JPH03105853A - 二酸化マンガン正極の製造法 - Google Patents
二酸化マンガン正極の製造法Info
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- JPH03105853A JPH03105853A JP1244686A JP24468689A JPH03105853A JP H03105853 A JPH03105853 A JP H03105853A JP 1244686 A JP1244686 A JP 1244686A JP 24468689 A JP24468689 A JP 24468689A JP H03105853 A JPH03105853 A JP H03105853A
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- manganese dioxide
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- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
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Classifications
-
- Y02E60/12—
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フィμム状の超薄形電池に用いる二酸化マン
ガン正極の製造法に関するものであるＯ 従来技術とその問題点 従来の薄形電池の正極としては、導電材、結着剤、正極
作用物質を混合し、Ｖ−｝状の薄膜としていた。
ガン正極の製造法に関するものであるＯ 従来技術とその問題点 従来の薄形電池の正極としては、導電材、結着剤、正極
作用物質を混合し、Ｖ−｝状の薄膜としていた。
この場合、３’−｝の厚さは正極作用物質の粒径または
、充填率に依存している。前者はサブミクロンサイズの
製法が困難であり、後者では充填率を上げることが困難
であるという点で、１０ｐｍ以下の厚みの薄膜正極を製
造することは容易ではなかった。
、充填率に依存している。前者はサブミクロンサイズの
製法が困難であり、後者では充填率を上げることが困難
であるという点で、１０ｐｍ以下の厚みの薄膜正極を製
造することは容易ではなかった。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点Ｋ［みなされたものであり
、生産性に優れた、均一な厚みの超薄膜の二酸化マンガ
ン正極を提供することを目的とするものである。
、生産性に優れた、均一な厚みの超薄膜の二酸化マンガ
ン正極を提供することを目的とするものである。
発明の槙或
本発明は、上記目的を達或するべく、
ガス中蒸発法で生成した二酸化マンガンの微粒子を気流
に乗せて基板に吹きつけ、薄膜を形成することを特徴と
した二酸化マンガン正極の製造法である。
に乗せて基板に吹きつけ、薄膜を形成することを特徴と
した二酸化マンガン正極の製造法である。
実施例
以下、本発明の詳細について実施例により説明する。
第１図は本発明の製造装置の概略図である。
こ＼で、１は蒸発室、２はρツボ、３は高周波誘導加熱
器、４は差動排気室（差動排気室は場合によってはなく
ても良い）、５はノズρ、６はグポジシ画冫室、７は真
空ボンデ、８は基板〜９は供給ガス流入口である。
器、４は差動排気室（差動排気室は場合によってはなく
ても良い）、５はノズρ、６はグポジシ画冫室、７は真
空ボンデ、８は基板〜９は供給ガス流入口である。
蒸発室において、μツボの中に二酸化マンガンを入れて
、高周波誘導加熱器（又は電子線加熱器）により加熱溶
融し、気化させ微粒子化二酸化マンガンを形成する。供
給ガス（Ｈｅガス）の圧力なｉＱＱｔｏｒｒとし、デボ
ジシ璽冫室の圧力を真空ボングにより０． １ ２ ｔ
ｏｒｒとする。０．８×１０咽のノズ〃を用いて、微粒
子化二酸化マンガンをデポジＶＩｌｌ冫室のステンレス
箔上にガス気流に乗せて吹きつける。これによって１０
論巾で長さ１０−、厚さ１０ｐｙＩ４の二酸化マンガン
のコーティングが形成された。基板上に噴射堆積により
、強固な堆積体が形成される（ガスデボジＶ冒ン法）。
、高周波誘導加熱器（又は電子線加熱器）により加熱溶
融し、気化させ微粒子化二酸化マンガンを形成する。供
給ガス（Ｈｅガス）の圧力なｉＱＱｔｏｒｒとし、デボ
ジシ璽冫室の圧力を真空ボングにより０． １ ２ ｔ
ｏｒｒとする。０．８×１０咽のノズ〃を用いて、微粒
子化二酸化マンガンをデポジＶＩｌｌ冫室のステンレス
箔上にガス気流に乗せて吹きつける。これによって１０
論巾で長さ１０−、厚さ１０ｐｙＩ４の二酸化マンガン
のコーティングが形成された。基板上に噴射堆積により
、強固な堆積体が形成される（ガスデボジＶ冒ン法）。
こ＼で得られる堆積体は、通常の溶解、凝固方法では得
ることのできないものであり、結合剤を必要としないの
で、乾式で清浄な製造法である。そして生産性に優れ、
均一な超薄形の二酸化マンガン正極を得ることが出来る
。
ることのできないものであり、結合剤を必要としないの
で、乾式で清浄な製造法である。そして生産性に優れ、
均一な超薄形の二酸化マンガン正極を得ることが出来る
。
発明の効果
上述した如く、本発明は生産性Ｎ−俊れた、均一な厚み
の超薄膜の二酸化マンガン正極を提供することが出来る
ので、その工業的価値をよ極めて大である。
の超薄膜の二酸化マンガン正極を提供することが出来る
ので、その工業的価値をよ極めて大である。
１・・・蒸発室 ２・・・〃ツボ３・・・高
周波誘導加熱器 ４・・・差動排気室５・・・ノズ，
Ａ／６・・・デボジＶ＠７室７・・・真空ボンプ
８・・・基板？・・・供給ガス流入口
周波誘導加熱器 ４・・・差動排気室５・・・ノズ，
Ａ／６・・・デボジＶ＠７室７・・・真空ボンプ
８・・・基板？・・・供給ガス流入口
Claims (1)
- ガス中蒸発法で生成した二酸化マンガンの微粒子を気流
に乗せて基板に吹きつけ、薄膜を形成することを特徴と
した二酸化マンガン正極の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244686A JP2701477B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 二酸化マンガン正極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244686A JP2701477B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 二酸化マンガン正極の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105853A true JPH03105853A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2701477B2 JP2701477B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=17122434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244686A Expired - Fee Related JP2701477B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 二酸化マンガン正極の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701477B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000095522A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-04-04 | Sharp Corp | ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜、その製造方法及びそれを用いた赤外線検出素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56156674A (en) * | 1980-04-12 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Solid battery |
| JPS57134555A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and device for forming thin film |
| JPS6244960A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜二次電池の製造装置 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1244686A patent/JP2701477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56156674A (en) * | 1980-04-12 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Solid battery |
| JPS57134555A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method and device for forming thin film |
| JPS6244960A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜二次電池の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701477B2 (ja) | 1998-01-21 |
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