JPH0295260U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0295260U JPH0295260U JP212489U JP212489U JPH0295260U JP H0295260 U JPH0295260 U JP H0295260U JP 212489 U JP212489 U JP 212489U JP 212489 U JP212489 U JP 212489U JP H0295260 U JPH0295260 U JP H0295260U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion region
- conductivity type
- impurity diffusion
- type impurity
- constant voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図はこの考案の定電圧ダイオードの一実施
例の製造工程説明図、第２図はこの考案の定電圧
ダイオードの一実施例の要部の断面図、第３図は
同上定電圧ダイオードの不純物濃度―拡散深さ特
性図、第４図は従来の定電圧ダイオードの断面図
、第５図は第４図の定電圧ダイオードの平面図、
第６図は従来の定電圧ダイオードの雑音電圧―電
流特性図、第７図は従来の定電圧ダイオードの電
流―電圧特性図、第８図は従来の別の定電圧ダイ
オードの断面図、第９図は第８図の定電圧ダイオ
ードの平面図である。 ２１…Ｎ型半導体層、２２…第１の絶縁膜、２
３…Ｐ型不純物拡散領域、２４…第２の絶縁膜、
２５…Ｎ型不純物拡散領域、２６…Ｐ型不純物拡
散領域、２７…第３の絶縁膜、２８，２９…窓。
例の製造工程説明図、第２図はこの考案の定電圧
ダイオードの一実施例の要部の断面図、第３図は
同上定電圧ダイオードの不純物濃度―拡散深さ特
性図、第４図は従来の定電圧ダイオードの断面図
、第５図は第４図の定電圧ダイオードの平面図、
第６図は従来の定電圧ダイオードの雑音電圧―電
流特性図、第７図は従来の定電圧ダイオードの電
流―電圧特性図、第８図は従来の別の定電圧ダイ
オードの断面図、第９図は第８図の定電圧ダイオ
ードの平面図である。 ２１…Ｎ型半導体層、２２…第１の絶縁膜、２
３…Ｐ型不純物拡散領域、２４…第２の絶縁膜、
２５…Ｎ型不純物拡散領域、２６…Ｐ型不純物拡
散領域、２７…第３の絶縁膜、２８，２９…窓。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (a) 第１導電型半導体層内に形成され主表面よ
り内部に不純物ピークを持つ第２導電型不純物拡
散領域と、 (b) この第２導電型不純物拡散領域に接合しか
つこの第２導電型不純物拡散領域よりも高濃度の
第１導電型不純物拡散領域と、 (c) 上記第１導電型不純物拡散領域と上記第２
導電型不純物拡散領域上に形成された電極引き出
し用の窓と、 よりなる定電圧ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP212489U JPH0295260U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP212489U JPH0295260U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0295260U true JPH0295260U (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=31202624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP212489U Pending JPH0295260U (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0295260U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993026048A1 (en) * | 1992-06-16 | 1993-12-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Pn junction diode and its manufacture method |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP212489U patent/JPH0295260U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993026048A1 (en) * | 1992-06-16 | 1993-12-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Pn junction diode and its manufacture method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0272453A3 (en) | Merged bipolar/cmos technology using electrically active trench | |
| JPH0295260U (ja) | ||
| JPS63124762U (ja) | ||
| JPH031449U (ja) | ||
| JPH0279064U (ja) | ||
| JPS5866654U (ja) | ガラスパツシベ−シヨン型半導体装置 | |
| JPS6113955U (ja) | 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド | |
| JPH0436255U (ja) | ||
| JPS6196560U (ja) | ||
| JPS6343455U (ja) | ||
| JPH0242447U (ja) | ||
| JPH0377463U (ja) | ||
| JPS6316471U (ja) | ||
| JPS6397251U (ja) | ||
| JPH0262720U (ja) | ||
| JPS6312864U (ja) | ||
| JPH028152U (ja) | ||
| JPS62147363U (ja) | ||
| JPS56108263A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS61182049U (ja) | ||
| JPS61106049U (ja) | ||
| JPS62180965U (ja) | ||
| JPS6338344U (ja) | ||
| JPH0316328U (ja) | ||
| JPH01127261U (ja) |