JPH0279417A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH0279417A
JPH0279417A JP63230825A JP23082588A JPH0279417A JP H0279417 A JPH0279417 A JP H0279417A JP 63230825 A JP63230825 A JP 63230825A JP 23082588 A JP23082588 A JP 23082588A JP H0279417 A JPH0279417 A JP H0279417A
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reticle
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JP63230825A
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Kazuya Kamon
和也 加門
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造プロセスにおける光リングフッイ
ー工程で使用する露光装置と露光方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の露光方法は第4図に示すように光源(1
1からの光をレンズ(2)で集光し、レティクル(3)
を通過させた後、レンズ(4)によりウェハ(5)上に
像を投影する。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来め露光方法においては、レティクルtの
パターンを直接ワエハ上に転写するため、レティクル上
に発生した欠陥は、そのままワエハ上に欠陥として転写
されてしまい、これは製品の不良となる。
本発明はこのような事情に鑑みてなきねたものでレティ
クル上に若干の欠陥が生じても、正常な像を与えること
ができる露光装置と露光方法を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る露光装置は、コヒーレント光を生じる照明
系と、ハーフミラー、回折パターンを記録するフィルム
と2周期構造をもったレティクルを含んでいる。
本発明に係る露光方法はレティクルからの回折光を利用
し、フィルム上に、フーリエパターンを焼きつける工程
と、フーリエパターンを利用し。
ウェハ上に逆フーリエパターンを焼きつけル工程とを含
んでいる。
〔作 用〕
本発明によれば、7−リエ変換を使用しているので、7
−リエフイルタリング法を適用できる。
そのため、レティクル上に欠陥が発生したとしても、そ
の影響をフィルタリングにより取り去ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明における露光装置及び露光方法について図
を用いて説明する。第1図において第4図と同一の部分
には同一の符号を付し詳細な説明は省略する。第1図に
おいて、(6)は回折光を記録するフィルムでありレテ
ィクル(3)からの散乱光のポジ像である。(7)は、
ハーフミラーでありレティクル(3)からの回折光を、
フィルム(6)へ反射させる。
(8)はレティクルからの回折光である。(9)はクエ
ハ露光用の光源、αGは集光レンズである。0りはフィ
ルム(6)の斜視図であり、得られる回折パターンの一
例である。レティクル(3)は、同じ回路パターンを複
数個並べ周期構造を持たせである。
本発明における露光方法は、第2図に概要を示す。第2
図(a)において、光源(1)から、レンズ(2)。
ハーフミラ−(7)、レンズ(4)を通過したコヒーレ
ント光は、レティクル(3)により回折され、回折光(
8)を生じる。レンズ(4)により集光された回折光(
8)はハーフミラ−(7)により反射される。この反射
光はフィルム(6)上に投影され、フィルム(6)上に
、(2)のような回折パターンを形成する。02の回折
パターンはポジ像とし、回折光の届かない部分は、光を
通さないようにしておく。これをフィルタリングと呼ぶ
。周期性を持ったレティクル(3)は、周期lζ対応し
たピークを与える。しかし、周期性を持たない欠陥は、
バックグラウンドを与える。そこでパックグラウンドを
完全にカットし、ピークのみを逆フーリエすわば欠陥の
影響を除去できる。
そこで、第2図(b)において、光源(9)より発し、
レンズαGを通過したコヒーレント光は、フィルム(6
)において1回折ピークに相当する部分のみが通過でき
る。ハーフミラ−(7)で反射されたコヒーレント光は
、投影レンズ(4)により集光さn1クエハ(5)上に
、欠陥のない像を結ぶことができるっこのことは、第3
図(a) (b) (C)からも理解することができる
。第3図(a)はレティクル上の回路パターンである。
周期構造αりと同時に欠陥圓が発生したとする。
これを7−リエ変換すると、第3図(b)のように周期
構造で反映したピーク(至)と、欠陥で反映したバック
グラウンドαJを有したパターンが得られる。
欠陥に起因したバックグラウンドを除去するために5図
中に示した窓を設ける。〔この行程は、ポジ像を作り、
バックグラウンドを、差し引くことに相当する。〕 さらに第3図(b)を逆フーリエ変換すると、第3図(
C)のような欠陥の影響が除去できた像が得られる。
上記実施例では、レティクル上に欠陥が発生した場合に
ついて述べたが、フィルム上に欠陥が発生した場合でも
、その影響はワエノ・上には、バックグラウンドとして
1反映されるだけなので、実際の回路パターンに及ぼす
影響はない。
また照明系(9)で使用する光を波長を小さくすれば、
縮小投影も可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によnば、フーリエフィルタ
リング法を用いて、露光照射する方法なので、レティク
ル上又はフィルム上に欠陥が発生しても、その影響をう
けずに、正常なパターンを転写することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の実施例による露光装置を示す断面
側面図、第2図は本発明の実施例の工程図である。第3
図(a) (b) (C)は本発明の概念図である。 第4図は従来の露光装置の側面図である。 (1]は照明系、(7)はハーフミラー、(4)は投影
レンズ、(3」はレティクル、(6)はフィルム%(9
)ハ照明系を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当の部分を示す。 代 理 人    大  岩  増  雄第1図 第2図 Cb) 第3図 第4図 手続補正帯(自発) 1、事件の表示   特願昭63−230825号3、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所    東京都千代H1区−Jt、の内二丁1」
2番3号名 称  (601)三菱電機株式会社代表者
 志 岐 守 哉 4、代理人 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、及び図面。 6、補正の内容 (1)明細書の第2頁第2行から第3行に「光リングラ
フイー」とあるのを「光リングラフィ」に訂正する。 (2)明細書の第4頁第2行から第3行に「(7)は、
ハーフミラ−でありレティクル(3)」とあるのを「(
7)はハーフミラ−であり、レティクル(3)」に訂正
するっ (3)明細書の第5頁第15行に「周期構造で反映した
」とあるのを「周期構造を反映した」に訂正する。 (4)明細書の第5頁第15行に「欠陥で反映した」と
あるのを「欠陥を反映した」に訂正する。 (5)明細書の第6頁第9行に「使用する光を波長とあ
るのを「使用する光の波長」に訂正する。 (6)面中第1図を別紙のとおり訂正する。 7、添付書類の目録 (11訂正図面(第1図)        1通以上 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)コヒーレント光を生じる照明系と、前記照明系か
    らのコヒーレント光を通すハーフミラーと、前記ハーフ
    ミラー透過後のコヒーレント光を投影する投影レンズと
    、一定間隔で並んだ複数の回路が描画されたレテイクル
    と、レテイクルで発生し前記ハーフミラーで反射された
    回折光によつて感光されるフィルムと、前記フィルムを
    照明するコヒーレント光源を備え、フィルムを透過した
    光をハーフミラーで反射させ、ウエハ上に結像させるこ
    とを特徴とした露光装置。
  2. (2)レティクルからの回折光を利用し、フィルム上に
    フーリエパターンを焼きつける工程と、前記フーリエパ
    ターンを利用し、ウェハ上に逆フーリエパターンを焼き
    つける工程を含むことを特徴とした露光方法。
JP63230825A 1988-09-14 1988-09-14 露光装置及び露光方法 Expired - Lifetime JPH0687454B2 (ja)

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JPH0279417A true JPH0279417A (ja) 1990-03-20
JPH0687454B2 JPH0687454B2 (ja) 1994-11-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180101A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Nikon Corp 光学特性計測方法及びパターン誤差計測方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007180101A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Nikon Corp 光学特性計測方法及びパターン誤差計測方法

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JPH0687454B2 (ja) 1994-11-02

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