JPH03114031A - 有機非線形光学材料 - Google Patents
有機非線形光学材料Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は新規な有機非線形光学材料に関する。
(従来の技術)
非線形光学効果は、高調波発生、光スィッチ、光混合な
どのレーザー光の波長、位相、振幅の変調に利用され、
光を用いた情報処理において重要な役割を果たしている
。
どのレーザー光の波長、位相、振幅の変調に利用され、
光を用いた情報処理において重要な役割を果たしている
。
このような非線形光学効果を利用する際に用いる非線形
光学材料としては、従来、無機化合物結晶が主として用
いられてきたが、最近、無機化合物結晶に比べてはるか
に大きな非線形光学定数を有し、かつ光損傷に対する耐
久性にも優れた有機化合物が数多く見出され、注目を集
めている。
光学材料としては、従来、無機化合物結晶が主として用
いられてきたが、最近、無機化合物結晶に比べてはるか
に大きな非線形光学定数を有し、かつ光損傷に対する耐
久性にも優れた有機化合物が数多く見出され、注目を集
めている。
これらの有機非線形光学材料となる化合物としては、た
とえばり、J、wi l l lawsらによる総説”
Non1inear 0ptical Propert
ies of Organicand Polymer
lc Materials (American C
helcalSociety 19H)に挙げられてい
るものが知られている。ここに挙げられた有機非線形光
学材料の分子構造上の特徴は、ベンゼン環などのπ電子
系の両端に電子供与性の官能基および電子受容性の官能
基を結合させた点にある。
とえばり、J、wi l l lawsらによる総説”
Non1inear 0ptical Propert
ies of Organicand Polymer
lc Materials (American C
helcalSociety 19H)に挙げられてい
るものが知られている。ここに挙げられた有機非線形光
学材料の分子構造上の特徴は、ベンゼン環などのπ電子
系の両端に電子供与性の官能基および電子受容性の官能
基を結合させた点にある。
しかし、上述した分子構造においては、(1)基底状態
での電気双極子の存在により結晶化に際して中心対称の
構造を取り、分子1個の大きな非線形性が結晶全体とし
て相殺され易い、(2)π電子系の空間的広がりを拡大
させることによって、非線形性は増大するものの、一方
で分子自身の吸収帯が基本波または倍波の波長と重なり
、倍波の効率的発生を妨げる結果となるなどの問題があ
った。
での電気双極子の存在により結晶化に際して中心対称の
構造を取り、分子1個の大きな非線形性が結晶全体とし
て相殺され易い、(2)π電子系の空間的広がりを拡大
させることによって、非線形性は増大するものの、一方
で分子自身の吸収帯が基本波または倍波の波長と重なり
、倍波の効率的発生を妨げる結果となるなどの問題があ
った。
(発明が解決しようとする課題)
上述したような従来の有機非線形光学材料においては、
非線形性を増大させることによって分子自身の吸収波長
域が可視域側にシフトし、これによって倍波の発生効率
が低下したり、また分子自身の劣化を促進するなどの問
題があった。
非線形性を増大させることによって分子自身の吸収波長
域が可視域側にシフトし、これによって倍波の発生効率
が低下したり、また分子自身の劣化を促進するなどの問
題があった。
このようなことから、優れた非線形性を有するとともに
分子自身の吸収帯が低波長側に存在する有機非線形光学
材料が強く望まれている。
分子自身の吸収帯が低波長側に存在する有機非線形光学
材料が強く望まれている。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、優れた非線形性を示しかつそれ自体の吸収帯が低
波長側に存在し、倍波を効率的に発生することが可能な
有機非線形光学材料を提供することを目的とするもので
ある。
ので、優れた非線形性を示しかつそれ自体の吸収帯が低
波長側に存在し、倍波を効率的に発生することが可能な
有機非線形光学材料を提供することを目的とするもので
ある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明の有機非線形光学材料は、(式中、R1
は1価の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素
環基または不飽和脂肪族炭化水素基を、R2は1価の置
換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪
族炭化水素基、脂環式炭化水素基、特性基(オキシカル
ボニル基、カルバモイル基、カルボキシル基およびその
塩、シアノ基、ヒドロキシ基、オキシ基、ハロゲン基、
アシルアミノ基)または水素原子を、R3は1価の置換
もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、肪族族
炭化水素基、脂環式炭化水素基、特性基(アシル基、ヒ
ドロキシ基、オキシ基、スルホニル基)または水素原子
を、COR4はオキシカルボニル基、カルバモイル基ま
たはカルボキシル基およびその塩を示す。ただし、R1
とR2とで炭化水素環もしくは複゛素環を形成していて
もよい。
は1価の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素
環基または不飽和脂肪族炭化水素基を、R2は1価の置
換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪
族炭化水素基、脂環式炭化水素基、特性基(オキシカル
ボニル基、カルバモイル基、カルボキシル基およびその
塩、シアノ基、ヒドロキシ基、オキシ基、ハロゲン基、
アシルアミノ基)または水素原子を、R3は1価の置換
もしくは非置換の芳香族炭化水素基、複素環基、肪族族
炭化水素基、脂環式炭化水素基、特性基(アシル基、ヒ
ドロキシ基、オキシ基、スルホニル基)または水素原子
を、COR4はオキシカルボニル基、カルバモイル基ま
たはカルボキシル基およびその塩を示す。ただし、R1
とR2とで炭化水素環もしくは複゛素環を形成していて
もよい。
以下同じ。)で表されるα−アミノアクリル酸誘導体か
らなることを特徴としている。
らなることを特徴としている。
なお、上記(1)式中におけるM記号は、R1基がNH
R,基に対してシスあるいはトランスのいずれの位置で
もよいことを示している。
R,基に対してシスあるいはトランスのいずれの位置で
もよいことを示している。
上記(1)式におけるR1は、1価の置換もしくは非置
換の芳香族炭化水素基、複素環基または不飽和脂肪族炭
化水素基である。
換の芳香族炭化水素基、複素環基または不飽和脂肪族炭
化水素基である。
R1として導入される 1価の芳香族炭化水素基としで
は、たとえばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、
フェナントリル基、ビフエニレニル基、アセナフチレニ
ル基、フルオレニル基、ピレニル基、インデニル基、ペ
ンタレニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基などの(
A)非置換芳香族炭化水素基や、これらの芳香族炭化水
素基を下記に示す各種苗で置換した(B)置換芳香族炭
化水素基が例示される。
は、たとえばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、
フェナントリル基、ビフエニレニル基、アセナフチレニ
ル基、フルオレニル基、ピレニル基、インデニル基、ペ
ンタレニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基などの(
A)非置換芳香族炭化水素基や、これらの芳香族炭化水
素基を下記に示す各種苗で置換した(B)置換芳香族炭
化水素基が例示される。
上記芳香族炭化水素基に導入される置換基としては、た
とえば(a)ジ置換アミノ基(たとえばジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基など)、モ
ノ置換アミノ基(たとえばメチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、tert、−ブチルアミノ基、アニリノ基、ピリ
ジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基など)、アシルア
ミノ基(たとえばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチ
ルアミノ基など)、第37ミノ基(たとえばトリメチル
アミノ基、ジメチルフェニルアミノ基など)、アミノ基
、ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、ジ置換ヒドラジノ
基(たとえばジメチルヒドラジノ基、ジフェニルヒドラ
ジノ基など)、モノ置換ヒドラジノ基(たとえばメチル
ヒドラジノ基、フェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラ
ジノ基、ベンジリデンヒドラジノ基など)、ヒドラジノ
基、アゾ基(たとえばフェニルアゾ基、ピリジルアゾ基
、チアゾリルアゾ基など)、アゾキシ基、シアノ基、ニ
トロ基、オキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ基、
ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ基、ピリジルオキシ
基、アセトキシ基など)、ヒドロキシ基、チオ基(たと
えばメチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基な
ど)、メルカプト基、ハロゲン基(フルオロ基、クロロ
基、プロ子苗など)、カルボキシ基、オキシカルボニル
基(たとえばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボ
ニル基など)、カルバモイル基(たとえばカルバモイル
基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、アロファノ
イル基など)、アシル基(たとえばアセチル基、ベンゾ
イル基、ピリジンカルボニル基など)、スルホン酸基、
スルホニル基(たとえばメシル基、フェニルスルホニル
基、ピリジルスルホニル基、トシル基、トリフルオロメ
チルスルホニル基、アミノスルホニル基など)、炭化水
素基(たとえばアルキル基、アリール基、アルケニル基
、アルキニル基など)、複素環基、ケイ化水素基(たと
えばシリル基、トリメチルシリル基など)などを挙げる
ことができる。
とえば(a)ジ置換アミノ基(たとえばジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基など)、モ
ノ置換アミノ基(たとえばメチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、tert、−ブチルアミノ基、アニリノ基、ピリ
ジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基など)、アシルア
ミノ基(たとえばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチ
ルアミノ基など)、第37ミノ基(たとえばトリメチル
アミノ基、ジメチルフェニルアミノ基など)、アミノ基
、ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、ジ置換ヒドラジノ
基(たとえばジメチルヒドラジノ基、ジフェニルヒドラ
ジノ基など)、モノ置換ヒドラジノ基(たとえばメチル
ヒドラジノ基、フェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラ
ジノ基、ベンジリデンヒドラジノ基など)、ヒドラジノ
基、アゾ基(たとえばフェニルアゾ基、ピリジルアゾ基
、チアゾリルアゾ基など)、アゾキシ基、シアノ基、ニ
トロ基、オキシ基(たとえばメトキシ基、エトキシ基、
ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ基、ピリジルオキシ
基、アセトキシ基など)、ヒドロキシ基、チオ基(たと
えばメチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基な
ど)、メルカプト基、ハロゲン基(フルオロ基、クロロ
基、プロ子苗など)、カルボキシ基、オキシカルボニル
基(たとえばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボ
ニル基など)、カルバモイル基(たとえばカルバモイル
基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、アロファノ
イル基など)、アシル基(たとえばアセチル基、ベンゾ
イル基、ピリジンカルボニル基など)、スルホン酸基、
スルホニル基(たとえばメシル基、フェニルスルホニル
基、ピリジルスルホニル基、トシル基、トリフルオロメ
チルスルホニル基、アミノスルホニル基など)、炭化水
素基(たとえばアルキル基、アリール基、アルケニル基
、アルキニル基など)、複素環基、ケイ化水素基(たと
えばシリル基、トリメチルシリル基など)などを挙げる
ことができる。
また、上記(1)式にR1として導入される1価の複素
環基としては、たとえばピロール環基、インドール環基
、カルバゾール環基、フラン環基、クマロン環基、クマ
ラン環基、チオフェン環基、ベンゾチオフェン環基、ピ
ラゾール環基、インダゾール環基、イミダゾール環基、
ベンゾイミダゾール環基、オキサゾール環基、ベンゾオ
キサゾール環基、イソオキサゾール環基、チアゾール環
基、ベンゾチアゾール環基、イソチアゾール環基、トリ
アゾール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール
環基、ベンゾチアジアゾール環基、テトラゾール環基、
プリン環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリ
ン環基、アクリジン環基、フエナントリジン環基、ピペ
リジン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジ
ン環基、ピペラジン環基、フタラジン環基、キノキサリ
ン環基、キナゾリン環基、シンノリン環基、トリアジン
環基、テトラジン環基、ベンゾジオキソール環基、ジオ
キサン環基、ベンゾジオキサン環基、モルホリン環基、
セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール環基、テトラジ
ン環基、ペンゾテルラゾール環基などの(C)非置換複
素環基や、これらの複素環基を上記(a)群で示した各
種置換基で置換した(D)置換複素環基が例示される。
環基としては、たとえばピロール環基、インドール環基
、カルバゾール環基、フラン環基、クマロン環基、クマ
ラン環基、チオフェン環基、ベンゾチオフェン環基、ピ
ラゾール環基、インダゾール環基、イミダゾール環基、
ベンゾイミダゾール環基、オキサゾール環基、ベンゾオ
キサゾール環基、イソオキサゾール環基、チアゾール環
基、ベンゾチアゾール環基、イソチアゾール環基、トリ
アゾール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール
環基、ベンゾチアジアゾール環基、テトラゾール環基、
プリン環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリ
ン環基、アクリジン環基、フエナントリジン環基、ピペ
リジン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジ
ン環基、ピペラジン環基、フタラジン環基、キノキサリ
ン環基、キナゾリン環基、シンノリン環基、トリアジン
環基、テトラジン環基、ベンゾジオキソール環基、ジオ
キサン環基、ベンゾジオキサン環基、モルホリン環基、
セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール環基、テトラジ
ン環基、ペンゾテルラゾール環基などの(C)非置換複
素環基や、これらの複素環基を上記(a)群で示した各
種置換基で置換した(D)置換複素環基が例示される。
また、上記(1)式にR1として導入される1価の不飽
和脂肪族炭化水素基としては、たとえばビニル基、l−
プロペニル基、■−ブテニル基、1.3−ブタジェニル
基、エチニル基、■−プロピニル基などの(E)非置換
不飽和脂肪族炭化水素基や、これらの不飽和脂肪族炭化
水素基を上記(a)群で示した各種置換基で置換した(
F)置換不飽和脂肪族炭化水素基が例示される。
和脂肪族炭化水素基としては、たとえばビニル基、l−
プロペニル基、■−ブテニル基、1.3−ブタジェニル
基、エチニル基、■−プロピニル基などの(E)非置換
不飽和脂肪族炭化水素基や、これらの不飽和脂肪族炭化
水素基を上記(a)群で示した各種置換基で置換した(
F)置換不飽和脂肪族炭化水素基が例示される。
これらR1として導入する基の種類によって、本発明の
有機非線形光学材料の880強度と吸収波長域のある程
度の制御が可能である。880強度を特に高めたい際に
は、R1として電子供与性の強い基を選択することが好
ましい。これは、R1基自体の特性として選択してもよ
いし、またそのような置換基を導入したR1基を選択し
てもよい。
有機非線形光学材料の880強度と吸収波長域のある程
度の制御が可能である。880強度を特に高めたい際に
は、R1として電子供与性の強い基を選択することが好
ましい。これは、R1基自体の特性として選択してもよ
いし、またそのような置換基を導入したR1基を選択し
てもよい。
また、吸収波長域を特に短波長側にシフトさせたい際に
は、R1として電子供与性の弱い基または電子吸引性の
基を選択することが好ましい。これも、R1基自体の特
性として選択してもよいし、またそのような置換基を導
入したR+ uを選択してもよい。
は、R1として電子供与性の弱い基または電子吸引性の
基を選択することが好ましい。これも、R1基自体の特
性として選択してもよいし、またそのような置換基を導
入したR+ uを選択してもよい。
上記(1)式におけるR2は、1価の置換もしくは非置
換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、特性基または水素原子である。
換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、特性基または水素原子である。
R2として導入される 1価の芳香族炭化水素基として
は、上述のR1基として例示した(A)非置換芳香族炭
化水素基や(B)置換芳香族炭化水素基が挙げられ、ま
た複素環基としても同様に、上述のR1基として例示し
た(C)非置換複素環基や(D)置換複素環基が挙げら
れる。
は、上述のR1基として例示した(A)非置換芳香族炭
化水素基や(B)置換芳香族炭化水素基が挙げられ、ま
た複素環基としても同様に、上述のR1基として例示し
た(C)非置換複素環基や(D)置換複素環基が挙げら
れる。
上記(I)式にR2として導入される1価の脂肪族炭化
水素基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、Se
e、−ブチル基、tert 、−ブチル基、ペンチル基
、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デ
シル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、プロ
ペニル基、エチニル基、プロピニル基などの(G)非置
換脂肪族炭化水素基や、これらの脂肪族炭化水素基を上
記(a)群で示した各種置換基で置換した(H)置換脂
肪族炭化水素基が例示される。
水素基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、Se
e、−ブチル基、tert 、−ブチル基、ペンチル基
、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デ
シル基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、プロ
ペニル基、エチニル基、プロピニル基などの(G)非置
換脂肪族炭化水素基や、これらの脂肪族炭化水素基を上
記(a)群で示した各種置換基で置換した(H)置換脂
肪族炭化水素基が例示される。
また、上記(I)式に82として導入される1価の脂環
式炭化水素基としては、たとえばシクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロへブチル基、シクロオクチル基、シクロペンテニ
ル基、シクロヘキセニル基、シクロへブテニル基、シク
ロオクテニル基、シクロペンタジェニル基、シクロへキ
サジェニル基などの(J)非置換脂環式炭化水素基や、
これらの脂環式炭化水素基を上記(a)群で示した各種
置換基で置換した(K)置換脂環式炭化水素基が例示さ
れる。
式炭化水素基としては、たとえばシクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロへブチル基、シクロオクチル基、シクロペンテニ
ル基、シクロヘキセニル基、シクロへブテニル基、シク
ロオクテニル基、シクロペンタジェニル基、シクロへキ
サジェニル基などの(J)非置換脂環式炭化水素基や、
これらの脂環式炭化水素基を上記(a)群で示した各種
置換基で置換した(K)置換脂環式炭化水素基が例示さ
れる。
また、上記(1)式にR2として導入される1価の特性
基としては、たとえばメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシ
カルボニル基、sec、−ブトキシカルボニル基、te
rt、、−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカル
ボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキ
シカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ノニル
オキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、フェ
ノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、チ
アゾリルオキシカルボニル基などのオキシカルボニル基
;たとえばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エ
チルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、フェニ
ルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル基、ジメチル
カルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、エチルメチ
ルカルバモイル基、メチルプロピルカルバモイル基、メ
チルフェニルカルバモイル基、ジフェニルカルバモイル
基、カルバゾイル基、ヒドロキシカルバモイル基、アロ
ファノイル基などのカルバモイル基;カルボキシル基お
よびその塩;シアノ基;ヒドロキシ基;たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ
基、ピリジルオキシ基、アセトキシ基なとのオキシ基;
フルオロ基、クロロ基、プロ上載などのハロゲン基:ホ
ルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、トリフルオロアセチルアミノ基、ピリジンカルボニ
ルアミノ基などのアシルアミノ基などが例示される。
基としては、たとえばメトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキ
シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシ
カルボニル基、sec、−ブトキシカルボニル基、te
rt、、−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカル
ボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキ
シカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ノニル
オキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、フェ
ノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、チ
アゾリルオキシカルボニル基などのオキシカルボニル基
;たとえばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エ
チルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、フェニ
ルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル基、ジメチル
カルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、エチルメチ
ルカルバモイル基、メチルプロピルカルバモイル基、メ
チルフェニルカルバモイル基、ジフェニルカルバモイル
基、カルバゾイル基、ヒドロキシカルバモイル基、アロ
ファノイル基などのカルバモイル基;カルボキシル基お
よびその塩;シアノ基;ヒドロキシ基;たとえばメトキ
シ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ
基、ピリジルオキシ基、アセトキシ基なとのオキシ基;
フルオロ基、クロロ基、プロ上載などのハロゲン基:ホ
ルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、トリフルオロアセチルアミノ基、ピリジンカルボニ
ルアミノ基などのアシルアミノ基などが例示される。
本発明におけるα −アミノアクリル酸誘導体のα位側
置換基、すなわちR1基とR2基との具体的な組合せと
しては、たとえば次表に示すような組合せが挙げられる
。
置換基、すなわちR1基とR2基との具体的な組合せと
しては、たとえば次表に示すような組合せが挙げられる
。
第
表
(第1表つづき)
(第1表つづき)
(第1表つづき)
(第1表つづき)
(第1表つづき)
HaニーCHx 、EtニーCH2CH3゜また、上記
(1)式においては、R1とR2とで炭化水素環あるい
は複素環を形成していてもよく、これら炭化水素環ある
いは複素環としては、たとえばシクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロへブ
タン、シクロオクタン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロペンタジ
ェン、シクロへキサジエン、インダン、インデン、テト
ラリン、フルオレン、アントロン、オキサン、チオキサ
ン、ピペリジンなどの非置換炭化水素環および非置換複
素環や、これらの炭化水素環および複素環を上記(a)
群で示した各種置換基で置換した置換炭化水素環および
置換複素環が例示される。
(1)式においては、R1とR2とで炭化水素環あるい
は複素環を形成していてもよく、これら炭化水素環ある
いは複素環としては、たとえばシクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロペンクン、シクロヘキサン、シクロへブ
タン、シクロオクタン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロペンタジ
ェン、シクロへキサジエン、インダン、インデン、テト
ラリン、フルオレン、アントロン、オキサン、チオキサ
ン、ピペリジンなどの非置換炭化水素環および非置換複
素環や、これらの炭化水素環および複素環を上記(a)
群で示した各種置換基で置換した置換炭化水素環および
置換複素環が例示される。
上記(1)式におけるR3は、1価の置換もしくは非置
換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、特性基または水素原子である。
換の芳香族炭化水素基、複素環基、脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、特性基または水素原子である。
R3として導入される 1価の芳香族炭化水素基として
は、上述のR1基として例示した(A)非置換芳香族炭
化水素基や(B)置換芳香族炭化水素基が挙げられ、ま
た1価の複素環基としても同様に、上述のR1基として
例示した(C)非置換複素環基や(D)置換複素環基が
挙げられる。また、 1lafの脂肪族炭化水素基とし
ては、上述のR2基として例示した(G)非置換脂肪族
炭化水素基や(H)置換脂肪族炭化水素基が挙げられ、
また脂環式炭化水素基としても同様に、上述のR2基と
して例示した(J)非置換脂環式炭化水素基や(K)置
換脂環式炭化水素法が挙げられる。
は、上述のR1基として例示した(A)非置換芳香族炭
化水素基や(B)置換芳香族炭化水素基が挙げられ、ま
た1価の複素環基としても同様に、上述のR1基として
例示した(C)非置換複素環基や(D)置換複素環基が
挙げられる。また、 1lafの脂肪族炭化水素基とし
ては、上述のR2基として例示した(G)非置換脂肪族
炭化水素基や(H)置換脂肪族炭化水素基が挙げられ、
また脂環式炭化水素基としても同様に、上述のR2基と
して例示した(J)非置換脂環式炭化水素基や(K)置
換脂環式炭化水素法が挙げられる。
また、上記(1)式にR3として導入される1価の特性
基としては、たとえばホルミル基、アセチル基、プロピ
オニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイ
ル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニル基
、トリフルオロアセチル基などのアシル基;たとえばメ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノ
キシ基、ピリジルオキシ基、アセトキシ基などのオキシ
基;たとえばメシル基、フェニルスルホニル基、ピリジ
ルスルホニル基、トシル基、トリフルオロメチルスルホ
ニル基、アミノスルホニル基などのスルホニル基;ヒド
ロキシ基などが例示される。
基としては、たとえばホルミル基、アセチル基、プロピ
オニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイ
ル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニル基
、トリフルオロアセチル基などのアシル基;たとえばメ
トキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノ
キシ基、ピリジルオキシ基、アセトキシ基などのオキシ
基;たとえばメシル基、フェニルスルホニル基、ピリジ
ルスルホニル基、トシル基、トリフルオロメチルスルホ
ニル基、アミノスルホニル基などのスルホニル基;ヒド
ロキシ基などが例示される。
上記(1)式におけるR3基としては、上述したような
各種の基を用いることが可能であるが、非線形光学材料
としての結晶時の配向性を考えた場合、アシル基を用い
ることが好ましい。
各種の基を用いることが可能であるが、非線形光学材料
としての結晶時の配向性を考えた場合、アシル基を用い
ることが好ましい。
上記(1)式にC0R4として導入される基は、たとえ
ばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブ
トキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、se
e、−ブトキシカルボニル基、tert、−ブトキシカ
ルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオ
キシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オク
チルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、
デシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、
ピリジルオキシカルボニル基、チアゾリルオキシカルボ
ニル基などのオキシカルボニル基;たとえばカルバモイ
ル基、メチルカルバモイル基、ニーチルカルバモイル基
、プロピルカルバモイル基、フ二ニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ジ
エチルカルバモイル基、エチルメチルカルバモイル基、
メチルプロピルカルバモイル基、メチルフェニルカルバ
モイル基、ジフェニルカルバモイル基、ピロリジノカル
ボニル基、・ピペリジノカルボニル基、モルホリノカル
ボニル基、カルバゾイル基、ヒドロキシカルバモイル基
、アロファノイル基などのカルバモイル基;ガルボキシ
ル基およびその塩が挙げられる。
ばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロ
ポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブ
トキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、se
e、−ブトキシカルボニル基、tert、−ブトキシカ
ルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオ
キシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オク
チルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、
デシルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、
ピリジルオキシカルボニル基、チアゾリルオキシカルボ
ニル基などのオキシカルボニル基;たとえばカルバモイ
ル基、メチルカルバモイル基、ニーチルカルバモイル基
、プロピルカルバモイル基、フ二ニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、ジ
エチルカルバモイル基、エチルメチルカルバモイル基、
メチルプロピルカルバモイル基、メチルフェニルカルバ
モイル基、ジフェニルカルバモイル基、ピロリジノカル
ボニル基、・ピペリジノカルボニル基、モルホリノカル
ボニル基、カルバゾイル基、ヒドロキシカルバモイル基
、アロファノイル基などのカルバモイル基;ガルボキシ
ル基およびその塩が挙げられる。
本発明におけるα−アミノアクリル酸誘導体のβ位側置
換基、すなわちNHR]基とCOR4基との具体的な組
合せとしては、たとえば次表に示すような組合せが挙げ
られる。
換基、すなわちNHR]基とCOR4基との具体的な組
合せとしては、たとえば次表に示すような組合せが挙げ
られる。
(以下余白)
(第2表つづき)
U
υ
(第2表つづき)
()
(第2表つづき)
U
そして、本発明の有機非線形光学材料は、たとえば第1
表に示したα位側置換基と第2表に示したβ位側置換基
とを各種の組合せで組合せた化合物である。
表に示したα位側置換基と第2表に示したβ位側置換基
とを各種の組合せで組合せた化合物である。
本発明におけるα −アミノアクリル酸誘導体は、たと
えば以下に示す合成法によって製造される。
えば以下に示す合成法によって製造される。
(イ)カルボニル化合物とN−アシルグリシンあるいは
飽和アズラクトンとの縮合により得られる不飽和アズラ
クトンの開環(加水分解、アルコリシスまたはアミツリ
シス)。
飽和アズラクトンとの縮合により得られる不飽和アズラ
クトンの開環(加水分解、アルコリシスまたはアミツリ
シス)。
(ロ)α−ケト酸あるいはそのエステルとホスフィンイ
ミンの縮合物の脱水。
ミンの縮合物の脱水。
(ハ)α−ケト酸あるいはそのエステルとアミドまたは
ニトリルとの縮合。
ニトリルとの縮合。
(ニ)N−ヒドロキシルアミノ酸エステルの脱水。
なお、原料の人手の容易さなどを考慮すると、(イ)の
アズラクトン法が汎用性が高く、−射的な合成法である
。
アズラクトン法が汎用性が高く、−射的な合成法である
。
(作 用)
α −アミノアクリル酸誘導体は既知の化合物であるが
、本発明によって始めて非線形光学材料として使用可能
であるが見出されたものである。
、本発明によって始めて非線形光学材料として使用可能
であるが見出されたものである。
上記(1)式で表されるα −アミノアクリル酸誘導体
は、優れた非線形性を有しかつ吸収帯が短波長側に存在
するため、低波長の二次副升長+働率よく出力でき、ま
た非線形光学材料としての劣化も少ない。
は、優れた非線形性を有しかつ吸収帯が短波長側に存在
するため、低波長の二次副升長+働率よく出力でき、ま
た非線形光学材料としての劣化も少ない。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
まず、
で表されるα −アミノアクリル酸誘導体のR1、R3
およびR4を第3表に示す組合せで導入した化合物1〜
30を合成した。合成法は、前述した(イ)のアズラク
トン法を用いた。アズラクトン法について以下に示す。
およびR4を第3表に示す組合せで導入した化合物1〜
30を合成した。合成法は、前述した(イ)のアズラク
トン法を用いた。アズラクトン法について以下に示す。
[アズラクトン法]
(1)
アズラクトン化合物
(5−オキサシロン化合
物)の合成
(100°C1
1hr)
N−アシルグリシン33amol、カルボニル化合物3
0mmo1、無水酢酸カリウム3.0g(30,6mm
ol)に無水酢酸101(101(106II1を加え
、100℃で1時間加熱撹拌した。放冷後、反応物を水
に注ぎ、析出した結晶を濾取し水洗した。粗結晶を酢酸
、トルエンなどの溶媒で再結晶し、目的とするアズラク
トン化合物を得た。
0mmo1、無水酢酸カリウム3.0g(30,6mm
ol)に無水酢酸101(101(106II1を加え
、100℃で1時間加熱撹拌した。放冷後、反応物を水
に注ぎ、析出した結晶を濾取し水洗した。粗結晶を酢酸
、トルエンなどの溶媒で再結晶し、目的とするアズラク
トン化合物を得た。
(2)α−アミノアクリル酸誘導体の合成(2−1)β
−置換−α−(N−アシルアミノ)アクリル酸化合物の
合成 (加熱) 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10ma+o
lを1%水酸化ナトリウム水溶液3001に加熱溶解さ
せた。放冷後、希塩酸で反応液を酸性にし、析出した粗
結晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢酸など
の溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
−置換−α−(N−アシルアミノ)アクリル酸化合物の
合成 (加熱) 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10ma+o
lを1%水酸化ナトリウム水溶液3001に加熱溶解さ
せた。放冷後、希塩酸で反応液を酸性にし、析出した粗
結晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢酸など
の溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
<2−2)β−置換−α−(N−アシルアミノ)アクリ
ル酸エステル化合物の合成 (以下余白) (加熱) 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10mmol
を1%水酸化ナトリウムアルコール溶液100’ml
l:加熱溶解させた。放冷後、水を少しずつ加え、析出
した粗結晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢
酸などの溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
ル酸エステル化合物の合成 (以下余白) (加熱) 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10mmol
を1%水酸化ナトリウムアルコール溶液100’ml
l:加熱溶解させた。放冷後、水を少しずつ加え、析出
した粗結晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢
酸などの溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
(2−3)β−置換−α−(N−アシルアミノ)アクリ
ル酸アミド化合物の合成 (以下余白) (加熱還流、 hr ) I( 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10a+l1
olに、エタノール301、アミン100+++a+o
lを加え、1時間加熱還流した。放冷後、析出した粗結
晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢酸などの
溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
ル酸アミド化合物の合成 (以下余白) (加熱還流、 hr ) I( 上記(1)で合成したアズラクトン化合物10a+l1
olに、エタノール301、アミン100+++a+o
lを加え、1時間加熱還流した。放冷後、析出した粗結
晶を濾取し水洗した。粗結晶をエタノール、酢酸などの
溶媒で再結晶し、目的とする化合物を得た。
(以下余白)
このようにして得た第1表に示した各α −アミルアク
リル酸誘導体化合物(化合物1〜30)の粉末試料を用
い、これら化合物の二次非線形光学特性をいわゆる粉末
法により評価した。
リル酸誘導体化合物(化合物1〜30)の粉末試料を用
い、これら化合物の二次非線形光学特性をいわゆる粉末
法により評価した。
すなわちまず、各化合物の結晶粉末をメノウ乳鉢で粉砕
し、篩により粒径を100μta −150μmの間に
揃えた粉末を調製し、これをスライドガラスに挟んだも
のを測定用試料とした。次に、これら測定用試料に対し
、Nd−YAGレーザーの基本波(波長−1,064μ
s)を照射し、反射光中の二次高調波成分の強度を測定
した。なお5IIG強度は、参照用試料として高純度尿
素の粉末を用い、各試料の二次高調波強度を尿素粉末の
二次高調波強度で規格化し、尿素粉末の二次高調波強度
に対する相対値として示す。
し、篩により粒径を100μta −150μmの間に
揃えた粉末を調製し、これをスライドガラスに挟んだも
のを測定用試料とした。次に、これら測定用試料に対し
、Nd−YAGレーザーの基本波(波長−1,064μ
s)を照射し、反射光中の二次高調波成分の強度を測定
した。なお5IIG強度は、参照用試料として高純度尿
素の粉末を用い、各試料の二次高調波強度を尿素粉末の
二次高調波強度で規格化し、尿素粉末の二次高調波強度
に対する相対値として示す。
また、各α −アミルアクリル酸誘導体化合物のエタノ
ール溶液における可視−紫外光吸収の吸収極大波長およ
びカットオフ波長をn1定した。
ール溶液における可視−紫外光吸収の吸収極大波長およ
びカットオフ波長をn1定した。
これらの測定結果を第4表に示す。
なお、表中の比較例は、従来の有機非線形光学材料の代
表例として掲げたものであり、2−メチル−4−ニトロ
アニリン(比較例1)と尿素(比較例2)についても同
様な測定結果を示す。
表例として掲げたものであり、2−メチル−4−ニトロ
アニリン(比較例1)と尿素(比較例2)についても同
様な測定結果を示す。
(以下余白)
第4表の結果から明らかなように、本発明の実施例によ
る有機非線形光学材料は、光の吸収帯が短波長側に存在
し、かつ優れた非線形性を持つことが分る。
る有機非線形光学材料は、光の吸収帯が短波長側に存在
し、かつ優れた非線形性を持つことが分る。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の有機非線形光学材料は、光
の吸収帯が短波長側に存在し青色光の透過率が高く、か
つ優れた非線形性を持ち、さらに合成が極めて容易など
の特徴を有するものである。
の吸収帯が短波長側に存在し青色光の透過率が高く、か
つ優れた非線形性を持ち、さらに合成が極めて容易など
の特徴を有するものである。
したがって本発明の有機非線形光学材料化合物によれば
、大きな非線形光学効果が得られ、倍波を効率的に発生
できることから、高調波発生を初めとする高速光シャッ
ター、光双安定素子などの非線形現象を利用したオプト
エレクトロニクスの分野に非常に有用である。
、大きな非線形光学効果が得られ、倍波を効率的に発生
できることから、高調波発生を初めとする高速光シャッ
ター、光双安定素子などの非線形現象を利用したオプト
エレクトロニクスの分野に非常に有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は1価の置換もしくは非置換の芳香族炭
化水素基、複素環基または不飽和脂肪族炭化水素基を、
R_2は1価の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基
、複素環基、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、特
性基(オキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基およびその塩、シアノ基、ヒドロキシ基、オキシ
基、ハロゲン基、アシルアミノ基)または水素原子を、
R_3は1価の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基
、複素環基、肪族族炭化水素基、脂環式炭化水素基、特
性基(アシル基、ヒドロキシ基、オキシ基、スルホニル
基)または水素原子を、COR_4はオキシカルボニル
基、カルバモイル基またはカルボキシル基およびその塩
を示す。ただしR_1とR_2とで炭化水素環もしくは
複素環を形成していてもよい。)で表されるα−アミノ
アクリル酸誘導体からなる有機非線形光学材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25306989A JPH03114031A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 有機非線形光学材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25306989A JPH03114031A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 有機非線形光学材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03114031A true JPH03114031A (ja) | 1991-05-15 |
Family
ID=17246060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25306989A Pending JPH03114031A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 有機非線形光学材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03114031A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021090468A1 (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | 日本電信電話株式会社 | 緩み検出構造、緩み検出システム、および、緩み検出方法 |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP25306989A patent/JPH03114031A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021090468A1 (ja) * | 2019-11-08 | 2021-05-14 | 日本電信電話株式会社 | 緩み検出構造、緩み検出システム、および、緩み検出方法 |
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