JPH03113428A - 光波長変換素子およびその製造方法 - Google Patents
光波長変換素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH03113428A JPH03113428A JP25270289A JP25270289A JPH03113428A JP H03113428 A JPH03113428 A JP H03113428A JP 25270289 A JP25270289 A JP 25270289A JP 25270289 A JP25270289 A JP 25270289A JP H03113428 A JPH03113428 A JP H03113428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wavelength conversion
- conversion element
- optical wavelength
- nonlinear material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- XTTIQGSLJBWVIV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-nitroaniline Chemical compound CC1=CC([N+]([O-])=O)=CC=C1N XTTIQGSLJBWVIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- GVSPXQVUXHMUMA-MDWZMJQESA-N (e)-3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)-1-(4-methoxyphenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)\C=C\C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 GVSPXQVUXHMUMA-MDWZMJQESA-N 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明1表 コヒーレント光を利用する光情報処理分
野あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素
子、およびその製造方法に関するものであム 従来の技術 有機非線形材料は無機材料にくらべ非線形定数が犬き1
.X、応答が速いといった特徴をもつ力丈般的に単結晶
を得ることが難しbXc、シたがって有機非線形材料を
導波路へ応用した例はまだあまり多くない力(例えば
電子情報通信学会論文誌V。
野あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素
子、およびその製造方法に関するものであム 従来の技術 有機非線形材料は無機材料にくらべ非線形定数が犬き1
.X、応答が速いといった特徴をもつ力丈般的に単結晶
を得ることが難しbXc、シたがって有機非線形材料を
導波路へ応用した例はまだあまり多くない力(例えば
電子情報通信学会論文誌V。
1、 J70−CNo、 2(1987)、 1)、
224に示されている。第3図はこの従来の光波長変換
素子の構成を示すものである。7は基板、 8は傾斜つ
きMNA導波敢9はプリズムであり、基本波である入力
光P1をプリズム9を介して導波路8に入射して波長変
換された出力光P2が出射される。この素子の作製方法
は 第4図に示すようにまず2枚の基板10a、 10
bをはりあわせる。このとき、これらの間の空隙が傾斜
を持つように空隙の片側にポリカーボネート薄膜11を
はさむ。この基板の下部を粉末MNA(2メチル−4−
ニトロアニリン)12中に入れ130℃まで加熱L
MNAを融解させる。融解したMNAは毛細管現象によ
って空隙内に吸い上げられる。
224に示されている。第3図はこの従来の光波長変換
素子の構成を示すものである。7は基板、 8は傾斜つ
きMNA導波敢9はプリズムであり、基本波である入力
光P1をプリズム9を介して導波路8に入射して波長変
換された出力光P2が出射される。この素子の作製方法
は 第4図に示すようにまず2枚の基板10a、 10
bをはりあわせる。このとき、これらの間の空隙が傾斜
を持つように空隙の片側にポリカーボネート薄膜11を
はさむ。この基板の下部を粉末MNA(2メチル−4−
ニトロアニリン)12中に入れ130℃まで加熱L
MNAを融解させる。融解したMNAは毛細管現象によ
って空隙内に吸い上げられる。
このようにして空隙内に満たされたMNAを帯域溶融法
で再結晶化し 単結晶薄膜を得る。その後この基板をは
がし 先導波路8として用いる。
で再結晶化し 単結晶薄膜を得る。その後この基板をは
がし 先導波路8として用いる。
この傾斜付きMNA単結晶薄膜を導波路に用いてNd:
YAGレーザ光(波長]、、 064 μm)を基
本波人力光P1としてMNA導波路8に結合させ、基本
波入力パワー10ワツトで変換効率0,3%の第二高調
波出力光P2を観測している。前記の例(よ 基本波の
導波モードから高調波の導波モードへの変換である力(
第5図に示すように Ta2O5薄膜導波路14上にク
ラッドとなるM N A 15を形成して基本波の入力
光P1の導波モードから高調波の出力光P2の放射モー
ドに変換する方法もある。13は5i02基板、16は
LiNbO3基板である。 (特願昭62−33197
3号)発明が解決しようとする課題 有機非線形材料の大きな非線形性を利用することで、変
換効率の高い非線形光学素子の実現が期待されている力
(最初の例(第3図)のような構成では有機非線形材料
の結晶が先導波路も兼ねる構造であるた八 良質な結晶
が得にくい現状では基本波、高調波の伝搬損失により、
高調波への変換効率が低くなってしまう。また導波モー
ド間で光の波長変換を行う場合、コアの膜厚の許容誤差
はたいへん小さいにもかかわらず、この例の方法ではコ
アとなる有機非線形材料の膜厚を精度よく制御すること
は困難である。さらにこのようなスラブ型先導波路の構
造では光強度密度が低いことから変換効率の点で不利で
ある。第2の例(第5図)で(上 有機非線形材料を光
導波路のクラッドとして用いるため伝搬損失への影響や
膜厚の許容誤差の制限をある程度免れる。また光導波路
のコアの部分を紘 横両方向とも閉じ込められる矩形と
L 3次元光導波路構造にすることも可能であり、光強
度密度を高へ 変換効率を向上させることができる力丈
このとき波長変換のための非線形現象の生じる領域(
上 コアとを機非線形材料の隣接する領域であるから矩
形のコアの一辺にわたる部分のみである。したがってこ
の領域をさらに拡大することでより変換効率を高めるこ
とが可能となる。
YAGレーザ光(波長]、、 064 μm)を基
本波人力光P1としてMNA導波路8に結合させ、基本
波入力パワー10ワツトで変換効率0,3%の第二高調
波出力光P2を観測している。前記の例(よ 基本波の
導波モードから高調波の導波モードへの変換である力(
第5図に示すように Ta2O5薄膜導波路14上にク
ラッドとなるM N A 15を形成して基本波の入力
光P1の導波モードから高調波の出力光P2の放射モー
ドに変換する方法もある。13は5i02基板、16は
LiNbO3基板である。 (特願昭62−33197
3号)発明が解決しようとする課題 有機非線形材料の大きな非線形性を利用することで、変
換効率の高い非線形光学素子の実現が期待されている力
(最初の例(第3図)のような構成では有機非線形材料
の結晶が先導波路も兼ねる構造であるた八 良質な結晶
が得にくい現状では基本波、高調波の伝搬損失により、
高調波への変換効率が低くなってしまう。また導波モー
ド間で光の波長変換を行う場合、コアの膜厚の許容誤差
はたいへん小さいにもかかわらず、この例の方法ではコ
アとなる有機非線形材料の膜厚を精度よく制御すること
は困難である。さらにこのようなスラブ型先導波路の構
造では光強度密度が低いことから変換効率の点で不利で
ある。第2の例(第5図)で(上 有機非線形材料を光
導波路のクラッドとして用いるため伝搬損失への影響や
膜厚の許容誤差の制限をある程度免れる。また光導波路
のコアの部分を紘 横両方向とも閉じ込められる矩形と
L 3次元光導波路構造にすることも可能であり、光強
度密度を高へ 変換効率を向上させることができる力丈
このとき波長変換のための非線形現象の生じる領域(
上 コアとを機非線形材料の隣接する領域であるから矩
形のコアの一辺にわたる部分のみである。したがってこ
の領域をさらに拡大することでより変換効率を高めるこ
とが可能となる。
また放射モードへ光を変換する場合、その出射パターン
17は円弧状に広がる第6図に示すような変速的な形を
しているたム 変換された光を集光等を行った後利用す
るのは困難である。本発明は先導波路を基本とし その
構成材料として非線形性の大きい有機材料を用(\ 光
波長変換素子の構造および製造方法に新たな工夫を加え
ることで、変換効率を向上させることが可能となるもの
である。
17は円弧状に広がる第6図に示すような変速的な形を
しているたム 変換された光を集光等を行った後利用す
るのは困難である。本発明は先導波路を基本とし その
構成材料として非線形性の大きい有機材料を用(\ 光
波長変換素子の構造および製造方法に新たな工夫を加え
ることで、変換効率を向上させることが可能となるもの
である。
課題を解決するための手段
本発明は3次元光導波路の矩形のコアの三方にクラッド
として有機非線形材料を用いることで、高光強度密度が
維持され 変換効率が向上し さらにクラッドで発生し
た高調波がコア内を伝搬することか収 集光等が比較的
容易な出射光を取りだせる波長変換素子が得られる。ま
た本発明の製造方法によればこのような素子を実現する
ことが可能となる。すなわち本発明(よ 基板上に形成
された3次元光導波路のコアに隣接するクラッド層の一
部に有機非線形材料を有することを特徴とする光波長変
換素子と、第1の基板上に3次元光導波路を作製し 第
2の基板と重ね合わせ、その空隙内に有機非線形材料の
結晶を成長させることで前述の光波長変換素子を作製す
る製造方法に提供するものである。
として有機非線形材料を用いることで、高光強度密度が
維持され 変換効率が向上し さらにクラッドで発生し
た高調波がコア内を伝搬することか収 集光等が比較的
容易な出射光を取りだせる波長変換素子が得られる。ま
た本発明の製造方法によればこのような素子を実現する
ことが可能となる。すなわち本発明(よ 基板上に形成
された3次元光導波路のコアに隣接するクラッド層の一
部に有機非線形材料を有することを特徴とする光波長変
換素子と、第1の基板上に3次元光導波路を作製し 第
2の基板と重ね合わせ、その空隙内に有機非線形材料の
結晶を成長させることで前述の光波長変換素子を作製す
る製造方法に提供するものである。
作用
前記の構成の先導波路は基本的には3次元光導波路であ
るから光は横方向にも閉じ込められており、光強度密度
は向上する。また有機非線形材料をクラッド部に用いる
こて、膜厚をきびしく制御する必要もなくなる。したが
って素子の変換効率を向上させることができる。さらに
基本波の導波モードから高調波の導波モードへの変換を
利用することで、集光特性のよい出射光を得ることが可
能となる。また本発明の製造方法によれば 矩形の先導
波路のコアの三方に有機非線形材料を用いるため変換効
率の向上が図れ また光導波路部分の両端をストライプ
状にエツチングするだけで他の部分を残すことか収 基
板をはさみあわせたときに生じる応力や、先導波路のコ
ア部分に対する機械的損傷の影響を最小限にとどめるこ
とが可能である。
るから光は横方向にも閉じ込められており、光強度密度
は向上する。また有機非線形材料をクラッド部に用いる
こて、膜厚をきびしく制御する必要もなくなる。したが
って素子の変換効率を向上させることができる。さらに
基本波の導波モードから高調波の導波モードへの変換を
利用することで、集光特性のよい出射光を得ることが可
能となる。また本発明の製造方法によれば 矩形の先導
波路のコアの三方に有機非線形材料を用いるため変換効
率の向上が図れ また光導波路部分の両端をストライプ
状にエツチングするだけで他の部分を残すことか収 基
板をはさみあわせたときに生じる応力や、先導波路のコ
ア部分に対する機械的損傷の影響を最小限にとどめるこ
とが可能である。
実施例
本発明の光波長変換素子についてその一実施例の構成斜
視図を第1図に示す。本発明GA 2枚の基板と、高
屈折率薄膜層 有機非線形材料、ならびに3次元光導波
路を形成するための2本の溝3a、3bよりなる構成を
有り、、3次元光導波路に基本波P1を入射すると、ク
ラッド部の非線形性により出射端から高調波P2が発生
するというものである。本実施例では第1の基板および
第2の基板としてソーダガラス基板1および6を、高屈
折率薄膜層としてTaaOs薄膜2を、有機非線形材料
としてカルコン誘導体5を用いている。本発明の光波長
変換素子の製造方法の実施例の工程斜視図を第2図に示
す。この実施例ではソーダガラス基板(lo×10x
1mm)上のTa205を光導波路のコアとし有機非線
形材料としてカルコン誘導体を用いた場合について説明
する。第2図(a)で1はソーダガラス基板であり、
この上にTap’s 2を0.4μmスパッタリングに
より堆積する。この基板に幅0.5μ取 深さ0.5μ
のの2本の溝3a、3bを間隔0.5μmでドライエツ
チングにより作製する。この工程により溝3a、3bの
間の領域4は3次元光導波路となる。この基板の先導波
路のある面に他のソーダガラス基板6を重ね合わせ基板
間のギャップに160t:で融解させたカルコン誘導体
5を毛細管現象を用いて満たし冷却後帯域溶融法で再結
晶化し 単結晶とする。
視図を第1図に示す。本発明GA 2枚の基板と、高
屈折率薄膜層 有機非線形材料、ならびに3次元光導波
路を形成するための2本の溝3a、3bよりなる構成を
有り、、3次元光導波路に基本波P1を入射すると、ク
ラッド部の非線形性により出射端から高調波P2が発生
するというものである。本実施例では第1の基板および
第2の基板としてソーダガラス基板1および6を、高屈
折率薄膜層としてTaaOs薄膜2を、有機非線形材料
としてカルコン誘導体5を用いている。本発明の光波長
変換素子の製造方法の実施例の工程斜視図を第2図に示
す。この実施例ではソーダガラス基板(lo×10x
1mm)上のTa205を光導波路のコアとし有機非線
形材料としてカルコン誘導体を用いた場合について説明
する。第2図(a)で1はソーダガラス基板であり、
この上にTap’s 2を0.4μmスパッタリングに
より堆積する。この基板に幅0.5μ取 深さ0.5μ
のの2本の溝3a、3bを間隔0.5μmでドライエツ
チングにより作製する。この工程により溝3a、3bの
間の領域4は3次元光導波路となる。この基板の先導波
路のある面に他のソーダガラス基板6を重ね合わせ基板
間のギャップに160t:で融解させたカルコン誘導体
5を毛細管現象を用いて満たし冷却後帯域溶融法で再結
晶化し 単結晶とする。
なお本実施例では基板としてソーダガラスを用いたがこ
れと同程度の屈折率を有する一般的なガラス基板を用い
ても何ら問題ないり、、 LiNbO5を用いること
も可能である。またTa2’sのかわりにTi0aを用
いてもよいし 基板にLiNbO5を用いたとき(上T
a20g薄膜のかわりにプロトン交換やTi拡散にょっ
て薄膜を形成してもよ(−また2本の溝を作製するのに
この実施例ではドライエツチングを用いたが表面を滑ら
かにエツチングすることのできるウェットエツチングを
用いてもよし〜 さらく カルコン誘導体のかわりに非
線形性の大きいMNA (2−メチル−4−ニトロアニ
リン)を用いても有効である。第1図に示された素子は
非線形光学効果の大きい有機材料を用(X、3次元光導
波路化することで基本波を横方向にも閉じ込めて変、換
効率を鳥取 また有機材料をクラッドとして用いるため
有機材料に対するきびしい膜厚制御も不要となり作製も
容易となも また先導波路のコアの両端のみをエツチン
グし 他の部分を残しておくことでコアに対する機械的
損傷や有機非線形材料を再結晶させる際の応力の歪によ
る結晶の不均一性や欠損などを軽減することができも
また第5図の例のように高調波を放射モードとして取り
だした場合にはその出射パターンは変則的な円弧上とな
り上部と下部で光の広がり角が異なるといった理由か収
平行光化が難しt、L 集光特性が悪いといった問
題点があった力丈 本発明の素子によれば出射光は導波
モードに変換された高調波が出射端面で発散されるため
これらの問題点は解決される。
れと同程度の屈折率を有する一般的なガラス基板を用い
ても何ら問題ないり、、 LiNbO5を用いること
も可能である。またTa2’sのかわりにTi0aを用
いてもよいし 基板にLiNbO5を用いたとき(上T
a20g薄膜のかわりにプロトン交換やTi拡散にょっ
て薄膜を形成してもよ(−また2本の溝を作製するのに
この実施例ではドライエツチングを用いたが表面を滑ら
かにエツチングすることのできるウェットエツチングを
用いてもよし〜 さらく カルコン誘導体のかわりに非
線形性の大きいMNA (2−メチル−4−ニトロアニ
リン)を用いても有効である。第1図に示された素子は
非線形光学効果の大きい有機材料を用(X、3次元光導
波路化することで基本波を横方向にも閉じ込めて変、換
効率を鳥取 また有機材料をクラッドとして用いるため
有機材料に対するきびしい膜厚制御も不要となり作製も
容易となも また先導波路のコアの両端のみをエツチン
グし 他の部分を残しておくことでコアに対する機械的
損傷や有機非線形材料を再結晶させる際の応力の歪によ
る結晶の不均一性や欠損などを軽減することができも
また第5図の例のように高調波を放射モードとして取り
だした場合にはその出射パターンは変則的な円弧上とな
り上部と下部で光の広がり角が異なるといった理由か収
平行光化が難しt、L 集光特性が悪いといった問
題点があった力丈 本発明の素子によれば出射光は導波
モードに変換された高調波が出射端面で発散されるため
これらの問題点は解決される。
この素子に人力として波長1.064μmのYAGレー
ザの光を基本波P1として端面から光を入射させると、
出射側の端面から波長0.532μmの高調波P2を得
ることができる。このときの効率は従来のスラブ型で有
機非線形材料をコアに使った先導波路の場合の50倍で
ある。また第5図の例と比較した場合に耘 約10倍の
効率改善がみられ さらに前述したように集光特性も改
善される。
ザの光を基本波P1として端面から光を入射させると、
出射側の端面から波長0.532μmの高調波P2を得
ることができる。このときの効率は従来のスラブ型で有
機非線形材料をコアに使った先導波路の場合の50倍で
ある。また第5図の例と比較した場合に耘 約10倍の
効率改善がみられ さらに前述したように集光特性も改
善される。
発明の詳細
な説明したように本発明によれは 大きな非線形性を持
つ有機材料を3次元導波路のクラッドに用いることで、
変換効率を高めまた有機材料の膜厚制御といった困難も
解消される。まな 高調波を先導波路のコアからとりだ
すことができるため集光特性なども改善される。さらに
本発明の製造方法によれIL 先導波路に対する機械
的損傷や基板をはさみあわせた時に生じる応力のため結
晶化のときの不均一性や欠損を軽減することも可能であ
る。そのうえ 透過波長域がより短波長側にある有機非
線形材料を用いれは 半導体レーザとの組合せによって
さらに短波長のコヒーレント光を高効率で発振するデバ
イスも可能となり、その実用的効果は大きい。
つ有機材料を3次元導波路のクラッドに用いることで、
変換効率を高めまた有機材料の膜厚制御といった困難も
解消される。まな 高調波を先導波路のコアからとりだ
すことができるため集光特性なども改善される。さらに
本発明の製造方法によれIL 先導波路に対する機械
的損傷や基板をはさみあわせた時に生じる応力のため結
晶化のときの不均一性や欠損を軽減することも可能であ
る。そのうえ 透過波長域がより短波長側にある有機非
線形材料を用いれは 半導体レーザとの組合せによって
さらに短波長のコヒーレント光を高効率で発振するデバ
イスも可能となり、その実用的効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例の光波長変換素子の構成斜視
医 第2図は本発明の一実施例の光波長変換素子の製造
方法の工程は 第3@ 第5図は有機非線形材料を用い
た従来の光波長変換素子の斜視@ 第4図は第3図で用
いられた光波長変換素子の作製方法の概略医 第6図は
第5図の素子より出射された高調波のパターンの概略図
である。
医 第2図は本発明の一実施例の光波長変換素子の製造
方法の工程は 第3@ 第5図は有機非線形材料を用い
た従来の光波長変換素子の斜視@ 第4図は第3図で用
いられた光波長変換素子の作製方法の概略医 第6図は
第5図の素子より出射された高調波のパターンの概略図
である。
Claims (8)
- (1)基板上に形成された3次元光導波路のコアに隣接
するクラッド層の一部に有機非線形材料を有することを
特徴とする光波長変換素子。 - (2)3次元光導波路としてリッジ型の構造を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光波長変換
素子。 - (3)3次元光導波路の基板としてガラスを、コアとし
てTa_2O_5あるいはTiO_2を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光波長変換素子。 - (4)3次元光導波路の基板としてLiNbO_3を、
コアとしてプロトン交換層あるいはTi拡散層を用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光波長変
換素子。 - (5)有機非線形材料としてカルコン誘導体、あるいは
MNA(2−メチル−4−ニトロアニリン)を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光波長変換
素子。 - (6)第1の基板上に前記第1の基板よりも高い屈折率
を有する物質を薄膜状に作製する工程と、前記薄膜に2
本の溝をエッチングにより作製する工程と、3次元光導
波路の光導波路面が内側になるように第2の基板と重ね
合わせ、前記3次元光導波路と前記第2の基板との間の
空隙内に融解した有機非線形材料を毛細管現象により満
たす工程と、帯域溶融法により前記有機非線形材料を再
結晶化する工程を有することを特徴とする光波長変換素
子の製造方法。 - (7)薄膜を作製する方法として、スパッタリング、あ
るいは基板のプロトン交換、またはTi拡散を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の光波長変換
素子の製造方法。 - (8)2本の溝の作製法がドライエッチングあるいは、
ウェットエッチングであることを特徴とする特許請求の
範囲第5項記載の光波長変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25270289A JPH03113428A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25270289A JPH03113428A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03113428A true JPH03113428A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17241066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25270289A Pending JPH03113428A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光波長変換素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03113428A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0793121A2 (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-03 | Nortel Networks Corporation | Semiconductor optical waveguide |
WO2005061401A3 (en) * | 2003-09-18 | 2005-10-20 | 3M Innovative Properties Co | CERAMICS AND GLASS COMPRISING Al2O3, REO, ZrO2 AND/OR HFO2, AND Nb2O5 AND/OR Ta2O5 AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME |
US7662735B2 (en) | 2002-08-02 | 2010-02-16 | 3M Innovative Properties Company | Ceramic fibers and composites comprising same |
US7737063B2 (en) | 2001-08-02 | 2010-06-15 | 3M Innovative Properties Company | AI2O3-rare earth oxide-ZrO2/HfO2 materials, and methods of making and using the same |
US7811496B2 (en) | 2003-02-05 | 2010-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making ceramic particles |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP25270289A patent/JPH03113428A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0793121A2 (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-03 | Nortel Networks Corporation | Semiconductor optical waveguide |
EP0793121A3 (en) * | 1996-02-29 | 2000-03-01 | Nortel Networks Corporation | Semiconductor optical waveguide |
US7737063B2 (en) | 2001-08-02 | 2010-06-15 | 3M Innovative Properties Company | AI2O3-rare earth oxide-ZrO2/HfO2 materials, and methods of making and using the same |
US7662735B2 (en) | 2002-08-02 | 2010-02-16 | 3M Innovative Properties Company | Ceramic fibers and composites comprising same |
US8056370B2 (en) | 2002-08-02 | 2011-11-15 | 3M Innovative Properties Company | Method of making amorphous and ceramics via melt spinning |
US7811496B2 (en) | 2003-02-05 | 2010-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making ceramic particles |
WO2005061401A3 (en) * | 2003-09-18 | 2005-10-20 | 3M Innovative Properties Co | CERAMICS AND GLASS COMPRISING Al2O3, REO, ZrO2 AND/OR HFO2, AND Nb2O5 AND/OR Ta2O5 AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080264910A1 (en) | Process for Fabricating Optical Waveguides | |
JP3848093B2 (ja) | 光導波路素子、光波長変換素子および光導波路素子の製造方法 | |
US20030012540A1 (en) | Method for producing optical waveguides, optical waveguides and frequency converting devices | |
EP0382462B1 (en) | Manufacturing method of frequency doubler | |
JPH03113428A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
JP4806427B2 (ja) | 波長変換素子およびその製造方法 | |
JPH0460524A (ja) | 光波長変換装置 | |
JP2751914B2 (ja) | 光導波路素子 | |
JP2008209522A (ja) | 波長変換素子、及び波長変換モジュール | |
JP2640452B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
JP2006267324A (ja) | 光学素子およびコヒーレント光源 | |
JP2004037587A (ja) | 光変調器およびその製造方法 | |
JP4345490B2 (ja) | 光分岐素子 | |
JPH01172936A (ja) | 光波長変換素子の製造方法 | |
JP2658381B2 (ja) | 導波路型波長変換素子 | |
JPS6377035A (ja) | 非線形2次高調波素子及びその製造方法 | |
JPH01297631A (ja) | 非線形光学素子およびその製造方法 | |
JP3322348B2 (ja) | 波長変換素子 | |
JP2009198651A (ja) | 波長変換素子およびその製造方法 | |
JPH06281982A (ja) | レーザ光発生装置 | |
JPH05333392A (ja) | 波長変換素子およびその製造方法 | |
JPH01172935A (ja) | 非線形光学素子 | |
JP2643927B2 (ja) | 光分岐・光結合回路の製造方法 | |
JPH03126928A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
JPH0990146A (ja) | ハイブリッド型光デバイスおよびその製造方法 |