JPH0294094A - Data memory - Google Patents

Data memory

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Publication number
JPH0294094A
JPH0294094A JP63245781A JP24578188A JPH0294094A JP H0294094 A JPH0294094 A JP H0294094A JP 63245781 A JP63245781 A JP 63245781A JP 24578188 A JP24578188 A JP 24578188A JP H0294094 A JPH0294094 A JP H0294094A
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JP
Japan
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memory
data
signal line
control circuit
storage device
Prior art date
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Application number
JP63245781A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Fujii
康宏 藤井
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To successively and directly transfer data to an immediately adjacent memory by providing a signal transmission control circuit between memories in longitudinal and lateral directions, and directly transmitting the memory data between the mutual memories. CONSTITUTION:Signal transmission control circuits 16a and 16b are provided in the lateral or longitudinal directions of a memory 11. First, when a clock signal line 18a is controlled to a 'low' condition, the data in the memory 11 on the front stage of a control circuit 16a are transmitted through a memory signal line 17a to a control circuit 16a. Further, the control circuit 16a holds memory contents. Next, when the signal line 18a is controlled to a 'high' condition, the data held by the control circuit 16a are transmitted through the signal line 17a to the memory 11 on the rear stage. In addition, when a clock signal line 17b is controlled, the contents of the memory 11 on an upper side are transmitted through the signal transmission control circuit 16b to the memory 11 on the lower side. By controlling the signal lines 17a and 17b, the data can be directly transferred to the adjacent memory 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 ごの発明はデータ記憶装置に関し、特にメモリに記憶し
たデータを該メモリの2つの端子から独立にリードライ
ト制御できる2端子記憶装置を有するものに関するもの
である。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The invention relates to a data storage device, and particularly to a two-terminal storage device that can read and write data stored in a memory independently from two terminals of the memory. It is related to.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図は、従来の2端子記憶装置を有するデータ記憶装
置を示し、図において、11は2つのデータ入出力用端
子を有し、データを記憶するメモリ、12aはメモリ1
1内のデータのリードライトを該メモリ11の1つの端
子からII <Bするメモリ制御回路、12bは同じく
もう1つの端子用のメモリ制御回路、13a、13bは
それぞれメモリ制御回路12a、12bに対してアクセ
ス制御指示を伝達するアクセス信号線、14a、14b
はそれぞれメモリ制御回路12a、12bに対してリー
ドもしくはライト指示を伝達するリードライト信号線、
15a、15bはそれぞれメモリ制御回路12a、12
bを介してメモリ11へ書き込むデータ、もしくはメモ
リ11から読み出したデータを伝達するデータ信号線で
ある。なお、第4図では、データ記憶装置として、2端
子記憶装置が縦横各2列の合計4つあるものを示してい
る。
FIG. 4 shows a data storage device having a conventional two-terminal storage device, in which 11 is a memory having two data input/output terminals and stores data, and 12a is a memory
12b is a memory control circuit for the other terminal, and 13a and 13b are memory control circuits for the memory control circuits 12a and 12b, respectively. access signal lines 14a, 14b for transmitting access control instructions;
are read/write signal lines that transmit read or write instructions to the memory control circuits 12a and 12b, respectively;
15a and 15b are memory control circuits 12a and 12, respectively.
This is a data signal line that transmits data to be written to the memory 11 or data read from the memory 11 via the line B. Note that FIG. 4 shows a data storage device having a total of four two-terminal storage devices, two columns each in the vertical and horizontal directions.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第4図において、メモリ11に接続した2端子のうちの
1端子側に接続したメモリ制御回路12aについて説明
する。もう1端子側のメモリ制御回路12bの動作も全
く同様である。
In FIG. 4, the memory control circuit 12a connected to one terminal of the two terminals connected to the memory 11 will be described. The operation of the memory control circuit 12b on the other terminal side is completely similar.

まず、メモリ11に記憶しであるデータを読み出す動作
について説明する。
First, the operation of reading data stored in the memory 11 will be described.

メモリ制御回路12aに接続したアクセス信号線13a
及びリードライト信号線14aをこの例では、次表のよ
うに制御するものとする。
Access signal line 13a connected to memory control circuit 12a
In this example, the read/write signal line 14a is controlled as shown in the following table.

従って、メモリ11に記憶したデータを読み出す場合は
、 アクセス信号線13a=1 リードライト信号線14a=0 となるように制御信号を本2端子記憶装置に入力になさ
れたもので、2端子記憶装置外からの制御信号に従って
、2端子記憶装置のメモリ内の記憶データを順次直接隣
の2端子記憶装置のメモリに移すことができるデータ記
憶装置を得ることを目的としている。
Therefore, when reading data stored in the memory 11, control signals are input to the two-terminal storage device so that the access signal line 13a=1 and the read/write signal line 14a=0. It is an object of the present invention to provide a data storage device that can sequentially transfer stored data in the memory of a two-terminal storage device to the memory of a directly adjacent two-terminal storage device in accordance with a control signal from the outside.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係るデータ記憶装置は、その2端子記憶装置
の縦方向のメモリ間及び横方向のメモリ間に信号伝達制
御回路を設け、メモリと該信号伝達制御回路間をメモリ
信号線で接続し、メモリの記憶データをクロック信号等
に基づいてメモリ相互間で伝達するようにしたものであ
る。
The data storage device according to the present invention provides a signal transmission control circuit between the memories in the vertical direction and between the memories in the horizontal direction of the two-terminal storage device, and connects the memories and the signal transmission control circuit with a memory signal line, Data stored in the memories is transmitted between the memories based on clock signals and the like.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、2端子記憶装置の縦方向のメモリ
間及び横方向のメモリ間に信号伝達制御回路を設け、メ
モリと該信号伝達制御回路間をメモリ信号線で接続し、
メモリの記憶データをクロック信号等に基づいてメモリ
相互間で伝達するようにしたから、2端子記憶装置外か
らクロック信号線を介して入力されるクロック信号に同
期して、する。メモリ制御回路12aはメモリ11内の
データを読み出し、データ信号線15aに出力する。
In this invention, a signal transmission control circuit is provided between the memories in the vertical direction and between the memories in the horizontal direction of the two-terminal storage device, and the memories and the signal transmission control circuit are connected by a memory signal line,
Since the data stored in the memories is transmitted between the memories based on a clock signal or the like, the data is transmitted in synchronization with the clock signal inputted from outside the two-terminal storage device via the clock signal line. The memory control circuit 12a reads data in the memory 11 and outputs it to the data signal line 15a.

次にデータ信号線15aのデータをメモリ11に記憶す
る動作を説明する。
Next, the operation of storing data on the data signal line 15a in the memory 11 will be explained.

前表に従って、次のように制御信号を2端子記憶装置に
入力する。
According to the previous table, control signals are input to the two-terminal storage device as follows.

アクセス信号線13a=1 リードライト信号線14a=1 メモリ制御回路12aはデータ信号線15aより伝達さ
れたデータをメモリ11に書き込む。
Access signal line 13a=1 Read/write signal line 14a=1 The memory control circuit 12a writes the data transmitted from the data signal line 15a into the memory 11.

〔発明が解決しよ・うとする課題〕[Problem that the invention attempts to solve]

従来のデータ記憶装置は以上のように構成されているの
で、記憶したデータを隣のメモリへ順送りに移動する場
合には、記憶データをリードアクセスにより2端子記憶
装置のメモリからデータ信号線に読み出した後、その隣
の2端子記憶装置のメモリに対してライトアクセスによ
り再度書き込まなければならず、処理に多くの時間を要
するなどの問題点があった。
Conventional data storage devices are configured as described above, so when moving stored data sequentially to an adjacent memory, the stored data must be read from the memory of the two-terminal storage device to the data signal line by read access. After that, the memory of the adjacent two-terminal storage device must be written again by write access, which poses problems such as a long processing time.

この発明は上記のような問題点を解消するためメモリ内
のデータを順次隣のメモリへ直接伝達することができる
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention can directly transmit data in a memory to an adjacent memory in sequence.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例による2端子記憶装置を有
するデータ記憶装置を示し、図において、11は2つの
データ入出力用端子を持ち、データを記憶するメモリ、
12aはメモリ11内のデータのリードライトを該メモ
リ11の1つの端子から制御するメモリ制御回路、12
bは同じくもう1つの端子用のメモリ制御回路、13a
、13bはそれぞれメモリ制御回路12a、12bに対
してアクセス制御指示を伝達するアクセス信号線、14
a、14bはそれぞれメモリ制御回路12a12bに対
してリードもしくはライト指示を伝達するリードライト
信号線、15a、15bはそれぞれメモリ制御回路12
a、12bを介してメモIJ11へ書き込むデータ、も
しくはメモリ11から読み出したデータを伝達するデー
タ信号線であaを次表のように制御する。
FIG. 1 shows a data storage device having a two-terminal storage device according to an embodiment of the present invention.
12a is a memory control circuit that controls reading and writing of data in the memory 11 from one terminal of the memory 11;
b is a memory control circuit for another terminal, 13a
, 13b are access signal lines 14 for transmitting access control instructions to the memory control circuits 12a and 12b, respectively.
a and 14b are read/write signal lines for transmitting read or write instructions to the memory control circuit 12a12b, and 15a and 15b are the memory control circuit 12, respectively.
A is a data signal line that transmits data written to the memory IJ11 or data read from the memory 11 via a and 12b, and a is controlled as shown in the following table.

また、16a、16bは2つのメモリ11間に設けられ
、それらのメモリ間でメモリ内のデータの伝達を制御す
る信号伝達制御回路、172.17bはメモリ11と信
号伝達制御回路16a、16b間でメモリ内のデータを
伝達するためのメモリ信号線、18a、18bは信号伝
達制御回路15a、16bに対して信号の伝達タイミン
グを伝達するためのクロック信号線である。なお、第1
図では、データ記憶装置として、2端子記憶装置が縦横
に各2列の合計4つあるものを示している。
In addition, 16a and 16b are signal transfer control circuits that are provided between the two memories 11 and control the transfer of data in the memories between those memories, and 172.17b is a signal transfer control circuit that is provided between the memory 11 and the signal transfer control circuits 16a and 16b. Memory signal lines 18a and 18b for transmitting data in the memory are clock signal lines for transmitting signal transmission timing to signal transmission control circuits 15a and 16b. In addition, the first
In the figure, the data storage device is shown as having a total of four two-terminal storage devices, two columns each in the vertical and horizontal directions.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

第1図において、メモリ11に接続した2つのメモリ制
御回路12a、12bの動作については従来装置と同様
であり、2端子のうち1端子側のメモリ制御回路12a
について説明する。
In FIG. 1, the operations of the two memory control circuits 12a and 12b connected to the memory 11 are the same as in the conventional device, and the memory control circuit 12a on the side of one of the two terminals is
I will explain about it.

まず、メモリ11に記憶しであるデータを読み出す動作
について説明する。
First, the operation of reading data stored in the memory 11 will be explained.

この例ではメモリ制御回路12aに接続したアクセス信
号線13a及びリードライト信号線14従って、メモリ
11のデータの読み出し時は次のような制御信号を2端
子記憶装置に入力する。
In this example, an access signal line 13a and a read/write signal line 14 connected to the memory control circuit 12a are used. Therefore, when reading data from the memory 11, the following control signals are input to the two-terminal storage device.

アクセス信号線13a=1 リードライト信号線14a=0 メモリ制御回路12aはメモリ11内のデータを読み出
し、そのデータをデータ信号線15aに出力する。
Access signal line 13a=1 Read/write signal line 14a=0 The memory control circuit 12a reads data in the memory 11 and outputs the data to the data signal line 15a.

次にデータ信号線15aのデータをメモリ11に記憶す
る動作を説明する。
Next, the operation of storing data on the data signal line 15a in the memory 11 will be explained.

前記の表に従って、次のような制御信号を2端子記憶装
置に入力する。
According to the above table, the following control signals are input to the two-terminal storage device.

アクセス信号線13a=1 リードライト信号!vIl 4 a = 1メモリ制御
回路12aはデータ信号線15aより伝達されたデータ
をメモリ11に書き込む。
Access signal line 13a=1 Read/write signal! vIl 4 a = 1 The memory control circuit 12a writes the data transmitted from the data signal line 15a into the memory 11.

もう1端子についてもメモリ制御回路12bを介して同
様に動作する。
The other terminal operates similarly via the memory control circuit 12b.

次にメモリ11内のデータを順次隣のメモリへ伝達する
動作について説明する。
Next, the operation of sequentially transmitting data in the memory 11 to an adjacent memory will be explained.

第1図において、メモリ11に接続した2つの信号伝達
制御回路16’a、16bは同様の動作をするので、こ
こでは信号伝達制御回路16aについて説明を行う。
In FIG. 1, two signal transfer control circuits 16'a and 16b connected to the memory 11 operate in the same way, so only the signal transfer control circuit 16a will be explained here.

信号伝達制御回路16aは、本実施例では次表の動作を
行うものとする。
In this embodiment, the signal transmission control circuit 16a performs the operations shown in the table below.

まず、クロック信号線18aを0 (低)の状態に制御
すると、信号伝達制御回路16aの前段のメモリ11内
のデータがメモリ信号線1、.7 aを介して信号伝達
制御回路16aへ伝達され、この信号伝達制御回路16
aは前記の表に従って、このメモリ内容を保持する。
First, when the clock signal line 18a is controlled to the 0 (low) state, the data in the memory 11 in the previous stage of the signal transmission control circuit 16a is transferred to the memory signal lines 1, . 7a to the signal transmission control circuit 16a, and this signal transmission control circuit 16a
a holds this memory content according to the table above.

次に、クロック信号線18aを1 (高)の状態に制御
すると、信号伝達制御回路16aの保持している前段の
メモリ11内のデータがメモリ信号線17aを介して後
段のメモリ11へ伝達される。
Next, when the clock signal line 18a is controlled to the 1 (high) state, the data in the previous stage memory 11 held by the signal transmission control circuit 16a is transmitted to the subsequent stage memory 11 via the memory signal line 17a. Ru.

以上のようにして、メモリ11の内容は第1図では、ク
ロック信号線18aを制御した場合には、順次右隣のメ
モリ11に伝達される。
As described above, in FIG. 1, when the clock signal line 18a is controlled, the contents of the memory 11 are sequentially transmitted to the memory 11 on the right.

信号伝達制御回路16bについても同様であるが、この
場合、前段、後段とはそれぞれ上側、下側を意味し、ク
ロック信号線18bに従ってメモリ11の内容をメモリ
信号に9 t 7 bを介して順次下側のメモリ11に
伝達する。
The same applies to the signal transmission control circuit 16b, but in this case, the previous stage and the subsequent stage mean the upper side and the lower side, respectively, and the contents of the memory 11 are sequentially converted into memory signals according to the clock signal line 18b via 9t7b. It is transmitted to the lower memory 11.

なお、上記実施例では、第1図に示したように、クロッ
ク信号線を横方向伝達制御用の線18a及び縦方向伝達
制御用の線18bの縦横釜1本として、データ記憶装置
の全ての信号伝達制御回路16a、16bに供給してい
るが、このクロック信号線は縦横各複数あってよい。
In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the clock signal line is one vertical and horizontal line of the line 18a for horizontal transmission control and the line 18b for vertical transmission control, and all of the data storage devices are connected to each other. Although the clock signal lines are supplied to the signal transmission control circuits 16a and 16b, there may be a plurality of clock signal lines in the vertical and horizontal directions.

第2図は、クロック信号線が縦横各2本あるデータ記憶
装置の回路構成を示している。この図において、21a
、22aは横方向伝達制御用のクロック信号線、21b
、22bは縦方向伝達制御用のクロック信号線であり、
これ以外は上記第1の実施例の構成と同一である。
FIG. 2 shows a circuit configuration of a data storage device having two clock signal lines in each direction. In this figure, 21a
, 22a is a clock signal line for lateral transmission control, 21b
, 22b is a clock signal line for longitudinal transmission control;
Other than this, the configuration is the same as that of the first embodiment.

次に、このような構成の場合のメモリ制御回路の動作に
ついて説明する。
Next, the operation of the memory control circuit in such a configuration will be explained.

メモリ11内のデータに対する2つの端子からのリード
ライト動作は第1図と同じであるので省略し、メモリ1
1間のデータの伝達制御についてのみ説明する。第2図
で示した4本のクロック信号線21a、21b、22a
、22bは、各々独立に制御可能である。
The read/write operations for data in the memory 11 from the two terminals are the same as in FIG.
Only data transmission control between 1 and 1 will be explained. Four clock signal lines 21a, 21b, 22a shown in FIG.
, 22b can be controlled independently.

クロック信号線21aは第1図の例と同様の制御信号を
伝達するが、この制御信号によりデータが伝達されるの
は、第2図では4つの信号伝達制御 路構成を示す。この図において、19a、19bはデー
タ伝送方向制御信号線であり、クロック信号線tea、
18bとともに信号伝達制御回路36a、36bに接続
され、メモリ11内のデータをメモリ信号線17a、1
7bを介して伝達する方向を制御する。その他は上記第
1の実施例と同一である。
The clock signal line 21a transmits the same control signal as in the example of FIG. 1, but the data transmitted by this control signal is shown in a configuration of four signal transmission control paths in FIG. In this figure, 19a and 19b are data transmission direction control signal lines, and clock signal lines tea,
18b to signal transmission control circuits 36a, 36b, and transfers data in the memory 11 to memory signal lines 17a, 1.
7b to control the direction of transmission. The rest is the same as the first embodiment.

次に、このような構成の場合のメモリ制御回路の動作を
説明する。
Next, the operation of the memory control circuit in such a configuration will be explained.

メモリ11内のデータに対する2つの端子からのリード
ライト動作は第1図と同じであるので省略し、メモリ1
1間のデータの伝達制御について説明する。
The read/write operations for data in the memory 11 from the two terminals are the same as in FIG.
Data transmission control between 1 and 1 will be explained.

本実施例では、信号線の状態に従い、次表のように動作
する。
In this embodiment, operations are performed as shown in the following table according to the state of the signal line.

種回路16aのうち、クロック信号線21aに接続した
上段の2回路のみである。
Of the seed circuits 16a, only the upper two circuits are connected to the clock signal line 21a.

同様に、クロック信号線22aにより制御できるのは、
第2図の下段の2つの信号伝達制御回路16aである。
Similarly, the clock signal line 22a can control:
These are the two signal transmission control circuits 16a in the lower row of FIG.

さらに同様に、クロック信号線21b、22bにより縦
方向の信号伝達制御回路16bが制御できる。
Furthermore, the vertical signal transmission control circuit 16b can be similarly controlled by the clock signal lines 21b and 22b.

この実施例では、上記第1の実施例の効果に加えて、メ
モリ11内のデータの伝達を一部に限定して制御できる
In this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the transmission of data in the memory 11 can be limited to a limited portion and controlled.

また、上記第1.第2の実施例では、第1図。In addition, the above 1. In the second embodiment, FIG.

第2図に示したように、信号伝達制御回路16a。As shown in FIG. 2, a signal transmission control circuit 16a.

16bは、クロック信号線18a、18bあるいは21
a  21b、22a、22bのみにより制御されてい
るが、このクロ・7り信号線に加えて、さらにデータ伝
達の方向制御信号線を設けても良い。
16b is the clock signal line 18a, 18b or 21
A 21b, 22a, and 22b are used for control, but in addition to the black/7 signal lines, a direction control signal line for data transmission may be provided.

第3図は、クロック信号線のほかにデータ伝送方向制御
信号線がある場合のデータ記憶装置の回本実施例では、
信号伝達制御回路36a、36bに対して、クロック信
号線18a、18b及びデータ伝送方向制御信号線19
a、19bは同じ動作をするので、一方の信号伝達制御
回路36aについて説明する。
FIG. 3 shows the circuit diagram of a data storage device in this embodiment when there is a data transmission direction control signal line in addition to a clock signal line.
The clock signal lines 18a, 18b and the data transmission direction control signal line 19 are connected to the signal transmission control circuits 36a, 36b.
Since signal transmission control circuits 36a and 19b operate in the same way, only one signal transmission control circuit 36a will be explained.

まず、データ伝送方向制御信号線19a=O(低)の場
合は、第1図の動作と同じである。
First, when the data transmission direction control signal line 19a=O (low), the operation is the same as that shown in FIG.

次に、データ伝送方向制御信号線19a=1 (高)の
場合は、第1図のデータの流れとは逆になる。
Next, when the data transmission direction control signal line 19a=1 (high), the data flow is opposite to that shown in FIG.

すなわち、クロック信号線18aをO(低)の状態に制
御すると、右側のメモリ11内のデータがメモリ信号線
17aを介して左側の信号伝達制御回路36aへ伝達さ
れ、この信号伝達制御回路36aは前記の表に従ってこ
のメモリ内容を保持する。
That is, when the clock signal line 18a is controlled to the O (low) state, the data in the memory 11 on the right side is transmitted to the signal transmission control circuit 36a on the left side via the memory signal line 17a, and this signal transmission control circuit 36a Maintain this memory content according to the table above.

次に、クロック信号線18aを1 (高)の状態に制御
すると、信号伝達制御回路36aの保持している右側の
メモリ11のデータがメモリ信号線17aを介して左側
のメモリ11へ伝達され、保持される。
Next, when the clock signal line 18a is controlled to the 1 (high) state, the data in the right memory 11 held by the signal transmission control circuit 36a is transmitted to the left memory 11 via the memory signal line 17a. Retained.

また、信号伝達制御回路36bについてはクロック信号
線18b及びデータ伝送方向制御信号線19bの制御に
より縦方向について回路36aと同様の動作をする。
Further, the signal transmission control circuit 36b operates in the same manner as the circuit 36a in the vertical direction under the control of the clock signal line 18b and the data transmission direction control signal line 19b.

この実施例では、第1の実施例の効果に加えて、メモリ
11内のデータを左右、上下いずれの方向にも自由に伝
達できる効果がある。
In addition to the effects of the first embodiment, this embodiment has the advantage that data in the memory 11 can be freely transmitted in any direction, left or right or up or down.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば、2端子記憶装置の縦
方向のメモリ間及び横方向のメモリ間に信号伝達制御回
路を設け、メモリと該信号伝達制御回路間をメモリ信号
線で接続し、メモリの記憶データをクロック信号等に基
づいてメモリ相互間で直接伝達するようにしたので、2
端子記憶装置のメモリ内のデータをデータ信号線に読み
出すことなく、高速かつ任意に上下左右の方向の他の2
端子記憶装置のメモリへ移動できるデータ記憶装置を提
供できる。
As described above, according to the present invention, a signal transmission control circuit is provided between memories in the vertical direction and between memories in the horizontal direction of a two-terminal storage device, and the memories and the signal transmission control circuit are connected by a memory signal line. , the data stored in the memory is directly transmitted between the memories based on clock signals, etc., so 2.
Without reading data in the memory of the terminal storage device to the data signal line, you can quickly and arbitrarily move the data in the other two directions, up, down, left, and right.
It is possible to provide a data storage device that can be moved to the memory of a terminal storage device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1の実施例による2端子記憶装置
を有するデータ記憶装置の構成図、第2図、第3図はそ
れぞれこの発明の第2.第3の実施例によるデータ記憶
装置の構成を示す図、第4図は従来のデータ記憶装置の
一例を示す構成図である。 11・・・メモリ、12a、12b・・・メモリ制御回
路、13a、13b・・・アクセス信号線、14a14
b・・・リードライト信号線、15a、15b・・デー
タ信号線、16a、16b・・・信号伝達制御回路、1
7a、17b・・・メモリ信号線、18a、18b・・
・クロック信号線、19a、19b・・・データ伝送方
向制御信号線、21a、21b、22a。 22b・・・クロック信号線、36a、36b・・・信
号伝達制御回路。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram of a data storage device having a two-terminal storage device according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. A diagram showing the configuration of a data storage device according to the third embodiment, and FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of a conventional data storage device. 11...Memory, 12a, 12b...Memory control circuit, 13a, 13b...Access signal line, 14a14
b...Read/write signal line, 15a, 15b...Data signal line, 16a, 16b...Signal transmission control circuit, 1
7a, 17b...Memory signal line, 18a, 18b...
- Clock signal lines, 19a, 19b...Data transmission direction control signal lines, 21a, 21b, 22a. 22b... Clock signal line, 36a, 36b... Signal transmission control circuit. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)データ入出力用の2つの端子を有するメモリと、
上記各端子からのデータの読み出し及び書き込みをそれ
ぞれ独立に制御する2つのメモリ制御回路と、該メモリ
制御回路に接続したアクセス信号線、リードライト信号
線、及びデータ信号線とからなる複数の2端子記憶装置
を有するデータ記憶装置において、 上記2端子記憶装置のメモリとメモリ信号線を介して接
続され、伝達制御信号に基づいてメモリ間でメモリの記
憶データを伝達する信号伝達制御回路を縦方向のメモリ
間及び横方向のメモリ間に設けたことを特徴とするデー
タ記憶装置。
(1) A memory having two terminals for data input/output,
A plurality of two terminals consisting of two memory control circuits that independently control reading and writing of data from each terminal, and an access signal line, a read/write signal line, and a data signal line connected to the memory control circuits. In a data storage device having a storage device, a signal transmission control circuit that is connected to the memory of the two-terminal storage device via a memory signal line and transmits data stored in the memory between the memories based on a transmission control signal is arranged in a vertical direction. A data storage device characterized in that it is provided between memories and between memories in the horizontal direction.
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