JPH0283364A - フルオロベンゼンスルホニルフロリド誘導体の製造方法 - Google Patents

フルオロベンゼンスルホニルフロリド誘導体の製造方法

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JPH0283364A
JPH0283364A JP63236146A JP23614688A JPH0283364A JP H0283364 A JPH0283364 A JP H0283364A JP 63236146 A JP63236146 A JP 63236146A JP 23614688 A JP23614688 A JP 23614688A JP H0283364 A JPH0283364 A JP H0283364A
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JP
Japan
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formula
general formula
fluoride
catalyst
halogen
Prior art date
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Pending
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JP63236146A
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English (en)
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Yoshiichi Kimura
芳一 木村
Yasuo Yoshida
康夫 吉田
Yutaka Suzuki
裕 鈴木
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Ihara Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Ihara Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の目的) 本発明は、フルオロベンゼンスルホニルフロリド誘導体
の工業的な製造法に関するものである。
(産業上の利用分野) 本発明で得られるフルオロベンゼンスルホニルフロIJ
l’B導体は、農薬、医薬の合成原料として有用な化合
物である。
(従来の技術) 従来、Yakobson  の方法によれば、(式中X
はハロゲン原子を、Fはフッ素原子を、m、tは1〜5
の整数を示す。)で表わされるフルオロベンゼンスルホ
ニルフロ1)ド誘導体ヲ得ルには、一般式(V)で表わ
される (式中、Ctは塩素原子を、Fはフッ素原子を、nは1
〜5の整数を示j。) クロロベンゼンスルホニルフロ’J#!j4体をフッ化
カリウムと共に無溶媒状態で高温、長時間反応させる(
 G、 G、 Yakobson et、 al、、 
 Chem、 Abstr、。
63、14740e;66、94741c(1967)
、参照)かまたは、非プロトン性極性溶媒中、トリス(
3,6゜9−トリオキサデシル)アミンに代表される金
属イオン封鎖剤の存在下あるいは非存在下でフッ化カリ
ウムと反応させる(特公昭57−41465号参照)方
法が提案されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、前者の無溶媒状態で高温、長時間反応さ
せる方法は工業的に実施するには多大の困難を伴う上、
収率が低いという欠点がある。後者の非プロトン性極性
溶媒中で行う方法は、操作的には改善されているものの
、金属イオン封鎖剤の存在下で実施する方法においては
、収率も40%と低く工業的に製造する方法としては、
いまだ十分ではなかった。したがって、高収率でフルオ
ロ4ンゼンスルホニルフロリド誘導体を製造する方法が
望まれていた。
(発明が解決した問題点) 本発明者らは、原料としてより入手しゃ丁い、一般式(
I) (式中、X、Yはハロゲン原子を示し、nは1〜5の整
数を示す。但しXnがフッ素原子のみの場合ヲ除<。)
で表わされるベンゼンスルホニルノーライド誘導体と、
アルカリ金属70リドを反応して、一般式(n) (式中、Xはハロゲン原子、Fはフッ素原子を、m、上
に1〜5の整数を示し、m、 t、nはm十z=nの関
係を示す。)で表わされるフルオロベンゼンスルホニル
フロIJ p誘導体を製造する方法を鋭意検討した結果
、触媒として一般式(IN)R4P”Z− (式中、Rはアルキル、アリール、フェニル基等、2は
ハロゲン原子を示す。)で表わされる第四ホスホニウム
塩、またに一般式 (式中、R4R2R3はアルキル基を表わし、R1とR
2は互いに結合して環状構造をとってもよ(、Qはハロ
ゲン原子を示す。)で表わされる牛−アミノピリジニウ
ム塩より選ばれた一種またはそれ以上を用いることによ
り、高収率でフルオロベンゼンスルホニルフロリド誇導
体カ製造できることを見い出し、本発明を完成した。
(発明の概要) 本発明は一般式(1) (式中、X、Y、nは前記と同じ意味を示す。但しXn
がフッ素原子のみの場合を除く。)で表わサレルベンゼ
ンスルホニルハライド誘導体とアルカリ金属フロリドと
を、一般式 %式%() (式中、R,Zは前記と同じ意味を示す。)で表わされ
る第四ホスホニウム塩、または一般式(式中、R,、R
2,R3,Qは前記と同じ意味を示す。)で表わされる
4−アミノピリジニウム塩より選ばれた一種またはそれ
以上を触媒として反応させる事により、一般式(I[) (式中、X、F、 t、mは前記と同じ意味を示S)で
表わされるフルオロ4ンゼンスルホニルフロリド誘纏体
を製造する方法に関するものである。
本発明で触媒として用いられる一般式(II)で表わさ
れる4級ホスホニウム塩としては、例えば、テトラフェ
ニルホスホニウムクロリドまたは、テトラフェニルホス
ホニクムプロεド、トリフェニルトリルホスホニウムブ
クミ1トリス(トリル)フェニルホスホニウムプロミF
、トリス(1)−7ニシル)フェニルホスホニウムプロ
ミド、トリフェニルメチルホスホニウムヨージF等があ
げられる。上記触媒は、&AffandI et al
、、5ynth。
ReaCt−1norg Met−org、 Chem
 17 v 307(1987Lに記載された方法によ
り容易に合成することができる。
また一般式(IV)で表わされる牛−アミノピリジニウ
ム塩としては4−ジメチルアミノ−2−エチルへキシル
ピリジニウムプロミド、杢−ピペリジノー2−エチルへ
キシルピリジニウムゾロミド、仝−ジメテルアミノーネ
オペンテルピリジニクムゾロミド等が例示される。また
上記触媒は、D、 J。
Brunelle et al、、 Tetra he
dron Lett、。
198413383、に記載された方法により容易に合
成することができる。一般式(IV)で表わされるアミ
ノぎりジニウム塩を触媒として用いる時は、4−アミノ
ピリジンとフルキルハライドを系内で反応させ、牛−ア
ミノピリジニウム塩を形成させた後、それらを取り出す
ことな(直接反応に用いることができる。
触g は、クロロベンゼンスルホニルクロリド訪導体(
一般式(I))に対し0.5モル%以上、好ましくは5
〜10モル%用いられる。本発明の原料として用いるベ
ンゼンスルホニルハライド誘導体(−itQ式(I )
 )、!:しては2−クロロベンゼンスルホニルクロリ
ド、4−クロロベンゼンスルホニルクロリド等のモノク
ロロベンゼン誘導体、2.4−ジクロロベンゼンスルホ
ニルクロリド、2.5−ジクロロベンゼンスルホニルク
ロリド等のジクロロ4ンセン誘導体、2,4,5−トリ
クロロベンゼンスルホニルクロリp、3,4.5− ト
リクロロベンゼンスルホニルクロリP等のトリクロロベ
ンゼン誘導体さらには、2,3,4.5−テトラクロロ
ベンゼンスルホニルクロIJ )’、2,3,4,5.
6−へキサクロロベンゼンスルホニルクロリド等のテト
ラクロロベンセン誘導体、ヘキサクロロベンゼン誘4体
にも適用できろ。
また、使用するアルカリ金属70リドとしては、フッ化
ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウムまたはそ
れらの混合物であり、そのアルカリ全屈フロリドとして
は、微粒子状のものなら使用して差し支えない。例えば
、スプレィドライ、フリーズドライ、粉砕その他工業的
に製造可能な微粒子状のものなら使用して差し支えない
。その使用量は置換されるハロゲン原子に対して0.5
〜10当量。好ましくは1〜3当量用いる。当反応にお
いては溶媒を使用しても何ら差し支えない。使用する場
合は、例えばジメチルスルホキシド、スルホラン、N−
メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、ジクロロ
トルエン、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン、メ
チルナフタレン等の芳香族系溶媒が用いられる。反応は
室温以上、好ましくは100〜250℃で円滑に進行す
る。また上記反応は、常圧、加圧、減圧いずれで行って
もよいが、通常は常圧でおこなわれる。
(発明の効果) フルオロベンゼンスルホニル70リド誘導体ヲ製造する
方法において、触媒として第4級ホスホニウム塩または
生−アミノピリジニウム塩より選ばれた一種またはそれ
以上を用いるので触媒活性が高くなり、短時間で反応が
終結し副生成物の生成を抑えるので、既知の方法に比べ
大幅な収率向上を得ることができ工業的な製造法として
価値の高いものである。
(実施例) 以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例1 コンデンサー メカニカルスターラー、温度計ヲ(4t
ftた1000m4つロフラスコに、スプレー乾燥フッ
化カリウム(リーデル社IM)l16.2g(2モル)
、テトラフェニルホスホニウム=プロミド(北興化学製
)21.0g(0,05モル)、無水スルホラン300
gを入れトルエンで共沸脱水’を行った後、4−クロロ
ベンゼンスルホニルクロリド105.5g(0,5モル
)を加え、窒素雰囲気下215℃で2時間攪拌した。冷
却後反応混合物をジクロロメタン5001jで希釈して
、無機塩を濾別した。濾液を濃縮して得た残渣を減圧蒸
留して、78.2g(収率88%)の4−フルオロベン
ゼンスルホニルフロリrを得た。
また沸点は、63℃/4TOrrであった。
実施例2 スルホランの代わりに3,4−ジクロロトルエンを溶媒
として実施例1と同様に反応を行った。
コンデンサー メカニカルスターラー、温度計を備えた
100174つロフラスコに、スプレー乾燥フッ化カリ
ウム11.6 g (0,2モル)、テトラフェニルホ
スホニウム=ブロミr 21 g (0,005モル)
、3.4−ジクロロトルエン30g’lJLトルエンで
共沸脱水を行った後、生−クロロベンゼンスルホニルク
ロリド10.6g(0,05モル)を加え、窒素雰囲気
、還流下で7時間攪拌した。
反応液にトリフェニルメタンを内部標準として加え、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ59%の収率で
4−フルオロベンゼンスルホニ/l/70リドが生成し
ていた。
実施例3 コンデンサー メカニカルスターラー、温度計を備えた
100m4つロフラスコに、スプレー乾燥フッ化カリウ
ム11.6g(0,2モル)、テトラフェニルホスホニ
ウム=プロミド2.1 g (0,005モル)、無水
スルホラン30gを入し、トルエンで共沸脱水を行った
後、2,5−ジクロロベンゼンスルホニルクロリド12
.3g(0,05モル)ヲ加え、窒素雰囲気下180℃
で55時間攪拌した。
冷却後反応混合物をジクロロメタンlQ□+jで希釈し
て、無機塩を濾別した。次にジクロロメタンを除去し水
1000dを加えた後、エーテル200m1で抽出し、
スルホランは水洗によって取り除いた。エーテル層を濃
縮して得た残渣を減圧蒸留して、沸点96〜97℃/ 
7 Torr  の5−クロロ−2−フルオロベンゼン
スルホニルフロ’J)”a’6.6g得た。(収率62
%)(尚半化合物は、文献未記載の新規化合物である。
確認データーを以下に示す。) JR(neat):160α149α1425.129
0.1220.790c!R’MS:m/e 214(
M +2)、212(M  )、14a 129゜実施
例Φ ディーンスターク水分離器、および攪拌機を取り付けた
Loom!/4つロフラスコ内に、無水スルホラン50
g%4−ジメチルアミノピリジン0.618(5x泗0
1)、2−エチルへキシルゾロミド0.97 g (5
mmol )を入れ、窒素ガス雰囲気下、150℃で1
時間攪拌した。その後、スプレー乾燥フッ化カリウム8
.72 g (150mmol)を加え、さらにトルエ
ン8C1/で、共沸脱水を行った。最後に反応容器内を
30 Torr  まで減圧にし、トルエンを完全に留
去した。
反応容器内を窒素ガスで置換し、常圧に戻した後4−ク
ロロベンゼンスルホニルクロリrlo、55g (50
mmol )を加え、200℃で5時間加熱攪拌した。
反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、74%の4−フルオロベンゼンスルホニルフ
ロリド、およヒ生−クロロベンゼンスルホニルフロリド
が11%生成u、テぃた。
比較例1 触媒としてのテトラフェニルホスホニウムーブロミPを
除いた以外は実施例1と同様に反応を行ツタ。2時間後
、反応液をガスクロマトグラフィーで分析したところ、
29%の4−フルオロベンゼンスルホニルフロリr、オ
J:ヒ4−クロロ4ンゼンスルホニルフロリドが70%
生成していた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、XとYはハロゲン原子を示し、nは1〜5の整
    数を示す。但しXnがフッ素原子のみの場合を除く。)
    で表わされるベンゼンスルホニルハライド誘導体とアル
    カリ金属フロリドとを反応させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Xはハロゲン原子、Fはフッ素原子を、m、l
    は1〜5の整数を示し、m、l、nはm+l=nの関係
    を示す。)で表わされるフルオロベンゼンスルホニルフ
    ロリド誘導体を製造する方法において、触媒として、一
    般式 R_4P^+Z^−(III) (式中、Rはアルキル、アリール、フェニル基等、Zは
    ハロゲン原子を示す。)で表わされる第四ホスホニウム
    塩または、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R_1、R_2、R_3はアルキル基を表わし
    、R_1とR_2は互いに結合して環状構造をとつても
    よく、Qはハロゲン原子を示す。)で表わされる4−ア
    ミノピリジニウム塩より選ばれた一種またはそれ以上を
    用いることを特徴とするフルオロベンゼンスルホニルフ
    ロリド誘導体を製造する方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005090270A1 (ja) * 2004-03-23 2005-09-29 Daikin Industries, Ltd. 含フッ素ハロゲン化物の製造方法
WO2016186005A1 (ja) * 2015-05-21 2016-11-24 株式会社 東芝 還元触媒及び化学反応装置

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