JPH03116745A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03116745A JPH03116745A JP25430189A JP25430189A JPH03116745A JP H03116745 A JPH03116745 A JP H03116745A JP 25430189 A JP25430189 A JP 25430189A JP 25430189 A JP25430189 A JP 25430189A JP H03116745 A JPH03116745 A JP H03116745A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第３図（ａ）
、 （ｂ）に示すように半導体素子ｌをリードフレーム
の半導体素子搭載台部１６に銀ペースト等により固着し
た後、金線１７により半導体素子ｌの電極１８と外部導
出リード６とを結線し、エポキシ樹脂１３により樹脂封
止していた。
、 （ｂ）に示すように半導体素子ｌをリードフレーム
の半導体素子搭載台部１６に銀ペースト等により固着し
た後、金線１７により半導体素子ｌの電極１８と外部導
出リード６とを結線し、エポキシ樹脂１３により樹脂封
止していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、０．１２５〜
０、２５ ｍｍ程度の厚さを有する金属板をプレス加工
あるいはエツチング加工することによりその内部リード
パターンを形成していたが、半導体装置の多ピン化に伴
ないリードパターンのリード幅をより細く形成する必要
がでてきた。しかじから、従来方式のリードフレームで
は、内部リードピッチはリードフレーム板厚の８０％程
度迄しかリードを細く加工することができず、半導体素
子のサイズが小さくかつ多ピンのものについては対応が
とれないという欠点を有していた。
０、２５ ｍｍ程度の厚さを有する金属板をプレス加工
あるいはエツチング加工することによりその内部リード
パターンを形成していたが、半導体装置の多ピン化に伴
ないリードパターンのリード幅をより細く形成する必要
がでてきた。しかじから、従来方式のリードフレームで
は、内部リードピッチはリードフレーム板厚の８０％程
度迄しかリードを細く加工することができず、半導体素
子のサイズが小さくかつ多ピンのものについては対応が
とれないという欠点を有していた。
また、半導体素子の電極パッドピッチがより小さくなり
１００μｍ前後になると、従来のワイヤーポンディング
では半導体素子の電極パッドと内部リードとのボンディ
ングが困難になってしまうという問題を有していた。
１００μｍ前後になると、従来のワイヤーポンディング
では半導体素子の電極パッドと内部リードとのボンディ
ングが困難になってしまうという問題を有していた。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子をリード
フレーム上に搭載して樹脂封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体素子がプリント配線を有す
る基板を介してリードフレーム上に搭載され、かつ前記
半導体素子の電極パッドと前記プリント配線の一方の端
部電極が直接重なるように接合され、さらに、前記プリ
ント配線の他方の端部電極が前記リードフレームの外部
導出リードと接続された構造を有することを特徴とする
。
フレーム上に搭載して樹脂封止してなる樹脂封止型半導
体装置において、前記半導体素子がプリント配線を有す
る基板を介してリードフレーム上に搭載され、かつ前記
半導体素子の電極パッドと前記プリント配線の一方の端
部電極が直接重なるように接合され、さらに、前記プリ
ント配線の他方の端部電極が前記リードフレームの外部
導出リードと接続された構造を有することを特徴とする
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
ＦＡ１図（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の封止
樹脂を透視して見た平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図である。本実施例の半導
体装置は、半導体素子１がプリント配線を有する基板２
上に半田バンブ等を介して接合されている。プリント配
線１０の一方の端部電極と半導体素子１の電極パッドと
が直接重なるように半田バンプ等を介して接合されてい
る。また基板２は、はぼ同サイズの基板パッド３と接着
剤により固若されている。プリント配線１０の他方の端
部電極と外部リード６は金線等の金属細線によりワイヤ
ーポンディングにより接続されている。
樹脂を透視して見た平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図である。本実施例の半導
体装置は、半導体素子１がプリント配線を有する基板２
上に半田バンブ等を介して接合されている。プリント配
線１０の一方の端部電極と半導体素子１の電極パッドと
が直接重なるように半田バンプ等を介して接合されてい
る。また基板２は、はぼ同サイズの基板パッド３と接着
剤により固若されている。プリント配線１０の他方の端
部電極と外部リード６は金線等の金属細線によりワイヤ
ーポンディングにより接続されている。
プリント配線のピッチは１００〜１２０μｍ程度に加工
可能なため、従来のリードフレームタイツのリードピッ
チ２２０〜２４０μｍよりも約２倍に配線密度を高くす
ることができる。
可能なため、従来のリードフレームタイツのリードピッ
チ２２０〜２４０μｍよりも約２倍に配線密度を高くす
ることができる。
第２図（ａ）は本発明の他の実施例の半導体装置の封止
樹脂を透視して見た平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図である。
樹脂を透視して見た平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図である。
外部リード６はプリント配線基板２に半田等で直線接続
され、プリント配線基板２の内部を配線が通り半導体素
子１の電極パッド８と電気的接続を得ることができる。
され、プリント配線基板２の内部を配線が通り半導体素
子１の電極パッド８と電気的接続を得ることができる。
この実施例はプリント配線基板２と外部リード６とを金
属細線でワイヤボンディングする必要がなく、安定した
接続を得ることができるという利点がある。
属細線でワイヤボンディングする必要がなく、安定した
接続を得ることができるという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体素子をプリント配
線を有する基板上に搭載することにより、従来のリード
フレーム方式よりさらに内部リードピッチを小さくする
ことができ、かつプリント配線の一方の端部電極と半導
体素子の電極パッドを直接重なるように接合したため、
半導体素子の電極パッドピッチの縮小化に対しても対応
可能となり比較的サイズの小さい半導体素子の多ピン化
が実現できるという効果がある。
線を有する基板上に搭載することにより、従来のリード
フレーム方式よりさらに内部リードピッチを小さくする
ことができ、かつプリント配線の一方の端部電極と半導
体素子の電極パッドを直接重なるように接合したため、
半導体素子の電極パッドピッチの縮小化に対しても対応
可能となり比較的サイズの小さい半導体素子の多ピン化
が実現できるという効果がある。
第１１４（ａ）は本発明の一実施例の半導体装置の封止
樹脂を透視して見た平面図、第１図Ｃｂ）は第１図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図、第２図（ａ）は本発明
の他の実施例の半導体装置の封止樹脂を透視して見た平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のｘ−ｘ’線におけ
る断面図、第３図（ａ）は従来の半導体装置の封止樹脂
を透視して見た平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
ｘ−ｘ’線における断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・基板、３・
・・・・・基板パッド、４・・・・・・吊りリード、５
・・・・・・内部リード、６・・・・・・外部リード、
７・・・・・・タイバー ８・・・・・・電極パッド、
９・・・・・・バンブ、１０・・・・・・プリント配線
、１１・・・・・・バンブ、１２・・・・・・ボンディ
ング°ワイヤー１３・・・・・・樹脂封止部、１４・・
・・・・リードフレーム外枠、１５・・・・・・リード
フレーム吊りリード、１６・・・・・・台部、１７・・
・・・・金線、１８・・・・・・電極。
樹脂を透視して見た平面図、第１図Ｃｂ）は第１図（ａ
）のｘ−ｘ’線における断面図、第２図（ａ）は本発明
の他の実施例の半導体装置の封止樹脂を透視して見た平
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のｘ−ｘ’線におけ
る断面図、第３図（ａ）は従来の半導体装置の封止樹脂
を透視して見た平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の
ｘ−ｘ’線における断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・基板、３・
・・・・・基板パッド、４・・・・・・吊りリード、５
・・・・・・内部リード、６・・・・・・外部リード、
７・・・・・・タイバー ８・・・・・・電極パッド、
９・・・・・・バンブ、１０・・・・・・プリント配線
、１１・・・・・・バンブ、１２・・・・・・ボンディ
ング°ワイヤー１３・・・・・・樹脂封止部、１４・・
・・・・リードフレーム外枠、１５・・・・・・リード
フレーム吊りリード、１６・・・・・・台部、１７・・
・・・・金線、１８・・・・・・電極。
Claims (1)
- 半導体素子をリードフレーム上に搭載して樹脂封止して
なる樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子が
プリント配線を有する基板を介してリードフレーム上に
搭載され、かつ前記半導体素子の電極パッドと前記プリ
ント配線の一方の端部電極が直接重なるように接合され
、さらに、前記プリント配線の他方の端部電極が前記リ
ードフレームの外部導出リードと接続された構造を有す
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25430189A JPH03116745A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25430189A JPH03116745A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116745A true JPH03116745A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17263084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25430189A Pending JPH03116745A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101161814B1 (ko) * | 2009-06-15 | 2012-07-03 | 주식회사 성훈이엔지 | 가로등 기초 |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP25430189A patent/JPH03116745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101161814B1 (ko) * | 2009-06-15 | 2012-07-03 | 주식회사 성훈이엔지 | 가로등 기초 |
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