JPH03115157A - Bi系酸化物超電導体の製造法 - Google Patents

Bi系酸化物超電導体の製造法

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JPH03115157A
JPH03115157A JP1252086A JP25208689A JPH03115157A JP H03115157 A JPH03115157 A JP H03115157A JP 1252086 A JP1252086 A JP 1252086A JP 25208689 A JP25208689 A JP 25208689A JP H03115157 A JPH03115157 A JP H03115157A
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JP
Japan
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superconductor
based oxide
sol
gel
oxide superconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP1252086A
Other languages
English (en)
Inventor
Aiko Aoki
青木 愛子
Yoshio Sakka
義雄 目
Minoru Otaguchi
太田口 稔
Yuji Muramatsu
村松 祐治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Research Institute for Metals
Original Assignee
National Research Institute for Metals
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Publication date
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Publication of JPH03115157A publication Critical patent/JPH03115157A/ja
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、B1系酸化物超電導体の製造法に間するも
のである。さらに詳しくは、この発明は、高Tc相の超
電導体を選択的に製造することを可能とするBi系酸化
物超電導体の製造法に関するものである。
(従来の技術) 近年の急速な高温酸化物超電導体技術の開発にともなっ
て、酸化物超電導体の製造やその応用についての様々な
提案が活発になされてきている。
その組成としては、Y系の希土類複合酸化物と、Bi系
およびTj系の非希土類複合酸化物とに大別されるもの
が主流になってきており、その線材化、あるいは薄膜化
という製造上の技術開発も精力的に展開されてきている
特に、わが国において開発されたBi系酸化物超電導体
は、そのTcの高さと、非希土類系ということから世界
的に注目されているものである。
しかしながら、このBi系酸化物については、70〜8
0にの低Tc相と100〜110にの高Tc相との混相
状態が確認されたことから、結晶相全体を、Tcの高い
110に級の高Tc相に選択的に改変することや、高T
c相の製造を選択的に可能とするための方法の開発が重
要な課題となっていた。
この課題を克服するものとして、すでにこれまでにも、
組成成分としてのB1−3r−Ca−Cu酸化物の系に
Pb(iG>を添加することが高Tc相生成に有利であ
ることや、焼成のための温度、時間、雰囲気等を制御す
ることにより高Tc相への選択を容易とすることなどが
見出されてきており、そのための方法ら様々提案されて
きている。
しかしながら、これまでに提案されている方法のいずれ
のものによっても、簡便に、しかも低コストで高選択的
に高Tc相のBi系酸化物超電導体を実現するのは囲器
であった。
簡便に、しかし低コストで、結晶方位やその組成および
構造を制御することができ、高Tc相Bi系酸化物超電
導体を選択的に製造することを可能とする方法は、これ
までのところ実現されていない。
この発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたもので
あり、従来法による限界を克服し、高Tc相の選択性を
高めることのできる、簡便で、かつ低コストな新しい方
法を提供することを目的としてる。
(課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するものとして、Bi系
酸化物超電導体の製造において、Bii酸化物成分元素
の水溶性塩の水溶液を所定の割合に混合し、水酸基含有
有機酸およびグリコール類を添加してゾルを生成させ、
これを加熱・濃縮して生成させたゲルを熱分解して得る
複合酸化物超微粉を成形および焼成することを特徴とす
るBi系酸化物超電導体の製造法を提供する。
この方法におけるゾル−ゲル反応は、これまで−fi的
に知られているアルコキシドを用いたものとは本質的に
相違しており、アルコキシド法に比べると原料費も1%
以下という極めて低いレベルにあり、しかも、アルコキ
シド法に比べ、操作は極めて容易で、アルコキシド法の
場合には、特に多成分系複合酸化物においてはその調整
条件の選択は極めて難しい。もちろん、アルコキシド以
外の方法についても様々検討されてきているが、いずれ
も初歩的検討のレベルに止まり、この発明のようにBi
系複合酸化物超電導体の製造方法として確立された技術
的知見は得られていない。
この発明のツルーゲル反応においては、BISr−Ca
−Cu−0をその目的物組成の基本系としている。また
、B1−3r−Ca−Cu−0を基本成分系としつつ、
さらにこの発明においては、pbの添加や、Cr、Mo
、W、Mn、Zr、AI、Ba等の成分の添加について
もこの発明の方法に包含している。
これらのBi系酸化物超電導体の製造にあたっては、ま
ず、その水溶性塩の水溶液を調整する。
水溶性塩の種類には格別の制限はない、塩化物、硝酸塩
、硫酸塩、炭酸塩、等の適宜な無機塩、有機酸塩、ある
いは錐体が選択される。この時、これら水溶性塩は、B
i系超超電導体して所定のモル比において混合する。
次いで、これら成分金属元素量に対応する当量の水酸基
含有有機酸、たとえばクエン酸などを、エチレングリコ
ール、プロピレングリコールなどのグリコール類ととも
に添加混合してゾルを生成させる。このゾルは次いで加
熱・濃縮して非晶質のゲルに転換する。
このゲルを熱分解し、熱処理することで複合酸化物の超
微粉が得られる。この非晶質ゲルの熱処理は、最終目的
物の結晶方位やIIII織を制御する上の要点となるも
のであり、得られた超微粉の性質を規定する。この発明
の方法においては得られた超微粉は高純度、かつ形状お
よびサイズの揃った単一分散の状態にある。
この超微粉は、次いで常法に従って、成形、仮焼および
焼成、さらに後熱処理等の適宜な手段によって処理する
。この時、バルク焼結体としてもよいし、あるいは、基
板に塗布、あるいは積層して熱処理し、厚膜としてもよ
い、超微粉として、特有の反応によって得た上記のもの
を用いることにより、得られたBi系酸化物超電導体の
高Tc相の選択性は極めて高いものとなる。
以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説
明する。
実施例I Bi、Sr、Ca、Cuの各硝酸塩をモル比1:1:1
:1.8に調整して水溶液とした。この水溶液の金層量
に対して当モルのクエン酸水溶液およびエチレングリコ
ールを添加した。エチレングリコール/クエン酸のモル
比は2とした。
これらの混合液を恒温浴(80℃)において5時間撹拌
し、内容物を加熱・濃縮してゲルを生成させた。
このゲルを乾燥後、磨鉱して熱分解に供しな。
熱分解は、(1)100〜iso℃、(2)200℃、
(3) 300℃、(4)400°Cに各2時間保持し
、さらに、500℃および600℃に各3時間保持する
ことによって行った。得られた前M#複合酸化物粉の粒
径は、0.1〜0.01μmの超微粉であった。
この複合超微粉を845℃の温度で2時間仮焼し、さら
にベレットに成形後に870℃の温度で240時間焼成
し、炉冷した。高Tc相が選択的に成長し、X線回折、
交流帯磁率測定、四端子法による電気抵抗測定からT 
c i 10にの高Tc相Bi系超電導体が選択的に得
られることが確認された。
実施例2 B1、Pb、Sr、Ca、Cuの各硝酸塩をモル比0.
7:0.3: 1 : 1 :1.8とした水溶液から
、実施例1と同様にして混合酸化物超微粉を得た。
845℃で100時間仮焼・焼成後、Tc110にの高
Tc相の生成が確認された。
実施例3 実施例1について、845°Cの温度で2時間仮焼した
ものについてTcを測定したところ、75に級しか得ら
れなかったが、実施例1に示した通りこれを875℃で
200時間焼成したところ、Tc110に級の超電導体
が得られた。
比較例 実施例3について、通常の酸化物粉末の混合物を圧縮成
形した複合物を、870℃で240時間焼成したが、7
5に級がはっきりと存在し、低Tc相と高Tc相との混
相状態にあった。
(発明の効果) この発明により、以上詳しく説明した通り、110に扱
高Tc相のBi系酸化物超電導体の選択的製造が可能に
なる。
均一超微粉を用いるこの方法により、さらに高度な組成
、組繊、そして特性M御が可能になり、選択性の向上が
見込まれる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Bi系酸化物超電導体の製造において、Bi系酸
    化物成分元素の水溶性塩の水溶液を混合し、水酸基含有
    有機酸およびグリコール類を添加してゾルを生成させ、
    これを加熱・濃縮して生成させたゲルを熱分解して得る
    複合酸化物超微粉を成形および焼成することを特徴とす
    るBi系酸化物超電導体の製造法。
  2. (2)請求項(1)記載の複合酸化物超微粉からなるB
    i系酸化物超電導体前駆体の製造法。
  3. (3)ゲルの熱分解を多段で行う請求項(1)または(
    2)記載の製造法。
JP1252086A 1989-09-29 1989-09-29 Bi系酸化物超電導体の製造法 Pending JPH03115157A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003300708A (ja) * 2002-04-03 2003-10-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 混合伝導性酸化物の前駆体組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS649851A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Teijin Ltd Forming of ceramic
JPH01175121A (ja) * 1987-12-28 1989-07-11 Fujikura Ltd 酸化物超電導線材の製造方法

Patent Citations (2)

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