解物がＡｌ１−５ｔ膜１２の側壁に付着して保護膜
を形成し、塩素ラジカルによるＡｌ−５ｉ膜１２のサイ
ドアタック反応が防止されているからである。
の分解物がＡｌ１−５ｔ膜１２の側壁に付着して保護膜
を形成し、塩素ラジカルによるＡｌ−５ｉ膜１２のサイ
ドアタック反応が防止されているからである。
以上の様に本実施例では、反射防止膜であるＴｉＮ膜１
膜上５ツチングするための第１段階のエツチングと、Ａ
ｊ！−Ｓｉ膜１２をエツチングするための第２段階のエ
ツチングとを行っており、ＢＣｌ３／Ｃ１２ガスは第１
段階のエツチングでしか用いていない。
膜上５ツチングするための第１段階のエツチングと、Ａ
ｊ！−Ｓｉ膜１２をエツチングするための第２段階のエ
ツチングとを行っており、ＢＣｌ３／Ｃ１２ガスは第１
段階のエツチングでしか用いていない。
従って、１ｌｌ−５ｉ膜１２のエツチングの終了までＢ
Ｃβ３／ Ｃｒ２ガスを用いる既述の一従来例に比べて
ＢＣ７！３ガスの消費量が少なく、ホウ酸のダストの発
生も少ない。
Ｃβ３／ Ｃｒ２ガスを用いる既述の一従来例に比べて
ＢＣ７！３ガスの消費量が少なく、ホウ酸のダストの発
生も少ない。
既述の様にＢ（１！：ｌガスの代りに５ｉＣＮ＜ガスや
ＣＣβ４ガス等をＣｒ２ガスに添加することもできるが
、これらの場合も、夫々ＳｉＯつ、カーボン等のダスト
の発生が少なくなる。
ＣＣβ４ガス等をＣｒ２ガスに添加することもできるが
、これらの場合も、夫々ＳｉＯつ、カーボン等のダスト
の発生が少なくなる。
なお、本実施例では、反射防止膜としてＴｉＮ膜１５を
用いたが、酸素を含むＴ＋Ｎｌ漠つまりＴｉ０Ｎ膜等を
反射防止膜として用いることもできる。
用いたが、酸素を含むＴ＋Ｎｌ漠つまりＴｉ０Ｎ膜等を
反射防止膜として用いることもできる。
第１図は本発明の一実施例の結果を示す側断面図、第２
図はりソゲラフイエ程における問題点を示す側断面図、
第３図は反射防止膜を付した状態を示す側断面図、第４
図は（Ｊ２ガスのみによるエツチングの結果を示す側断
面図である。
図はりソゲラフイエ程における問題点を示す側断面図、
第３図は反射防止膜を付した状態を示す側断面図、第４
図は（Ｊ２ガスのみによるエツチングの結果を示す側断
面図である。
なお図面に用いた符号において、
１２−・・・・−一−−−−−・−−−−Ａ ７！−Ｓ
ｉ膜１５−・−−−−一−−−・−−−−−Ｔ ｉ
Ｎ膜である。
ｉ膜１５−・−−−−一−−−・−−−−−Ｔ ｉ
Ｎ膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チタンと窒素とを主成分とする第１の膜がアルミニウム
を主成分とする第２の膜に付されている状態のこれら第
１及び第２の膜をエッチングするエッチング方法におい
て、 還元性ガスを添加した塩素ガスを用いて前記第１の膜を
エッチングし、 塩素ガスを用いて前記第２の膜をエッチングするエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25939689A JPH03120827A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25939689A JPH03120827A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120827A true JPH03120827A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17333553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25939689A Pending JPH03120827A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136274A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-06-01 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の層間接続方法 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP25939689A patent/JPH03120827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136274A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-06-01 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置の層間接続方法 |
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