JPH0311622A - 排気キャップ - Google Patents
排気キャップInfo
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- JPH0311622A JPH0311622A JP14506089A JP14506089A JPH0311622A JP H0311622 A JPH0311622 A JP H0311622A JP 14506089 A JP14506089 A JP 14506089A JP 14506089 A JP14506089 A JP 14506089A JP H0311622 A JPH0311622 A JP H0311622A
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- exhaust pipe
- cap
- exhaust
- fins
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体拡散炉用プロセスチューブの排気側に
設けるキャップに関するものである。
設けるキャップに関するものである。
従来の技術
半導体の製造工程における酸化、拡散、アニール等の熱
処理工程では、拡散炉用プロセスチューブ(炉心管)が
広く用いられてきた。
処理工程では、拡散炉用プロセスチューブ(炉心管)が
広く用いられてきた。
従来の拡散炉用プロセスチューブは石英ガラスにより構
成されていた。しかし石英ガラス製のチューブにおいて
は、ウェハの大型化、拡散炉の自動化にともない、主に
耐熱性の点で問題が生じてきた。そこでSiCや5iS
iC製のプロセスチューブが広く使用されるようになっ
た。
成されていた。しかし石英ガラス製のチューブにおいて
は、ウェハの大型化、拡散炉の自動化にともない、主に
耐熱性の点で問題が生じてきた。そこでSiCや5iS
iC製のプロセスチューブが広く使用されるようになっ
た。
一方、排気側に用いる排気キャップとしては石英ガラス
質のものを用いるのが常であった。これは石英ガラス質
キャップが安価なこと、および熱伝導率が低いことから
キャップ自体の温度が上昇し難いという理由による。
質のものを用いるのが常であった。これは石英ガラス質
キャップが安価なこと、および熱伝導率が低いことから
キャップ自体の温度が上昇し難いという理由による。
発明が解決しようとする問題点
しかし、例えばSi含浸質SiCチューブに対し石英ガ
ラス質の排気キャップを使用する場合には次のような問
題点が存在する。それは石英ガラスと5i−3iCの熱
膨張係数が大幅に異なる(−桁違う)ために、5iSi
C質チユーブを800〜1000℃に昇温するまで石英
キャップを密閉状態に装着できないことである。すなわ
ち、室温で石英キャップを5i−3iC質チユーブに密
閉する構成にすると、前述の熱膨張率の違いにより、石
英キャップが破損し易くなる。そして、その破損部から
空気等の巻き込みが生じ、炉心管内へダストが混入する
などの不都合が発生し、製品の品質が低下する。
ラス質の排気キャップを使用する場合には次のような問
題点が存在する。それは石英ガラスと5i−3iCの熱
膨張係数が大幅に異なる(−桁違う)ために、5iSi
C質チユーブを800〜1000℃に昇温するまで石英
キャップを密閉状態に装着できないことである。すなわ
ち、室温で石英キャップを5i−3iC質チユーブに密
閉する構成にすると、前述の熱膨張率の違いにより、石
英キャップが破損し易くなる。そして、その破損部から
空気等の巻き込みが生じ、炉心管内へダストが混入する
などの不都合が発生し、製品の品質が低下する。
発明の目的
このような従来技術の問題点に鑑み、本発明は密閉性が
良く、SiC質又は5i−8iC質のプロセスチューブ
に装着し昇温と降温をくり返しても破損の危険がない排
気キヤ・ツブを提供することを目的とする。
良く、SiC質又は5i−8iC質のプロセスチューブ
に装着し昇温と降温をくり返しても破損の危険がない排
気キヤ・ツブを提供することを目的とする。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項1に記
載の排気キャップを要旨としている。
載の排気キャップを要旨としている。
問題点を解決するだめの手段
本発明の排気キャップは、プロセスチューブの排気側に
着脱可能でかつ排気管を設けたキャップにおいて、キャ
ップをSi含浸質SiCで構成し排気管の外壁に多数の
フィンを設けたことを特徴とする。
着脱可能でかつ排気管を設けたキャップにおいて、キャ
ップをSi含浸質SiCで構成し排気管の外壁に多数の
フィンを設けたことを特徴とする。
(フィンの外径)/(排気管の外径)の値は1.5/1
〜3/1であることが望ましい。
〜3/1であることが望ましい。
この比の値が1.5未満では冷却作用が小さく所望の効
果を得ることができない。
果を得ることができない。
フィンのピッチは10mm以上であることが望ましい。
10mm未満ではフィンが相互干渉し、冷却効果が相殺
され望ましくない。
され望ましくない。
作用効果
フィンによって放熱が促進され、排気管端部の温度を下
げることができる。
げることができる。
このため、排気管に石英ガラス管を接続することができ
る。しかもテフロン製のOリングを使用できるので高い
気密性を得ることができる。
る。しかもテフロン製のOリングを使用できるので高い
気密性を得ることができる。
実 施 例
以下、図面を参照して本発明による排気キャップの実施
例を説明する。
例を説明する。
第1図はプロセスチューブ20と排気キャップ10を示
している。プロセスチューブ20はSi含浸質SiC材
料で構成しである。
している。プロセスチューブ20はSi含浸質SiC材
料で構成しである。
プロセスチューブは全体的に円筒形状をしており、一端
にガス導入部21、他端にガス排出部22をもつ。ガス
排出部22は例えば1/10のテーパを持ち、排気キャ
ップ10を装着する構成になっている。
にガス導入部21、他端にガス排出部22をもつ。ガス
排出部22は例えば1/10のテーパを持ち、排気キャ
ップ10を装着する構成になっている。
第2図は排気キャップ10の断面図である。
排気キャップ10はSi含浸質SiC材料で構成さ・れ
ていて接合部13、ディスク部“15、排気管14から
なる。
ていて接合部13、ディスク部“15、排気管14から
なる。
接合部13にはプロセスチューブ20のガス排出部22
のテーパに適合するテーパが設けである。キャップ10
の接合部13をチューブ20に装着することにより、チ
ューブ20を密閉できる構成になっている。
のテーパに適合するテーパが設けである。キャップ10
の接合部13をチューブ20に装着することにより、チ
ューブ20を密閉できる構成になっている。
ディスク部15の中央部にガス排気管14が垂直に設け
である。ガス排気管14は途中で直角に屈曲している。
である。ガス排気管14は途中で直角に屈曲している。
ガス排気管14端部にはフランジ11が設けである。こ
のフランジ11を用いて、例えば石英製の導管を接線で
きる。
のフランジ11を用いて、例えば石英製の導管を接線で
きる。
ガス排気管14の中間部にはディスク型のフィン12が
多数段けである。フィン12は放熱作用を持つ。フィン
12のピッチは10mm以上とし、その外径は排気管1
4の1.5倍以上に設定しである。
多数段けである。フィン12は放熱作用を持つ。フィン
12のピッチは10mm以上とし、その外径は排気管1
4の1.5倍以上に設定しである。
フィン12は排気管14と一体的に構成してもよいし、
別々に作った後に嵌合又は接着してもよい。
別々に作った後に嵌合又は接着してもよい。
次に、フィンの放熱効果を調べた実験例を示す。以下に
示す3つの排気管において、フィン取り付は開始位置か
ら下流方向へ離れた場所における温度を測定した。結果
を第3図に示す。(b)の排気管では放熱効果が十分で
なかったのに対し、(C)の排気管では十分な放熱効果
が得られることが明らかになった。
示す3つの排気管において、フィン取り付は開始位置か
ら下流方向へ離れた場所における温度を測定した。結果
を第3図に示す。(b)の排気管では放熱効果が十分で
なかったのに対し、(C)の排気管では十分な放熱効果
が得られることが明らかになった。
(a)フィン無しの排気管・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・○(b)(フィン外径)/(排気管外
径)=1.3/1の排気管・・・△ (C)(フィン外径)/(排気管外径)1.5/1の排
気管・・・× なお、排気管14は途中で屈曲せず、直線的であっても
よい。
・・・・・・・・○(b)(フィン外径)/(排気管外
径)=1.3/1の排気管・・・△ (C)(フィン外径)/(排気管外径)1.5/1の排
気管・・・× なお、排気管14は途中で屈曲せず、直線的であっても
よい。
フィン12はディスク型に限らず、だ円型や多角形であ
ってもよい。さらにフィンの枚数は自由に設定してよく
、ピッチと外径も前述の条件を満足すれば適宜変更可能
である。
ってもよい。さらにフィンの枚数は自由に設定してよく
、ピッチと外径も前述の条件を満足すれば適宜変更可能
である。
フィン12はSi含浸質SiC以外の熱伝導率の大きい
材料で構成してもよい。この場合排気管14の材料と熱
膨張率が大体同じものを用いる必要がある。
材料で構成してもよい。この場合排気管14の材料と熱
膨張率が大体同じものを用いる必要がある。
このように本発明は前述した実施例に限定されず、様々
な変形が可能である。
な変形が可能である。
第1図はプロセスチューブと本発明による排気キャップ
を示す一部断面をとった側面図、第2図は本発明による
排気キャップを示す断面図、第3図は実験例の結果を示
すグラフである。 10・・・排気キャップ 12・・・フィン 14・・・排気管 0・・・プロセスチューブ
を示す一部断面をとった側面図、第2図は本発明による
排気キャップを示す断面図、第3図は実験例の結果を示
すグラフである。 10・・・排気キャップ 12・・・フィン 14・・・排気管 0・・・プロセスチューブ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プロセスチューブの排気側に取付け可能で かつ排気管を設けた排気キャップにおいて、排気キャッ
プをSi含浸質SiCで構成し、排気管の外側に多数の
フィンを設けたことを特徴とする排気キャップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14506089A JPH0311622A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 排気キャップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14506089A JPH0311622A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 排気キャップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0311622A true JPH0311622A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15376451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14506089A Pending JPH0311622A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 排気キャップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0311622A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5530869A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Furnace core tube for use in diffusion furnace and method of washing same |
JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
JPS58418B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1983-01-06 | バイエル アクチエンゲゼルシヤフト | シンキナイミダゾリルユウドウタイオヨビソノ エンノセイホウ |
JPS60101934A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14506089A patent/JPH0311622A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58418B2 (ja) * | 1973-10-05 | 1983-01-06 | バイエル アクチエンゲゼルシヤフト | シンキナイミダゾリルユウドウタイオヨビソノ エンノセイホウ |
JPS5530869A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Furnace core tube for use in diffusion furnace and method of washing same |
JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
JPS60101934A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-06 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
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