JP2019090895A - 表示装置および液晶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】斜方蒸着膜によって配向膜を形成した液晶装置の耐光性寿命を向上することのできる表示装置、および液晶装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、反射性の画素電極９ａ、絶縁膜１５、および斜方蒸着膜からなる配向膜１６が順に積層された第１基板１０と、透光性の共通電極２１、および配向膜２６が順に積層された第２基板２０とを有している。第２基板２０側から入射する光源光の中心波長λ（ｎｍ）、絶縁膜１５の屈折率ｎ、画素電極９ａへの光源光の侵入深さδ（ｎｍ）、および画素電極９ａから配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）は、ｍを正の整数としたとき、以下の条件式を満たしている。（（mλ/2−λ/8）/n）−δ＜ｄ＜（（mλ/2＋λ/8）/n）−δ【選択図】図４

Description

本発明は、反射型の液晶装置を備えた表示装置、および液晶装置に関するものである。

反射型の液晶装置を備えた投射型表示装置は、反射性の第１電極および第１配向膜を備えた第１基板と、第１電極に対向する面側に透光性の第２電極および第２配向膜を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた液晶層とを各々有する複数の液晶装置を有しており、光源部から出射された各波長域の光源光を複数の液晶装置の各々で変調する。

一方、第１基板において、反射性の第１電極を覆うようにシリコン窒化膜等のパッシベーション膜を設けることにより、第１電極を水分等から保護する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特開２００５−１８９８６７号公報

液晶装置を備えた投射型表示装置では、液晶装置に光源光が強い強度で照射される。一方、投射型表示装置に用いる反射型の液晶装置において、反射性の第１電極に重なる第１配向膜を斜方蒸着膜によって構成すると、液晶層に用いた液晶材料が劣化しやすい傾向があるが、その原因については十分に検討されていない。

ここに、本願発明者は、上記の原因を検討した結果、以下の知見を得た。まず、反射型の液晶装置では、第２基板の側から第１電極に入射した光源光と第１電極で反射した反射光とによって定在波が発生した際、定在波の腹に相当する位置では、パワー密度が高い。従って、定在波の腹が液晶層と第１配向膜との界面に位置すると、液晶層に用いた液晶材料が液晶層と第１配向膜との界面での光反応により劣化しやすい。それ故、定在波の腹を液晶層と第１配向膜との界面からずらせば液晶層と第１配向膜との界面での液晶層の光反応を抑制することができ、液晶装置の耐光性寿命を延ばすことができる。しかしながら、第１配向膜を斜方蒸着膜によって構成した場合、第１配向膜（斜方蒸着膜）は、斜めに傾いた複数のカラムを備えた多孔構造になっているため、第１配向膜の厚さ方向の全体または略全体に液晶層と第１配向膜との界面が存在する。このため、定在波のパワー密度が高い範囲（腹付近）が液晶層と第１配向膜との界面が存在する範囲に位置してしまう。それ故、第１配向膜を斜方蒸着膜によって構成すると、液晶層に用いた液晶材料が光反応により劣化しやすくなる。

かかる問題は、特許文献１に記載の技術のように、第１電極と第１配向膜との間にパッシベーション膜を形成しただけでは抑制することが困難である。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、斜方蒸着膜によって配向膜を形成した液晶装置の耐光性寿命を向上することのできる表示装置、および液晶装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明に係る液晶装置の一態様は、光源光を出射する光源部と、前記光源光のうち、異なる波長域の光源光が各々入射する反射型の複数の液晶装置と、前記複数の液晶装置から出射された変調光を合成して投射する光学系と、を有し、前記複数の液晶装置は各々、反射性の第１電極、第１絶縁膜、および斜方蒸着膜からなる第１配向膜が順に積層された第１基板と、前記第１電極に対向する面側に透光性の第２電極、および第２配向膜が順に積層された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、を有し、前記複数の液晶装置のうち、少なくとも一つの液晶装置は、前記第２基板側から入射する前記光源光の中心波長をλ（ｎｍ）とし、前記第１絶縁膜の屈折率をｎとし、前記光源光が前記第１電極で反射する際の前記光源光の前記第１電極表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、前記第１電極表面から前記第１配向膜の厚さ中心までの膜厚をｄ（ｎｍ）とし、ｍを正の整数としたとき、波長λ、屈折率ｎ、侵入深さδ、および膜厚ｄは、以下の条件式を満たすことを特徴とする。

本発明において、上記条件式を満たす液晶装置では、第１配向膜の厚さ方向の全体または略全体に液晶層と第１配向膜との界面が存在する場合でも、定在波のパワー密度が低い部分（節付近）が第１配向膜の厚さ方向の中心付近に位置しており、定在波のパワー密度が高い部分（腹付近）が第１配向膜の厚さ方向の中心付近には位置しない。このため、第１配向膜と液晶層との界面での光反応により液晶材料が劣化することを抑制することができる。それ故、液晶装置の耐光性寿命を向上することができる。

本発明において、前記第１絶縁膜は、１層の絶縁膜からなる態様を採用することができる。

本発明において、前記条件式におけるｍが１である態様を採用することができる。ｍが最小値（１）であれば、第１絶縁膜が薄いので、液晶層に電場を適正に印加することができる。

本発明において、前記第１絶縁膜は、複数の絶縁膜の積層膜であり、前記第１絶縁膜の屈折率ｎは、前記複数の絶縁膜のうちの最も膜厚が厚い絶縁膜の屈折率、前記複数の絶縁膜の各屈折率の相加平均、または前記複数の絶縁膜の各屈折率を前記複数の絶縁膜の各膜厚によって重み付けした加重平均値である態様を採用することができる。

本発明において、前記複数の絶縁膜には、増反射膜を構成する複数の絶縁膜が含まれている態様を採用することができる。かかる構成によれば、第１電極での反射率を高めることができるので、明るい画像を表示することができる。

本発明において、前記条件式におけるｍが２であるである態様を採用することができる。第１絶縁膜が複数の絶縁膜の積層膜である場合、ｍを１とすることができないが、その場合でも、ｍを可能な範囲で最小値（２）とすれば、第１絶縁膜が薄いので、液晶層に電場を適正に印加することができる。

本発明において、前記光源部は、単一波長光源または略単一波長光源の光源を備えている態様を採用することができる。

本発明において、前記光源部は、単一波長光源以外または略単一波長光源以外の光源を備え、前記条件式において、ｍが２である態様を採用することができる。

本発明において、前記第１配向膜の膜厚は、λ／（４ｎ）より薄い態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１配向膜の厚さ方向において、厚さ方向の中心だけでなく、厚さ方向の中心からずれた位置に定在波の腹が位置することも回避することができる。

本発明において、前記第１絶縁膜は、垂直蒸着膜からなる配向膜を含む態様を採用することができる。かかる態様によれば、斜方蒸着膜からなる第１配向膜を薄くすることができるので、信頼性を向上することができる。

本発明において、前記複数の液晶装置のうち、少なくとも、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置が前記条件式を満たす態様を採用することができる。かかる態様によれば、液晶材料が劣化しやすい液晶装置の耐光寿命を向上することができる。

本発明において、前記複数の液晶装置のいずれもが、前記条件式を満たす態様を採用してもよい。

本発明において、前記第２基板には、前記第２電極、第２絶縁膜、および第２配向膜が順に積層され、前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同一構成であり、前記第２配向膜は、前記第１配向膜と同一構成である態様を採用することができる。

本発明に係る液晶装置は、反射性の第１電極、第１絶縁膜、および斜方蒸着膜からなる第１配向膜が順に積層された第１基板と、前記第１電極に対向する面側に透光性の第２電極、および第２配向膜が順に積層された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、有し、前記第２基板側から入射する前記光源光の中心波長をλ（ｎｍ）とし、前記第１絶縁膜の屈折率をｎとし、前記光源光が前記第１電極で反射する際の前記光源光の前記第１電極表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、前記第１電極表面から前記第１配向膜の厚さ中心までの膜厚をｄ（ｎｍ）とし、ｍを正の整数としたとき、波長λ、屈折率ｎ、侵入深さδ、および膜厚ｄは、以下の条件式
を満たすことを特徴とする。

本発明に係る表示装置の一例を示す概略構成図。 本発明に実施形態１に係る液晶装置の具体的構成例を示す平面図。 図２に示す液晶装置のＨ−Ｈ′断面図。 図２に示す液晶装置の画素の具体的構成例を模式的に示す断面図。 図４に示す第１基板の画素電極近傍で発生する定在波のパワー密度を示す説明図。 図４に示す第１基板の断面を模式的に示す説明図。 本発明の実施形態２で用いた第１基板の断面を模式的に示す説明図。 図７に示す第１基板において、条件式のｍを２、３、４に変化させた場合における液晶装置の反射率の変化を示す説明図。 本発明の実施形態４で用いた第１基板の断面を模式的に示す説明図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側を意味する。第２基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（第１基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第２基板の基板本体が位置する側を意味する。

以下、本発明の実施形態に係る液晶装置１００として、第１基板１０に反射性の画素電極９ａが形成され、第２基板２０に透光性の共通電極２１が形成されている場合を中心に説明する。かかる液晶装置１００では、第１基板１０に形成された画素電極９ａが本発明における「第１電極」に相当し、第１基板１０に形成された配向膜１６が本発明における「第１配向膜」に相当し、第１基板１０に対して画素電極９ａ（第１電極）と配向膜１６との間に形成された絶縁膜１５が「第１絶縁膜」に相当する。また、第２基板２０に形成された透光性の共通電極２１が本発明における「第２電極」に相当し、第２基板２０に形成された配向膜２６が本発明における「第２配向膜」に相当し、第２基板２０に対して共通電極２１（第２電極）と配向膜２６との間に形成された絶縁膜が「第２絶縁膜」に相当する。

［実施形態１］
（表示装置の構成）
図１は、本発明に係る表示装置の一例を示す概略構成図であり、図１に示す表示装置は、反射型の液晶装置をライトバルブに用いた投射型表示装置である。図１に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。光変調部１０２５は、液晶装置１００を含んで構成される。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系、光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９（光学系）とを備えている。

かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。光源部１０２１は、光源１０２１ａとして、超高圧水銀ランプ等、単一波長光源以外、または略単一波長光源以外の光源を備えている。また、光源部１０２１が、光源１０２１ａとして、レーザーダイオード等、単一波長光源、または略単一波長光源である固体光源を備えている場合がある。

フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を各々均一に重畳照明可能とする。

色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。

また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。

これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。

このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系、光学系）には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９（光学系）に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。

（液晶装置１００の具体的構成）
図２は、本発明に実施形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例を示す平面図である。図３は、図２に示す液晶装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。なお、図２および図３等において、液晶装置１００の面内方向で交差する２つの方向（第１方向および第２方向）をｘ方向およびｙ方向とし、ｘ方向およびｙ方向に対して交差する第３方向（液晶装置１００の厚さ方向）をｚ方向としてある。

図２および図３に示す液晶装置１００は、アクティブマトリクス型の液晶パネル１００ｐを有している。液晶装置１００では、第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶層５０が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、液晶材料を滴下法で封入する場合は、途切れ部分１０７ｃは形成されない。

液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

第１基板１０において、外周領域１０ｃ（表示領域１０ａより外周側の枠状領域）のうち、第１基板１０が第２基板２０から張り出している側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２は、シール材１０７より外周側に設けられている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗを有している。第１基板１０（基板本体１０ｗ）の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、表示領域１０ａに複数の画素スイッチング素子、および複数の画素スイッチング素子の各々に電気的に接続する画素電極９ａ（第１電極）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａの上層側には配向膜１６（第１配向膜）が形成されている。また、第１基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有している。第２基板２０（基板本体２０ｗ）の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１（第２電極）が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨るように形成されている。本実施形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。

第２基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の液晶層５０側の面には配向膜２６（第２配向膜）が積層されている。また、遮光層２９と共通電極２１との間には透光性の平坦化膜２２が形成されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部（図示せず）を含んで形成されてもよい。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと平面的に重なる位置に形成されている。

配向膜１６および配向膜２６は、ＳｉＯ_Ｘ（ｘ≦２）、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、カラムと称せられる柱状体が第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに傾いた柱状構造体層からなる。従って、配向膜１６および配向膜２６は、液晶層５０に用いた負の誘電異方性を備えたネマチック液晶分子を第１基板１０および第２基板２０に対して斜め傾斜配向させ、液晶分子にプレチルトを付している。このようにして、液晶装置１００は、ノーマリブラックのＶＡモードの液晶装置として構成されている。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２４ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２４ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２４ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２４ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。

本実施形態の液晶装置１００は反射型液晶装置である。従って、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性の金属膜によって構成された反射性電極である。共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜によって構成された透光性電極である。かかる反射型の液晶装置１００では、第２基板２０の側から入射した光源光Ｌが第１基板１０の側で反射して第２基板２０から出射される間に変調されて画像を表示する。

液晶装置１００は、図１に示す投射型表示装置１０００において、ＲＧＢ用のライトバルブに用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、例えば、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（画素の具体的構成）
図４は、図２に示す液晶装置１００の画素の具体的構成例を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の走査線３ａが形成されている。本実施形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなる。走査線３ａの上層側には、透光性の絶縁膜１１が形成されており、かかる絶縁膜１１の表面側に、半導体層３０ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。本実施形態において、絶縁膜１１はシリコン酸化膜等からなる。

画素スイッチング素子３０は、半導体層３０ａと、半導体層３０ａと交差するゲート電極３０ｇとを備えており、半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとの間に透光性のゲート絶縁膜３０ｂを有している。半導体層３０ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁膜３０ｂは、半導体層３０ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁膜との２層構造からなる。ゲート電極３０ｇは、ゲート絶縁膜３０ｂおよび絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示せず）を介して電気的に接続されている。

ゲート電極３０ｇの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜１２、１３、１４が順に形成されており、層間絶縁膜１２、１３、１４の間等を利用して、保持容量（図示せず）が構成されている。層間絶縁膜１２と層間絶縁膜１３との間にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されており、層間絶縁膜１３と層間絶縁膜１４との間に中継電極７ａが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁膜３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ａを介して半導体層３０ａのソース領域に電気的に接続している。ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁膜３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ｂを介して半導体層３０ａのドレイン領域に電気的に接続している。中継電極７ａは、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。層間絶縁膜１４は、表面が平坦面になっており、層間絶縁膜１４の表面側（液晶層５０の側の面側）には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール１４ａを介して中継電極７ａに導通している。従って、画素電極９ａは、中継電極７ａおよびドレイン電極６ｂを介して画素スイッチング素子３０のドレイン領域に電気的に接続している。

第１基板１０においては、後述する理由から、画素電極９ａと配向膜１６との間に絶縁膜１５（第１絶縁膜）が形成されている。絶縁膜１５については、画素電極９ａと重なる部分の膜厚を制御することを目的に、絶縁膜１５を成膜した後、絶縁膜１５の表面（画素電極９ａとは反対側の面）を平坦化してある。

かかる構成に対応して、第２基板２０では、共通電極２１と配向膜２６との間に絶縁膜２５（第２絶縁膜）が形成されている。ここで、配向膜１６と配向膜２６とは、同一構成である。より具体的には、配向膜１６と配向膜２６とは、構成材料、膜厚および成膜方法が同一である。また、絶縁膜１５（第１絶縁膜）と絶縁膜２５（第２絶縁膜）とは、同一構成である。より具体的には、絶縁膜１５と絶縁膜２５とは、構成材料、膜厚および成膜方法が同一である。従って、液晶装置１００では、第１基板１０および第２基板２０の液晶層５０と接する面の構成が同一である。それ故、液晶装置１００を反転駆動した際、電荷の蓄積等が発生しにくい。

（耐光性向上のための構成）
図５は、図４に示す第１基板１０の画素電極９ａ近傍で発生する定在波Ｓのパワー密度を示す説明図である。図６は、図４に示す第１基板１０の断面を模式的に示す説明図である。図５では、画素電極９ａの表面をｚ方向における０ｎｍの位置（基準位置）としてある。

図４に示す第２基板２０の側から第１基板１０の画素電極９ａに入射した光は、画素電極９ａで反射する。従って、画素電極９ａの表面近傍では、第２基板２０の側から画素電極９ａに入射した光源光と画素電極９ａで反射した反射光とによって、図５に示す定在波Ｓが正弦波状に発生する。図５の縦軸は、定在波Ｓのパワー密度をＦＤＴＤ法（Finite-difference time-domain method）で算出した値である。図５に示すように、定在波Ｓの節Ｓ１に相当する部分ではパワー密度が極小となり、定在波Ｓの腹Ｓ２に相当する部分ではパワー密度が極大となる。従って、図４に示す配向膜１６と液晶層５０との界面に定在波Ｓの腹Ｓ２が位置する場合、液晶層５０を構成する材料（液晶材料）に光反応が発生しやすいのに対して、配向膜１６と液晶層５０との界面から定在波Ｓの腹Ｓ２がずれていれば、液晶層５０を構成する材料（液晶材料）に光反応が発生しにくいことになる。なお、第１基板１０の画素電極９ａに入射した光は、画素電極９ａの表面から所定の深さまで侵入して反射するため、定在波Ｓの端部Ｓ０は、画素電極９ａの表面から所定の深さの位置にある。

本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_Ｘ（ｘ≦２）の斜方蒸着膜からなる無機配向膜である。かかる配向膜１６は、図６に模式的に示すように、カラム１６０と称せられる柱状体が第１基板１０に対して斜めに形成された柱状構造体層からなり、多孔性を有している。従って、配向膜１６では、厚さ方向の全体に配向膜１６と液晶層５０との界面が存在するため、定在波Ｓの腹Ｓ２を配向膜１６と液晶層５０との界面からずらすのは容易でない。

そこで、本形態では、画素電極９ａと配向膜１６との間に適正な絶縁膜１５（第１絶縁膜）を介在させることにより、配向膜１６の厚さ方向（ｚ方向）の中心付近に定在波Ｓの節Ｓ１が位置するように構成し、配向膜１６と液晶層５０との界面で液晶層５０を構成する材料に光反応が発生することを抑制する。

より具体的には、まず、第２基板２０側から入射する光源光Ｌの中心波長をλ（ｎｍ）とし、絶縁膜１５の屈折率および膜厚を各々、ｎ_１、ｄ_１とし、配向膜１６の屈折率および膜厚を各々、ｎ_０、ｄ_０とする。また、光源光Ｌが画素電極９ａで反射する際の光源光Ｌの画素電極９ａ表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、画素電極９ａの屈折率をｎ_ｔとする。従って、ｍを正の整数としたとき、以下の式（１）を満たせば、配向膜１６の厚さ方向の中心に定在波Ｓの節Ｓ１（定在波Ｓのパワー密度が低い部分）が位置することになる。
ｍλ／２＝ｎ_ｔδ＋ｎ_１ｄ_１＋（ｎ_０ｄ_０／２） ・・式（１）

上式において、δは、後述する条件式に示すように、画素電極９ａの反射率ρ、絶対透磁率μ、光電場の角周波数ω、真空中の光の速度ｃから求められる。アルミニウムの場合、可視光に対する侵入深さδは約３ｎｍであり、銀やニッケルでは、これよりも小さくい。従って、δは極めて小さい値であるから、ｎｔ＝ｎ_１と見なすことができる。また、絶縁膜１５の屈折率ｎ_１と配向膜１６の屈折率ｎ_０とが略等しいと見なせば、ｎ_１＝ｎ_０とすることができる。その結果、上記の条件式は以下の式（２）となる。
ｍλ／２＝ｎ_１（δ＋ｄ_１＋（ｄ_０／２）） ・・式（２）

また、配向膜１６の厚さ方向の中心から所定の範囲内に定在波Ｓの節Ｓ１が位置するように構成するために、本形態では、以下の式（３）で規定される条件を設定する。ｄは、画素電極９ａ表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚であり、許容領域として設定されたλ／８は、定在波Ｓの節Ｓ１から定在波Ｓの変曲点Ｓ３までの距離である。
（ｍλ／２）−（λ／８）＜ｎ_１（δ＋ｄ）＜（ｍλ／２）＋（λ／８）
・・・式（３）
上式において、ｄ＝ｄ_１＋（ｄ_０／２）

それ故、定在波Ｓの何番目の節かを示す正の整数をｍとしたとき、以下の条件式を満たすように構成すれば、図５に矢印Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、・・で示すように、節Ｓ１から最も近い変曲点Ｓ３までの許容範囲内に配向膜１６の厚さ方向の中心が位置する。すなわち、定在波Ｓのパワー密度が比較的低い範囲内に配向膜１６の厚さ方向の中心が位置する。また、配向膜１６の膜厚は、λ／４ｎより薄い。このため、配向膜１６の厚さ方向において、厚さ方向の中心だけでなく、厚さ方向の中心からずれた位置に定在波Ｓの腹Ｓ２（パワー密度が比較的高い部分）が位置することを回避することができる。

ここで、上記の構成は、投射型表示装置１０００に用いた複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））の全てに適用してもよいが、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）で、液晶層５０に用いた液晶材料で光反応が発生しやすい。図１に示す投射型表示装置１０００において、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００は、波長が４２０ｎｍから４５０ｎｍの青色光が入射する液晶装置１００（Ｂ）である。従って、本形態では、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のうち、少なくとも、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）を、上記の条件式を満たすように構成する。より具体的には、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））として同一構成の液晶装置を用いるが、上記の条件式におけるλとして青色光（Ｂ）の波長を用い、少なくとも液晶装置１００（Ｂ）については、上記の条件式を満たすように構成してある。

例えば、図１に示す投射型表示装置１０００において、青色（Ｂ）の光を出射する光源が、中心波長４５０ｎｍの青色（Ｂ）の光を出射する固体光源であり、液晶装置１００において、絶縁膜１５はＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２（屈折率ｎ＝１．４３）の１層からなる。この場合、ｍ＝１の条件で上記の条件式を満たすように、画素電極９ａの表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）を、以下のように設定する。
１１５ｎｍ＜ｄ＜１９３ｎｍ

従って、投射型表示装置１０００に用いた複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のうち、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）においても、配向膜１６と液晶層５０との界面で液晶層５０を構成する材料に光反応が発生することを抑制することができるので、液晶装置１００（Ｂ）の耐光性寿命を延ばすことができる。

また、本形態では、上記条件式におけるｍが１であるため、第１基板１０の絶縁膜１５が薄い。また、第２基板２０の絶縁膜２５は、第１基板１０の絶縁膜１５と同一構成であるため、絶縁膜２５が薄い。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１から液晶層５０に電場を適正に印加することができる。

［実施形態２］
図７は、本発明の実施形態２で用いた第１基板１０の断面を模式的に示す説明図である。本形態および後述する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図７に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、第１基板１０には、画素電極９ａ（第１電極）、絶縁膜１５（第１絶縁膜）および配向膜１６（第１配向膜）が順に積層されている。かかる構成において、実施形態１では、絶縁膜１５がＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２（屈折率ｎ＝１．４３）の１層からなっていたが、本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなる。本形態において、絶縁膜１５は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第１層１５１、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ_Ｘ（屈折率ｎ＝２．０２）からなる第２層１５２、およびＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第３層１５３の積層膜である。本形態において、第１層１５１と第２層１５２とは増反射膜１５０を構成している。図４に示す第２基板２０の絶縁膜２５も、絶縁膜１５と同一構成である。

かかる構成の場合、上記条件式における絶縁膜１５の屈折率ｎとして、複数の絶縁膜のうちの最も膜厚が厚い絶縁膜の屈折率、複数の絶縁膜の各屈折率の相加平均、または複数の絶縁膜の各屈折率を前記複数の絶縁膜の各膜厚によって重み付けした加重平均値を用いる。本形態では、絶縁膜１５を構成する複数の絶縁膜のうちの最も膜厚が厚い第３層１５３の屈折率（１．４３）を用いる。

本形態でも、実施形態１と同様、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））として同一構成の液晶装置を用いているが、上記の条件式におけるλとして青色光（Ｂ）の波長を用い、少なくとも液晶装置１００（Ｂ）については、上記の条件式を満たすように構成してある。

具体的には、図１に示す投射型表示装置１０００において、青色（Ｂ）の光を出射する光源が、中心波長４５０ｎｍの青色（Ｂ）の光を出射する固体光源である。本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難である。従って、ｍ＝２の条件で上記の条件式を満たすように、画素電極９ａの表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）を以下のように設定する。
２７３ｎｍ＜ｄ＜３５０ｎｍ

従って、投射型表示装置１０００に用いた複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のうち、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）においても、配向膜１６と液晶層５０との界面で液晶層５０を構成する材料に光反応が発生することを抑制することができるので、液晶装置１００（Ｂ）の耐光性寿命を延ばすことができる。また、第１層１５１と第２層１５２とが増反射膜１５０を構成しているため、液晶装置１００（Ｂ）か出射される変調光の強度を高めることができる。従って、投射型表示装置１０００において明るい画像を表示することができる。

また、本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難であるが、ｍを可能な範囲で最小値（２）と設定してある。このため、第１基板１０の絶縁膜１５が薄い。また、第２基板２０の絶縁膜２５は、第１基板１０の絶縁膜１５と同一構成であるため、絶縁膜２５が薄い。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１から液晶層５０に電場を適正に印加することができる。

［実施形態３］
図８は、図７に示す第１基板１０において、条件式のｍを２、３、４に変化させた場合における液晶装置１００の反射率の変化を示す説明図であり、横軸は、画素電極９ａと共通電極２１との間に印加した電圧である。なお、本形態の第１基板１０の構成は、実施形態２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図７に示すように、本形態でも、実施形態１、２と同様、第１基板１０には、画素電極９ａ（第１電極）、絶縁膜１５（第１絶縁膜）および配向膜１６（第１配向膜）が順に積層されている。絶縁膜１５は、実施形態２と同様、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第１層１５１と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ_Ｘ）からなる第２層１５２と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第３層１５３とからなる。図４に示す第２基板２０の絶縁膜２５も、絶縁膜１５と同一構成である。第１層１５１と第２層１５２とは増反射膜１５０を構成している。

本形態でも、実施形態１、２と同様、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））として同一構成の液晶装置を用いているが、上記の条件式におけるλとして青色光（Ｂ）の波長を用い、少なくとも液晶装置１００（Ｂ）については、上記の条件式を満たすように構成してある。

本形態において、図１に示す投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、超高圧水銀ランプであり、出射光は波長分布を有している。かかる出射光は、短波長カットフィルターとして、Ｔ_５０％＝４３０ｎｍの誘電体多層膜フィルターを介して液晶装置１００（Ｂ）に入射する。従って、液晶装置１００（Ｂ）に入射する光源光の中心波長は４３０ｎｍである。本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難である。従って、ｍ＝２以上の条件で上記の条件式を満たすように、画素電極９ａの表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）を設定する。

その際、ｍが大きい程、絶縁膜１５の光劣化に対する影響が波長毎に打ち消される度合が大きい。但し、ｍが大きい程、絶縁膜１５が厚くなるので、画素電極９ａおよび共通電極２１から液晶層５０に印加される電場が低下する。その結果、図８に示すように、液晶装置１００から出射される反射光の強度が低下する。従って、本形態では、液晶装置１００（Ｂ）については、ｍ＝２の条件で上記の条件式を満たすように、画素電極９ａの表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）を以下のように設定する。
２６０ｎｍ＜ｄ＜３３５ｎｍ

従って、投射型表示装置１０００に用いた複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のうち、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）においても、配向膜１６と液晶層５０との界面で液晶層５０を構成する材料に光反応が発生することを抑制することができるので、液晶装置１００（Ｂ）の耐光性寿命を延ばすことができる。また、第１層１５１と第２層１５２とが増反射膜１５０を構成しているため、液晶装置１００（Ｂ）か出射される変調光の強度を高めることができる。従って、投射型表示装置１０００において明るい画像を表示することができる。また、本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難であるが、ｍを可能な範囲で最小値（２）と設定してある。このため、第１基板１０の絶縁膜１５が薄い。また、第２基板２０の絶縁膜２５は、第１基板１０の絶縁膜１５と同一構成であるため、絶縁膜２５が薄い。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１から液晶層５０に電場を適正に印加することができる。

［実施形態４］
図９は、本発明の実施形態４で用いた第１基板１０の断面を模式的に示す説明図である。図９に示すように、本形態でも、実施形態１、２と同様、第１基板１０には、画素電極９ａ（第１電極）、絶縁膜１５（第１絶縁膜）および配向膜１６（第１配向膜）が順に積層されている。本形態では、実施形態２、３と同様、絶縁膜１５が複数の層からなる。本形態において、絶縁膜１５は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第１層１５１と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ_Ｘ）からなる第２層１５２と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第３層１５３と、垂直蒸着法等により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる第４層１５４からなる。図４に示す第２基板２０の絶縁膜２５も、絶縁膜１５と同一構成である。第１層１５１と第２層１５２とは増反射膜１５０を構成している。第４層１５４は、垂直配向膜を構成している。このため、斜方蒸着膜からなる配向膜１６については膜厚が５０ｎｍ程度まで薄くしても十分な配向規制力を発揮する。

本形態でも、実施形態１と同様、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））として同一構成の液晶装置を用いているが、上記の条件式におけるλとして青色光（Ｂ）の波長を用い、少なくとも液晶装置１００（Ｂ）については、上記の条件式を満たすように構成してある。

本形態において、図１に示す投射型表示装置１０００において、青色（Ｂ）の光を出射する光源が、中心波長４５０ｎｍの青色（Ｂ）の光を出射する固体光源である。本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難である。従って、ｍ＝２の条件で上記の条件式を満たすように、画素電極９ａの表面から配向膜１６の厚さ中心までの膜厚ｄ（ｎｍ）を以下のように設定する。
２７３ｎｍ＜ｄ＜３５０ｎｍ

従って、投射型表示装置１０００に用いた複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のうち、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置１００（Ｂ）においても、配向膜１６と液晶層５０との界面で液晶層５０を構成する材料に光反応が発生することを抑制することができるので、液晶装置１００（Ｂ）の耐光性寿命を延ばすことができる。また、第１層１５１と第２層１５２とが増反射膜１５０を構成しているため、液晶装置１００（Ｂ）か出射される変調光の強度を高めることができる。従って、投射型表示装置１０００において明るい画像を表示することができる。

また、本形態では、絶縁膜１５が複数の層からなるため、ｍを１に設定するのが困難であるが、ｍを可能な範囲で最小値（２）と設定してある。このため、第１基板１０の絶縁膜１５が薄い。また、第２基板２０の絶縁膜２５は、第１基板１０の絶縁膜１５と同一構成であるため、絶縁膜２５が薄い。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１から液晶層５０に電場を適正に印加することができる。

［他の実施の形態］
上記実施形態では、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））として同一構成の液晶装置を用い、上記の条件式におけるλとして青色光（Ｂ）の波長を用いている。従って、少なくとも液晶装置１００（Ｂ）については、上記の条件式を満たすように構成してある。但し、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））の各々において、上記の条件式におけるλとして、入射する光源光の中心波長を用いてもよい。このような構成の場合、複数の液晶装置１００（１００（Ｒ）、１００（Ｇ）、１００（Ｂ））のいずれもが、上記の条件式を満たすことになる。

上記実施形態では、画素電極９ａが反射性電極であり、共通電極２１が透光性電極であったが、共通電極２１が反射性電極であり、画素電極９ａが透光性電極である場合に本発明を適用してもよい。この場合、第２基板２０に形成された共通電極２１が本発明における「第１電極」に相当し、第２基板２０に形成された配向膜２６が本発明における「第１配向膜」に相当し、第２基板２０に対して共通電極２１（第１電極）と配向膜２６との間に形成された絶縁膜２５が「第１絶縁膜」に相当する。また、第１基板１０に形成された透光性の画素電極９ａが本発明における「第２電極」に相当し、第１基板１０に形成された配向膜１６が本発明における「第２配向膜」に相当し、第１基板１０に対して画素電極９ａ（第２電極）と配向膜１６との間に形成された絶縁膜が「第２絶縁膜」に相当する。

［他の表示機器］
本発明を適用した液晶装置１００を備えた表示装置器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）等の表示装置に用いる場合に本発明を適用してもよい。

９ａ…画素電極（第１電極）、１０…第１基板、１５…絶縁膜（第１絶縁膜）、１６…配向膜（第１配向膜）、２０…第２基板、２１…共通電極（第２電極）、１５…絶縁膜（第２絶縁膜）、２６…配向膜（第２配向膜）、５０…液晶層、１００…液晶装置、１００ｐ…液晶パネル、１５０…増反射膜、１５１…第１層、１５２…第２層、１５３…第３層、１５４…第４層、１０００…投射型表示装置、１０２１…光源部、１０２１ａ…光源、１０２７…クロスダイクロイックプリズム（合成光学系、光学系）１０２９…投射光学系（光学系）、Ｓ…定在波、Ｓ０…端部、Ｓ１…節、Ｓ２…腹、Ｓ３…変曲点。

上記課題を解決するため、本発明に係る液晶装置の一態様は、光源光を出射する光源部と、前記光源光のうち、異なる波長域の光源光が各々入射する反射型の複数の液晶装置と、前記複数の液晶装置から出射された変調光を合成して投射する光学系と、を有し、前記複数の液晶装置のうち一の液晶装置は、反射性の第１電極、第１絶縁膜、および斜方蒸着膜からなる第１配向膜が順に積層された第１基板と、前記第１電極に対向する面側に透光性の第２電極、および第２配向膜が順に積層された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、を有し、前記第２基板側から入射する前記光源光の中心波長をλ（ｎｍ）とし、前記第１絶縁膜の屈折率をｎとし、前記光源光が前記第１電極で反射する際の前記光源光の前記第１電極表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、前記第１電極表面から前記第１配向膜の厚さ中心までの膜厚をｄ（ｎｍ）とし、ｍを正の整数としたとき、波長λ、屈折率ｎ、侵入深さδ、および膜厚ｄは、以下の条件式を満たすことを特徴とする。

本発明において、前記第１絶縁膜は、垂直配向膜を含む態様を採用することができる。かかる態様によれば、斜方蒸着膜からなる第１配向膜を薄くすることができるので、信頼性を向上することができる。

本発明において、前記第２基板には、前記第２電極、第２絶縁膜、および前記第２配向膜が順に積層され、前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同一構成であり、前記第２配向膜は、前記第１配向膜と同一構成である態様を採用することができる。

Claims (14)

1. 光源光を出射する光源部と、
   前記光源光のうち、異なる波長域の光源光が各々入射する反射型の複数の液晶装置と、
   前記複数の液晶装置から出射された変調光を合成して投射する光学系と、
   を有し、
   前記複数の液晶装置は各々、反射性の第１電極、第１絶縁膜、および斜方蒸着膜からなる第１配向膜が順に積層された第１基板と、前記第１電極に対向する面側に透光性の第２電極、および第２配向膜が順に積層された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、を有し、
   前記複数の液晶装置のうち、少なくとも一つの液晶装置は、前記第２基板側から入射する前記光源光の中心波長をλ（ｎｍ）とし、前記第１絶縁膜の屈折率をｎとし、前記光源光が前記第１電極で反射する際の前記光源光の前記第１電極表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、前記第１電極表面から前記第１配向膜の厚さ中心までの膜厚をｄ（ｎｍ）とし、ｍを正の整数としたとき、波長λ、屈折率ｎ、侵入深さδ、および膜厚ｄは、以下の条件式
   を満たすことを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記第１絶縁膜は、１層の絶縁膜からなることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２に記載の表示装置において、
   前記条件式におけるｍが１であるであることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１に記載の表示装置において、
   前記第１絶縁膜は、複数の絶縁膜の積層膜であり、
   前記第１絶縁膜の屈折率ｎは、前記複数の絶縁膜のうちの最も膜厚が厚い絶縁膜の屈折率、前記複数の絶縁膜の各屈折率の相加平均、または前記複数の絶縁膜の各屈折率を前記複数の絶縁膜の各膜厚によって重み付けした加重平均値であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項４に記載の表示装置において、
   前記複数の絶縁膜には、増反射膜を構成する複数の絶縁膜が含まれていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項４または５に記載の表示装置において、
   前記条件式におけるｍが２であるであることを特徴とする表示装置。
7. 請求項１から６までのいずれか一項に記載の表示装置において、
   前記光源部は、単一波長光源または略単一波長光源の光源を備えていることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１、２、４または５に記載の表示装置において、
   前記光源部は、単一波長光源以外、または略単一波長光源以外の光源を備え、
   前記条件式において、ｍが２であるであることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１から８までのいずれか一項に記載の表示装置において、
   前記第１配向膜の膜厚は、λ／４ｎより薄いことを特徴とする表示装置。
10. 請求項１から９までのいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記第１絶縁膜は、垂直蒸着膜からなる配向膜を含むことを特徴とする表示装置。
11. 請求項１から１０までのいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記複数の液晶装置のうち、少なくとも、最も低波長域の光源光が入射する液晶装置が前記条件式を満たすことを特徴とする表示装置。
12. 請求項１から１０までのいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記複数の液晶装置のいずれもが、前記条件式を満たすことを特徴とする表示装置。
13. 請求項１から１１までのいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記第２基板には、前記第２電極、第２絶縁膜、および第２配向膜が順に積層され、
    前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同一構成であり、
    前記第２配向膜は、前記第１配向膜と同一構成であることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１から１３までのいずれか一項に記載の表示装置において、
    反射性の第１電極、第１絶縁膜、および斜方蒸着膜からなる第１配向膜が順に積層された第１基板と、
    前記第１電極に対向する面側に透光性の第２電極、および第２配向膜が順に積層された第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた液晶層と、
    有し、
    前記第２基板側から入射する前記光源光の中心波長をλ（ｎｍ）とし、前記第１絶縁膜の屈折率をｎとし、前記光源光が前記第１電極で反射する際の前記光源光の前記第１電極表面への侵入深さをδ（ｎｍ）とし、前記第１電極表面から前記第１配向膜の厚さ中心までの膜厚をｄ（ｎｍ）とし、ｍを正の整数としたとき、波長λ、屈折率ｎ、侵入深さδ、および膜厚ｄは、以下の条件式
    を満たすことを特徴とする液晶装置。