JP2592963B2 - 空間光変調器 - Google Patents
空間光変調器Info
- Publication number
- JP2592963B2 JP2592963B2 JP1250077A JP25007789A JP2592963B2 JP 2592963 B2 JP2592963 B2 JP 2592963B2 JP 1250077 A JP1250077 A JP 1250077A JP 25007789 A JP25007789 A JP 25007789A JP 2592963 B2 JP2592963 B2 JP 2592963B2
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal cell
- secondary electron
- light modulator
- spatial light
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- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
この発明は光電面からの２次元情報を液晶セルに書き
込み、且つこれを読み取ることができるようにした空間
光変調器に関する。
込み、且つこれを読み取ることができるようにした空間
光変調器に関する。
従来の空間光変調器においては、光変調材料としてLi
NbO3等の電気光学結晶を用いるものがあったが、解像度
の向上、オプチカルダメージの減少を目的として、例え
ば特開昭64−11228号公報に開示されるように、光変調
材料として液晶セルを用いた空間光変調器が提案されて
いる。 このような液晶セルＬは、第４図に示されるように、
薄板ガラスからなる２次電子放出板１と誘電体多層膜か
らなる全反射ミラー２と、配向層Ｈと、液晶層３と、透
明電極４と面板ガラス５とをこの順で積層したものであ
る。 前記液晶層３は、面板ガラス５と２次電子放出板１と
の間にスペーサ６によって形成される空間に配置されて
いる。 上記のような液晶セルＬを用いた空間光変調器は、第
５図に示されるように、入力光学像に応じた電子像が形
成される光電面７と、この光電面７からの光電子像を増
倍するマイクロチャンネルプレート（以下MCP）８と、
２次電子捕集電極（メッシュ）９と、前記液晶セルＬ
と、をこの順で真空容器10中に配置して構成されてい
る。 第５図の符号10Aはハーフミラー、10Bは偏光板をそれ
ぞれ示す。 前記MCP8と２次電子捕集電極９の間及び２次電子捕集
電極９と液晶セルＬの間にはそれぞれ絶縁体のスペーサ
8A、9Aが介在されている（第４図参照）。
NbO3等の電気光学結晶を用いるものがあったが、解像度
の向上、オプチカルダメージの減少を目的として、例え
ば特開昭64−11228号公報に開示されるように、光変調
材料として液晶セルを用いた空間光変調器が提案されて
いる。 このような液晶セルＬは、第４図に示されるように、
薄板ガラスからなる２次電子放出板１と誘電体多層膜か
らなる全反射ミラー２と、配向層Ｈと、液晶層３と、透
明電極４と面板ガラス５とをこの順で積層したものであ
る。 前記液晶層３は、面板ガラス５と２次電子放出板１と
の間にスペーサ６によって形成される空間に配置されて
いる。 上記のような液晶セルＬを用いた空間光変調器は、第
５図に示されるように、入力光学像に応じた電子像が形
成される光電面７と、この光電面７からの光電子像を増
倍するマイクロチャンネルプレート（以下MCP）８と、
２次電子捕集電極（メッシュ）９と、前記液晶セルＬ
と、をこの順で真空容器10中に配置して構成されてい
る。 第５図の符号10Aはハーフミラー、10Bは偏光板をそれ
ぞれ示す。 前記MCP8と２次電子捕集電極９の間及び２次電子捕集
電極９と液晶セルＬの間にはそれぞれ絶縁体のスペーサ
8A、9Aが介在されている（第４図参照）。
ところで、上記のような空間光変調器における解像度
は、MCP8と液晶セルＬの間の距離により大きく影響さ
れ、この距離はできる限り小さいほうが良い。 しかしながら従来は、MCP8と液晶セルＬとの間に介在
される絶縁体のスペーサ8A、9Aが、機械加工により製造
されるため、その強度維持のためには、ある程度以上薄
くすることは困難であるという問題点がある。 又。液晶セルのギヤップの均一性が、直接出力像の均
一性に影響するが。液晶セルＬにおける薄板ガラスであ
る２次電子放出板１は、面精度を出しにくいため、ギヤ
ップを均一にするのは困難であるという問題点があっ
た。 この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであっ
て、MCPと液晶セルの間の絶縁体スペーサを薄くして、
解像度を向上させることができると共に、MCP側の平面
精度を高めることによって、液晶セルのギャップの均一
性を制御可能とした空間光変調器を提供することを目的
とする。
は、MCP8と液晶セルＬの間の距離により大きく影響さ
れ、この距離はできる限り小さいほうが良い。 しかしながら従来は、MCP8と液晶セルＬとの間に介在
される絶縁体のスペーサ8A、9Aが、機械加工により製造
されるため、その強度維持のためには、ある程度以上薄
くすることは困難であるという問題点がある。 又。液晶セルのギヤップの均一性が、直接出力像の均
一性に影響するが。液晶セルＬにおける薄板ガラスであ
る２次電子放出板１は、面精度を出しにくいため、ギヤ
ップを均一にするのは困難であるという問題点があっ
た。 この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであっ
て、MCPと液晶セルの間の絶縁体スペーサを薄くして、
解像度を向上させることができると共に、MCP側の平面
精度を高めることによって、液晶セルのギャップの均一
性を制御可能とした空間光変調器を提供することを目的
とする。
この発明は、入力光学像に応じた電子像が形成される
光電面と、この光電面からの光電子像を増倍するマイク
ロチャンネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セ
ルと、をこの順で真空容器中に配置してなる空間光変調
器において、前記マイクロチャンネルプレートの出力側
に、絶縁層、前記２次電子捕集電極、絶縁層、及び前記
液晶セルを順次隣接して、連続一体的に形成することに
より上記目的を達成するものである。 又、前記２つの絶縁層を各々絶縁体薄膜から構成し、
前記２次電子捕集電極を該２枚の絶縁体薄膜間に形成さ
れた金属薄膜から構成することによって上記目的を達成
するものである。 更に、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層
に対して、該液晶セルにおける２次電子放出板を兼ねる
誘電体多層膜ミラーを重ねて形成することにより上記目
的を達成するものである。 更に又、前記２次電子捕集電極と液晶セル間の絶縁層
を、該液晶セルにおける２次電子放出板としての絶縁体
薄膜とすることにより上記目的を達成するものである。
光電面と、この光電面からの光電子像を増倍するマイク
ロチャンネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セ
ルと、をこの順で真空容器中に配置してなる空間光変調
器において、前記マイクロチャンネルプレートの出力側
に、絶縁層、前記２次電子捕集電極、絶縁層、及び前記
液晶セルを順次隣接して、連続一体的に形成することに
より上記目的を達成するものである。 又、前記２つの絶縁層を各々絶縁体薄膜から構成し、
前記２次電子捕集電極を該２枚の絶縁体薄膜間に形成さ
れた金属薄膜から構成することによって上記目的を達成
するものである。 更に、前記２次電子捕集電極と液晶セルの間の絶縁層
に対して、該液晶セルにおける２次電子放出板を兼ねる
誘電体多層膜ミラーを重ねて形成することにより上記目
的を達成するものである。 更に又、前記２次電子捕集電極と液晶セル間の絶縁層
を、該液晶セルにおける２次電子放出板としての絶縁体
薄膜とすることにより上記目的を達成するものである。
この発明においては、MCPの出力側に２次電子捕集電
極及び液晶セルがそれぞれ絶縁層を介して順次隣接して
連続一体的に配置されているので、絶縁層の厚さをサブ
ミクロン単位で制御でき、解像度の向上を図ると共に、
MCPの面精度を高めることによって液晶セルのギヤップ
の均一性を制御できる。 請求項２によれば、絶縁層を絶縁体薄膜、２次電子捕
集電極を金属薄膜から形成することによって、MCPと液
晶セル間の距離を小さくし、且つ、その距離を高精度で
調整っできるので、解像度の向上を図ることができる。 更に、MCP側の面精度がそのまま液晶セル側の面精度
になるので、MCPの平面精度を高めることによって、液
晶セルのギヤップの均一性の制御が可能となる。 請求項３によれば、２次電子捕集電極と液晶セル間の
絶縁層に対して、２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜
ミラーを重ねて形成することによつて、更に小型化及び
解像度の向上を図ることができる。 請求項４によれば、絶縁層が液晶セルの絶縁体薄膜を
兼ねるので、より小型化及び解像度の向上を図ることが
できる。
極及び液晶セルがそれぞれ絶縁層を介して順次隣接して
連続一体的に配置されているので、絶縁層の厚さをサブ
ミクロン単位で制御でき、解像度の向上を図ると共に、
MCPの面精度を高めることによって液晶セルのギヤップ
の均一性を制御できる。 請求項２によれば、絶縁層を絶縁体薄膜、２次電子捕
集電極を金属薄膜から形成することによって、MCPと液
晶セル間の距離を小さくし、且つ、その距離を高精度で
調整っできるので、解像度の向上を図ることができる。 更に、MCP側の面精度がそのまま液晶セル側の面精度
になるので、MCPの平面精度を高めることによって、液
晶セルのギヤップの均一性の制御が可能となる。 請求項３によれば、２次電子捕集電極と液晶セル間の
絶縁層に対して、２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜
ミラーを重ねて形成することによつて、更に小型化及び
解像度の向上を図ることができる。 請求項４によれば、絶縁層が液晶セルの絶縁体薄膜を
兼ねるので、より小型化及び解像度の向上を図ることが
できる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。 この実施例は、第１図に示されるように、MCP12の出
力側に、SiO2等の絶縁体薄膜14を蒸着等の手段によって
形成し、その上に、金属薄膜からなる２次電子捕集電極
16を蒸着形成し、更にその上にSiO2等の絶縁体薄膜18を
蒸着形成したものである。 液晶セル20は、前記第４図に示されたものと同一の構
成であり、その２次電子放出板である薄板ガラス20Aが
前記絶縁体薄膜18を介して配置されている。 ここで、前記液晶セル20を形成する場合、配向層20G
を形成してある面板ガラス20B上に配向層20Gを形成して
ある薄板ガラス20Aを、スペーサ20Cを介して接着してこ
こに液晶を閉じこめ、液晶層20Dを形成するが、このと
き、MCP12により薄板ガラス20Aを圧着して、液晶セル20
を形成すると同時にMCP12と２次電子捕集電極16を一体
化するとよい。第１図の符号20Eは誘電体多層膜ミラ
ー、20Fは透明電極を、それぞれ示す。 前記絶縁体薄膜14及び18の厚さは、動作電圧において
充分に耐圧がとれる程度する。又厚さの制御は、従来か
らの薄膜形成技術で行うことができ、この場合サブミク
ロン単位での制御が可能である。 また、MCP12の出力側面に薄膜を順次形成していくの
で、該MCP12の出力側面の平面精度を高めておくことに
よって、液晶セル側の液晶セル20側のギヤップの均一性
の制御が可能となる。 ここでMCP12の出力側面に絶縁体薄膜14を形成する
際、該12の孔の中に絶縁物質が入り込みつまらないよう
に、例えば斜め方向から蒸着する必要がある。 次に第２図に示される本発明の第２実施例について説
明する。 この第２実施例は、前記絶縁体薄膜18に隣接して、液
晶セル20における２次放出板を兼ねる誘電体多層膜ミラ
ー20Eを形成したものである。 この場合、薄膜状の２次電子捕集電極16の外側に、ま
ずコロジオン膜22を形成した後、その上に誘電体多層膜
ミラー20Eを形成し、然る後、前記コロジオン膜22を加
熱して飛ばし、２次電子捕集電極16に隣接して、誘電体
多層膜ミラー20Eを形成する。更にこの上に配向層を形
成する。 この実施例の場合は、液晶セルにおける薄板ガラスを
省略することができるので、MCP12と液晶セル20との間
の距離を更に小さくして、解像度の向上及び小型化を図
ることができる。 次に第３図に示される本発明の第３実施例について説
明する。 この第３実施例は、薄膜状の２次電子捕集電極16の外
側に、まずコロジオン膜22を形成し、然る後に、SiO2膜
24及び誘電体多層膜ミラー20Eを順次形成した後、前記
コロジオン膜22を飛ばして、２次電子捕集電極16に隣接
して２次電子放出板を兼ねる絶縁層であるSiO2膜24と、
誘電体多層膜ミラー20Eを形成したものである。この上
に更に配向層を形成すればよい。 この実施例の場合も、MCP12と液晶セル20間の距離を
小さくして、解像度の向上、より小型化を図ることがで
きる。
力側に、SiO2等の絶縁体薄膜14を蒸着等の手段によって
形成し、その上に、金属薄膜からなる２次電子捕集電極
16を蒸着形成し、更にその上にSiO2等の絶縁体薄膜18を
蒸着形成したものである。 液晶セル20は、前記第４図に示されたものと同一の構
成であり、その２次電子放出板である薄板ガラス20Aが
前記絶縁体薄膜18を介して配置されている。 ここで、前記液晶セル20を形成する場合、配向層20G
を形成してある面板ガラス20B上に配向層20Gを形成して
ある薄板ガラス20Aを、スペーサ20Cを介して接着してこ
こに液晶を閉じこめ、液晶層20Dを形成するが、このと
き、MCP12により薄板ガラス20Aを圧着して、液晶セル20
を形成すると同時にMCP12と２次電子捕集電極16を一体
化するとよい。第１図の符号20Eは誘電体多層膜ミラ
ー、20Fは透明電極を、それぞれ示す。 前記絶縁体薄膜14及び18の厚さは、動作電圧において
充分に耐圧がとれる程度する。又厚さの制御は、従来か
らの薄膜形成技術で行うことができ、この場合サブミク
ロン単位での制御が可能である。 また、MCP12の出力側面に薄膜を順次形成していくの
で、該MCP12の出力側面の平面精度を高めておくことに
よって、液晶セル側の液晶セル20側のギヤップの均一性
の制御が可能となる。 ここでMCP12の出力側面に絶縁体薄膜14を形成する
際、該12の孔の中に絶縁物質が入り込みつまらないよう
に、例えば斜め方向から蒸着する必要がある。 次に第２図に示される本発明の第２実施例について説
明する。 この第２実施例は、前記絶縁体薄膜18に隣接して、液
晶セル20における２次放出板を兼ねる誘電体多層膜ミラ
ー20Eを形成したものである。 この場合、薄膜状の２次電子捕集電極16の外側に、ま
ずコロジオン膜22を形成した後、その上に誘電体多層膜
ミラー20Eを形成し、然る後、前記コロジオン膜22を加
熱して飛ばし、２次電子捕集電極16に隣接して、誘電体
多層膜ミラー20Eを形成する。更にこの上に配向層を形
成する。 この実施例の場合は、液晶セルにおける薄板ガラスを
省略することができるので、MCP12と液晶セル20との間
の距離を更に小さくして、解像度の向上及び小型化を図
ることができる。 次に第３図に示される本発明の第３実施例について説
明する。 この第３実施例は、薄膜状の２次電子捕集電極16の外
側に、まずコロジオン膜22を形成し、然る後に、SiO2膜
24及び誘電体多層膜ミラー20Eを順次形成した後、前記
コロジオン膜22を飛ばして、２次電子捕集電極16に隣接
して２次電子放出板を兼ねる絶縁層であるSiO2膜24と、
誘電体多層膜ミラー20Eを形成したものである。この上
に更に配向層を形成すればよい。 この実施例の場合も、MCP12と液晶セル20間の距離を
小さくして、解像度の向上、より小型化を図ることがで
きる。
本発明は上記のように構成したので、MCPと２次電子
捕集電極及び液晶セル間の距離を短くして、解像度の向
上を図ることができる。 又、絶縁層の厚さをサブミクロン単位で制御できるの
で、この点からも解像度の向上が可能となる。更に、マ
イクロチャンネルプレートの平面精度を高めることによ
って、液晶セルのギヤップの均一性を向上させることも
できるという優れた効果を有する。
捕集電極及び液晶セル間の距離を短くして、解像度の向
上を図ることができる。 又、絶縁層の厚さをサブミクロン単位で制御できるの
で、この点からも解像度の向上が可能となる。更に、マ
イクロチャンネルプレートの平面精度を高めることによ
って、液晶セルのギヤップの均一性を向上させることも
できるという優れた効果を有する。
第１図乃至第３図は本発明の第１乃至第３実施例を示す
断面図、第４図は従来の空間光変調器におけるMCP、メ
ッシュ及び液晶セルを示す略示断面図、第５図は従来の
空間光変調器を示す断面図である。 12…MCP、14…絶縁体薄膜、16…２次電子捕集電極、18
…絶縁体薄膜、20…液晶セル、20A…薄膜ガラス、20B…
面板ガラス、20C…スペーサ、20D…液晶層、20E…誘電
体多層膜ミラー、20F…透明電極、20G…配向層、22…コ
ロジオン膜、24…SiO2膜。
断面図、第４図は従来の空間光変調器におけるMCP、メ
ッシュ及び液晶セルを示す略示断面図、第５図は従来の
空間光変調器を示す断面図である。 12…MCP、14…絶縁体薄膜、16…２次電子捕集電極、18
…絶縁体薄膜、20…液晶セル、20A…薄膜ガラス、20B…
面板ガラス、20C…スペーサ、20D…液晶層、20E…誘電
体多層膜ミラー、20F…透明電極、20G…配向層、22…コ
ロジオン膜、24…SiO2膜。
Claims (4)
- 【請求項１】入力光学像に応じた電子像が形成される光
電面と、この光電面からの光電子像を増倍するマイクロ
チャンネルプレートと、２次電子捕集電極と、液晶セル
と、をこの順で真空容器中に配置してなる空間光変調器
において、前記マイクロチャンネルプレートの出力側
に、絶縁層、前記２次電子捕集電極、絶縁層、及び前記
液晶セルを順次隣接して、連続一体的に形成したことを
特徴とする空間光変調器。 - 【請求項２】請求項１において、前記２つの絶縁層は各
々絶縁体薄膜からなり、前記２次電子捕集電極は該２枚
の絶縁体薄膜間に形成された金属薄膜からなることを特
徴とする空間光変調器。 - 【請求項３】請求項１又は２において、前記２次電子捕
集電極と液晶セルの間の絶縁層に対して、該液晶セルに
おける２次電子放出板を兼ねる誘電体多層膜ミラーを重
ねて形成したことを特徴とする空間光変調器。 - 【請求項４】請求項１又は２において、前記２次電子捕
集電極と液晶セル間の絶縁層は、該液晶セルにおける２
次電子放出板としての絶縁体薄膜であることを特徴とす
る空間光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250077A JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250077A JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111817A JPH03111817A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2592963B2 true JP2592963B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17202470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250077A Expired - Fee Related JP2592963B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 空間光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592963B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608822A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 空間光変調管 |
| JPS6411228A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-13 | Hamamatsu Photonics Kk | Space optical modulation tube |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1250077A patent/JP2592963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03111817A (ja) | 1991-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |