JPH02791A - アミノプロピルシリル化合物の製造方法 - Google Patents

アミノプロピルシリル化合物の製造方法

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JPH02791A
JPH02791A JP63181418A JP18141888A JPH02791A JP H02791 A JPH02791 A JP H02791A JP 63181418 A JP63181418 A JP 63181418A JP 18141888 A JP18141888 A JP 18141888A JP H02791 A JPH02791 A JP H02791A
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Kazutoshi Takatsuna
和敏 高綱
Mamoru Tachikawa
守 立川
Mitsuharu Shiozawa
塩沢　光治
Masashi Nakajima
中島　雅司
Akihito Shinohara
昭仁 篠原
Yoshiharu Okumura
奥村　義治
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
    • C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
    • C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産１」；へ！！［ｉ遣 本発明は、アミノプロピルアルコキシシランなどのアミ
ノプロピルシリル化合物の製造方法に関し、さらに詳し
くは、ロジウム金属またはロジウム化合物を触媒として
用いたアミノプロピルシリル化合物の製造方法に関する
。
良工立韮且 シランカップリング剤は、分子内に有機官能性基と、無
機物と反応する加水分解性基とを持った化合物である。
このようなシランカップリング剤は、上記のような官能
性基を有するため、有機ポリマーとシリカ等の無機物と
を化学的に結合することができ、有機ポリマーの機械的
強度を飛躍的りこ向上させることができるので、先端複
合材料の開発に不可欠なものである。
上記のようなシランカップリング剤の１つとして、γ−
アミノプロピルアルコキシシランなどのアミノプロピル
シリル化合物が用いられている。
このアミノプロピルシリル化合物は、ト置換アリルアミ
ンを含むアリルアミン類と、ヒドロシラン類とのヒドロ
シリル化反応によって製造しうろことが知られている。
たとえば特開昭６０−８１１８９号公報には、アリルア
ミン類とヒドロシラン類とを、塩化白金酸などの白金触
媒を用いて、無水炭酸ナトリウムなどの反応促進剤の存
在下に反応させることによるアミノプロピルアルコキシ
シラン類の製造方法が開示されている。しかしながら、
塩化白金酸などの白金触媒を用いて、アリルアミン類と
ヒドロシラン類とを反応させると、γ−アミノプロピル
シリル化合物（以下、γ一体ということがある）に加え
て多量のβ−アミノプロピルシリル化合物〈以下、β一
体ということがある）が生成し、γ一体とβ一体との比
は４〜６程度となり、目的化合物としてのγ一体の選択
率が低いという問題点があった。
また特開昭６１−２２９８８５号公報には、アリルアミ
ン類とヒドロシラン類とを、ロジウム−有機第３級ホス
フィン錯体そして必要によりトリフェニルホスフィンを
含んでなる触媒を用いて反応させることによるアミノプ
ロピルアルコキシシラン類の製造方法が開示されている
。この方法によれば、高い選択率でγ−アミノプロピル
アルコキシシランを得ることができるが、転化率を高め
るためには反応に長時間を要するという問題点があった
。しかもγ一体を高い選択率で得るためには、過剰のト
リフェニルホスフィンを存在させなければならないとい
う問題点もあった。
また、Ｊ、ｏｆ　ＯｒｇａｎｏＩＩｅｔ、Ｃｈｅｍ、、
ユ４９．２９〜３６（１９７８）では、コバルトカルボ
ニル、ロジウムカルボニル、イリジウムカルボニル、鉄
カルボニルなどの金属カルボニル触媒存在下でのオレフ
ィンのしドロシリル化反応が検討されている。そしてこ
の論文では、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミンとトリエト
キシシランとから、高収率でＮ、Ｎ−ジメチルアミノプ
ロピルトリエトキシシランが得られることが報告されて
いる。そして同論文では、Ｎ−非置換アリルアミン類を
用いた場合には、アミンの窒素原子にシリル化反応が優
先的に起こると報告されており、このことはＮ−非置換
アリルアミン類とヒドロシラン類とからはアミノプロピ
ルアルコキシシラン類を得ることができないことを意味
している。
よ゛　　る− 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、アリルアミン類とヒドロシ
ラン類とから高い選択率でγ−アミノグロビルシリル化
合物を製造しうるような、アミノプロピルシリル化合物
の製造方法を提供することを目的としている。
本発明者らは、アミノプロピルシリル化合物の製造方法
を種々検討する中で、アリルアミン類としドロシラン類
を（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ　＞塩基性化合物を組み合せた触媒の存在下に反応さ
せると、γ一体を高選択率かつ高収率で短時間にて製造
しうろことを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の
製造方法は、 式［エコ ［式中、ＲおよびＲ２は水素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェニル基また
は置換フェニル基、−ＣＨ３ＯＫ　ＮＨＣＨ２ＣＨ２Ｎ
Ｈ２、まなは−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２であり、Ｒは水素ま
たは炭素数１〜６のアルキル基である。］で示されるア
リルアミン類とヒドロシラン類とを、（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物および（ｉｉ　）塩基性化合物
からなる触媒の存在下に反応させることを特徴としてい
る。
九肌血且止剪皿」 以下本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方
法について具体的に説明する。
−１土工Ｗ 本発明ではアミノプロピルシリル化合物を製造する際の
原料の１つとして、上記式［Ｉ］で示されるようなアリ
ルアミン類が用いられる。
このようなアリルアミン類としては、具体的には、アリ
ルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアリルアミン、Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアリルアミン、Ｎ−メチルアリルアミン、トエチ
ルアリルアミン、２−メチルアリルアミン、ジアリルア
ミン、アリルエチレンジアミン、トアリルアニリンなど
が挙げられる。
見五旦之ユｚ１ 本発明では、アミノプロピルシリル化合物を製造するた
め、上記のようなアリルアミン類と、しドロシラン類と
が反応せしめられるが、ヒドロシラン類とは、５ｉ−Ｈ
結合を有する化合物を意味し、下記式［ＩＩ］あるいは
［ＩＩ［］で示される化合物である。
［式中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ同一であっ
ても異なっていてもよく、アルキル基またはアルコキシ
基である。］ ［式中、Ｒ７は水素またはメチル基であり、Ｒ７の少な
くとも１つは水素であり、ｎは０〜３００の整数である
。］ 上記式［１１］または［ＩＩ［］で示されるヒドロシラ
ン類としては、具体的には、トリエトキシシラン、トリ
メトキシシラン、トリメチルシラン、トリエチルシラン
、トリプロポキシシラン、トリプトキシシラン、メチル
ジメトキシシラン、エチルジメトキシシラン、メチルジ
ェトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリオクチ
ロキシシラン、メチルジェトキシシラン、ジメチルオク
チロキシシラン、１，１，３．３−テトラメチルジシロ
キサン、ペンタメチルジシロキサン、α、ω−ジヒドロ
ポリシロキサン、［Ｓｉ　Ｏ（Ｍｅ）Ｈ］　　　（ｎ＝
３〜４）、分子鎖中間にＳ　ｉ−Ｈ結合を有するポリシ
ロキサンなどが挙げられる。
１２二ム上１１ 本発明では、上記のようなアリルアミン類とヒドロシラ
ン類とを反応させる際に、触媒として（ｉ）ロジウム金
属またはロジウム化合物およびＮｌ）塩基性化合物が用
いられる。
ロジウム化合物としては、ロジウムの１価、２価らしく
は３価錯体、ロジウムの０価錯体またはロジウムの錯体
以外のロジウム化合物が用いられる。
ロジウムの１１１Ｐ ロジウムの１価、２価もしくは３価錯体のアニオン配位
子は、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、アルキル、
アセトキシ、アルコキシ、アセチルアセトン、ヒドロキ
シ、ヒドリド、ホスフィトなどである。
またロジウムの残りの配位座を占める中性配位子は、エ
チレン、プロピレン、シクロオクテン、ノルボルネンそ
の他のモノオレフィン、１．３−ブタジェン、１．３−
ペンタジェン、１，３−シクロへキサジエンその他の共
役ジエン、１．５−シクロオクタジエン、ノルボルナジ
ェン、１．４−ペンタジェン、ジシクロペンタジェンそ
の他の非共役ジエン、ピリジンジピリジル、オルトフェ
ナントロリンなどの芳香族アミン、ニトリル、イソニト
リル、カルボニル、ホスフィンなどである。
上記のようなロジウムの１価錯体としては、具体的には
、下記のような化合物が挙げられる。
ジ−μｍメトキシビス（１，５−シクロオクタジエン）
ジロジウム、［Ｒｈ（、ｃｚ　−ＯＭ　ｅ）（１，５−
ＣＯＤ）］２ ジ−μｍヒドロキシビス（１，５−シクロオクタジエン
）ジロジウム、［Ｒｔｌ（μｍＯＨ）（１，５−ＣＯＤ
）］２ ジ−μｍメトキシビス（テトラフルオロペンゾバレレン
）ジロジウム、［Ｒｈ　　（μｍ　ＯＭｅ）（１，５−
ＴＦＢ）］２ ［ロジウム（１，５−シクロオクタジエン）（インドー
ル）］バークロレート、［Ｒｈ（１，５−ＣＯＤ　）（
Ｉｎｄｏｌｅ）］　ＣＩ　Ｏ４ ジ−μｍクロロビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ
ロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ）（１，５−ＣＯＤ　）　
］　２ジ−μｍブロモビス（１，５−シクロオクタジエ
ン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＢｒ）（１，５−ＣＯＤ
　）　］　２ジ２ジ一ヨードビス（１，５−シクロオク
タジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＩ　）（１，５−
ＣＯＤ　＞　１２ジ一μｍクロロビス（１，５−へキサ
ジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（ｔｔ−ＣＩ）（１，５−
Ｃ６Ｈ１０）　］　２ジ２ジ一クロロテトラキス（２，
３ジメチル−２ブテン）ジロジウム、［Ｒｈ（μｍＣＩ
）　（Ｃ６ＨＩ３）　２　］　２ジ２ジ一クロロテトラ
キスエテンジロジウム、［Ｒｈ（μｍ０１）（Ｃ２Ｈ４
）２］２アセチルアセトナートビス（エチレン）ロジウ
ム、［Ｒｈ（ａｃａｃ）（Ｃ２Ｈ４）　２ ジ一μｍタロロテトラ力ルポニルジロジウム、［Ｒｈ（
μｍＣＩ）（Ｃｏ）、２　Ｅ２２ジ−ｍアセトキシビス
（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ（
μｍ　ＯＡｃ）　（１，５−ＣＯＤ）］２ ビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μｍバーオキ
レジロジウム、［Ｒｈ［μｍ０）（１，５−ＣＯＤ　＞
　］　２ シクロペンタジェニル（１，５−シクロオクタジエン）
ロジウム、Ｒｈ（ＣＰＤ）（１，５−ＣＯＤ）アセチル
アセトナート（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム
、Ｒｈ（ａｃａｃ）　　（１，５−ＣＯＤ）ジ−μｍク
ロロビス（１，５−シクロオクタテトラエン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣＩ）　（１，５−ＣＯＴ）］２ ジ−μｍクロロビス（ジシクロペンタジェン）ジロジウ
ム、［Ｒｈ（μｍＣ１）（ＤＣＰＤ）］２ジ２ジ一フェ
ノキシビス（１，５−シクロオクタジエン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍ０Ｐｈ　）　　（１，５−ＣＯＤ　）　
］　２ ベンゾイルアセトナート（１，５−シクロオクタジエン
）ロジウム、Ｒｈ（ｂｚａｃ）　　（１，５−ＣＯＤ　
）ジベンゾイルメタナート（１，５−シクロオクタジエ
ン）ロジウム、Ｒｈ（ｄｂｌｌ）　　（１，５−ＣＯＤ
）ジ−μｍクロロビス（ノルボルナジェン）ジロジウム
、［Ｒｈ（μｍＣＩ　）（ＮＢＤ）］２ジ２ジ一アセト
キシビス（ノルボルナジェン）ジロジウム、［Ｒｈ（μ
ｍ０ＡＣ）（ＮＢＤ）］　２ビス（１，５−シクロオク
タジエン）μ−カーボネートジロジウム三量体、Ｒｈ６
（１，５−ＣＯＤ）６（ＣＯ３）３ ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）
ロジウム、ＨＲｈ（Ｃｏ）　　（ＰＰｈ　３）　３ヒド
リドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、
ＨＲＩＩ　　（ＰＰｈ　３）４クロロトリス（トリフェ
ニルホスフィン）ロジウム、ＲｈＣｊ（ＰＰｈ３）３ ジ−μｍジフェニルホスフィトビス（１，５−シクロオ
クタジエン）ジロジウム、［Ｒｈ　　（μｍＰ　ｈ　２
　）（１，５−ＣＯＤ　）　］　２などである。
ロジウムの２　。
また、上記のようなロジウムの２価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
テトラキス（μｍアセテート）ジロジウム、［Ｒｈ　　
（ＯＡＣ）　２　］　２ ビス（ペンタメチルシクロペンタジェニル）ロジラム、
Ｒｈ　　（７７−ＣＭｅ　ｓ　）　２クロロビス（ジピ
リジル）ロジウム、［Ｒｈ（ｄ＋ｐｙ）　２　Ｃｊ］　
” テトラキス（μｍアセテート）ビストリフェニルホスフ
ィンジロジウム、［ＰＰｈ　３Ｒｈ（ＯＡＣ）２　］　
２などである。
ロジ　ムの３ また、上記のようなロジウムの３価錯体としては、具体
的には、下記のような化合物が挙げられる。
ヘキサクロロロジウム、［Ｒｈ　Ｃｊ６］トリクロロト
リス（トリエチルホスフィン）ロジウム、Ｒｈ　Ｃｊ（
Ｐ　Ｅ　ｔ　３）　３ジ−μｍクロロテトラ−π−アリ
ルジロジウム、［ＲＩＩ　　（μｍＣｊ）（π−Ｃ３Ｈ
５）２］２などである。
ロジウムの０　、　゛ ロジウムの０価錯体では、ロジウムの配位座は、すべて
上記のような中性配位子で占められている。
ロジウムのＯ価錯体としては、具体的には、下記のよう
な化合物が挙げられる。
Ｒｈ　（ＣＯ）　、Ｒｈ４　（ＣＯ）１２．Ｒｈ　　　
（Ｃｏ）　　、Ｒｈ　６　（Ｃｏ）　１４（ノルポルナ
ジエン）などである。
ロジウムの　　　　の　ム ロジウムの銘体以外の化合物としては、具体的には、下
記のような化合物が挙げられる。
Ｒｈ　Ｃｊ　　−ｎ　Ｈ２Ｏ、ＲｈＢ「３、Ｒｈ■３な
とである。
監表」コピ１惣 上記のような（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物
とともに用いられる（　ｉｉ　）塩基性化合物としては
、具体的には、塩基性の電子供与性化合物、ルイス塩基
または塩基性の還元剤が挙げられる。
−の舒　　　　　ム 電子供与性化合物としては、アルカリ金属、アルカリ土
類金属、ＩＩＩＡ族金属またはＶＡ族のオニウムのハロ
ゲン化合物、カルコゲン化合物、ＶＡ族化合物、ＩＶＡ
ＶＡ族化合物はＩＩＩＡ族化合物などが用いられる。
上記のような電子供与性化合物としては、具体的には、
下記のような化合物が挙げられる。
フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、
フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化バリウム、
フッ化マグネシウム、テトラブチルアンモニウムフルオ
ライド、リチウムオキシド、ナトリウムオキシド、カリ
ウムオキシド、ルビジウムオキシド、セシウムオキシド
、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム、水酸化バリウム
、ジエチルアルミニウムヒドロキシド、テトラブチルア
ンモニウムヒドロキシド、リチウムメトキシド、リチウ
ムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキ
シド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、
カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、ルビジウム
エトキシド、セシウムエトキシド、トリエチルアンモニ
ウムメトキシド、ナトリウムトリフェニルシラル−ト（
Ｎａ　Ｏ３ｉ　Ｐｈ　３）　、リチウムトリフェニルシ
ラル−ト（Ｌｉ　Ｏ３ｉ　Ｐｈ　３）　、ナトリウムト
リエチルゲルミレート（Ｎａ　ＯＧｅ　Ｅｔ　３）、カ
リウムトリブチルスタニレート（ＫＯ３ｎＢｕ３）、ナ
トリウムフェノキシト、ジエチルアルミニウムメトキシ
ド、炭酸ナトリウム、酢酸カリウム、亜硫酸ナトリウム
、亜硝酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸
カリウム、塩素酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、シ
アン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、リチウムハ
イドロスルフィド（Ｌｉ　ＳＨ）、ナトリウムハイドロ
スルフィド（ＮａＳＨ）、カリウムハイドロスルフィド
（ＫＳＨ）　、ナトリウムアジド、ナトリウムアミド（
Ｈ２ＮＮａ）、カリウムジエチルアミド、ナトリウムジ
フェニルホスフィト（Ｐｈ２ＰＮａ）、ｎ−ブチルリチ
ウム、フェニルリチウム、イソプロピルマグネシウムク
ロリド、フェニルマグネシウムプロミド、ジフェニルメ
チルシリルリチウム、トリフェニルゲルミルリイーウム
、トリブチルスタニルリチウム、ナトリウムテトラフル
オロボレートなどである。
と土ム皇ｌ ルイス塩基としては、具体的には、下記のような化合物
が挙げられる。
しドロキシルアミン、しドラジン、フェニルヒドラジン
、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、アセトアル
ドキシム（ＣＨ３ＣＨ＝ＮＯＨ）　、トリエチルアミン
、キヌクリジン、ピロリジンなどである。
堅Ａｊぽし１元請 還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、Ｉ
Ａ族金属もしくはＩＶＡ族金属のハイドライド化合物ま
たはアルカリ金属、アルカリ土類金属などが用いられる
。
上記のような還元剤としては、具体的には、下記のよう
な化合物または金属が挙げられる。
リチウムハイドライド、カルシウムハイドライド、リチ
ウムアルミニウムハイドライド、ナトリウムボロハイド
ライド、リチウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシアルミニウ
ムハイドライド、リチウムトリエチルボロハイドライド
、トリブチルゲルマニウムハイドライド、トリブチルス
ズハイドライド、ナトリウムトリーｔｅｒｔ−ブトキシ
ボロハイドライド、リチウム金属、ナトリウム金属、カ
リウム金属、ルビジウム金属、セシウム金属、ベリリウ
ム金属、マグネシウム金属、カルシウム金属などである
。
上記のような塩基性化合物は、ロジウム金属またはロジ
ウム化合物１モルに対して塩基性化合物が０．１〜３０
モル好ましくは０．２〜５モル程度の量で存在するよう
に用いられる。塩基性化合物が上記範囲よりも少ない量
で用いられると、触媒活性が低いため好ましくなく、一
方上記範囲よりも多い量で用いられると、ヒドロシラン
類の不均化反応が起り、副生成物の生成量が増加するた
め好ましくない。
また、反応中または反応後に、上記範囲内で塩基性化合
物を追加することにより、触媒を高活性に保つことがで
きる。
塩基性化合物は、固体のまま添加しても、エタノール、
ＤＭＳＯなどの溶媒に溶解して添加してもよい。
区ヌＬｋ庄 上記のようなアリルアミン類とヒドロシラン類とは、ア
リルアミン類：ヒドロシラン類とのモル比が１．３：１
〜１：１．３の範囲で用いられることが好ましい。
なお、アリルアミン類および／またはしドロシラン類に
含有されるハロゲン、硫黄、リンなどの不純物はなるべ
く除去して用いることが好ましい。
反応は、常圧下で行なってもよく、また加圧下で行なっ
てもよい、また反応温度は１５℃以上好ましくは５０〜
２５０℃さらに好ましくは７０〜２００℃であることが
望ましい０反応温度が１５℃未満では、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物がほとんど生成しないため好ましくな
く、一方反応温度が２５０℃を超えると、目的とするγ
−アミノプロピルシリル化合物の選択率が低下するため
好ましくない。
反応系におけるロジウム金属またはロジウム化合物は、
多量に用いることもできるが、アリルアミン類１モル対
して、金属ロジウムとして１０−６〜１０−３モル程度
存在しておれば充分である。
反応は、溶媒の存在下に行なってもよく、また非存在下
に行なってもよい、溶媒を用いる場合には、トルエン、
キシレン、ヘプタン、ドデカン、ジトリルブタン、キュ
メンなどの炭化水素系溶媒が好ましい。
また反応に際して、ロジウム金属としてロジウム錯体を
使用する場合は、ロジウム触媒に配位している中性の配
位子と同じ配位子または異なる配位子を反応系にさらに
過剰に加えてもよい。
反応時間は、反応温度によって大きく変化するが、通常
０．５〜２．０間抜程度で充分である。
アリルアミン類としドロシラン類との反応を、触媒とし
て（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物および（ｉ
ｉ　）塩基性化合物を用いて行なうと、γ−アミノプロ
ピルシリル化合物が、高い選択率で得られ、β一体はほ
とんど生成せず、非常に高いγ一体／β一体比でγ−体
が得られる。しかもアリルアミン類とヒドロシラン類と
の反応が迅速に進行し、したがって７５％以上にも達す
る高い収率でγ−アミノプロピルシリル化合物が得られ
る。
これに対して、アリルアミン類とヒドロシラン類との反
応を、塩化白金酸触媒を用いて行なうと、γ一体の収率
は４０〜５０％程度であり、しかもγ一体／β一体の比
は４程度にしか達しない。またアリルアミン類とヒドロ
シラン類との反応を、ロジウムヒドリドカルボニルトリ
ス（トリフェニルホスフィン）錯体のみを用いて行なう
と、６０程度のγ一体／β一体比でγ−体か得られるが
、反応速度が遅いため、たとえば、ヒドロシラン類に対
して０．１モル％のロジウム錯体を使用した場合、反応
に６時間以上もの長時間を必要としてしまう。
１肌立羞ユ 本発明に係るアミノプロピルシリル化合物の製造方法で
は、アリルアミン類とヒドロシラン類とを反応させるに
際して、触媒として（ｉ）ロジウム金属またはロジウム
化合物および（ｉ）塩基性化合物を用いているので、γ
−アミノプロピルシリル化合物を高選択率かつ高収率で
短時間で得ることができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
Ｘ胤ヱユ 還流冷却管、撹拌棒、温度計を備えた３つロフラスコに
、ロジウム化合物として三塩化ロジウム三水和物（Ｒｈ
　ＣＪ　　・３Ｈ２０）０．０６６ｇ（Ｒｈとしてトリ
エトキシシランに対して０．１モル％）、塩基性化合物
として水酸化ナトリウム粉末０．０６Ｏｒ、キシレン５
０ｍ１を加えた後、混合物を１３０℃の恒温油槽で加熱
した。
その後アリルアミン１４ｇ　（０，２５モル）、トリエ
トキシシラン４１＋ｒ　（０，２５モル）の混合物を約
１時間に亘り滴下して反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランが９０％の収率（トリエトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
Ｋ五匠ｌ二１ユ ロジウム化合物（ロジウム金属を含む）、塩基性化合物
、溶媒および／または反応温度を表１に示すように代え
た以外は、実施例１と同様にして反応およびガスクロマ
トグラフィー分析を行なった。
結果を表１に示すが、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランの収率は全て、トリエトキシシラン基準である。
火胤慮ユ１ ヒドロシランをトリメトキシシラン３０．５ｇ　（０，
２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応
を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８７％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
罠立且ユニ ヒドロシランをトリエチルシラン２９．０ｒ（０，２５
モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリエ
チルシランが８０％の収率（トリエチルシラン基準）で
得られており、β一体は０．２％以下しか生成していな
かった。
Ｋ腹皿二ユ ヒドロシランを１．１，３．３−テトラメチルジシロキ
サン１６．８ｇ　（０，１２５モル）に代えた以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、１，３−ビスーγ−アミノ
プロピル１，１，３．３−テトラジメチルジシロキサン
が７０％の収率（１，１，３，３−テトラメチルジシロ
キサン基準）で得られており、β一体は０．２％以下し
か生成していなかった。
夫胤透至ユ ヒドロシランをトリメトキシシラン３０．５ｇ　（０，
２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化合物
をそれぞれ［Ｒｈ　　（μｍＣＪＩ）（１，５−ＣＯＤ
）１２０．０６２　ｇｒ　　（Ｒｈとしてトリメトキシ
シランに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５６
ｇｒに代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行な
った。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシランが８０％の収率（トリメトキシシラン基準
）で得られており、β一体は０．２％以下しか生成して
いなかった。
尺立皿ｊユ アリルアミンをアリルエチレンジアミン２５、Ｏｒ　（
０，２５モル）に代えた以外は、実施例１と同様にして
反応を行なった。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
尺五匠ｉユ アリルアミンをアリルエチレンジアミン２５、Ｏｒ　（
０，２５モル）に代え、ロジウム化合物および塩基性化
合物をそれぞれ［Ｒｈ　　（μｍＣＪ　）（１，５−Ｃ
ＯＤ）］２０．０６２ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシラ
ンに対して０．１モル％）およびＫＯＨｏ、０５−６ｇ
に代えた以外は、実施例１と同様にして反応を行なった
。
反応終了後、得られた反応混合物をガスクロマトグラフ
ィーにより分析したところ、Ｎ−（２−アミノエチル）
３−アミノプロピルトリエトキシシランが８０％（トリ
エトキシシラン基準）で得られており、β一体は０．２
％以下しか生成していなかった。
几１し１１ ロジウム化合物として［Ｒｈ　　（μｍＣＪ）（１，５
−ＣＯＤ）１２０．０６２ｇ　（Ｒｈとしてトリエトキ
シシランに対して０．１モル％）を用い、塩基性化合物
を加えなかった以外は、実施例１と同様にして反応を行
なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。
匿笠旦ｌ 塩基性化合物としてＫＯＨｏ、０５６ｓｒを用い、ロジ
ウム金属またはロジウム化合物を加えなかった以外は、
実施例１と同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランは全く生成しておらず
、主成分はトリエトキシシランであった。
Ｌ笠皿ユ ロジウム化合物としてＲｈＣＪ　（ＰＰｈ３）３０．７
４ｇ（Ｒｈとしてトリエトキシシランに対して１．０モ
ル％）を用い、塩基性化合物を加えなかった以外は、実
施例１と同様にして反応を行なった。
ガスクロマトグラフィーにより分析したところ、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランの収率は１％以下であ
った。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ ［式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は水素、炭素数１〜１０の
    アルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、フェニル
    基または置換フェニル基、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＮＨＣＨ
    ＿２ＣＨ＿２ＮＨ＿２、または−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＮＨ
    ＿２であり、Ｒ＾３は水素または炭素数１〜６のアルキ
    ル基である。］で示されるアリルアミン類とヒドロシラ
    ン類とを、（ｉ）ロジウム金属またはロジウム化合物お
    よび（ｉｉ）塩基性化合物からなる触媒の存在下に反応
    させることを特徴とするアミノプロピルシリル化合物の
    製造方法。
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