JPH0281446A - チップキャリア基板 - Google Patents
チップキャリア基板Info
- Publication number
- JPH0281446A JPH0281446A JP23180988A JP23180988A JPH0281446A JP H0281446 A JPH0281446 A JP H0281446A JP 23180988 A JP23180988 A JP 23180988A JP 23180988 A JP23180988 A JP 23180988A JP H0281446 A JPH0281446 A JP H0281446A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- electrodes
- gold bump
- tab
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子装置等に使用される配線基板にＴＡＢ
ＩＣを実装するのに用いるチップキャリア基板に関す
る。
ＩＣを実装するのに用いるチップキャリア基板に関す
る。
ＴＡＢ ＩＣを実装する時によく用いられるリードの
接続法の１つに熱圧着法があるが、従来のチップキャリ
ア基板はＴＡＢ ＩＣのリードが接続される電極か厚
さ１０〜２０μ程度の厚膜メタライズ上にＮ ｉ ／
Ａ ｕメツキを数μｍずつ行った平板状のパッド、ある
いは、薄膜メタライズ上にＮ ｉ ／ Ａ ｕ 、メツ
キを数μｍずつ行った平板状のパッドになっていて、こ
のパッドにＴＡＢ ＩＣのリードを熱圧着していたく
例えば特開昭５７１５５７５０号、特願昭５６−４０６
４２号）。
接続法の１つに熱圧着法があるが、従来のチップキャリ
ア基板はＴＡＢ ＩＣのリードが接続される電極か厚
さ１０〜２０μ程度の厚膜メタライズ上にＮ ｉ ／
Ａ ｕメツキを数μｍずつ行った平板状のパッド、ある
いは、薄膜メタライズ上にＮ ｉ ／ Ａ ｕ 、メツ
キを数μｍずつ行った平板状のパッドになっていて、こ
のパッドにＴＡＢ ＩＣのリードを熱圧着していたく
例えば特開昭５７１５５７５０号、特願昭５６−４０６
４２号）。
上述した従来のチップキャリア基板は、電極として厚膜
メタライズにＮ ｉ ／ Ａ ｕメツキを行った場合だ
と厚さはあるが厚膜メタライズに通常用いるＷやＭＯが
硬いため、薄膜メタライズにＮ ｉ ／ Ａ ｕメツキ
を行った場合だと電極が薄いため熱圧着時の圧力をリー
ドのみで吸収することになり、第６図に示すように電極
１５上に熱圧着されたり−ド１４がつぶれリード１４の
幅が広くなり、隣接するリード１４との間隔が狭くなり
ショートする危険がある。
メタライズにＮ ｉ ／ Ａ ｕメツキを行った場合だ
と厚さはあるが厚膜メタライズに通常用いるＷやＭＯが
硬いため、薄膜メタライズにＮ ｉ ／ Ａ ｕメツキ
を行った場合だと電極が薄いため熱圧着時の圧力をリー
ドのみで吸収することになり、第６図に示すように電極
１５上に熱圧着されたり−ド１４がつぶれリード１４の
幅が広くなり、隣接するリード１４との間隔が狭くなり
ショートする危険がある。
本発明のチップキャリア基板は、ＴＡＢ ＩＣが実装
されるチップキャリア基板において、ＴＡＢ ＩＣの
リードが接続される電極上に突起状の金バンプを設けた
ことを特徴とする。
されるチップキャリア基板において、ＴＡＢ ＩＣの
リードが接続される電極上に突起状の金バンプを設けた
ことを特徴とする。
次に、本発明ついて図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の縦断面図である。セラミ
ック基板１は、外部電極に接続される入出力電極２と、
配線６により入出力電極２と接続された電極５を有して
いる。そして電極５の上には高さ１５〜３０μ程度の金
バンプ７が形成されており、金バンプ７にはＴＡＢ
ＩＣ３のり−ド４が接続される。
ック基板１は、外部電極に接続される入出力電極２と、
配線６により入出力電極２と接続された電極５を有して
いる。そして電極５の上には高さ１５〜３０μ程度の金
バンプ７が形成されており、金バンプ７にはＴＡＢ
ＩＣ３のり−ド４が接続される。
第２図はリード４が接続される前の電極５の平面図、第
３図はリード４が接続された後の電極５の平面図くリー
ド４を透視した状態で示す）。第４図および第５図はそ
れぞれ第２図、第３図に示すＡＡ断面図およびＢＢ断面
図である。
３図はリード４が接続された後の電極５の平面図くリー
ド４を透視した状態で示す）。第４図および第５図はそ
れぞれ第２図、第３図に示すＡＡ断面図およびＢＢ断面
図である。
金バンプ７は高さを１５〜３０μｍ程度有し、しかも、
柔かい金でできているためにリード４が熱圧着法により
接続されても熱圧着時の圧力をリード４だけでなく金バ
ンプ７も吸収するため、第３図、第４図に示すようにリ
ード４と金バンプ７の変形は少なく、リード幅の増加も
ほとんどなく、隣接するリードとショートする危険もな
い。
柔かい金でできているためにリード４が熱圧着法により
接続されても熱圧着時の圧力をリード４だけでなく金バ
ンプ７も吸収するため、第３図、第４図に示すようにリ
ード４と金バンプ７の変形は少なく、リード幅の増加も
ほとんどなく、隣接するリードとショートする危険もな
い。
従って従来のチップキャリア基板よりも狭いピッチでの
リードの接続が可能であり、高密度実装が可能となる。
リードの接続が可能であり、高密度実装が可能となる。
以上説明したように本発明は、ＴＡＢ ＩＣが接続さ
れる電極の上に金バンプを設けることにより、ＴＡＢ
ＩＣのリードを熱圧着で接続する時の圧力をリードと
金バンプで吸収することができ、隣接するリードおよび
電極とショートすることなく、高密度実装を可能とする
効果がある。
れる電極の上に金バンプを設けることにより、ＴＡＢ
ＩＣのリードを熱圧着で接続する時の圧力をリードと
金バンプで吸収することができ、隣接するリードおよび
電極とショートすることなく、高密度実装を可能とする
効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図はリード
４が接続される前の電極５の平面図、第３図はり−ド４
が接続された後の電極５の平面図（リード４を透視した
状態で示す）。第４図および第５図はそれぞれ第２図、
第３図に示すＡＡ断面図およびＢＢ断面図、第６図は従
来のチップキャリア基板の電極１５のリード接続後の上
面図である。 １：セラミック基板、２：入出力用電極、３：ＴＡＢ
ＩＣ１４，１４：リード、５．１５：電極、６：配線
、７：金バンプ。
４が接続される前の電極５の平面図、第３図はり−ド４
が接続された後の電極５の平面図（リード４を透視した
状態で示す）。第４図および第５図はそれぞれ第２図、
第３図に示すＡＡ断面図およびＢＢ断面図、第６図は従
来のチップキャリア基板の電極１５のリード接続後の上
面図である。 １：セラミック基板、２：入出力用電極、３：ＴＡＢ
ＩＣ１４，１４：リード、５．１５：電極、６：配線
、７：金バンプ。
Claims (1)
- ＴＡＢＩＣが実装されるチップキャリア基板において、
ＴＡＢＩＣのリードが接続される電極上に突起状の金バ
ンプを設けたことを特徴とするチップキャリア基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23180988A JPH0281446A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | チップキャリア基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23180988A JPH0281446A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | チップキャリア基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281446A true JPH0281446A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16929359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23180988A Pending JPH0281446A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | チップキャリア基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281446A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6166436A (en) * | 1997-04-16 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104435A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63185035A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23180988A patent/JPH0281446A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104435A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS63185035A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6166436A (en) * | 1997-04-16 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
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