JPH1121289A - 3−アミノプロピルシロキサンの製造方法 - Google Patents
3−アミノプロピルシロキサンの製造方法Info
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- JPH1121289A JPH1121289A JP18755697A JP18755697A JPH1121289A JP H1121289 A JPH1121289 A JP H1121289A JP 18755697 A JP18755697 A JP 18755697A JP 18755697 A JP18755697 A JP 18755697A JP H1121289 A JPH1121289 A JP H1121289A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 高純度高収率の3−アミノプロピルシロキサ
ンの製造方法の提供。 【解決手段】 A)一般式1:R3Si−NR1−CH2
CH=CH2(RはC1〜10の一価炭化水素基、R1は
水素もしくはC1〜10の一価炭化水素基である。)の
トリオルガノシリルアリルアミンまたは式2:(R3S
i)2−N−CH2CH=CH2(Rは前記と同じ。)の
ビス(トリオルガノシリル)アリルアミンと、B)一般
式3:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSi
O(4-q)/2}x(R2はC1〜10の一価炭化水素基、R3
はC1〜10の置換/非置換の一価炭化水素基、pは0
〜2の整数、qは0〜3の整数、vは1以上の整数、x
は0以上の整数である。)のヒドロオルガノシロキサン
とを、C)Rh金属またはRh化合物とD)塩基性アル
カリまたはアルカリ土類金属化合物の存在下に付加反応
させ、次いで脱トリオルガノシリル化する、E)一般式
4:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pSi
O(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/ 2}x(R1,R2,
R3,p,q,v,xは前記と同じ。)の3−アミノプ
ロピルシロキサンの製造方法。
ンの製造方法の提供。 【解決手段】 A)一般式1:R3Si−NR1−CH2
CH=CH2(RはC1〜10の一価炭化水素基、R1は
水素もしくはC1〜10の一価炭化水素基である。)の
トリオルガノシリルアリルアミンまたは式2:(R3S
i)2−N−CH2CH=CH2(Rは前記と同じ。)の
ビス(トリオルガノシリル)アリルアミンと、B)一般
式3:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSi
O(4-q)/2}x(R2はC1〜10の一価炭化水素基、R3
はC1〜10の置換/非置換の一価炭化水素基、pは0
〜2の整数、qは0〜3の整数、vは1以上の整数、x
は0以上の整数である。)のヒドロオルガノシロキサン
とを、C)Rh金属またはRh化合物とD)塩基性アル
カリまたはアルカリ土類金属化合物の存在下に付加反応
させ、次いで脱トリオルガノシリル化する、E)一般式
4:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pSi
O(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/ 2}x(R1,R2,
R3,p,q,v,xは前記と同じ。)の3−アミノプ
ロピルシロキサンの製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は3−アミノプロピル
シロキサンの製造方法に関し、詳しくは、高純度の3−
アミノプロピルシロキサンを高収率で製造することので
きる3−アミノプロピルシロキサンの製造方法に関す
る。
シロキサンの製造方法に関し、詳しくは、高純度の3−
アミノプロピルシロキサンを高収率で製造することので
きる3−アミノプロピルシロキサンの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、アミノプロピルシロキサンの製造
方法として、アリルアミンとケイ素原子結合水素原子含
有有機ケイ素化合物とを付加反応させる方法が知られて
いる。例えば、アリルアミンと1,1,3,3−テトラメ
チルジシロキサンとを、ロジウム金属化合物と塩基性化
合物の存在下に付加反応させる方法(特開平2−791
号公報参照)、アリルアミンとベンズアルデヒドからベ
ンジリデンアリルアミンを合成し、次にこれと1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンとを、白金触媒とキ
シレンを含む混合物中で付加反応させた後、加水分解、
中和を行うことによりビス(3−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサンを得る方法(特公平7−5595
3号公報参照)、アリルアミンとジメチルエトキシシラ
ンとを白金錯体触媒の存在下に付加反応させてアミノプ
ロピルジメチルエトキシシランを製造し、次いでこれを
加水分解してビス(3−アミノプロピル)テトラメチル
ジシロキサンを得る方法(特開平2−304094号公
報参照)が提案されている。しかしこれらの方法では、
得られた3−アミノプロピルシロキサンの収率が低かっ
たり、触媒の効率が低いという欠点があった。一方、シ
リルアリルアミンとケイ素原子結合水素原子含有ジシロ
キサンとを白金系触媒の存在下に付加反応させた後、脱
シリル化してビス(3−アミノプロピル)テトラメチル
ジシロキサンを製造する方法も提案されているが(特開
平8−134081号公報参照)、この方法では脱シリ
ル化の際に重量損失が大きく効率が低いという欠点があ
った。
方法として、アリルアミンとケイ素原子結合水素原子含
有有機ケイ素化合物とを付加反応させる方法が知られて
いる。例えば、アリルアミンと1,1,3,3−テトラメ
チルジシロキサンとを、ロジウム金属化合物と塩基性化
合物の存在下に付加反応させる方法(特開平2−791
号公報参照)、アリルアミンとベンズアルデヒドからベ
ンジリデンアリルアミンを合成し、次にこれと1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサンとを、白金触媒とキ
シレンを含む混合物中で付加反応させた後、加水分解、
中和を行うことによりビス(3−アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサンを得る方法(特公平7−5595
3号公報参照)、アリルアミンとジメチルエトキシシラ
ンとを白金錯体触媒の存在下に付加反応させてアミノプ
ロピルジメチルエトキシシランを製造し、次いでこれを
加水分解してビス(3−アミノプロピル)テトラメチル
ジシロキサンを得る方法(特開平2−304094号公
報参照)が提案されている。しかしこれらの方法では、
得られた3−アミノプロピルシロキサンの収率が低かっ
たり、触媒の効率が低いという欠点があった。一方、シ
リルアリルアミンとケイ素原子結合水素原子含有ジシロ
キサンとを白金系触媒の存在下に付加反応させた後、脱
シリル化してビス(3−アミノプロピル)テトラメチル
ジシロキサンを製造する方法も提案されているが(特開
平8−134081号公報参照)、この方法では脱シリ
ル化の際に重量損失が大きく効率が低いという欠点があ
った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記問
題点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。即ち、本発明の目的は、高純度の3−アミノプロピ
ルシロキサンを高収率で製造することのできる3−アミ
ノプロピルシロキサンの製造方法を提供することにあ
る。
題点を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。即ち、本発明の目的は、高純度の3−アミノプロピ
ルシロキサンを高収率で製造することのできる3−アミ
ノプロピルシロキサンの製造方法を提供することにあ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)式
[1]:R3Si−NR1−CH2CH=CH2 (式中、Rは炭素原子数1〜10の一価炭化水素基であ
り、R1は水素原子もしくは炭素原子数1〜10の一価
炭化水素基である。)で示されるトリオルガノシリルア
リルアミン、または式[2]:(R3Si)2−N−CH
2CH=CH2(式中、Rは前記と同じである。)で示さ
れるビス(トリオルガノシリル)アリルアミンと、 (B)式[3]:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSi
O(4-q)/2}x (式中、R2は炭素原子数1〜10の一価炭化水素基で
あり、R3は炭素原子数1〜10の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基であり、pは0〜2の整数であり、q
は0〜3の整数であり、vは1以上の整数であり、xは
0以上の整数である。)で示されるヒドロオルガノシロ
キサンとを、(C)ロジウム金属またはロジウム化合物
と(D)塩基性アルカリ金属化合物または塩基性アルカ
リ土類金属化合物の存在下に付加反応させ、次いで、脱
トリオルガノシリル化することを特徴とする、 (E)式[4]:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pS
iO(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/2}x (式中、R1,R2,R3,p,q,vおよびxは前記と
同じである。)で示される3−アミノプロピルシロキサ
ンの製造方法に関する。
[1]:R3Si−NR1−CH2CH=CH2 (式中、Rは炭素原子数1〜10の一価炭化水素基であ
り、R1は水素原子もしくは炭素原子数1〜10の一価
炭化水素基である。)で示されるトリオルガノシリルア
リルアミン、または式[2]:(R3Si)2−N−CH
2CH=CH2(式中、Rは前記と同じである。)で示さ
れるビス(トリオルガノシリル)アリルアミンと、 (B)式[3]:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSi
O(4-q)/2}x (式中、R2は炭素原子数1〜10の一価炭化水素基で
あり、R3は炭素原子数1〜10の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基であり、pは0〜2の整数であり、q
は0〜3の整数であり、vは1以上の整数であり、xは
0以上の整数である。)で示されるヒドロオルガノシロ
キサンとを、(C)ロジウム金属またはロジウム化合物
と(D)塩基性アルカリ金属化合物または塩基性アルカ
リ土類金属化合物の存在下に付加反応させ、次いで、脱
トリオルガノシリル化することを特徴とする、 (E)式[4]:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pS
iO(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/2}x (式中、R1,R2,R3,p,q,vおよびxは前記と
同じである。)で示される3−アミノプロピルシロキサ
ンの製造方法に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明に使用される(A)成分は、 式[1]:R3Si−NR1−CH2CH=CH2 で示されるトリオルガノシリルアリルアミン、または、 式[2]:(R3Si)2−N−CH2CH=CH2 で示されるビス(トリオルガノシリル)アリルアミンで
ある。上式中、Rは炭素原子数1〜10の一価炭化水素
基であり、メチル基,エチル基,プロピル基,イソプロ
ピル基,tert-ブチル基,2−エチルヘキシル基などの
アルキル基;フェニル基,ナフチル基などのアリール基
が例示される。これらの中でもアルキル基が好ましく、
特にメチル基,イソプロピル基,tert-ブチル基が好ま
しい。R1は水素原子もしくは炭素原子数1〜10の一
価炭化水素基であり、かかる一価炭化水素基としては、
メチル基,エチル基,プロピル基,イソプロピル基,te
rt-ブチル基,2−エチルヘキシル基などのアルキル
基;ビニル基,アリル基などのアルケニル基;フェニル
基,ナフチル基などのアリール基が例示される。このよ
うな式[1]で示されるトリオルガノシリルアリルアミ
ンとしては、例えば、トリメチルシリルアリルアミン,
トリエチルシリルアリルアミン,tert-ブチルジメチル
シリルアリルアミン,トリメチルシリル−N−メチルア
リルアミン,tert-ブチルジメチルシリル−N−メチルア
リルアミンが挙げられる。式[2]で示されるビス(ト
リオルガノシリル)アリルアミンとしては、例えば、ビ
ス(トリメチルシリル)アリルアミン,ビス(トリエチ
ルシリル)アリルアミン,ビス(tert-ブチルジメチル
シリル)アリルアミンが挙げられる。
詳細に説明する。本発明に使用される(A)成分は、 式[1]:R3Si−NR1−CH2CH=CH2 で示されるトリオルガノシリルアリルアミン、または、 式[2]:(R3Si)2−N−CH2CH=CH2 で示されるビス(トリオルガノシリル)アリルアミンで
ある。上式中、Rは炭素原子数1〜10の一価炭化水素
基であり、メチル基,エチル基,プロピル基,イソプロ
ピル基,tert-ブチル基,2−エチルヘキシル基などの
アルキル基;フェニル基,ナフチル基などのアリール基
が例示される。これらの中でもアルキル基が好ましく、
特にメチル基,イソプロピル基,tert-ブチル基が好ま
しい。R1は水素原子もしくは炭素原子数1〜10の一
価炭化水素基であり、かかる一価炭化水素基としては、
メチル基,エチル基,プロピル基,イソプロピル基,te
rt-ブチル基,2−エチルヘキシル基などのアルキル
基;ビニル基,アリル基などのアルケニル基;フェニル
基,ナフチル基などのアリール基が例示される。このよ
うな式[1]で示されるトリオルガノシリルアリルアミ
ンとしては、例えば、トリメチルシリルアリルアミン,
トリエチルシリルアリルアミン,tert-ブチルジメチル
シリルアリルアミン,トリメチルシリル−N−メチルア
リルアミン,tert-ブチルジメチルシリル−N−メチルア
リルアミンが挙げられる。式[2]で示されるビス(ト
リオルガノシリル)アリルアミンとしては、例えば、ビ
ス(トリメチルシリル)アリルアミン,ビス(トリエチ
ルシリル)アリルアミン,ビス(tert-ブチルジメチル
シリル)アリルアミンが挙げられる。
【0006】本発明に使用される(B)成分のヒドロオ
ルガノシロキサンは、 式[3]:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSiO
(4-q)/2}x で示される。上式中、R2は炭素原子数1〜10の一価
炭化水素基であり、メチル基,エチル基,プロピル基,
ブチル基,ヘキシル基,デシル基などのアルキル基;フ
ェニル基,ナフチル基などのアリール基が例示される。
これらの中でもアルキル基が好ましく、メチル基が特に
好ましい。R3は炭素原子数1〜10の置換もしくは非
置換の一価炭化水素基であり、メチル基,エチル基,プ
ロピル基,ブチル基,ヘキシル基,デシル基などのアル
キル基;フェニル基,ナフチル基などのアリール基;ト
リフルオロプロピル基,ノナフルオロヘキシル基などの
フルオロアルキル基が例示される。これらの中でもメチ
ル基やフェニル基が好ましい。pは0〜2の整数であ
り、qは0〜3の整数であり、vは1以上の整数であ
り、xは0以上の整数である。ここで、(v+x)は1
〜100の整数であることが好ましく、より好ましくは
1〜10の整数である。このようなヒドロオルガノシロ
キサンとしては、下記式で示される化合物が例示され
る。下式中、Meはメチル基を意味し、Phはフェニル
基を意味している。 HMe2SiOSiMe2H HMe2SiOSiMe3 HMe2SiOMe2SiOSiMe2H HMe2SiOMe2SiOSiMe3 HMe2SiO(Me2SiO)4SiMe2H HMe2SiO(Me2SiO)4SiMe3 HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe2H HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe3 HMe2SiO(MePhSiO)4(Me2SiO)4S
iMe2H HMe2SiO(MePhSiO)4(Me2SiO)4S
iMe3 (HMe2SiO)3SiMe (HSiO3/2)(O1/2SiMe3)3 (HMe2SiO1/2)4(SiO4/2)
ルガノシロキサンは、 式[3]:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSiO
(4-q)/2}x で示される。上式中、R2は炭素原子数1〜10の一価
炭化水素基であり、メチル基,エチル基,プロピル基,
ブチル基,ヘキシル基,デシル基などのアルキル基;フ
ェニル基,ナフチル基などのアリール基が例示される。
これらの中でもアルキル基が好ましく、メチル基が特に
好ましい。R3は炭素原子数1〜10の置換もしくは非
置換の一価炭化水素基であり、メチル基,エチル基,プ
ロピル基,ブチル基,ヘキシル基,デシル基などのアル
キル基;フェニル基,ナフチル基などのアリール基;ト
リフルオロプロピル基,ノナフルオロヘキシル基などの
フルオロアルキル基が例示される。これらの中でもメチ
ル基やフェニル基が好ましい。pは0〜2の整数であ
り、qは0〜3の整数であり、vは1以上の整数であ
り、xは0以上の整数である。ここで、(v+x)は1
〜100の整数であることが好ましく、より好ましくは
1〜10の整数である。このようなヒドロオルガノシロ
キサンとしては、下記式で示される化合物が例示され
る。下式中、Meはメチル基を意味し、Phはフェニル
基を意味している。 HMe2SiOSiMe2H HMe2SiOSiMe3 HMe2SiOMe2SiOSiMe2H HMe2SiOMe2SiOSiMe3 HMe2SiO(Me2SiO)4SiMe2H HMe2SiO(Me2SiO)4SiMe3 HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe2H HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe3 HMe2SiO(MePhSiO)4(Me2SiO)4S
iMe2H HMe2SiO(MePhSiO)4(Me2SiO)4S
iMe3 (HMe2SiO)3SiMe (HSiO3/2)(O1/2SiMe3)3 (HMe2SiO1/2)4(SiO4/2)
【0007】本発明に使用される(C)成分のロジウム
金属またはロジウム化合物は、(A)成分と(B)成分
とを付加反応させるための触媒である。ロジウム化合物
としては、ロジウムの1価,2価,3価あるいは0価錯
体が挙げられる。具体的には、塩化ロジウム,臭化ロジ
ウム,ヨウ化ロジウムのようなハロゲン化ロジウムの1
価,2価あるいは3価錯体、あるいは、アニオン配位子
としてアルキル,アセトキシ,アルコキシ,アセチルア
セトン,ヒドロキシ,ヒドリド,ホスフィドなどが配位
したロジウム化合物が挙げられる。またロジウムへの中
性配位子としては、エチレン,プロピレン,シクロオク
テン,ノルボルネン等のビニル化合物;ブタジエン,ペ
ンタジエン,ヘキサジエン,シクロヘキサジエン等の共
役ジエン化合物;1,5−シクロオクタジエン,ノルボ
ルナジエン,1,4−ペンタジエン,ジシクロペンタジ
エン等の非共役ジエン;ピリジン,ジピリジル,オルト
フェナントロリン等の芳香族アミン;ニトリル,イソニ
トリル,カルボニル,ホスフィン等が配位したロジウム
化合物が挙げられる。このような本成分としては、例え
ば、ロジウム粉末,ロジウム活性炭,ロジウムオンアル
ミナ粉末,酸化ロジウム(III),セスキ酸化ロジウ
ム,硝酸ロジウム(III),酢酸ロジウム,酢酸ロジウ
ム(II)ダイマー,酢酸ロジウム(II)ダイマー二水和
物,塩化ロジウム(III)三水和物,塩化ロジウム(II
I)ナトリウム三水和物,ロジウム(III)アセチルアセ
トナート,ジ−μ−メトキシビス(1,5−シクロオク
タジエン)ジロジウム,ジ−μ−ヒドロキシビス(1,
5−シクロオクタジエン)ジロジウム,ジ−μ−メトキ
シビス(1,5−テトラフルオロベンゾバレレン)ジロ
ジウム,ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタジ
エン)ジロジウム,ジ−μ−ヨードビス(1,5−シク
ロオクタジエン)ジロジウム,ジ−μ−クロロテトラキ
スエテンジロジウム,アセチルアセトナートビス(エチ
レン)ロジウム,ジ−μ−クロロテトラカルボニルジロ
ジウム,シクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタ
ジエン)ロジウム,ジ−μ−クロロビス(ジシクロペン
タジエン)ジロジウム,テトラキス(μ−アセテート)
ジロジウム,ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル)ロジウム,クロロビス(ジピリジル)ロジウム,テ
トラキス(μ−アセテート)ビストリフェニルホスフィ
ンジロジウム,トリクロロトリス(トリエチルホスフィ
ン)ロジウム,ジ−μ−クロロテトラ−π−アリルジロ
ジウムが挙げられる。
金属またはロジウム化合物は、(A)成分と(B)成分
とを付加反応させるための触媒である。ロジウム化合物
としては、ロジウムの1価,2価,3価あるいは0価錯
体が挙げられる。具体的には、塩化ロジウム,臭化ロジ
ウム,ヨウ化ロジウムのようなハロゲン化ロジウムの1
価,2価あるいは3価錯体、あるいは、アニオン配位子
としてアルキル,アセトキシ,アルコキシ,アセチルア
セトン,ヒドロキシ,ヒドリド,ホスフィドなどが配位
したロジウム化合物が挙げられる。またロジウムへの中
性配位子としては、エチレン,プロピレン,シクロオク
テン,ノルボルネン等のビニル化合物;ブタジエン,ペ
ンタジエン,ヘキサジエン,シクロヘキサジエン等の共
役ジエン化合物;1,5−シクロオクタジエン,ノルボ
ルナジエン,1,4−ペンタジエン,ジシクロペンタジ
エン等の非共役ジエン;ピリジン,ジピリジル,オルト
フェナントロリン等の芳香族アミン;ニトリル,イソニ
トリル,カルボニル,ホスフィン等が配位したロジウム
化合物が挙げられる。このような本成分としては、例え
ば、ロジウム粉末,ロジウム活性炭,ロジウムオンアル
ミナ粉末,酸化ロジウム(III),セスキ酸化ロジウ
ム,硝酸ロジウム(III),酢酸ロジウム,酢酸ロジウ
ム(II)ダイマー,酢酸ロジウム(II)ダイマー二水和
物,塩化ロジウム(III)三水和物,塩化ロジウム(II
I)ナトリウム三水和物,ロジウム(III)アセチルアセ
トナート,ジ−μ−メトキシビス(1,5−シクロオク
タジエン)ジロジウム,ジ−μ−ヒドロキシビス(1,
5−シクロオクタジエン)ジロジウム,ジ−μ−メトキ
シビス(1,5−テトラフルオロベンゾバレレン)ジロ
ジウム,ジ−μ−クロロビス(1,5−シクロオクタジ
エン)ジロジウム,ジ−μ−ヨードビス(1,5−シク
ロオクタジエン)ジロジウム,ジ−μ−クロロテトラキ
スエテンジロジウム,アセチルアセトナートビス(エチ
レン)ロジウム,ジ−μ−クロロテトラカルボニルジロ
ジウム,シクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタ
ジエン)ロジウム,ジ−μ−クロロビス(ジシクロペン
タジエン)ジロジウム,テトラキス(μ−アセテート)
ジロジウム,ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニ
ル)ロジウム,クロロビス(ジピリジル)ロジウム,テ
トラキス(μ−アセテート)ビストリフェニルホスフィ
ンジロジウム,トリクロロトリス(トリエチルホスフィ
ン)ロジウム,ジ−μ−クロロテトラ−π−アリルジロ
ジウムが挙げられる。
【0008】本発明に使用される(D)成分の塩基性ア
ルカリ金属化合物または塩基性アルカリ土類金属化合物
は助触媒として作用する成分であり、具体的には、水酸
化ナトリウム,水酸化カリウム,炭酸ナトリウム,炭酸
水素ナトリウム,水酸化リチウム,水酸化セシウム,水
酸化バリウム,酢酸カリウム,ナトリウムメトキシド,
ナトリウムフェノキシドが例示される。
ルカリ金属化合物または塩基性アルカリ土類金属化合物
は助触媒として作用する成分であり、具体的には、水酸
化ナトリウム,水酸化カリウム,炭酸ナトリウム,炭酸
水素ナトリウム,水酸化リチウム,水酸化セシウム,水
酸化バリウム,酢酸カリウム,ナトリウムメトキシド,
ナトリウムフェノキシドが例示される。
【0009】尚、本発明の製造方法において、有機溶媒
を使用することは、本発明の目的をそこなわない限り差
し支えない。使用できる有機溶媒は特に限定されず、例
えば、トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
ヘキサン,ヘプタン,オクタン,ノナン等の脂肪族炭化
水素系溶媒、シクロヘキサン,シクロヘプタン,シクロ
オクタン等の脂肪族環状炭化水素系溶媒、トリフルオロ
メチルベンゼン,1,3−ビス(トリフルオロメチル)
ベンゼン,メチルペンタフルオロベンゼン等の含フッ素
芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。
を使用することは、本発明の目的をそこなわない限り差
し支えない。使用できる有機溶媒は特に限定されず、例
えば、トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、
ヘキサン,ヘプタン,オクタン,ノナン等の脂肪族炭化
水素系溶媒、シクロヘキサン,シクロヘプタン,シクロ
オクタン等の脂肪族環状炭化水素系溶媒、トリフルオロ
メチルベンゼン,1,3−ビス(トリフルオロメチル)
ベンゼン,メチルペンタフルオロベンゼン等の含フッ素
芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。
【0010】本発明の製造方法は、上記(A)成分と
(B)成分とを、(C)成分と(D)成分の存在下に付
加反応させることを特徴とする。(B)成分の添加量は
特に限定されないが、好ましくは、(A)成分中のアリ
ル基のモル数に対する(B)成分中のケイ素原子結合水
素原子のモル数の比が0.1〜10の範囲となる量であ
る。(C)成分の添加量は特に限定されないが、好まし
くは、反応系における(C)成分中の金属量が重量単位
で0.1〜5,000ppmの範囲となる量である。
(D)成分の添加量は特に限定されないが、好ましく
は、反応系における(D)成分中の金属量が重量単位で
0.01〜5,000ppmの範囲となる量である。この
付加反応における手順は特に限定されず、例えば、
(A)成分と(B)成分と(C)成分と(D)成分を同
時に添加して攪拌する方法、(B)成分と(C)成分と
(D)成分を攪拌しながらこの系に(A)成分を徐々に
添加する方法、(A)成分と(C)成分と(D)成分を
攪拌しながらこの系に(B)成分を徐々に添加する方法
が挙げられる。またその反応条件は特に限定されず、常
圧で反応させる場合の反応温度は、(A)成分および
(B)成分の沸点以下、もしくは使用する有機溶媒の還
流温度以下であることが好ましく、さらに好ましくは3
0℃〜200℃の範囲である。また、加圧下で反応させ
ることも可能である。反応時間は反応温度によって大き
く変化するが、通常、0.5〜2.0時間程度である。
(B)成分とを、(C)成分と(D)成分の存在下に付
加反応させることを特徴とする。(B)成分の添加量は
特に限定されないが、好ましくは、(A)成分中のアリ
ル基のモル数に対する(B)成分中のケイ素原子結合水
素原子のモル数の比が0.1〜10の範囲となる量であ
る。(C)成分の添加量は特に限定されないが、好まし
くは、反応系における(C)成分中の金属量が重量単位
で0.1〜5,000ppmの範囲となる量である。
(D)成分の添加量は特に限定されないが、好ましく
は、反応系における(D)成分中の金属量が重量単位で
0.01〜5,000ppmの範囲となる量である。この
付加反応における手順は特に限定されず、例えば、
(A)成分と(B)成分と(C)成分と(D)成分を同
時に添加して攪拌する方法、(B)成分と(C)成分と
(D)成分を攪拌しながらこの系に(A)成分を徐々に
添加する方法、(A)成分と(C)成分と(D)成分を
攪拌しながらこの系に(B)成分を徐々に添加する方法
が挙げられる。またその反応条件は特に限定されず、常
圧で反応させる場合の反応温度は、(A)成分および
(B)成分の沸点以下、もしくは使用する有機溶媒の還
流温度以下であることが好ましく、さらに好ましくは3
0℃〜200℃の範囲である。また、加圧下で反応させ
ることも可能である。反応時間は反応温度によって大き
く変化するが、通常、0.5〜2.0時間程度である。
【0011】本発明の製造方法では、(A)成分と
(B)成分とを、(C)成分と(D)成分の存在下に付
加反応させた後、脱トリオルガノシリル化することによ
り、式[4]:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pSi
O(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/2}x で示される3−アミノプロピルシロキサン(E)が得ら
れる。上式中、R1,R2,R3,p,q,vおよびxは
前記と同じである。この脱トリオルガノシリル化反応を
行う方法としては、メタノール,エタノール,プロパノ
ールのようなアルコールを添加する方法;水を添加する
方法;酢酸等の弱酸や希塩酸水等を添加する方法が挙げ
られる。このような場合に、アルコール,水もしくは酸
は、トリメチルシリルと等モル以上の量を添加すればよ
く、通常、室温下ないし加熱下で混合すればよい。アル
コールを添加した場合にはトリオルガノアルコキシシラ
ンが副生し、水や酸を添加した場合にはトリオルガノシ
ラノールやヘキサオルガノジシロキサンが副生する。
尚、本発明の製造方法により得られた3−アミノプロピ
ルシロキサンは、必要に応じて、ストリッピングにより
溶媒や副生物を除去、蒸留精製、濾過等を行って、精製
してもよい。
(B)成分とを、(C)成分と(D)成分の存在下に付
加反応させた後、脱トリオルガノシリル化することによ
り、式[4]:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pSi
O(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/2}x で示される3−アミノプロピルシロキサン(E)が得ら
れる。上式中、R1,R2,R3,p,q,vおよびxは
前記と同じである。この脱トリオルガノシリル化反応を
行う方法としては、メタノール,エタノール,プロパノ
ールのようなアルコールを添加する方法;水を添加する
方法;酢酸等の弱酸や希塩酸水等を添加する方法が挙げ
られる。このような場合に、アルコール,水もしくは酸
は、トリメチルシリルと等モル以上の量を添加すればよ
く、通常、室温下ないし加熱下で混合すればよい。アル
コールを添加した場合にはトリオルガノアルコキシシラ
ンが副生し、水や酸を添加した場合にはトリオルガノシ
ラノールやヘキサオルガノジシロキサンが副生する。
尚、本発明の製造方法により得られた3−アミノプロピ
ルシロキサンは、必要に応じて、ストリッピングにより
溶媒や副生物を除去、蒸留精製、濾過等を行って、精製
してもよい。
【0012】以上のような本発明の製造方法により得ら
れた3−アミノプロピルシロキサンは高純度であるの
で、各種有機樹脂の変性用シリコーンとして有用であ
る。
れた3−アミノプロピルシロキサンは高純度であるの
で、各種有機樹脂の変性用シリコーンとして有用であ
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
【0014】
【実施例1】反応容器に、トリメチルシリルアリルアミ
ン35.4g(0.274モル),三塩化ロジウム三水和
物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸ナトリ
ウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に加熱し
た。次いでこれに、1,3−テトラメチルジシロキサン
16.8g(0.125モル)を30分間かけて滴下し
た。滴下終了後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液
の温度は160℃まで上昇した。この反応溶液を室温ま
で冷却した後、20mmHgの減圧下で130℃まで加
熱して低沸点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌し
ながらメタノール10gを滴下したところ、50℃まで
発熱したが、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用
いて蒸留したところ、95−98℃/2mmHgの成分
として、 式:{NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン23.2g(収率75%)を得た。このもの
をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、純度
は99.5%であり、下記式で示される異性体が0.4%
存在していた。
ン35.4g(0.274モル),三塩化ロジウム三水和
物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸ナトリ
ウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に加熱し
た。次いでこれに、1,3−テトラメチルジシロキサン
16.8g(0.125モル)を30分間かけて滴下し
た。滴下終了後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液
の温度は160℃まで上昇した。この反応溶液を室温ま
で冷却した後、20mmHgの減圧下で130℃まで加
熱して低沸点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌し
ながらメタノール10gを滴下したところ、50℃まで
発熱したが、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用
いて蒸留したところ、95−98℃/2mmHgの成分
として、 式:{NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン23.2g(収率75%)を得た。このもの
をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、純度
は99.5%であり、下記式で示される異性体が0.4%
存在していた。
【化1】
【0015】
【実施例2】反応容器に、トリメチルシリルアリルアミ
ン35.4g(0.274モル),三塩化ロジウム三水和
物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸ナトリ
ウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に加熱し
た。次いでこれに、ペンタメチルジシロキサン37g
(0.25モル)を30分間かけて滴下した。滴下終了
後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液の温度は16
0℃まで上昇した。この反応溶液を室温まで冷却した
後、20mmHgの減圧下で130℃まで加熱して低沸
点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌しながらメタ
ノール10gを滴下したところ、50℃まで発熱した
が、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用いて蒸留
したところ、 式:NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2OSi(CH
3)3 で表される3−アミノプロピルペンタメチルジシロキサ
ン52.4g(収率80%)を得た。このものをガスク
ロマトグラフィーにより分析したところ、純度は99.
0%であり、下記式で示される異性体が0.4%存在し
ていた。
ン35.4g(0.274モル),三塩化ロジウム三水和
物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸ナトリ
ウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に加熱し
た。次いでこれに、ペンタメチルジシロキサン37g
(0.25モル)を30分間かけて滴下した。滴下終了
後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液の温度は16
0℃まで上昇した。この反応溶液を室温まで冷却した
後、20mmHgの減圧下で130℃まで加熱して低沸
点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌しながらメタ
ノール10gを滴下したところ、50℃まで発熱した
が、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用いて蒸留
したところ、 式:NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2OSi(CH
3)3 で表される3−アミノプロピルペンタメチルジシロキサ
ン52.4g(収率80%)を得た。このものをガスク
ロマトグラフィーにより分析したところ、純度は99.
0%であり、下記式で示される異性体が0.4%存在し
ていた。
【化2】
【0016】
【実施例3】反応容器に、ビス(トリメチルシリル)ア
リルアミン44.2g(0.22モル),三塩化ロジウム
三水和物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸
ナトリウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に
加熱した。次いでこれに、ヘプタメチルトリシロキサン
16.8g(0.25モル)を30分間かけて滴下した。
滴下終了後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液の温
度は160℃まで上昇した。この反応溶液を室温まで冷
却した後、20mmHgの減圧下で130℃まで加熱し
て低沸点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌しなが
らメタノール15gを滴下したところ、50℃まで発熱
したが、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用いて
蒸留したところ、式:
リルアミン44.2g(0.22モル),三塩化ロジウム
三水和物(RhCl3・3H2O)0.06gおよび炭酸
ナトリウム0.05gを入れて攪拌しながら120℃に
加熱した。次いでこれに、ヘプタメチルトリシロキサン
16.8g(0.25モル)を30分間かけて滴下した。
滴下終了後、1時間攪拌を続けたところ、反応溶液の温
度は160℃まで上昇した。この反応溶液を室温まで冷
却した後、20mmHgの減圧下で130℃まで加熱し
て低沸点成分を除去した。さらに、室温下で攪拌しなが
らメタノール15gを滴下したところ、50℃まで発熱
したが、30分間攪拌を続けた。最後に蒸留塔を用いて
蒸留したところ、式:
【化3】 で表される3−アミノプロピルトリシロキサン49.1
g(収率80%)を得た。このものをガスクロマトグラ
フィーにより分析したところ、純度は98.0%であ
り、下記式で示される異性体が0.5%存在していた。
g(収率80%)を得た。このものをガスクロマトグラ
フィーにより分析したところ、純度は98.0%であ
り、下記式で示される異性体が0.5%存在していた。
【化4】
【0017】
【比較例1】実施例1において、三塩化ロジウム三水和
物(RhCl3・3H2O)0.06gと炭酸ナトリウム
0.05gの代わりに、塩化白金酸六水和物を0.06g
用いた以外は実施例1と同様に反応を行ったところ、 式:{NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン24g(収率78%)を得た。このものをガ
スクロマトグラフィーにより分析したところ、純度は9
7.0%であり、下記式と推定される異性体が2.0%存
在することが判明した。
物(RhCl3・3H2O)0.06gと炭酸ナトリウム
0.05gの代わりに、塩化白金酸六水和物を0.06g
用いた以外は実施例1と同様に反応を行ったところ、 式:{NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサン24g(収率78%)を得た。このものをガ
スクロマトグラフィーにより分析したところ、純度は9
7.0%であり、下記式と推定される異性体が2.0%存
在することが判明した。
【化5】
【0018】
【比較例2】反応容器に、三塩化ロジウム三水和物(R
hCl3・3H2O)0.066g,水酸化ナトリウム0.
06gおよびキシレン50mlを入れて攪拌しながら1
20℃に加熱した。次いでこれに、アリルアミン28.
6g(0.5モル)と1,3−テトラメチルジシロキサン
32.3g(0.25モル)の混合物を30分間かけて滴
下した。滴下終了後、3時間攪拌した。このようにして
得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分
析したところ、式: {NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサンの収率は10%(換算収量6g)と非常に低
いものであった。
hCl3・3H2O)0.066g,水酸化ナトリウム0.
06gおよびキシレン50mlを入れて攪拌しながら1
20℃に加熱した。次いでこれに、アリルアミン28.
6g(0.5モル)と1,3−テトラメチルジシロキサン
32.3g(0.25モル)の混合物を30分間かけて滴
下した。滴下終了後、3時間攪拌した。このようにして
得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分
析したところ、式: {NH2CH2CH2CH2Si(CH3)2}2O で表されるビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジ
シロキサンの収率は10%(換算収量6g)と非常に低
いものであった。
【0019】
【発明の効果】本発明の製造方法は、トリオルガノシリ
ル化アリルアミンとヒドロオルガノシロキサンとを、ロ
ジウム金属またはロジウム化合物と塩基性アルカリ金属
化合物または塩基性アルカリ土類金属化合物の存在下に
付加反応させているので、高純度の3−アミノプロピル
シロキサンを高収率で得ることができるという特徴を有
する。
ル化アリルアミンとヒドロオルガノシロキサンとを、ロ
ジウム金属またはロジウム化合物と塩基性アルカリ金属
化合物または塩基性アルカリ土類金属化合物の存在下に
付加反応させているので、高純度の3−アミノプロピル
シロキサンを高収率で得ることができるという特徴を有
する。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)式[1]:R3Si−NR1−CH
2CH=CH2 (式中、Rは炭素原子数1〜10の一価炭化水素基であ
り、R1は水素原子もしくは炭素原子数1〜10の一価
炭化水素基である。)で示されるトリオルガノシリルア
リルアミン、または式[2]:(R3Si)2−N−CH
2CH=CH2 (式中、Rは前記と同じである。)で示されるビス(ト
リオルガノシリル)アリルアミンと、 (B)式[3]:{HR2 pSiO(3-p)/2}v{R3 qSi
O(4-q)/2}x (式中、R2は炭素原子数1〜10の一価炭化水素基で
あり、R3は炭素原子数1〜10の置換もしくは非置換
の一価炭化水素基であり、pは0〜2の整数であり、q
は0〜3の整数であり、vは1以上の整数であり、xは
0以上の整数である。)で示されるヒドロオルガノシロ
キサンとを、(C)ロジウム金属またはロジウム化合物
と(D)塩基性アルカリ金属化合物または塩基性アルカ
リ土類金属化合物の存在下に付加反応させ、次いで、脱
トリオルガノシリル化することを特徴とする、 (E)式[4]:{HNR1−CH2CH2CH2−R2 pS
iO(3-p)/2}v{R3 qSiO(4-q)/2}x (式中、R1,R2,R3,p,q,vおよびxは前記と
同じである。)で示される3−アミノプロピルシロキサ
ンの製造方法。 - 【請求項2】 (B)成分がヒドロジシロキサンである
請求項1に記載の3−アミノプロピルシロキサンの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18755697A JPH1121289A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 3−アミノプロピルシロキサンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18755697A JPH1121289A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 3−アミノプロピルシロキサンの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1121289A true JPH1121289A (ja) | 1999-01-26 |
Family
ID=16208152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18755697A Pending JPH1121289A (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 3−アミノプロピルシロキサンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1121289A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521381A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 1,3−ビス(アミノアルキル)ジシロキサンの合成方法 |
CN108409779A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-08-17 | 威海新元化工有限公司 | 一种γ-氨丙基三硅氧烷的制备方法 |
WO2019154479A1 (de) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von aminopropylalkoxysilanen |
WO2022184271A1 (de) | 2021-03-05 | 2022-09-09 | Wacker Chemie Ag | Siloxan-funktionalisierte kieselsäure |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP18755697A patent/JPH1121289A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012521381A (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-13 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト | 1,3−ビス(アミノアルキル)ジシロキサンの合成方法 |
WO2019154479A1 (de) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von aminopropylalkoxysilanen |
EP3577123B1 (de) * | 2018-02-06 | 2020-04-15 | Wacker Chemie AG | Verfahren zur herstellung von aminopropylalkoxysilanen |
US11440926B2 (en) | 2018-02-06 | 2022-09-13 | Wacker Chemie Ag | Method for preparing aminopropylsilanes |
CN108409779A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-08-17 | 威海新元化工有限公司 | 一种γ-氨丙基三硅氧烷的制备方法 |
WO2022184271A1 (de) | 2021-03-05 | 2022-09-09 | Wacker Chemie Ag | Siloxan-funktionalisierte kieselsäure |
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