JPH0286155A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0286155A JPH0286155A JP23645388A JP23645388A JPH0286155A JP H0286155 A JPH0286155 A JP H0286155A JP 23645388 A JP23645388 A JP 23645388A JP 23645388 A JP23645388 A JP 23645388A JP H0286155 A JPH0286155 A JP H0286155A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造技術に関し、特に、主要部が
樹脂によって覆われる、樹脂モールドタイプの半導体装
置の製造に利用して有効な技術に関する。
樹脂によって覆われる、樹脂モールドタイプの半導体装
置の製造に利用して有効な技術に関する。
従来の技術としては、％開開５２−１４３６０号公報に
記載されている。その概要は、モールド金型の上型と下
型にリードフレームを挾み、モールド金型の上型と下型
で形成されるモールド空間に、レジン（樹＠）を注入し
て樹脂モールドを行なうものである。
記載されている。その概要は、モールド金型の上型と下
型にリードフレームを挾み、モールド金型の上型と下型
で形成されるモールド空間に、レジン（樹＠）を注入し
て樹脂モールドを行なうものである。
本発明者は、上述した技術と同様にして、半導体装置の
樹脂モールドを試みたところ、以下に示すような問題が
あることを明らかにした。
樹脂モールドを試みたところ、以下に示すような問題が
あることを明らかにした。
すなわち、モールド時モールド金型の上型と下型のすき
間から、樹脂が流れ出し、不必要な部分に薄い樹脂（以
下＃Ｂ脂膜とする）が付着するという問題があることが
本発明者によって明らかにされた。
間から、樹脂が流れ出し、不必要な部分に薄い樹脂（以
下＃Ｂ脂膜とする）が付着するという問題があることが
本発明者によって明らかにされた。
そこで本発明者は、モールド金型の上型と下型によって
リードフレームを挾み込む力を増し、上型と下型のすき
間を低減して樹脂モールドすることを考えた。
リードフレームを挾み込む力を増し、上型と下型のすき
間を低減して樹脂モールドすることを考えた。
しかしながら、樹脂の流れ出しは低減できるものの、モ
ールド空間内でインナーリードが変形し、ボンディング
されたワイヤ同志のシッートや、インナーリード同志の
シ日−トが生じ、そのままの状態でモールドされる為、
不良品なつ（ってしまりという問題があることが本発明
者によって明らかにされた。
ールド空間内でインナーリードが変形し、ボンディング
されたワイヤ同志のシッートや、インナーリード同志の
シ日−トが生じ、そのままの状態でモールドされる為、
不良品なつ（ってしまりという問題があることが本発明
者によって明らかにされた。
本発明の目的は、モールド時、不必要な部分に樹脂が流
れ出すことな低減する一方、インナーリード変形による
ワイヤ同志のシ粛−トな低減できる技術を提供すること
にある。
れ出すことな低減する一方、インナーリード変形による
ワイヤ同志のシ粛−トな低減できる技術を提供すること
にある。
本発明の他の目的は、モールド時、不必要な部分に樹脂
か流れ出すことを低減する一方、インナーリード変形に
よるリード同志のショートを低減できる技術を提供する
ことにある。
か流れ出すことを低減する一方、インナーリード変形に
よるリード同志のショートを低減できる技術を提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本発明において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、モールド空間内に位置するインナーリードの
一部の板厚を、他のリード部より薄くしたリードフレー
ムを用いて半導体装置のモールドを行なうものである。
一部の板厚を、他のリード部より薄くしたリードフレー
ムを用いて半導体装置のモールドを行なうものである。
上述した構成によれば、モールド時リードフレームがモ
ールド金型の上型と下型に強く挾み込まれ、リードフレ
ーム製作時の「はり」などによって、そのインナーリー
ドが変形しようとしてもインナーリードの一部が他のリ
ード部より薄い為、その部分の機械的強度が弱い。それ
ゆえ、インナーリードが変形しようとする力と、インナ
ーリード先端のボンディングワイヤの持つ前記インナー
リードの変形とは逆方向の力（反力）とが、他のリード
部より薄い部分に集中し、互いに相殺され、インナーリ
ードの変形が低減されるものである。
ールド金型の上型と下型に強く挾み込まれ、リードフレ
ーム製作時の「はり」などによって、そのインナーリー
ドが変形しようとしてもインナーリードの一部が他のリ
ード部より薄い為、その部分の機械的強度が弱い。それ
ゆえ、インナーリードが変形しようとする力と、インナ
ーリード先端のボンディングワイヤの持つ前記インナー
リードの変形とは逆方向の力（反力）とが、他のリード
部より薄い部分に集中し、互いに相殺され、インナーリ
ードの変形が低減されるものである。
それゆえ、ワイヤ同志のシ」−トやリード同志のシ■−
トが低減されるものである。
トが低減されるものである。
第１図は、本発明の一実施例であるリードフレームの一
部を示す概略平面図である。
部を示す概略平面図である。
第２図は、第１図におけるＡ−Ａ断面を示す概略図であ
る。
る。
第３図は、モールド金型で挾んだ状態での第１図におけ
るＡ−Ａ位置断面を示す概略図である。
るＡ−Ａ位置断面を示す概略図である。
第１図において、１はリードフレームを示し、１個の半
導体装置を構成するリードが複数組連結されたものであ
る。２は外枠で、１個の半導体装置を構成するリードを
連結する為のものである。
導体装置を構成するリードが複数組連結されたものであ
る。２は外枠で、１個の半導体装置を構成するリードを
連結する為のものである。
３はタブであり、２本の前記外枠２０間に配置される四
方形の板状物である。４はタイバーであり、前記タブ３
を囲むように配され、後述するリード（アウターリード
）を連結すると共に、モールド時に樹脂が流れ出すのを
防ぐ為のものである。５はタブ吊りリードであり、前記
タブ３０四隅に連結され、他端は前記外枠２に連結され
てい【、タイバー４を外枠２に支持する為のものである
。７はセフシランバーであり、前記外枠２に直交して配
置され、外枠２と平行して伸びる方向の後述するアクタ
−リード先端を連結している。８はアウターリードであ
り、前記タブ３の四辺に対向して配置され、完成品とな
った際には樹脂パッケージの西側面から突出するリード
となる部分である。
方形の板状物である。４はタイバーであり、前記タブ３
を囲むように配され、後述するリード（アウターリード
）を連結すると共に、モールド時に樹脂が流れ出すのを
防ぐ為のものである。５はタブ吊りリードであり、前記
タブ３０四隅に連結され、他端は前記外枠２に連結され
てい【、タイバー４を外枠２に支持する為のものである
。７はセフシランバーであり、前記外枠２に直交して配
置され、外枠２と平行して伸びる方向の後述するアクタ
−リード先端を連結している。８はアウターリードであ
り、前記タブ３の四辺に対向して配置され、完成品とな
った際には樹脂パッケージの西側面から突出するリード
となる部分である。
９はインナーリードであり、先端が前記タブ３の近傍ま
で伸び、前記アウターリード８に連結されている。１０
はクランプ部分であり、モールド金型によってクランプ
される部分で、この内側が樹脂によってモールドされる
。１１は凹部であり。
で伸び、前記アウターリード８に連結されている。１０
はクランプ部分であり、モールド金型によってクランプ
される部分で、この内側が樹脂によってモールドされる
。１１は凹部であり。
インナーリード９の前記クラ７１部分１０近傍に設けら
れ、他のリード部分よりも板厚が薄くなっている。
れ、他のリード部分よりも板厚が薄くなっている。
第２図において、１２は上型であり、モールド金型を構
成する。１３は下型であり、モールド金型を構成する。
成する。１３は下型であり、モールド金型を構成する。
第３図において、１４は半導体素子であり、半導体装置
の心臓部となるもので、タブ３上に固着されたものであ
る。１５は電極であり、前記半導体素子１４の主表面に
設けられ、半導体素子１４内部との電気的導通をとる為
のものである。１６はワイヤであり、前記半導体素子１
４の電極１５とインナーリード９との導通をとる為のも
のである。１７はモールド空間であり、樹脂が入り込む
部分である。
の心臓部となるもので、タブ３上に固着されたものであ
る。１５は電極であり、前記半導体素子１４の主表面に
設けられ、半導体素子１４内部との電気的導通をとる為
のものである。１６はワイヤであり、前記半導体素子１
４の電極１５とインナーリード９との導通をとる為のも
のである。１７はモールド空間であり、樹脂が入り込む
部分である。
以下、上述した構成の本発明の一実施例につ（・てその
作用を説明する。
作用を説明する。
先ず、第１図及び第２図において、インナーリード９の
クランプ部分１０の内側近傍には、エツチング等によっ
て凹部１１が形成されており、この部分は他の部分より
も板厚が薄い為、機械的強度が弱くなっている。このよ
うなリードフレーム１な用（・て半導体装置が組立てら
れる。つまり、ｗｃ３図に示すように、先ずリードフレ
ーム１のタブ３に半導体素子１４が固着され、次いで半
導体素子１４の複数の電極１５（図示は１個の電極のみ
）と、それに対応したインナーリード９の先端部分とが
ワイヤ１６によって結ばれる。その後、そのリードフレ
ームは図示しな（・モールド装置のモールド金型の上型
１２と下型１３の間忙挾まれセットされる。ここで、上
型１２と下型１３によってリードフレーム１が強く挾ま
れたとしても、インナーリード９が変形しようとする力
は、ワイヤ１６の張力によるインナーリード９先端に働
く前記とは逆方向の力に抑えられるかたちになり、機械
的強度が弱い凹部１１が変形することで相殺され、イン
ナーリード９の先端部（ワイヤ１６がボンディングされ
ている部分）の変形は低減される。それゆえ、このよう
な状態でモールドを行なえば、不必要な部分に樹脂が流
れることを低減し、しかもワイヤ１６同志のショートや
、リード同志のシ曹−トなどを低減できるものである。
クランプ部分１０の内側近傍には、エツチング等によっ
て凹部１１が形成されており、この部分は他の部分より
も板厚が薄い為、機械的強度が弱くなっている。このよ
うなリードフレーム１な用（・て半導体装置が組立てら
れる。つまり、ｗｃ３図に示すように、先ずリードフレ
ーム１のタブ３に半導体素子１４が固着され、次いで半
導体素子１４の複数の電極１５（図示は１個の電極のみ
）と、それに対応したインナーリード９の先端部分とが
ワイヤ１６によって結ばれる。その後、そのリードフレ
ームは図示しな（・モールド装置のモールド金型の上型
１２と下型１３の間忙挾まれセットされる。ここで、上
型１２と下型１３によってリードフレーム１が強く挾ま
れたとしても、インナーリード９が変形しようとする力
は、ワイヤ１６の張力によるインナーリード９先端に働
く前記とは逆方向の力に抑えられるかたちになり、機械
的強度が弱い凹部１１が変形することで相殺され、イン
ナーリード９の先端部（ワイヤ１６がボンディングされ
ている部分）の変形は低減される。それゆえ、このよう
な状態でモールドを行なえば、不必要な部分に樹脂が流
れることを低減し、しかもワイヤ１６同志のショートや
、リード同志のシ曹−トなどを低減できるものである。
ところで、本実施例ではインナーリードに凹部を設けた
が、凹部に該当する部分の板厚を他と同じにし、焼なま
し処理を行なって機械的強度を弱くしてもよく、種々の
方法が考えられる。
が、凹部に該当する部分の板厚を他と同じにし、焼なま
し処理を行なって機械的強度を弱くしてもよく、種々の
方法が考えられる。
（１） リードフレームのモールド空間内に位置する
インナーリードの一部を、他の部分よりも機械的強度が
弱くなる構造にすることくより、モールド時リードフレ
ームがモールド金型によって挾まれた際のインナーリー
ドの変形を吸収することができる。それゆえ、モールド
金型によるリードフレームの挾み込み力を増して、不所
望な部分への樹脂の流れ出しを低減する一方、インナー
リードの変形を低減してワイヤ同志のシ曹−トを低減で
きるという効果が得られる。
インナーリードの一部を、他の部分よりも機械的強度が
弱くなる構造にすることくより、モールド時リードフレ
ームがモールド金型によって挾まれた際のインナーリー
ドの変形を吸収することができる。それゆえ、モールド
金型によるリードフレームの挾み込み力を増して、不所
望な部分への樹脂の流れ出しを低減する一方、インナー
リードの変形を低減してワイヤ同志のシ曹−トを低減で
きるという効果が得られる。
（２）リードフレームのモールド空間内に位置するイン
ナーリードの一部を、他の部分よりも機械的強度が弱く
なる構造にすることにより、モールド時リードフレーム
がモールド金型によって挾まれた際のインナーリードの
変形を吸収することができる。それゆえ、モールド金型
によるリードフレームの挾み込み力を増して、不所望な
部分への樹脂の流れ出しな低減する一方、インナーリー
ドの変形を低減してインナーリード同志のショートを低
減できるという効果が得られる。
ナーリードの一部を、他の部分よりも機械的強度が弱く
なる構造にすることにより、モールド時リードフレーム
がモールド金型によって挾まれた際のインナーリードの
変形を吸収することができる。それゆえ、モールド金型
によるリードフレームの挾み込み力を増して、不所望な
部分への樹脂の流れ出しな低減する一方、インナーリー
ドの変形を低減してインナーリード同志のショートを低
減できるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に電とづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しな（・範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しな（・範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の組立技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではな（・。
をその背景となった利用分野である半導体装置の組立技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではな（・。
本願にお（・て開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
すなわち、リードフレームのインナーリードの一部に、
！ｌ械的強度が他の部分より弱い部分を設けることによ
り、モールド時のリードフレームのモールド金型での挾
み込みによるインナーリード変形を、前記機械的強度が
他の部分より弱い部分で吸収し、インナーリード変形を
低減できるものである。
！ｌ械的強度が他の部分より弱い部分を設けることによ
り、モールド時のリードフレームのモールド金型での挾
み込みによるインナーリード変形を、前記機械的強度が
他の部分より弱い部分で吸収し、インナーリード変形を
低減できるものである。
第１図は本発明の一実施例であるリードフレームの一部
を示す概略平面図。 第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面を示す概略図。 第３図はモールド金型で挾んだ状態での第１図における
Ａ−Ａ位置断面を示す概略図である。 １・・・リードフレーム、２・・・外枠、３・・・タブ
、４・・・タイバー ５・・・タブ吊りリード、６・・
・タイバー吊りリード、７・・・セクションパー ８・
・・アウターリード、９・・・インナーリード、１０・
・・クランプ部分％ １１・・・凹部、１２・・・上型
、１３・・・下型、１４・・・半導体素子、１５・・・
電極、１６・・・ワイヤ、１７・・・モールド空間。
を示す概略平面図。 第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面を示す概略図。 第３図はモールド金型で挾んだ状態での第１図における
Ａ−Ａ位置断面を示す概略図である。 １・・・リードフレーム、２・・・外枠、３・・・タブ
、４・・・タイバー ５・・・タブ吊りリード、６・・
・タイバー吊りリード、７・・・セクションパー ８・
・・アウターリード、９・・・インナーリード、１０・
・・クランプ部分％ １１・・・凹部、１２・・・上型
、１３・・・下型、１４・・・半導体素子、１５・・・
電極、１６・・・ワイヤ、１７・・・モールド空間。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子が載置されるタブと、タブの近傍に伸び
、後々樹脂によって覆われるインナーリードと、インナ
ーリードから伸びるアウターリードとを有するリードフ
レームであって、該インナーリードには、他の部分より
も機械的強度が弱い部分が形成されていることを特徴と
するリードフレーム。 ２、第１項記載の機械的強度が弱い部分としては、板厚
がアウターリードの板厚より薄いことを特徴とするリー
ドフレーム。 ３、第１項記載の機械的強度が弱い部分としては、焼な
まし処理が施されていることを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645388A JPH0286155A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645388A JPH0286155A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286155A true JPH0286155A (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=17000974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23645388A Pending JPH0286155A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0286155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545921A (en) * | 1994-11-04 | 1996-08-13 | International Business Machines, Corporation | Personalized area leadframe coining or half etching for reduced mechanical stress at device edge |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23645388A patent/JPH0286155A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545921A (en) * | 1994-11-04 | 1996-08-13 | International Business Machines, Corporation | Personalized area leadframe coining or half etching for reduced mechanical stress at device edge |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
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