JPH03116521A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH03116521A JPH03116521A JP25566389A JP25566389A JPH03116521A JP H03116521 A JPH03116521 A JP H03116521A JP 25566389 A JP25566389 A JP 25566389A JP 25566389 A JP25566389 A JP 25566389A JP H03116521 A JPH03116521 A JP H03116521A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020705 Co—Rh Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N vorolanib Chemical compound C1N(C(=O)N(C)C)CC[C@@H]1NC(=O)C1=C(C)NC(\C=C/2C3=CC(F)=CC=C3NC\2=O)=C1C KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
記録再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上の
努力は継続的に行われておシ、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている〔アイイーイーイートランザクションズオンマグ
ネティクス(I EEETRANSACTIONS
ON MAGNETIC3)vow。
努力は継続的に行われておシ、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている〔アイイーイーイートランザクションズオンマグ
ネティクス(I EEETRANSACTIONS
ON MAGNETIC3)vow。
MAG−21,No−3,P、P、1217〜’122
0.(1985)、)。
0.(1985)、)。
強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられ
るが、現実的な可能性が示されているものは少く、Co
−0r等の垂直磁化膜(特公昭58−91号公報、特開
昭61−120331号公報)やC。
るが、現実的な可能性が示されているものは少く、Co
−0r等の垂直磁化膜(特公昭58−91号公報、特開
昭61−120331号公報)やC。
−Ni、Co−Ni−0等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜
(特公昭41−19389号公報、特開昭53−420
10号公報)等で、実用化の目的で最近ではもっばら、
保護潤滑層の開発が検討の中心となっている。現状では
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ム上に直接あるいは微粒子などの下塗りを行った後電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配
し、その面に直接溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエー
テル等の潤滑剤を溶小した溶液を塗布乾燥する法(特開
昭67−179948号公報、特開昭61−17871
8号公報)や、酸化膜を介して潤滑剤を配する(特開昭
61−151830号公報)ことや、炭素膜とフロロカ
ーボン系の組み合わせ(特開昭61−142525号公
報)等が提案され、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚い
とはいうものの一部実用化され、炭素質についても検討
が進み硬度を高めることの有用性(米国特許第4 、7
17 、622号明細書)も知られるに至っている。
(特公昭41−19389号公報、特開昭53−420
10号公報)等で、実用化の目的で最近ではもっばら、
保護潤滑層の開発が検討の中心となっている。現状では
ポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィル
ム上に直接あるいは微粒子などの下塗りを行った後電子
ビーム蒸着法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配
し、その面に直接溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエー
テル等の潤滑剤を溶小した溶液を塗布乾燥する法(特開
昭67−179948号公報、特開昭61−17871
8号公報)や、酸化膜を介して潤滑剤を配する(特開昭
61−151830号公報)ことや、炭素膜とフロロカ
ーボン系の組み合わせ(特開昭61−142525号公
報)等が提案され、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚い
とはいうものの一部実用化され、炭素質についても検討
が進み硬度を高めることの有用性(米国特許第4 、7
17 、622号明細書)も知られるに至っている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、より短波長化を進める上で、スペーシン
グ損失の問題は重大で、保護膜の膜厚制限も200Å以
下と厳しく、耐久性と短波長C/Nが十分高い水準でバ
ランスしないといった課題があり解決が望まれている。
グ損失の問題は重大で、保護膜の膜厚制限も200Å以
下と厳しく、耐久性と短波長C/Nが十分高い水準でバ
ランスしないといった課題があり解決が望まれている。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので耐久性とC
/Nの改良された磁気記録媒体を提供するものである。
/Nの改良された磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
高分子フイルム1に微粒子を配した上に強磁性金属薄膜
を配した表面が平滑面をもたないようにしたものである
。
高分子フイルム1に微粒子を配した上に強磁性金属薄膜
を配した表面が平滑面をもたないようにしたものである
。
作 用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、平滑面が
ないことが応力集中による局部破壊が起らないことにな
シ、従って凹凸を小さくしても耐久性が確保でき、C/
Nも向上する。
ないことが応力集中による局部破壊が起らないことにな
シ、従って凹凸を小さくしても耐久性が確保でき、C/
Nも向上する。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の磁気記録媒体の実
施例について説明する。
施例について説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の第1の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、第1図で1は、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリブエニレンサルフ1イ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、等の高分子フィルム
で、2は微粒子でSiO、TiO2,Cr2O3,A6
203.SnO2,力ボン、ポリエステIし、ポリイミ
ド等で100人から300人の範囲の球状或いは、球に
近い形状が望ましい。勿論扁平なものでも後述するよう
に条件も最適化すれば、本発明を具体化できる。3はポ
リエステル、エポキシ、ポリウレタン等の固定樹脂で、
4はGo−Ni 、 Co−Cr 、 Co−Ti 、
C。
面図で、第1図で1は、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート、ポリブエニレンサルフ1イ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、等の高分子フィルム
で、2は微粒子でSiO、TiO2,Cr2O3,A6
203.SnO2,力ボン、ポリエステIし、ポリイミ
ド等で100人から300人の範囲の球状或いは、球に
近い形状が望ましい。勿論扁平なものでも後述するよう
に条件も最適化すれば、本発明を具体化できる。3はポ
リエステル、エポキシ、ポリウレタン等の固定樹脂で、
4はGo−Ni 、 Co−Cr 、 Co−Ti 、
C。
−Mo 、Co−Ta 、Co−0、Co−P 、Co
−Ni−0゜Co−0r −Nb 、 Co−N i−
P r等の強磁性金属薄膜で、6は保護潤滑膜でプラズ
マ重合膜、5102膜。
−Ni−0゜Co−0r −Nb 、 Co−N i−
P r等の強磁性金属薄膜で、6は保護潤滑膜でプラズ
マ重合膜、5102膜。
アモルファスカーボン膜、脂肪酸、パーフルオロポリエ
ーテル等を組み合わせることによシ構成されるものでス
ペーシング損失と耐久性のバランスによシ適宜、好まし
い系でまとめていくものとする。本発明の磁気記録層で
ある強磁性金属薄膜は、微細な突起を数多く持ち、かつ
、平滑部のないよう構成されるもので、かかる構成を得
るには、核となる微粒子の大きさ、密度、と強磁性金属
薄膜形成条件(入射角、膜厚等)とで条件範囲を決めて
実施するものとする。
ーテル等を組み合わせることによシ構成されるものでス
ペーシング損失と耐久性のバランスによシ適宜、好まし
い系でまとめていくものとする。本発明の磁気記録層で
ある強磁性金属薄膜は、微細な突起を数多く持ち、かつ
、平滑部のないよう構成されるもので、かかる構成を得
るには、核となる微粒子の大きさ、密度、と強磁性金属
薄膜形成条件(入射角、膜厚等)とで条件範囲を決めて
実施するものとする。
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成によシ、ヘッド
部に存在する微細突起から受ける局部的な応力増で膜の
破壊がなく、良好な潤滑状態を持続できることになる。
部に存在する微細突起から受ける局部的な応力増で膜の
破壊がなく、良好な潤滑状態を持続できることになる。
以下更に具体的な実施例を比較例との対比で説明する。
厚み10μmの平均粗さ20人、最大粗大40入の極め
て平滑性の良好なポリエチレンテレフタートフィルム上
に粒子間の平均距離を変化させて微粒子を配置し、曲率
半径1m66曲面に沿わせて、Co−Ni (Co 8
0 wt%)を斜め蒸着し、その上にフォンプリンz−
26を1.2(ダ/m3)塗布し、8ミリ幅の磁気テー
プにしギャップ長0.2μmのセンダストスパッタ膜を
用いたメタルインギャップヘッドによシ記録波長0.4
4μmを記録し、再生C/Nと耐久性をスチpで評価し
た。
て平滑性の良好なポリエチレンテレフタートフィルム上
に粒子間の平均距離を変化させて微粒子を配置し、曲率
半径1m66曲面に沿わせて、Co−Ni (Co 8
0 wt%)を斜め蒸着し、その上にフォンプリンz−
26を1.2(ダ/m3)塗布し、8ミリ幅の磁気テー
プにしギャップ長0.2μmのセンダストスパッタ膜を
用いたメタルインギャップヘッドによシ記録波長0.4
4μmを記録し、再生C/Nと耐久性をスチpで評価し
た。
一方比較例は、同じフィルムを用土直径200人の81
02微粒子を26ケ/μ”’−30ケ/μ2配し直径1
mの円筒キャンに沿わせ、4X1σ5(Torに)の酸
素中でGo−Ni (Co : 80wt % )を0
、2/jm電子ビーム蒸着(θma! ” ” θ
mlmlユニ46LA同じくフォンプリンZ−26を1
.2(”f/i)塗布したものを用いた。
02微粒子を26ケ/μ”’−30ケ/μ2配し直径1
mの円筒キャンに沿わせ、4X1σ5(Torに)の酸
素中でGo−Ni (Co : 80wt % )を0
、2/jm電子ビーム蒸着(θma! ” ” θ
mlmlユニ46LA同じくフォンプリンZ−26を1
.2(”f/i)塗布したものを用いた。
実施例−八は、直径200人の5102微粒子を微粒子
間の平均距離を1oOo人とし、θma!=7o0θm
lユ=30°、酸素分圧3×1σ5(Torr ) C
。
間の平均距離を1oOo人とし、θma!=7o0θm
lユ=30°、酸素分圧3×1σ5(Torr ) C
。
−Ni を0.2μm電子ビーム蒸着したもので、実
施例−Bは、直径400人のポリスルフォン微粒子を樹
脂で埋めて、高さが200への突起を平均粒子間220
0人の条件で配し、酸素分圧2×1σ5(Torr )
、θmax=80°、θm1n=25°でCo−Ni
を0.24μm蒸着したものである。
施例−Bは、直径400人のポリスルフォン微粒子を樹
脂で埋めて、高さが200への突起を平均粒子間220
0人の条件で配し、酸素分圧2×1σ5(Torr )
、θmax=80°、θm1n=25°でCo−Ni
を0.24μm蒸着したものである。
実施例−八、同−Bは平滑部の面積は面積比率で175
00以下で、比較例は面積比率で%であった。
00以下で、比較例は面積比率で%であった。
本発明の効果は他の実験を総括して平滑部の面積比率が
1/200以下を実質的に平滑部をもたないものとして
考えてよいといえる。
1/200以下を実質的に平滑部をもたないものとして
考えてよいといえる。
夫々のテープの評価結果は第1表に示した。
尚スチル特性は出力が3
(dB)低下するまでの時
間で、40回測定した時の最低値を示した。
(実施例2)
課題を解決する別の手段は、高分子フィルム上に薄膜を
配した上に微粒子を配し、更にその上に強磁性金属薄膜
を配した表面が平滑面をもたないようにしたものである
。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、微粒子
の分散を均一化できるので実施例−1でのべた作用効果
が更に改善される。又、薄膜を強磁性金属薄膜で構成す
れば2層の強磁性金属薄膜間の磁気的分離が更に改善さ
れ雑音が低下しC/N改善は更に進む。
配した上に微粒子を配し、更にその上に強磁性金属薄膜
を配した表面が平滑面をもたないようにしたものである
。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、微粒子
の分散を均一化できるので実施例−1でのべた作用効果
が更に改善される。又、薄膜を強磁性金属薄膜で構成す
れば2層の強磁性金属薄膜間の磁気的分離が更に改善さ
れ雑音が低下しC/N改善は更に進む。
第2図は本発明の第2の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、第2図で第1図と同様の構成でよいものは同一
の番号を付しである。第2図で6は薄膜で、Ti 、C
r 、SL 、Ge 、Ta 、Ru 、Rh、Ni−
Cr 、 Al−T i 、 Cr−8n等の非磁性薄
膜NiFe。
面図で、第2図で第1図と同様の構成でよいものは同一
の番号を付しである。第2図で6は薄膜で、Ti 、C
r 、SL 、Ge 、Ta 、Ru 、Rh、Ni−
Cr 、 Al−T i 、 Cr−8n等の非磁性薄
膜NiFe。
Mo−Ni−Fe等の軟磁性薄膜でもよいし、勿論。
−Mo 、Co−W、Co−Rh 、Co−P 、Co
−Ni−0゜Co−Cr−Nb等のスパッタ膜、斜め蒸
着膜で、本発明の構成要件を満たすようにする方法は実
施例−1と同様であるが、薄膜上への微粒子分散は極め
て良好となることで、条件を満足するようにした時に、
微粒子間の距離の分散が小さくでき、よシC/N改善が
進む。
−Ni−0゜Co−Cr−Nb等のスパッタ膜、斜め蒸
着膜で、本発明の構成要件を満たすようにする方法は実
施例−1と同様であるが、薄膜上への微粒子分散は極め
て良好となることで、条件を満足するようにした時に、
微粒子間の距離の分散が小さくでき、よシC/N改善が
進む。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み10μmの平均粗さ20人、最大粗さ40人の平滑
性の良好なポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄
膜をスパッタリング法又は、電子ビーム蒸着法で形成し
、(直径1mの円筒キャンに沿わせて)その上に直径1
50人の3102微粒子を粒子間の平均距離を900八
としθrnaX ” ” 5度 θmlmlユニ3.酸
素分圧4×1σ5(Torr)でCoCo−N1(Co
so% )を0.2μm電子ビーム蒸着した。
性の良好なポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄
膜をスパッタリング法又は、電子ビーム蒸着法で形成し
、(直径1mの円筒キャンに沿わせて)その上に直径1
50人の3102微粒子を粒子間の平均距離を900八
としθrnaX ” ” 5度 θmlmlユニ3.酸
素分圧4×1σ5(Torr)でCoCo−N1(Co
so% )を0.2μm電子ビーム蒸着した。
薄膜のうち一部の実施例はθmaw”0度 θmlml
ユニ4.酸素分圧2X1 o=(Torr )でCo−
旧(Co 75 wt%)を0.1μm電子ビーム蒸着
したのを含んでいるがその場合は、直径120人のポリ
ウレタン微粒子を、粒子間の平均距離を600八とし、
更にその上にθ!nax=76度、θm1n=30度、
酸素分圧3.5XICf5(Torr)でCo−Ni
(C。
ユニ4.酸素分圧2X1 o=(Torr )でCo−
旧(Co 75 wt%)を0.1μm電子ビーム蒸着
したのを含んでいるがその場合は、直径120人のポリ
ウレタン微粒子を、粒子間の平均距離を600八とし、
更にその上にθ!nax=76度、θm1n=30度、
酸素分圧3.5XICf5(Torr)でCo−Ni
(C。
80wt%)を0.1μm電子ビーム蒸着した。
一方比較例は、粒子(直径180人)を分散させた水溶
性高分子を塗布し、延伸時にひび割れさせミミズ状に粒
子を分散させた(平均密度65ケ/(μm)2)表面を
もった厚み10μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルレム上ニθmax = 75 度eθ、=33度酸素
分圧4X10−5(Torr)で1n Co−Ni (Co 80 wt%)を0.2μm電子
ビーム蒸着した。
性高分子を塗布し、延伸時にひび割れさせミミズ状に粒
子を分散させた(平均密度65ケ/(μm)2)表面を
もった厚み10μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルレム上ニθmax = 75 度eθ、=33度酸素
分圧4X10−5(Torr)で1n Co−Ni (Co 80 wt%)を0.2μm電子
ビーム蒸着した。
夫々、パーフルオロポリエーテルとして市販のモンテジ
ソン社製フォンプリンZ−DOLを1.1(’IP/m
”)塗布し、8ミリ幅のテープにして比較評価した。
ソン社製フォンプリンZ−DOLを1.1(’IP/m
”)塗布し、8ミリ幅のテープにして比較評価した。
その結果を第2表に示した。
第2表の比較例は第1表の比較例よpc/Nが+1.6
(dB)改善されていることを考えあわせると、第1の
実施例より更に表面の均一性が改善されC/Nも耐久性
も共に向上しているとみることができる。
(dB)改善されていることを考えあわせると、第1の
実施例より更に表面の均一性が改善されC/Nも耐久性
も共に向上しているとみることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、よシ良好な表面性を均一
化することで耐久性とC/Nを共に改善できるといった
すぐれた効果がある。
化することで耐久性とC/Nを共に改善できるといった
すぐれた効果がある。
第1図、第2図はそれぞれ第1の実施例、第2の実施例
の磁気記録媒体の拡大断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・微粒子
、3・・・・・・固定樹脂、4,7・・・・・・強磁性
金属薄膜、6・・・・・・薄膜。
の磁気記録媒体の拡大断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・微粒子
、3・・・・・・固定樹脂、4,7・・・・・・強磁性
金属薄膜、6・・・・・・薄膜。
Claims (2)
- (1)高分子フィルム上に微粒子を配した上に強磁性金
属薄膜を配した表面が平滑面をもたないことを特徴とす
る磁気記録媒体。 - (2)高分子フィルム上に薄膜を配した上に微粒子を配
し、更にその上に強磁性金属薄膜を配した表面が平滑面
をもたないことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25566389A JPH03116521A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25566389A JPH03116521A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116521A true JPH03116521A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17281882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25566389A Pending JPH03116521A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03116521A (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25566389A patent/JPH03116521A/ja active Pending
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