JPH0397658A - 超伝導体組成物 - Google Patents
超伝導体組成物Info
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- JPH0397658A JPH0397658A JP1235083A JP23508389A JPH0397658A JP H0397658 A JPH0397658 A JP H0397658A JP 1235083 A JP1235083 A JP 1235083A JP 23508389 A JP23508389 A JP 23508389A JP H0397658 A JPH0397658 A JP H0397658A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気浮上列車、粒子加速器等の磁気コイル部
分や電子デバイスなどに使用される超伝導体組成物に関
するものである。
分や電子デバイスなどに使用される超伝導体組成物に関
するものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕超伝導
材料としては、たとえば金属元素超伝導材料、化合物超
伝導材料、合金超伝導材料等の材料が知られている。
材料としては、たとえば金属元素超伝導材料、化合物超
伝導材料、合金超伝導材料等の材料が知られている。
超伝導材科はジョセフソン素子などのエレクトロニクス
デバイスや超伝導磁石用のコイルなどを作る場合に用い
られ、ジョセフソン接合の高感度性、高精度性、低雑音
性を利用したSQUID+l密計測への応用、交流ジョ
セフソン効果への応用、ジョセフンン接合の高速応答性
と低消費電力性を狙った電子計算機への応用が期待され
ている。1た、パワーエレクトロニクスの分野では磁気
浮上列車用マグネット、電磁推進船用マグネット等の輸
送分野、核融合炉用マグネットや加速器、SORマグネ
ット等の高エネルギー粒子用等への利用が期待されてい
る。
デバイスや超伝導磁石用のコイルなどを作る場合に用い
られ、ジョセフソン接合の高感度性、高精度性、低雑音
性を利用したSQUID+l密計測への応用、交流ジョ
セフソン効果への応用、ジョセフンン接合の高速応答性
と低消費電力性を狙った電子計算機への応用が期待され
ている。1た、パワーエレクトロニクスの分野では磁気
浮上列車用マグネット、電磁推進船用マグネット等の輸
送分野、核融合炉用マグネットや加速器、SORマグネ
ット等の高エネルギー粒子用等への利用が期待されてい
る。
これらの超伝導材料の超伝導転移温度Tcは、できるだ
け高温であることが望咬しい。Teの高い材料としては
Tcが23KのNb@Ge, Teが30KのLa−1
3a−Cu−0系、Tcが90K前後のY−Ba−Cu
−O系、Tcが80〜110KのBj−Sr−Ca−C
u−0系の材料が報告されている。
け高温であることが望咬しい。Teの高い材料としては
Tcが23KのNb@Ge, Teが30KのLa−1
3a−Cu−0系、Tcが90K前後のY−Ba−Cu
−O系、Tcが80〜110KのBj−Sr−Ca−C
u−0系の材料が報告されている。
Y−Ba−Ca−Cu−0系やB i−Sr−Ca−C
u − 0系ではTcが液体窒素の沸点(77K)よ夛
も高くなったことから実用材料としての期待が大きくな
っている。
u − 0系ではTcが液体窒素の沸点(77K)よ夛
も高くなったことから実用材料としての期待が大きくな
っている。
B i−Sr−Ca−Cu−0系の超伝導体組成物は、
110K@後の高いTcを示す高Tc相と80K前後の
低いTcを示す低Tc相が混在するために、実用上重要
な抵抗値がOになる温度(Tc)は低Tc相の80’K
前後になってし甘う欠点がある。
110K@後の高いTcを示す高Tc相と80K前後の
低いTcを示す低Tc相が混在するために、実用上重要
な抵抗値がOになる温度(Tc)は低Tc相の80’K
前後になってし甘う欠点がある。
高Tc相を得るためには、870〜970℃の非常に狭
い温度範囲で長時間(80時間以上)焼成する必要があ
るが、高Tc相単独の組成物を得ることはできない。
い温度範囲で長時間(80時間以上)焼成する必要があ
るが、高Tc相単独の組成物を得ることはできない。
一方、B i−Sr−Ca−Cu−0系のBiの一部を
pbで置換することによって高Te相の存在比率の高い
酸化物超伝導体組成物が得られることが知られている。
pbで置換することによって高Te相の存在比率の高い
酸化物超伝導体組成物が得られることが知られている。
たとえば、Bi0.7、pbo.3、Srl.O、Ca
1.01Cu 1.8、Ozの組成を持つ材料では84
56Cで240時間焼結することによって高Tc相の存
在比率が85係を有するTc=107゜Kの酸化物超伝
導体組成物が得られる。C J. J.んP.27.,
1041(’88))筐た、Bi0.8、pbo、2
、SrO,8、Ca 1.0, Cu 1.4、Ozの
組成を持つ材料では酸素分圧を下げ828〜843℃の
狭い温度領域で120時間焼結することによってTc=
107.5゜Kの酸化物超伝導体組成物が得られる。(
J.J.A.P. 27 1476 (’88)
)しかし、これらの方法ではいずれも極めて狭い焼成温
度範囲で長時間の焼成をしなくては高いTcの値を示す
組成物を得ることができない。
1.01Cu 1.8、Ozの組成を持つ材料では84
56Cで240時間焼結することによって高Tc相の存
在比率が85係を有するTc=107゜Kの酸化物超伝
導体組成物が得られる。C J. J.んP.27.,
1041(’88))筐た、Bi0.8、pbo、2
、SrO,8、Ca 1.0, Cu 1.4、Ozの
組成を持つ材料では酸素分圧を下げ828〜843℃の
狭い温度領域で120時間焼結することによってTc=
107.5゜Kの酸化物超伝導体組成物が得られる。(
J.J.A.P. 27 1476 (’88)
)しかし、これらの方法ではいずれも極めて狭い焼成温
度範囲で長時間の焼成をしなくては高いTcの値を示す
組成物を得ることができない。
本発明の目的は、これらの問題点に鑑み、単一の高Tc
相を形成する超伝導体組成物を提供するとと、更に比較
的広い温度範囲で短時間で焼成でき伝導体組或物は、式 Bla−yPbySrbCaeCudAgxO.L
・・・・(■)(ここで、a = b = c = 2
, Q±0.1、d = 3. 0±0.1、x =
y = 0. 1〜I. 0 , z = 8土3を
示す)で表わされることを特徴とする。
相を形成する超伝導体組成物を提供するとと、更に比較
的広い温度範囲で短時間で焼成でき伝導体組或物は、式 Bla−yPbySrbCaeCudAgxO.L
・・・・(■)(ここで、a = b = c = 2
, Q±0.1、d = 3. 0±0.1、x =
y = 0. 1〜I. 0 , z = 8土3を
示す)で表わされることを特徴とする。
本発明の(B i, Pb ) −S r−Ca−Cu
−Ag−0系超伝導体組成物の製造法は、ビスマス、鉛
、ストロンチウム、カルシウム、銅および銀のそれぞれ
の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、修酸塩も
しくはアルコオキシドをBi, Pb, Sr, Ca
,Cu, Agの原子比率2−y:y:2:2:3:x
(ここで、0. 1≦x≦1.0,0.1≦y≦1.0
)で調合し、800〜900℃の温度で1時間以上焼成
後、20’C/Illlli以下の速度で冷却し、つい
で、同一温度範囲で焼結後20℃/甜以下の速度で冷却
することを特徴とする。
−Ag−0系超伝導体組成物の製造法は、ビスマス、鉛
、ストロンチウム、カルシウム、銅および銀のそれぞれ
の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、修酸塩も
しくはアルコオキシドをBi, Pb, Sr, Ca
,Cu, Agの原子比率2−y:y:2:2:3:x
(ここで、0. 1≦x≦1.0,0.1≦y≦1.0
)で調合し、800〜900℃の温度で1時間以上焼成
後、20’C/Illlli以下の速度で冷却し、つい
で、同一温度範囲で焼結後20℃/甜以下の速度で冷却
することを特徴とする。
本発明の製造法に使用する金属の酸化物、炭酸塩、硝酸
塩、硫酸塩、酢酸塩、修酸塩もしくはアルコオキシドは
、純度99%以上、好筐しくは99.9%以上である。
塩、硫酸塩、酢酸塩、修酸塩もしくはアルコオキシドは
、純度99%以上、好筐しくは99.9%以上である。
本発明の製造法における各種金属酸化物1たぱ金属塩の
調合法は公知の共沈法、粉末法、金属アルコオキシド加
水分解法などをあげることができる。
調合法は公知の共沈法、粉末法、金属アルコオキシド加
水分解法などをあげることができる。
本発明の製造法における焼成は、上記調合によって得ら
れた混合物を空気もしくは窒素と酸累の混合ガス中で8
00〜900℃の温度範囲で1時間以上焼成する。焼成
温度が800゜Cより低い場合もしくは900℃よう高
い場合には高Tc相の形戒促進効果が顕著に現われない
場合があるので好壕しくない。また、焼或時間が1時間
よシ短かい場合には焼成不足で顕著な効果は得られない
ので1時間以上の焼或が必要である。
れた混合物を空気もしくは窒素と酸累の混合ガス中で8
00〜900℃の温度範囲で1時間以上焼成する。焼成
温度が800゜Cより低い場合もしくは900℃よう高
い場合には高Tc相の形戒促進効果が顕著に現われない
場合があるので好壕しくない。また、焼或時間が1時間
よシ短かい場合には焼成不足で顕著な効果は得られない
ので1時間以上の焼或が必要である。
焼成後20℃/mmの速度で冷却する。20℃/閣よシ
も速い冷却速度では高Tc相の形成促進効果が低下する
ので、20℃/閣以下の速度で冷却するのが好筐しい。
も速い冷却速度では高Tc相の形成促進効果が低下する
ので、20℃/閣以下の速度で冷却するのが好筐しい。
得られた物を粉砕後800〜900℃の温度で1時間以
上加熱加圧焼結後20℃/1uA以下の速度で冷却し超
伝導体組成物の成型体を得る成型の方法としては、公知
のCIP.IIIP等をあげることができる。得られた
成型体は高いTcO値を示す超伝導体である。
上加熱加圧焼結後20℃/1uA以下の速度で冷却し超
伝導体組成物の成型体を得る成型の方法としては、公知
のCIP.IIIP等をあげることができる。得られた
成型体は高いTcO値を示す超伝導体である。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例1
純度99.9係、平均粒径数μ以下のpbol.53f
! 、Bi,Os 8.5 8P,CaC0,4.2
0 1, SrCOa5.6 4,9,Cu04.99
2およびAgtO 1.46 ,pをメノウ乳鉢にて充
分混合した後、空気中で800〜830℃で10時間焼
成し3.5゜C/癲の速度で冷却した。
! 、Bi,Os 8.5 8P,CaC0,4.2
0 1, SrCOa5.6 4,9,Cu04.99
2およびAgtO 1.46 ,pをメノウ乳鉢にて充
分混合した後、空気中で800〜830℃で10時間焼
成し3.5゜C/癲の速度で冷却した。
ついで混合物を粉砕し、830〜850℃の温度で1
0 0 0 kV凋の圧力で加圧焼結した。その後4℃
/mmの速度で冷却して、表1に示す金属組成の酸化物
である超伝導体組成物の成型体を得た。
0 0 0 kV凋の圧力で加圧焼結した。その後4℃
/mmの速度で冷却して、表1に示す金属組成の酸化物
である超伝導体組成物の成型体を得た。
得られた成型体のX線回折図を第1図に示す。
得られた成型体を半分に切出し、切出し面に白金−パラ
ジウムを蒸着し、銀ペーストによシ銀線の電極をつ電γ
西端針法によb種々の温度における抵抗値を測定した。
ジウムを蒸着し、銀ペーストによシ銀線の電極をつ電γ
西端針法によb種々の温度における抵抗値を測定した。
得られた結果を第3図aに示す。
実施例2
実施例1において、Ag*0 3.41 1とする他
は同様に行い、表1に示す金属組成の酸化物である超伝
導体組成物の成型体を得た。
は同様に行い、表1に示す金属組成の酸化物である超伝
導体組成物の成型体を得た。
温度と抵抗値の関係を第3図bに示す。
比較例1
実施例1と同様にPbO 1.5 3.9, BilO
18.5 81、CaCO1 ’?−. 2 0 g、
SrCOg5.64F, Cu04.99gを混合した
後、焼成および焼結した。表1に示す組成の酸化物であ
る超伝導体組成物の戒型体を得た。
18.5 81、CaCO1 ’?−. 2 0 g、
SrCOg5.64F, Cu04.99gを混合した
後、焼成および焼結した。表1に示す組成の酸化物であ
る超伝導体組成物の戒型体を得た。
得られた成型体のX線回折図を第2図に示す。
筐た、得られた成型体を実施例1と同様に抵抗値を測定
した結果が第3図Cである。
した結果が第3図Cである。
比較例2
実施例1に訃いて、AgtO r.’l4− 1とす
る以外は同様に行い、表1に示す金属組或の酸化物の成
型体を得た。
る以外は同様に行い、表1に示す金属組或の酸化物の成
型体を得た。
温度と抵抗値の関係を第3図dに示す。
本発明の(Bi, Pb)−Sr−Ca−Cu−Ag−
0系超伝導体組成物は、従来存在しなかった新規なもの
であり、単一の高Tc相を【デるのが特徴である。
0系超伝導体組成物は、従来存在しなかった新規なもの
であり、単一の高Tc相を【デるのが特徴である。
第1図と第2図を比較すると本発明の第1図の方が高T
c相に基づく反射が強く、Agによって高Tc相の形成
が促進されていることは明らかである。
c相に基づく反射が強く、Agによって高Tc相の形成
が促進されていることは明らかである。
これはAgを添加することによってBi−Pb−Ca−
S1−Cu−0系で形成される高Tc相の結晶成長が促
進され、高Tc相粒の連続結合が形成されることによシ
高いTcO値を示すことによるものと考えられる。
S1−Cu−0系で形成される高Tc相の結晶成長が促
進され、高Tc相粒の連続結合が形成されることによシ
高いTcO値を示すことによるものと考えられる。
また、本発明の製造法は、比較的広い温度範囲で短時間
焼成によって単一の高Tc相が得られるのが特徴である
。
焼成によって単一の高Tc相が得られるのが特徴である
。
第1図は本発明の(Bi1Pb)−Sr−Ca−Cu
−Ag−0系超伝導体組成物のX線回折図、第2図は(
Bl,Pb)−Sr−Ca−Cu−0系の超伝導体組成
物のX線回折図であシ、・印は高Tc相C IIOK相
)による反射を示す。()は反射面を示す。 第3図は温度と抵抗値の関係を示す。a>よびbは本発
明の(Bi,Pb)−Sr−Ca−Cu −Ag O
系超伝導体組戒物を示し、Cは(B t, pb )
−S r−Ca−C u − 0系の超伝導体組戒物、
dは(Bi,Pb)−S r−Ca−Cu−Ag−0系
で本発明の範囲外の組成物を示す。 以上
−Ag−0系超伝導体組成物のX線回折図、第2図は(
Bl,Pb)−Sr−Ca−Cu−0系の超伝導体組成
物のX線回折図であシ、・印は高Tc相C IIOK相
)による反射を示す。()は反射面を示す。 第3図は温度と抵抗値の関係を示す。a>よびbは本発
明の(Bi,Pb)−Sr−Ca−Cu −Ag O
系超伝導体組戒物を示し、Cは(B t, pb )
−S r−Ca−C u − 0系の超伝導体組戒物、
dは(Bi,Pb)−S r−Ca−Cu−Ag−0系
で本発明の範囲外の組成物を示す。 以上
Claims (2)
- (1)式 Bi_a_−_yPb_ySr_bCa_cCu_dA
g_xO_z・・・・・・( I )(ここで、a=b=
c=2.0±0.1、d=3.0±0.1、x=y=0
.1〜1.0、z=8±3を示す)で表わされることを
特徴とする(Bi、Pb)−Sr−Ca−Cu−Ag−
O系超伝導体組成物。 - (2)ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム、銅
および銀のそれぞれの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩
、酢酸塩、修酸塩もしくはアルコオキシドをBi,Pb
、Sr、Ca、Cu、Agの原子比率2−y:y:2:
2:3:x(ここで、0.1≦x≦1.0、0.1≦y
≦1.0)で調合し、800〜900℃の温度で、1時
間以上焼成後、20℃/mm以下の速度で冷却し、つい
で、同一温度範囲で焼結後20℃/mm以下の速度で冷
却することを特徴とする(Bi、Pb)−Sr−Ca−
Cu−Ag−O系超伝導体組成物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235083A JPH0397658A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 超伝導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1235083A JPH0397658A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 超伝導体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0397658A true JPH0397658A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16980815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1235083A Pending JPH0397658A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 超伝導体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0397658A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573798A2 (de) * | 1992-06-10 | 1993-12-15 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters und daraus gebildeter Formkörper |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1235083A patent/JPH0397658A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0573798A2 (de) * | 1992-06-10 | 1993-12-15 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters und daraus gebildeter Formkörper |
EP0573798A3 (de) * | 1992-06-10 | 1995-02-08 | Hoechst Ag | Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters und daraus gebildeter Formkörper. |
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