JPH0282661A - ジョセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
ジョセフソン接合素子の製造方法Info
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- JPH0282661A JPH0282661A JP63233726A JP23372688A JPH0282661A JP H0282661 A JPH0282661 A JP H0282661A JP 63233726 A JP63233726 A JP 63233726A JP 23372688 A JP23372688 A JP 23372688A JP H0282661 A JPH0282661 A JP H0282661A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ジョセフソン接合素子の製造方法に係り、特に微細な接
合面積のＮｂ／Ａ １０．／Ｎｂジョセフソン素子の製
造方法に関し、 再現性よく微細なジョセフソン接合素子を製造すること
を目的とし、 基板上に第１の超伝導金属膜、トンネルバリア層、第２
の超伝導金属膜、酸化膜がエツチング停止層として作用
する金属膜および第３の超伝導金属膜を順次重ねて形成
する工程と、 ジョセフソン接合となるべき領域を残して、前記第２の
超伝導金属膜、金属膜、および第３の超伝導金属膜を全
膜厚について陽極酸化し陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜をドライエツチングし、前記酸化膜をエツチング停
止層として前記ジョセフソン接合領域に開口部を形成し
、第３の超伝導金属膜を露出せしめる工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属にコンタクトする
第４の超伝導金属を形成する工程を有することを構成と
する。
合面積のＮｂ／Ａ １０．／Ｎｂジョセフソン素子の製
造方法に関し、 再現性よく微細なジョセフソン接合素子を製造すること
を目的とし、 基板上に第１の超伝導金属膜、トンネルバリア層、第２
の超伝導金属膜、酸化膜がエツチング停止層として作用
する金属膜および第３の超伝導金属膜を順次重ねて形成
する工程と、 ジョセフソン接合となるべき領域を残して、前記第２の
超伝導金属膜、金属膜、および第３の超伝導金属膜を全
膜厚について陽極酸化し陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜をドライエツチングし、前記酸化膜をエツチング停
止層として前記ジョセフソン接合領域に開口部を形成し
、第３の超伝導金属膜を露出せしめる工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属にコンタクトする
第４の超伝導金属を形成する工程を有することを構成と
する。
本発明はジョセフソン接合素子の製造方法に係り、特に
微細な接合面積のＮｂ／Ａ １０．／Ｎｂジョセフソン
素子の製造方法に関する。
微細な接合面積のＮｂ／Ａ １０．／Ｎｂジョセフソン
素子の製造方法に関する。
近年、Ｎｂ／Ａ Ａ Ｏ，／Ｎｂジョセフソン接合素子
を用いた集積回路の高速動作が数多く報告されている。
を用いた集積回路の高速動作が数多く報告されている。
Ｎｂ／Ａ ｌ Ｏ，／Ｎｂジョセフソン接合素子は、リ
ーク電流の少ない高品質な電流−電圧特性をもっており
、しかも、再現性、安定性ともに優れている。その結果
、ジョセフソン回路作製時の歩留りが向上し、ジョセフ
ソン接合本来の高速性能が数千ゲート規模の回路におい
ても実証できるようになった。しかし、今後、ジョセフ
ソン集積回路の集積度を向上させるには、まずＮｂ／Ａ
Ｉ！０．、／Ｎｂ接合径を現在の２声程度から１μｍ
以下へと縮小化してゆく必要がある。
ーク電流の少ない高品質な電流−電圧特性をもっており
、しかも、再現性、安定性ともに優れている。その結果
、ジョセフソン回路作製時の歩留りが向上し、ジョセフ
ソン接合本来の高速性能が数千ゲート規模の回路におい
ても実証できるようになった。しかし、今後、ジョセフ
ソン集積回路の集積度を向上させるには、まずＮｂ／Ａ
Ｉ！０．、／Ｎｂ接合径を現在の２声程度から１μｍ
以下へと縮小化してゆく必要がある。
微細な接合面積を有するジョセフソン接合素子を製造す
る方法としては特願昭６１−２３２６８０ 、６１２３
９０９６ 、６１−２４３７１４に開示されているよう
に上層Ｎｂｆ陽極酸化して面積を決定する方法がある。
る方法としては特願昭６１−２３２６８０ 、６１２３
９０９６ 、６１−２４３７１４に開示されているよう
に上層Ｎｂｆ陽極酸化して面積を決定する方法がある。
この方法によって製造されたＮｂ／Ａ １０．／Ｎｂの
接合の断面図を第２図に示す。この接合方法は例えばＳ
ｉ基板ｌ上に下部Ｎｂ電極２、へ１−Ａ１０Ｘトンネル
バリア膜３、上部Ｎｂ電極４を連続的に成膜した後、レ
ジストをマスクとして上部Ｎｂ電極を陽極酸化し、接合
部の上部Ｎｂ電極４のみを残す。次に陽極酸化膜５、ト
ンネルバリア膜３、下部電極２をＲ［Ｅで加工した後、
ＳｉＯ□層間絶縁膜６を全面に成膜し、５ｉ０２膜６に
コンタクトホール７をＲＩＥで形成し、最後にＮｂ配線
層８を形成してコンタク１−をとる。
接合の断面図を第２図に示す。この接合方法は例えばＳ
ｉ基板ｌ上に下部Ｎｂ電極２、へ１−Ａ１０Ｘトンネル
バリア膜３、上部Ｎｂ電極４を連続的に成膜した後、レ
ジストをマスクとして上部Ｎｂ電極を陽極酸化し、接合
部の上部Ｎｂ電極４のみを残す。次に陽極酸化膜５、ト
ンネルバリア膜３、下部電極２をＲ［Ｅで加工した後、
ＳｉＯ□層間絶縁膜６を全面に成膜し、５ｉ０２膜６に
コンタクトホール７をＲＩＥで形成し、最後にＮｂ配線
層８を形成してコンタク１−をとる。
この方法ではＮｂｚＯｓ陽極酸化膜５をＳｉＯ□層間絶
縁膜を上記コンタクトホール形成時のエツチング停止層
として利用し約０．７ ｔｎｎ径の接合を可能にした。
縁膜を上記コンタクトホール形成時のエツチング停止層
として利用し約０．７ ｔｎｎ径の接合を可能にした。
しかし、この方法では、５ｉ０２層間絶縁膜６にコンタ
クトホール７をＲＩＥで形成する時の再現性に以下のよ
うな問題がある。反応性ガスとしては、Ｃｌ１Ｆ３を用
いる。エツチング速度は、Ｓｉｎ、に対しては３０ｎｎ
＋／分、Ｎｂ、Ｏ５に対しては１５ｎｍ／分、Ｎｂに対
しては５ｎｎ＋／分である。約４００〜５００ｎＲＩ厚
のＳｉｎ２層がエツチングされ、ＮｂとＮｂｚＯｓが露
出した時点でエツチングを停止させる。上記のようにＮ
ｂやＮｂｚＯｓに対するエツチング速度は、ＳｉＯ□に
対する速度よりも小さいので、２〜３分間のオーバー・
エツチングでもＮｂやＮｂｚｏｓが大きくエツチングさ
れることはない。しかし、上層ＮｂやＮｂｚＯｓはそれ
ぞれ５０ 、１２０ｎｍ程度と薄い。上層Ｎｂを全膜厚
にわたって陽極酸化するためには、上層Ｎｂを７０ｎｍ
以上に厚くすることはきないからである。しかも、特願
昭６１−２３９０９６で述べたように、陽極酸化のマス
クとして、レジストの代わりに上層Ｎｂ上のＳｉｎｇを
用いる場合は、上層Ｎｂ上に成膜されたＳＳ１０２（５
０ｎ厚）もエツチングして上層Ｎｂと配線とのコンタク
トをとる必要がある。このため、Ｎｂ２Ｏ５がそのエツ
チング時間分だけ余計にエツチングされることになる。
クトホール７をＲＩＥで形成する時の再現性に以下のよ
うな問題がある。反応性ガスとしては、Ｃｌ１Ｆ３を用
いる。エツチング速度は、Ｓｉｎ、に対しては３０ｎｎ
＋／分、Ｎｂ、Ｏ５に対しては１５ｎｍ／分、Ｎｂに対
しては５ｎｎ＋／分である。約４００〜５００ｎＲＩ厚
のＳｉｎ２層がエツチングされ、ＮｂとＮｂｚＯｓが露
出した時点でエツチングを停止させる。上記のようにＮ
ｂやＮｂｚＯｓに対するエツチング速度は、ＳｉＯ□に
対する速度よりも小さいので、２〜３分間のオーバー・
エツチングでもＮｂやＮｂｚｏｓが大きくエツチングさ
れることはない。しかし、上層ＮｂやＮｂｚＯｓはそれ
ぞれ５０ 、１２０ｎｍ程度と薄い。上層Ｎｂを全膜厚
にわたって陽極酸化するためには、上層Ｎｂを７０ｎｍ
以上に厚くすることはきないからである。しかも、特願
昭６１−２３９０９６で述べたように、陽極酸化のマス
クとして、レジストの代わりに上層Ｎｂ上のＳｉｎｇを
用いる場合は、上層Ｎｂ上に成膜されたＳＳ１０２（５
０ｎ厚）もエツチングして上層Ｎｂと配線とのコンタク
トをとる必要がある。このため、Ｎｂ２Ｏ５がそのエツ
チング時間分だけ余計にエツチングされることになる。
一方、Ｎｂ、０５の部分では下層Ｎｂと配線Ｎｂ層間に
絶縁がなされている事が不可欠である。このため、配ｖ
ＡＮ ｂ層８の成膜前（コンタクト穴の形成直後）のＮ
ｂｚＯｓの膜厚として８０ｎｍ以上は必要である。これ
らの条件をすべてみたす事はかなり困難である。実際の
プロセスでは、オーバー・エッチのためにＮｂ２Ｏ５の
膜厚が薄くなり、配線層と下層Ｎｂがショートｊるとい
う問題が起こりやすい。
絶縁がなされている事が不可欠である。このため、配ｖ
ＡＮ ｂ層８の成膜前（コンタクト穴の形成直後）のＮ
ｂｚＯｓの膜厚として８０ｎｍ以上は必要である。これ
らの条件をすべてみたす事はかなり困難である。実際の
プロセスでは、オーバー・エッチのためにＮｂ２Ｏ５の
膜厚が薄くなり、配線層と下層Ｎｂがショートｊるとい
う問題が起こりやすい。
本発明は再現性よく微細なジョセフソン接合素子を製造
することを目的とする。
することを目的とする。
上記課題は本発明によれば
基板上に第１の超伝導金属膜、トンネルバリア層、第２
の超伝導金属膜、酸化膜がエツチング停止層として作用
する金属膜および第３の超伝導金属膜を順次重ねて形成
する工程と、 ジョセフソン接合となるべき領域を残して、前記第２の
超伝導金属膜、金属膜、および第３の超伝導金属膜を全
膜厚について陽極酸化し陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜をドライエツチングし、前記酸化膜をエツチング停
止層として前記ジョセフソン接合領域に開口部を形成し
、第３の超伝導金属膜を露出せしめる工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属にコンタクトする
第４の超伝導金属を形成する工程を有することを特徴と
するジョセフソン接合素子の製造方法によって解決され
る。本発明では超伝導金属としてＮｂ、 ＮｂＮ、 Ｐ
ｂ合金等が用いられ、トンネルバリア層として八１０Ｘ
Ｉ Ｍｇｏ、 Ｉｎ０Ｘ等が上記Ｎｂ。
の超伝導金属膜、酸化膜がエツチング停止層として作用
する金属膜および第３の超伝導金属膜を順次重ねて形成
する工程と、 ジョセフソン接合となるべき領域を残して、前記第２の
超伝導金属膜、金属膜、および第３の超伝導金属膜を全
膜厚について陽極酸化し陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜をドライエツチングし、前記酸化膜をエツチング停
止層として前記ジョセフソン接合領域に開口部を形成し
、第３の超伝導金属膜を露出せしめる工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属にコンタクトする
第４の超伝導金属を形成する工程を有することを特徴と
するジョセフソン接合素子の製造方法によって解決され
る。本発明では超伝導金属としてＮｂ、 ＮｂＮ、 Ｐ
ｂ合金等が用いられ、トンネルバリア層として八１０Ｘ
Ｉ Ｍｇｏ、 Ｉｎ０Ｘ等が上記Ｎｂ。
ＮｂＮ、 Ｐｂ合金にそれぞれ対応して用いられる。
本発明では上部電極をＮｂ／Ａ ｌ ／Ｎｂの三層構造
にして陽極酸化するので陽極酸化後は従来のＮｂ単層の
場合のＮｂｚｏｓのみでな（ＮｂｚＯｓ／＾ｊ！ ２０
３／Ｎｂ２Ｏ５の三層構造になる。一般にＡｌおよびＡ
ｌの酸化物はフッ素系ガスによるＲＩＥではエツチング
されにくい。このためＳｉＯ□ｉＯ□縁膜にコンタクト
ホールをＲＩＥで形成する際に上記三層構造中のＡ １
ｚ（ｈがエツチング停止層として機能し、微細なジョ
セフソン接合の作成に寄与する。
にして陽極酸化するので陽極酸化後は従来のＮｂ単層の
場合のＮｂｚｏｓのみでな（ＮｂｚＯｓ／＾ｊ！ ２０
３／Ｎｂ２Ｏ５の三層構造になる。一般にＡｌおよびＡ
ｌの酸化物はフッ素系ガスによるＲＩＥではエツチング
されにくい。このためＳｉＯ□ｉＯ□縁膜にコンタクト
ホールをＲＩＥで形成する際に上記三層構造中のＡ １
ｚ（ｈがエツチング停止層として機能し、微細なジョ
セフソン接合の作成に寄与する。
以下本発明の実施例を図面に基づいて証明する。
第１Ａ図ないし第１Ｇ図は本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図である。
ための工程断面図である。
第１Ａ図に示すように、例えばＳｉ等の基板１１上に下
層Ｎｂ１２．ＡＮを順次スパッタ法によりそれぞれ膜厚
１００〜３００ｎｍ 、 ３〜１０ ｎｍ成膜する。次
に真空槽内に酸素を導入し、Ａ１１表面を酸化しＡｌ低
層を形成し、ＡＪ−Ａｉ、）ンネルバリア膜１３を形成
する。次に上部電極部１７としてＮｂ成膜４、へｌ膜１
５、Ｎｂ膜１６を順にスパッタにより成膜してＮｂ／Ａ
ｌ ／Ｎｂ三層構造を形成する。膜厚はそれぞれ３０
〜１００ 、３〜１０ 、３０〜１１００ｎとした、な
おこの工程ではＡ１表面には酸化層が形成されないよう
に留意する。
層Ｎｂ１２．ＡＮを順次スパッタ法によりそれぞれ膜厚
１００〜３００ｎｍ 、 ３〜１０ ｎｍ成膜する。次
に真空槽内に酸素を導入し、Ａ１１表面を酸化しＡｌ低
層を形成し、ＡＪ−Ａｉ、）ンネルバリア膜１３を形成
する。次に上部電極部１７としてＮｂ成膜４、へｌ膜１
５、Ｎｂ膜１６を順にスパッタにより成膜してＮｂ／Ａ
ｌ ／Ｎｂ三層構造を形成する。膜厚はそれぞれ３０
〜１００ 、３〜１０ 、３０〜１１００ｎとした、な
おこの工程ではＡ１表面には酸化層が形成されないよう
に留意する。
上記三層構造を形成した後、約５Ｏｎ＋ｎの膜厚のＳｉ
Ｏ□膜１８全１８ッタにより形成する。
Ｏ□膜１８全１８ッタにより形成する。
なお、実際のジョセフソン集積回路の作製プロセスでは
、Ｓｉ基板１１と下層Ｎｂ１２との間に、すでに熱酸化
Ｓｉ層、超伝導接地面、抵抗層、層間絶縁膜などが形成
されてレイる。
、Ｓｉ基板１１と下層Ｎｂ１２との間に、すでに熱酸化
Ｓｉ層、超伝導接地面、抵抗層、層間絶縁膜などが形成
されてレイる。
次に第１Ｂ図に示すようにレジストを塗布しレジストを
パターニングし、レジストパターン１９を形成し、レジ
ストパターン１８をマスクとして二亥５１０２膜１８を
ＲＩＥによりパターニングする。
パターニングし、レジストパターン１９を形成し、レジ
ストパターン１８をマスクとして二亥５１０２膜１８を
ＲＩＥによりパターニングする。
このＲＩＥにおいて反応性ガスとしてＣｌＩＦ５を用い
る。
る。
次に第１Ｃ図に示すように、上記ＳｉＯ□膜１８をマス
クとして上部電極Ｎｂ／Ａ ｎ ／Ｎｂを全膜厚にわた
って陽極酸化し、陽極酸化膜２３を形成する。
クとして上部電極Ｎｂ／Ａ ｎ ／Ｎｂを全膜厚にわた
って陽極酸化し、陽極酸化膜２３を形成する。
２０ 、２１ 、２２はそれぞれＮｂ２Ｏ５膜、＾１２
０３膜、Ｎｂ２Ｏ５膜である。この陽極酸化工程では電
解液として、エチレングリコールとホウ酸アンモニウム
の混合液を用い、一定電流たとえば０．５ｍＡ／ｃａｌ
を流して陽極酸化を行う。陽極酸化されるＮｂの膜厚は
印加電圧できまる。１■では０．９ＢｍのＮｂが酸化さ
れ、２．３ｎＩｌのＮｂ２Ｏ，膜が形成される。なお、
上部電極Ｎｂ／Ａ Ｉ ／Ｎｂの下のＡｊＯ，−へｌ膜
や下層Ｎｂの一部も酸化されても良い。
０３膜、Ｎｂ２Ｏ５膜である。この陽極酸化工程では電
解液として、エチレングリコールとホウ酸アンモニウム
の混合液を用い、一定電流たとえば０．５ｍＡ／ｃａｌ
を流して陽極酸化を行う。陽極酸化されるＮｂの膜厚は
印加電圧できまる。１■では０．９ＢｍのＮｂが酸化さ
れ、２．３ｎＩｌのＮｂ２Ｏ，膜が形成される。なお、
上部電極Ｎｂ／Ａ Ｉ ／Ｎｂの下のＡｊＯ，−へｌ膜
や下層Ｎｂの一部も酸化されても良い。
次に第１Ｄ図に示すようにレジストをマスクとして陽極
酸化膜（Ｎｂ２Ｏ５膜 Ａ ｌ ｚｏｓ／ ＮｂｚＯ３
） ２３ 。
酸化膜（Ｎｂ２Ｏ５膜 Ａ ｌ ｚｏｓ／ ＮｂｚＯ３
） ２３ 。
Ａ １−Ａ Ｉ ＯＸ成膜３、Ｎｂ成膜２をＲＩＥによ
りパタニングし、下部電極層のパターンを形成する。
りパタニングし、下部電極層のパターンを形成する。
反応ガスとしてＮｂ２Ｏ，はＣｌＩＦ５． ＮｂにはＣ
Ｆ４を用いる。ＡＩやＡｉＸはＡｒスバフタエッチング
で除去する。
Ｆ４を用いる。ＡＩやＡｉＸはＡｒスバフタエッチング
で除去する。
次に第１Ｅ図に示すように全面に眉間絶縁膜として膜厚
４００〜７００ｎｍのＳｉｎｇ膜２４をスパッタ法で成
膜する。
４００〜７００ｎｍのＳｉｎｇ膜２４をスパッタ法で成
膜する。
次にＨＦ図に示すようにレジストをマスクとしてＲＩＥ
加工を行い、ＳｉＯ□膜２４にコンタクトホール２５を
形成する。反応ガスはＣＨＦ、を用いる。
加工を行い、ＳｉＯ□膜２４にコンタクトホール２５を
形成する。反応ガスはＣＨＦ、を用いる。
Ｓｉｎｇに対してのエツチング速度は前述のように、３
０ｎｍ／分である。一方、ＮｂｚＯｓに対しては１５ｎ
ｍ／分、Ｎｂに対しては５ｎｍ／分である。従来オーバ
ーエツチングによってＮｂｚＯｓが薄くなることが問題
であったが、Ａｆの陽極酸化膜においてエツチングは停
止できるので、接合面積より大きなコンタクトホールを
形成しても、絶縁を保つのに充分な厚さのＮｂ、０．膜
２０が残る。
０ｎｍ／分である。一方、ＮｂｚＯｓに対しては１５ｎ
ｍ／分、Ｎｂに対しては５ｎｍ／分である。従来オーバ
ーエツチングによってＮｂｚＯｓが薄くなることが問題
であったが、Ａｆの陽極酸化膜においてエツチングは停
止できるので、接合面積より大きなコンタクトホールを
形成しても、絶縁を保つのに充分な厚さのＮｂ、０．膜
２０が残る。
次に第１Ｇ図に示すようにＡｒ中でスパッタクリーニン
グし、上部電極１６表面の酸化層を除去した後、膜厚５
００〜ｌ１００ＯｎのＮｂ配線層２５を成膜し、ＲＩＥ
加工する。
グし、上部電極１６表面の酸化層を除去した後、膜厚５
００〜ｌ１００ＯｎのＮｂ配線層２５を成膜し、ＲＩＥ
加工する。
以上説明したように本発明によれば上部電極をＮｂ／Ａ
β／Ｎｂの三層構造にし接合部以外を陽極酸化している
ので、層間絶縁膜ＳｉＯ□にコンタクトホールを加工す
る工程において、オーバーエツチングしてもＡＩ！の陽
極酸化膜においてエツチングが停止する。このため、Ｎ
ｂｚｏｓが薄くなり下層Ｎｂと配４ｉＮｂがショートす
るという問題を防いで、再現良く微細な接合を作製する
ことが可能となる。
β／Ｎｂの三層構造にし接合部以外を陽極酸化している
ので、層間絶縁膜ＳｉＯ□にコンタクトホールを加工す
る工程において、オーバーエツチングしてもＡＩ！の陽
極酸化膜においてエツチングが停止する。このため、Ｎ
ｂｚｏｓが薄くなり下層Ｎｂと配４ｉＮｂがショートす
るという問題を防いで、再現良く微細な接合を作製する
ことが可能となる。
第１八図ないし第１Ｇ図は本発明の一実施例を説明する
ための工程断面図であり、 第２図は従来の技術を説明するための断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板、 ２・・・下部Ｎｂ電極、
３、Ｉ３・・・Ａｌ−Ａ（２０，ｌ−ンネルバリア膜、
４・・・上部Ｎｂ電極、 ５，２３・・・陽極酸化
膜、６．２４・・・Ｓｉｎｇ層間絶縁膜、 ７．２５・・・コンタクトホール、 ８．２６・・・Ｎｂ配線層、１１・・・基板、１２・・
・下層Ｎｂ、 １４ 、１６・・・Ｎｂ膜、１５
・・・ＡＩｌ膜、 １８・・・５ｉｆ２．１９・
・・レジストパターン、 ２０ 、２２・・・Ｎｂ２Ｏ５膜、 ２１・・−Ａ
６２０３膜。 第１Ａ図 第］Ｅ届 １７・・・ｕｊｂｔ極邪 第７Ｇ ｆ２Ｑ ２４・・・５１０２層間絶縁膜 ２５・・・コンタクトホール ２６・・・Ｎｂ配線層 従来側 １・・・５１基板 ４・・・上部Ｎｂ電極 ５・・・陽極酸化膜 ６・・・ＳｉＯ２層間絶縁膜 ７・・・コンタクトホール ８・・・Ｎｂ配線層
ための工程断面図であり、 第２図は従来の技術を説明するための断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板、 ２・・・下部Ｎｂ電極、
３、Ｉ３・・・Ａｌ−Ａ（２０，ｌ−ンネルバリア膜、
４・・・上部Ｎｂ電極、 ５，２３・・・陽極酸化
膜、６．２４・・・Ｓｉｎｇ層間絶縁膜、 ７．２５・・・コンタクトホール、 ８．２６・・・Ｎｂ配線層、１１・・・基板、１２・・
・下層Ｎｂ、 １４ 、１６・・・Ｎｂ膜、１５
・・・ＡＩｌ膜、 １８・・・５ｉｆ２．１９・
・・レジストパターン、 ２０ 、２２・・・Ｎｂ２Ｏ５膜、 ２１・・−Ａ
６２０３膜。 第１Ａ図 第］Ｅ届 １７・・・ｕｊｂｔ極邪 第７Ｇ ｆ２Ｑ ２４・・・５１０２層間絶縁膜 ２５・・・コンタクトホール ２６・・・Ｎｂ配線層 従来側 １・・・５１基板 ４・・・上部Ｎｂ電極 ５・・・陽極酸化膜 ６・・・ＳｉＯ２層間絶縁膜 ７・・・コンタクトホール ８・・・Ｎｂ配線層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に第１の超伝導金属膜、トンネルバリア層、
第２の超伝導金属膜、酸化膜がエッチング停止層として
作用する金属膜および第３の超伝導金属膜を順次重ねて
形成する工程と、 ジョセフソン接合となるべき領域を残して、前記第２の
超伝導金属膜、金属膜、および第３の超伝導金属膜を全
膜厚について陽極酸化し陽極酸化膜を形成する工程と、 前記陽極酸化膜全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜をドライエッチングし、前記酸化膜をエッチング停
止層として前記ジョセフソン接合領域に開口部を形成し
、第３の超伝導金属膜を露出せしめる工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属にコンタクトする
第４の超伝導金属を形成する工程を有することを特徴と
するジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233726A JP2646440B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233726A JP2646440B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282661A true JPH0282661A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2646440B2 JP2646440B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16959608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233726A Expired - Lifetime JP2646440B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ジョセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646440B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0493963A1 (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-08 | Fujitsu Limited | Patterned mask having a transparent etching stopper layer |
| US5509183A (en) * | 1991-12-10 | 1996-04-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing a superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material |
| US7060508B2 (en) * | 2003-02-12 | 2006-06-13 | Northrop Grumman Corporation | Self-aligned junction passivation for superconductor integrated circuit |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63233726A patent/JP2646440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0493963A1 (en) * | 1990-12-28 | 1992-07-08 | Fujitsu Limited | Patterned mask having a transparent etching stopper layer |
| US5876877A (en) * | 1990-12-28 | 1999-03-02 | Fujitsu Limited | Patterned mask having a transparent etching stopper layer |
| US5509183A (en) * | 1991-12-10 | 1996-04-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing a superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material |
| US7060508B2 (en) * | 2003-02-12 | 2006-06-13 | Northrop Grumman Corporation | Self-aligned junction passivation for superconductor integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646440B2 (ja) | 1997-08-27 |
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