JPH03111817A - 空間光変調器 - Google Patents
空間光変調器Info
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- JPH03111817A JPH03111817A JP25007789A JP25007789A JPH03111817A JP H03111817 A JPH03111817 A JP H03111817A JP 25007789 A JP25007789 A JP 25007789A JP 25007789 A JP25007789 A JP 25007789A JP H03111817 A JPH03111817 A JP H03111817A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は光電面からの２次元情報を液晶セルに書き込
み、且つこれを読み取ることができるようにした空間光
変調器に関する。
み、且つこれを読み取ることができるようにした空間光
変調器に関する。
【従来の技術１
従来の空間光変調器においては、光変調材料として、Ｌ
ｉ Ｎｂ Ｏ３等の電気光学結晶を用いるものがあった
が、解偉度の向上、オプチカルダメージの減少を目的と
して、例えば特開昭６４−１１２２８号公報に開示され
るように、光変調材料として液晶セルを用いた空間光変
調器が提案されている。 このような液晶セルしは、第４図に示されるように、薄
板ガラスからなる２次電子放出板１と誘電体多層膜から
なる全反射ミラー２と、配向層Ｈと、液晶層３と、透明
電極４と面板ガラス５とをこの順で積層したものである
。 前記液晶層３は、面板ガラス５と２次電子放出板１との
間にスペーサ６によって形成される空間に配置されてい
る。 上記のような液晶セルＬを用いた空間光変調器は、第５
図に示されるように、入力光学像に応じた電子像が形成
される光電面７と、この光電面７からの光電子像を増倍
するマイクロチャンネルプレート（以下ＭＣＰ）８と、
２次電子捕集電極（メツシュ）９と、前記液晶セルＬと
、をこの順で真空容器１０中に配置して構成されている
。 第５図の符号１０Ａはハーフミラ−１０Ｂは偏光板をそ
れぞれ示す。 前記ＭＣＰ８と２次電子捕集電極９の間及び２次電子捕
集電極９と液晶セルＬの間にはそれぞれ絶縁体のスペー
サ８Ａ、９Ａが介在されている（第４図参照）。 【発明が解決しようとする課題】 ところで、上記のような空間光変調器における解像度は
、ＭＣＰ８と液晶セルＬの間の距離により大きく影響さ
れ、この距離はできる限り小さいほうが良い。 しかしながら従来は、ＭＣＰ８と液晶セルＬとの間に介
在される絶縁体のスペーサ８Ａ、９Ａが、機械加工によ
り製造されるため、その強度維持のためには、ある程度
以上薄くすることは困難であるという問題点がある。 又、液晶セルのギャップの均一性が、直接出力像の均一
性に影響するが、液晶セルＬにおける薄板ガラスである
２次電子放出板１は、面精度を出しにくいため、ギャッ
プを均一にするのは困難であるという問題点があった。 この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、
ＭＣＰと液晶セルの間の絶縁体スペーサを薄くして、解
像度を向上させることができると共に、ＭＣＰ側の平面
精度を高めることによって、液晶セルのギャップの均一
性を制御可能とした空間光変調器を提供することを目的
とする。
ｉ Ｎｂ Ｏ３等の電気光学結晶を用いるものがあった
が、解偉度の向上、オプチカルダメージの減少を目的と
して、例えば特開昭６４−１１２２８号公報に開示され
るように、光変調材料として液晶セルを用いた空間光変
調器が提案されている。 このような液晶セルしは、第４図に示されるように、薄
板ガラスからなる２次電子放出板１と誘電体多層膜から
なる全反射ミラー２と、配向層Ｈと、液晶層３と、透明
電極４と面板ガラス５とをこの順で積層したものである
。 前記液晶層３は、面板ガラス５と２次電子放出板１との
間にスペーサ６によって形成される空間に配置されてい
る。 上記のような液晶セルＬを用いた空間光変調器は、第５
図に示されるように、入力光学像に応じた電子像が形成
される光電面７と、この光電面７からの光電子像を増倍
するマイクロチャンネルプレート（以下ＭＣＰ）８と、
２次電子捕集電極（メツシュ）９と、前記液晶セルＬと
、をこの順で真空容器１０中に配置して構成されている
。 第５図の符号１０Ａはハーフミラ−１０Ｂは偏光板をそ
れぞれ示す。 前記ＭＣＰ８と２次電子捕集電極９の間及び２次電子捕
集電極９と液晶セルＬの間にはそれぞれ絶縁体のスペー
サ８Ａ、９Ａが介在されている（第４図参照）。 【発明が解決しようとする課題】 ところで、上記のような空間光変調器における解像度は
、ＭＣＰ８と液晶セルＬの間の距離により大きく影響さ
れ、この距離はできる限り小さいほうが良い。 しかしながら従来は、ＭＣＰ８と液晶セルＬとの間に介
在される絶縁体のスペーサ８Ａ、９Ａが、機械加工によ
り製造されるため、その強度維持のためには、ある程度
以上薄くすることは困難であるという問題点がある。 又、液晶セルのギャップの均一性が、直接出力像の均一
性に影響するが、液晶セルＬにおける薄板ガラスである
２次電子放出板１は、面精度を出しにくいため、ギャッ
プを均一にするのは困難であるという問題点があった。 この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、
ＭＣＰと液晶セルの間の絶縁体スペーサを薄くして、解
像度を向上させることができると共に、ＭＣＰ側の平面
精度を高めることによって、液晶セルのギャップの均一
性を制御可能とした空間光変調器を提供することを目的
とする。
この発明は、入力光学像に応じた電子像が形成される光
電面と、この光電面からの光電子像を増倍するマイクロ
チャンネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セル
と、をこの順で真空容器中に配置してなる空間光変調器
において、前記マイクロチャンネルプレートの出力側に
、前記２次電子捕集電極及び前記液晶セルをそれぞれ絶
縁層を介して順次隣接して、連続一体的に形成すること
により上記目的を達成するものである。 又、前記絶縁層を絶縁体薄膜、前記２次電子捕集電極を
該絶縁体薄膜間に形成された金属薄膜から構成するとに
よって上記目的を達成するものである。 更に、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層に
対して、該液晶セルにおける２次電子放出板を兼ねるｖ
４電体多層膜ミラーを重ねて形成することにより上記目
的を達成するものである。 更に又、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層
を、該液晶セルにおける２次電子放出板としての絶縁体
薄膜とすることにより上記目的を達成するものである。
電面と、この光電面からの光電子像を増倍するマイクロ
チャンネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セル
と、をこの順で真空容器中に配置してなる空間光変調器
において、前記マイクロチャンネルプレートの出力側に
、前記２次電子捕集電極及び前記液晶セルをそれぞれ絶
縁層を介して順次隣接して、連続一体的に形成すること
により上記目的を達成するものである。 又、前記絶縁層を絶縁体薄膜、前記２次電子捕集電極を
該絶縁体薄膜間に形成された金属薄膜から構成するとに
よって上記目的を達成するものである。 更に、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層に
対して、該液晶セルにおける２次電子放出板を兼ねるｖ
４電体多層膜ミラーを重ねて形成することにより上記目
的を達成するものである。 更に又、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層
を、該液晶セルにおける２次電子放出板としての絶縁体
薄膜とすることにより上記目的を達成するものである。
この発明においては、ＭＣＰの出力側に２次電子捕集電
極及び液晶セルがそれぞれ絶縁層を介して順次隣接して
連続一体的に配置されているので、絶縁層の厚さをサブ
ミクロン単位で制御でき、解像度の向上を図ると共に、
ＭＣＰの面精度を高めることによって液晶セルのギャッ
プの均一性を制御できる。 請求項２によれば、絶縁層を絶縁体薄膜、２次電子捕集
電極を金属薄膜から形成することによって、ＭＣＰと液
晶セル間の距離を小さ（シ、且つ、その距離を高精度で
調整できるので、解像度の向上を図ることができる。 更に、ＭＣＰ側の面精度がそのまま液晶セル側の面精度
になるので、ＭＣＰの平面精度を高めることによって、
液晶セルのギャップの均一性の制御が可能となる。 請求項３によれば、２次電子捕集電極と液晶セル間の絶
縁層に対して、２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜ミ
ラーを重ねて形成することによって、更に小型化及び解
像度の向上を図ることができる。 請求項４によれば、絶縁層が液晶セルの絶縁体薄膜を兼
ねるので、より小型化及び解像度の向上を図ることがで
きる。
極及び液晶セルがそれぞれ絶縁層を介して順次隣接して
連続一体的に配置されているので、絶縁層の厚さをサブ
ミクロン単位で制御でき、解像度の向上を図ると共に、
ＭＣＰの面精度を高めることによって液晶セルのギャッ
プの均一性を制御できる。 請求項２によれば、絶縁層を絶縁体薄膜、２次電子捕集
電極を金属薄膜から形成することによって、ＭＣＰと液
晶セル間の距離を小さ（シ、且つ、その距離を高精度で
調整できるので、解像度の向上を図ることができる。 更に、ＭＣＰ側の面精度がそのまま液晶セル側の面精度
になるので、ＭＣＰの平面精度を高めることによって、
液晶セルのギャップの均一性の制御が可能となる。 請求項３によれば、２次電子捕集電極と液晶セル間の絶
縁層に対して、２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜ミ
ラーを重ねて形成することによって、更に小型化及び解
像度の向上を図ることができる。 請求項４によれば、絶縁層が液晶セルの絶縁体薄膜を兼
ねるので、より小型化及び解像度の向上を図ることがで
きる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図に示されるように、ＭＣＰｌ２の
出力側に、５ｉＯｚ等の絶縁体薄膜１４を蒸着等の手段
によって形成し、その上に、金属薄膜からなる２次電子
捕集電極１６を蒸着形成し、更にその上に５ｉＯｚ等の
絶縁体薄膜１８を蒸着形成したものである。 液晶セル２０は、前記第４図に示されたものと同一の構
成であり、その２次電子放出板である薄板ガラス２ＯＡ
が前記絶縁体薄膜１８を介して配置されている。 ここで、前記液晶セル２０を形成する場合、配向層２０
Ｇを形成しである面板ガラス２０Ｂ上に配向層２０Ｇを
形成しである薄板ガラス２ＯＡを、スペーサ２０Ｇを介
して接着してここに液晶を閉じこめ、液晶層２０Ｄを形
成するが、このとき、ＭＣＰｌ２により薄板ガラス２Ｏ
Ａを圧着して、液晶セル２０を形成すると同時にＭＣＰ
ｌ２と２次電子捕集電極１６を一体化するとよい。第１
図の符号２０Ｅは誘電体多層膜ミラー ２０Ｆは透明電
極を、それぞれ示す。 前記絶縁体薄膜１４及び１８の厚さは、動作電圧におい
て充分に耐圧がとれる程度する。又厚さの制御は、従来
からの薄膜形成技術で行うことができ、この場合サブミ
クロン単位での制御が可能である。 又、ＭＣＰｌ２の出力側面に薄膜を順次形成していくの
で、該ＭＣＰ１２の出力側面の平面精度を高めておくこ
とによって、液晶セル側の液晶セル２０側のギャップの
均一性の制御が可能となる。 ここでＭＣＰｌ２の出力側面に絶縁体薄膜１４を形成す
る際、該ＭＣＰ１２の孔の中に絶縁物質が入り込みつま
らないように、例えば斜め方向から蒸着する必要がある
。 次に第２図に示される本発明の第２実施例について説明
する。 この第２実施例は、前記絶縁体薄膜１８に隣接して、液
晶セル２０における２次放出板を兼ねる誘電体多層膜ミ
ラー２０Ｅを形成したものである。 この場合、薄膜状の２次電子捕集電極１６の外側に、ま
ずコロジオン膜２２を形成した後、その上に誘電体多層
膜ミラー２０Ｅを形成し、然る後、前記コロジオン膜２
２を加熱して飛ばし、２次電子捕集電極１６に隣接して
、誘電体多層膜ミラー２０Ｅを形成する。更にこの上に
配向層を形成する。 この実施例の場合は、液晶セルにおける薄板ガラスを省
略することができるので、ＭＣＰｌ ２と液晶セル２０
との間の距離を更に小さくして、解像度の向上及び小型
化を図ることができる。 次に第３図に示される本発明の第３実施例にっいて説明
する。 この第３実施例は、薄膜状の２次電子捕集電極１６の外
側に、まずコロジオン膜２２を形成し、然る後に、５１
０２膜２４及び誘電体多層膜ミラー２０Ｅを順次形成し
た後、前記コロジオン膜２２を飛ばして、２次電子捕集
電極１６に隣接して、２次電子放出板を兼ねる絶縁層で
あるＳｉＯ２膜２４と、誘電体多層膜ミラー２０Ｅを形
成したものである。この上に更に配向層を形成すればよ
い。 この実施例の場合も、ＭＣＰｌ ２と液晶セル２０間の
距離を小さくして、解像度の向上、より小型化を図るこ
とができる。
出力側に、５ｉＯｚ等の絶縁体薄膜１４を蒸着等の手段
によって形成し、その上に、金属薄膜からなる２次電子
捕集電極１６を蒸着形成し、更にその上に５ｉＯｚ等の
絶縁体薄膜１８を蒸着形成したものである。 液晶セル２０は、前記第４図に示されたものと同一の構
成であり、その２次電子放出板である薄板ガラス２ＯＡ
が前記絶縁体薄膜１８を介して配置されている。 ここで、前記液晶セル２０を形成する場合、配向層２０
Ｇを形成しである面板ガラス２０Ｂ上に配向層２０Ｇを
形成しである薄板ガラス２ＯＡを、スペーサ２０Ｇを介
して接着してここに液晶を閉じこめ、液晶層２０Ｄを形
成するが、このとき、ＭＣＰｌ２により薄板ガラス２Ｏ
Ａを圧着して、液晶セル２０を形成すると同時にＭＣＰ
ｌ２と２次電子捕集電極１６を一体化するとよい。第１
図の符号２０Ｅは誘電体多層膜ミラー ２０Ｆは透明電
極を、それぞれ示す。 前記絶縁体薄膜１４及び１８の厚さは、動作電圧におい
て充分に耐圧がとれる程度する。又厚さの制御は、従来
からの薄膜形成技術で行うことができ、この場合サブミ
クロン単位での制御が可能である。 又、ＭＣＰｌ２の出力側面に薄膜を順次形成していくの
で、該ＭＣＰ１２の出力側面の平面精度を高めておくこ
とによって、液晶セル側の液晶セル２０側のギャップの
均一性の制御が可能となる。 ここでＭＣＰｌ２の出力側面に絶縁体薄膜１４を形成す
る際、該ＭＣＰ１２の孔の中に絶縁物質が入り込みつま
らないように、例えば斜め方向から蒸着する必要がある
。 次に第２図に示される本発明の第２実施例について説明
する。 この第２実施例は、前記絶縁体薄膜１８に隣接して、液
晶セル２０における２次放出板を兼ねる誘電体多層膜ミ
ラー２０Ｅを形成したものである。 この場合、薄膜状の２次電子捕集電極１６の外側に、ま
ずコロジオン膜２２を形成した後、その上に誘電体多層
膜ミラー２０Ｅを形成し、然る後、前記コロジオン膜２
２を加熱して飛ばし、２次電子捕集電極１６に隣接して
、誘電体多層膜ミラー２０Ｅを形成する。更にこの上に
配向層を形成する。 この実施例の場合は、液晶セルにおける薄板ガラスを省
略することができるので、ＭＣＰｌ ２と液晶セル２０
との間の距離を更に小さくして、解像度の向上及び小型
化を図ることができる。 次に第３図に示される本発明の第３実施例にっいて説明
する。 この第３実施例は、薄膜状の２次電子捕集電極１６の外
側に、まずコロジオン膜２２を形成し、然る後に、５１
０２膜２４及び誘電体多層膜ミラー２０Ｅを順次形成し
た後、前記コロジオン膜２２を飛ばして、２次電子捕集
電極１６に隣接して、２次電子放出板を兼ねる絶縁層で
あるＳｉＯ２膜２４と、誘電体多層膜ミラー２０Ｅを形
成したものである。この上に更に配向層を形成すればよ
い。 この実施例の場合も、ＭＣＰｌ ２と液晶セル２０間の
距離を小さくして、解像度の向上、より小型化を図るこ
とができる。
本発明は上記のように構成したので、ＭＣＰと２次電子
捕集電極及び液晶セル間の距離を短くして、解像度の向
上を図ることができる。 又、絶縁層の厚さをサブミクロン単位で制御できるので
、この点からも解像度の向上が可能となる。更に、マイ
クロチャンネルプレートの平面精度を高めることによっ
て、液晶セルのギャップの均−性を向上させることもで
きるという優れた効果を有する。
捕集電極及び液晶セル間の距離を短くして、解像度の向
上を図ることができる。 又、絶縁層の厚さをサブミクロン単位で制御できるので
、この点からも解像度の向上が可能となる。更に、マイ
クロチャンネルプレートの平面精度を高めることによっ
て、液晶セルのギャップの均−性を向上させることもで
きるという優れた効果を有する。
第１図乃至第３図は本発明の第１乃至第３実施例を示す
断面図、第４図は従来の空間光変調器におけるＭＣＰ、
メツシュ及び液晶セルを示す略示断面図、第５図は従来
の空間光変調器を示す断面図である。 １２・・・ＭＣＰ。 １４・・・絶縁体８１７４゜ １６・・・２次電子捕集電極、 １８・・・絶縁体薄膜、 ２０・・・液晶セル、 ２ＯＡ・・・薄膜ガラス、 ２０Ｂ・・・面板ガラス、 ２０Ｃ・・・スペーサ、 ２０Ｄ・・・液晶層、 ２０ε・・・誘電体多層膜ミラー ２０ Ｆ−・・纏明電極、 ２０Ｇ・・・配向層、 ２２・・・コロジオン膜、 ２４・・・５ｉＯ２１［。
断面図、第４図は従来の空間光変調器におけるＭＣＰ、
メツシュ及び液晶セルを示す略示断面図、第５図は従来
の空間光変調器を示す断面図である。 １２・・・ＭＣＰ。 １４・・・絶縁体８１７４゜ １６・・・２次電子捕集電極、 １８・・・絶縁体薄膜、 ２０・・・液晶セル、 ２ＯＡ・・・薄膜ガラス、 ２０Ｂ・・・面板ガラス、 ２０Ｃ・・・スペーサ、 ２０Ｄ・・・液晶層、 ２０ε・・・誘電体多層膜ミラー ２０ Ｆ−・・纏明電極、 ２０Ｇ・・・配向層、 ２２・・・コロジオン膜、 ２４・・・５ｉＯ２１［。
Claims (4)
- （１）入力光学像に応じた電子像が形成される光電面と
、この光電面からの光電子像を増倍するマイクロチャン
ネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セルと、を
この順で真空容器中に配置してなる空間光変調器におい
て、前記マイクロチャンネルプレートの出力側に、前記
２次電子捕集電極及び前記液晶セルをそれぞれ絶縁層を
介して順次隣接して、連続一体的に形成したことを特徴
とする空間光変調器。 - （２）請求項１において、前記絶縁層は絶縁体薄膜、前
記２次電子捕集電極は該絶縁体薄膜間に形成された金属
薄膜からなることを特徴とする空間光変調器。 - （３）請求項１又は２において、前記２次電子捕集電極
と液晶セルの間の絶縁層に対して、該液晶セルにおける
２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜ミラーを重ねて形
成したことを特徴とする空間光変調器。 - （４）請求項１又は２において、前記２次電子捕集電極
と液晶セルの間の絶縁層は、該液晶セルにおける２次電
子放出板としての絶縁体薄膜であることを特徴とする空
間光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250077A JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250077A JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111817A true JPH03111817A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2592963B2 JP2592963B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17202470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250077A Expired - Fee Related JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592963B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608822A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調管 |
| JPS6411228A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Hamamatsu Photonics Kk | Space optical modulation tube |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1250077A patent/JP2592963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608822A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調管 |
| JPS6411228A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Hamamatsu Photonics Kk | Space optical modulation tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2592963B2 (ja) | 1997-03-19 |
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