JPH02767B2 - - Google Patents
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- JPH02767B2 JPH02767B2 JP16055181A JP16055181A JPH02767B2 JP H02767 B2 JPH02767 B2 JP H02767B2 JP 16055181 A JP16055181 A JP 16055181A JP 16055181 A JP16055181 A JP 16055181A JP H02767 B2 JPH02767 B2 JP H02767B2
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- photoresist
- pattern
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- thin film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスク等の磁気記録装置に用い
られる薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、特に磁
気コアをなす上部磁性体と下部磁性体の間に挿入
される焼締めフオトレジスト層の形成方法に関す
るものである。
られる薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、特に磁
気コアをなす上部磁性体と下部磁性体の間に挿入
される焼締めフオトレジスト層の形成方法に関す
るものである。
第１図は近年実用に供されつつある薄膜磁気ヘ
ツドの概略断面図であり、その基本構成は磁気回
路をなす下部磁性体１３と上部磁性体１８の間に
ギヤツプとなる所定膜厚の絶縁層１４、コイル１
６および焼締めフオトレジスト層１５，１７が挿
入された構造となつている。
ツドの概略断面図であり、その基本構成は磁気回
路をなす下部磁性体１３と上部磁性体１８の間に
ギヤツプとなる所定膜厚の絶縁層１４、コイル１
６および焼締めフオトレジスト層１５，１７が挿
入された構造となつている。
ここで焼締めフオトレジスト層１５，１７は次
の３つの機能を示している。つまり、第一に下部
ボール１３あるいはコイル１６によつて生じた段
差の解消の機能、第二に電気的絶縁性の保証の機
能、そして第三に第１図矢印ｃ，c′部をなだらか
に形成する機能の三機能である。
の３つの機能を示している。つまり、第一に下部
ボール１３あるいはコイル１６によつて生じた段
差の解消の機能、第二に電気的絶縁性の保証の機
能、そして第三に第１図矢印ｃ，c′部をなだらか
に形成する機能の三機能である。
この様な三機能のうち、特に第三の機能は、フ
オトレジスト自体のもつ特性によつて実現され
る。以下にこのフオトレジストの特性について第
２図を参照しながら説明する。
オトレジスト自体のもつ特性によつて実現され
る。以下にこのフオトレジストの特性について第
２図を参照しながら説明する。
第２図ａはフオトレジストパターン２０の露
光・現像後の概略断面図を示しておりフオトレジ
ストパターン２０の断面形状はほぼ矩形となつて
いる。
光・現像後の概略断面図を示しておりフオトレジ
ストパターン２０の断面形状はほぼ矩形となつて
いる。
この様なフオトレジストパターンに250℃前後
の加熱処理を行なうと、フオトレジストは熱架橋
し、第２図ｂに示した如くフオトレジストパター
ン２２の膜厚は若干減少するとともに、流動性が
増加し、フオトレジスト・フローを起してパター
ン幅が若干増加する。この様な加熱処理によつて
第１図に示した如くｃ，c′部が曲線状に形成され
ることとなる。しかしながら、上記の如きプロセ
スで得られるｃ，c′部の曲線は比較的急峻で、以
後のプロセスで、フオトレジストを塗布する際第
３図に示した如くこの段差部にフオトレジストが
たまり正確なフオトレジストパターンを形成しに
くいという欠点があつた。つまり第３図において
焼締められたフオトレジスト層３２上に金属膜
（例えば上部磁性体となるパーマロイ）３３が形
成され、その後この金属膜３３をエツチングにて
パターン化する為にフオトレジスト層３４が塗布
されているが、フオトレジスト層３４の塗布膜厚
は本来塗布されるべき膜厚t1に比較して曲線部途
中での膜厚t2は小さく、又曲線部の端の膜厚t3は
かなり大きくならざるをえなかつた。すなわち、
フオトレジスト層３４を、焼締めフオトレジスト
層３２を介して塗布する場合、その膜厚は前述の
通り t3≫t1＞t2 なる関係となつていた、この様な不均一な膜厚分
布をもつフオトレジスト層３４に対して露光を行
なうと、露光時間を膜厚t1、t2あるいはt3のいづ
れかの箇所に最適露光時間を合わせても、フオト
レジストの膜厚にバラツキがある為露光不足ある
いは露光過剰の箇所が生じ正確なフオトレジスト
パターンを形成することが困難であつた。その
為、薄膜磁気ヘツドの生産性が大きく阻害されて
いた。特に、このフオトレジスト層３４で得られ
るパターンは、薄膜磁気ヘツドの重要な構成要素
である上部磁性体を形成する為のパターンである
から、フオトレジスト層３４を正確に形成するこ
とは薄膜磁気ヘツド自体の特性つまり、ヘツドの
電磁変換特性を大きく左右することとなるのは言
うまでもなくこの意味からも正確なフオトレジス
トパターンの形成が必須である。
の加熱処理を行なうと、フオトレジストは熱架橋
し、第２図ｂに示した如くフオトレジストパター
ン２２の膜厚は若干減少するとともに、流動性が
増加し、フオトレジスト・フローを起してパター
ン幅が若干増加する。この様な加熱処理によつて
第１図に示した如くｃ，c′部が曲線状に形成され
ることとなる。しかしながら、上記の如きプロセ
スで得られるｃ，c′部の曲線は比較的急峻で、以
後のプロセスで、フオトレジストを塗布する際第
３図に示した如くこの段差部にフオトレジストが
たまり正確なフオトレジストパターンを形成しに
くいという欠点があつた。つまり第３図において
焼締められたフオトレジスト層３２上に金属膜
（例えば上部磁性体となるパーマロイ）３３が形
成され、その後この金属膜３３をエツチングにて
パターン化する為にフオトレジスト層３４が塗布
されているが、フオトレジスト層３４の塗布膜厚
は本来塗布されるべき膜厚t1に比較して曲線部途
中での膜厚t2は小さく、又曲線部の端の膜厚t3は
かなり大きくならざるをえなかつた。すなわち、
フオトレジスト層３４を、焼締めフオトレジスト
層３２を介して塗布する場合、その膜厚は前述の
通り t3≫t1＞t2 なる関係となつていた、この様な不均一な膜厚分
布をもつフオトレジスト層３４に対して露光を行
なうと、露光時間を膜厚t1、t2あるいはt3のいづ
れかの箇所に最適露光時間を合わせても、フオト
レジストの膜厚にバラツキがある為露光不足ある
いは露光過剰の箇所が生じ正確なフオトレジスト
パターンを形成することが困難であつた。その
為、薄膜磁気ヘツドの生産性が大きく阻害されて
いた。特に、このフオトレジスト層３４で得られ
るパターンは、薄膜磁気ヘツドの重要な構成要素
である上部磁性体を形成する為のパターンである
から、フオトレジスト層３４を正確に形成するこ
とは薄膜磁気ヘツド自体の特性つまり、ヘツドの
電磁変換特性を大きく左右することとなるのは言
うまでもなくこの意味からも正確なフオトレジス
トパターンの形成が必須である。
しかるに、前述してきた様なフオトレジスト層
３４の膜厚のバラツキは焼締めフオトレジスト層
３２の曲線部を更に、なだらかに形成することが
出来れば大幅に改善されることとなるのは周知の
事実である。
３４の膜厚のバラツキは焼締めフオトレジスト層
３２の曲線部を更に、なだらかに形成することが
出来れば大幅に改善されることとなるのは周知の
事実である。
ところで、種々検討した結果、フオトレジスト
パターンを250℃前後の温度で焼締める前にパタ
ーン化されたフオトレジストを全面露光しフオト
レジストパターン内に光化学反応を起こした後焼
締めると加熱時のフオトレジストの流動性が著し
く増大することがわかつた。
パターンを250℃前後の温度で焼締める前にパタ
ーン化されたフオトレジストを全面露光しフオト
レジストパターン内に光化学反応を起こした後焼
締めると加熱時のフオトレジストの流動性が著し
く増大することがわかつた。
この様子の概略断面図を第２図ｃに示す。ここ
で焼締められたフオトレジストパタン２２のテー
パー角θは、例えばシプレー社製のAZ1300シリ
ーズフオトレジストの場合、レジストパターン２
２を形成後そのまま焼締めた時のテーパー角に比
較して約半分となることがわかつた。
で焼締められたフオトレジストパタン２２のテー
パー角θは、例えばシプレー社製のAZ1300シリ
ーズフオトレジストの場合、レジストパターン２
２を形成後そのまま焼締めた時のテーパー角に比
較して約半分となることがわかつた。
本発明は以上の実験事実に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、下部磁性体と
上部磁性体とから成る磁気回路の間にコイルを埋
込んで挿入される焼締めフオトレジスト層をより
一層なだらかに形成して、上部磁性体形成用のフ
オトレジストパターンを精度良く且つ容易に形成
できる薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供すること
である。
であり、その目的とするところは、下部磁性体と
上部磁性体とから成る磁気回路の間にコイルを埋
込んで挿入される焼締めフオトレジスト層をより
一層なだらかに形成して、上部磁性体形成用のフ
オトレジストパターンを精度良く且つ容易に形成
できる薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供すること
である。
つまり、本発明によれば、磁気回路をなす下部
磁性体と上部磁性体との間にコイルおよび焼締め
フオトレジストが挾み込まれた構造を有する薄膜
磁気ヘツドにおいて、前記焼締めフオトレジスト
層の形成に際してフオトレジストを塗布する工
程、塗布されたフオトレジストを露光・現像して
所定形状にパターン化する工程および前記フオト
レジストパターン形成工程後このフオトレジスト
パターン全面を再露光する工程、前記再露光工程
後に所定温度で加熱処理を施こす工程とを有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法が得
られ、これにより電磁変換特性の優れた薄膜磁気
ヘツドが実現される。
磁性体と上部磁性体との間にコイルおよび焼締め
フオトレジストが挾み込まれた構造を有する薄膜
磁気ヘツドにおいて、前記焼締めフオトレジスト
層の形成に際してフオトレジストを塗布する工
程、塗布されたフオトレジストを露光・現像して
所定形状にパターン化する工程および前記フオト
レジストパターン形成工程後このフオトレジスト
パターン全面を再露光する工程、前記再露光工程
後に所定温度で加熱処理を施こす工程とを有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法が得
られ、これにより電磁変換特性の優れた薄膜磁気
ヘツドが実現される。
以下、本発明の実施例について第１図を参照し
ながら述べる。
ながら述べる。
周知の通り、薄膜磁気ヘツドの製造プロセスは
先ず、基板１１上にスパツタリング等によつてア
ルミナなどの絶縁層１２を形成し、ついでパーマ
ロイなどの軟磁性体をスパツタリングあるいはメ
ツキ法等によつて成膜し、下部磁性体１３を形成
する。その後ギヤツプＧを形成する為、所定膜厚
のアルミナなどの絶縁層１４を形成し、ついでリ
ア・ギヤツプ部Ｂの不要絶縁層をエツチングにて
除去する。その後この下部磁性体１３の段差を解
消する為、フオトレジスト、例えばシプレー社の
AZ系フオトレジストをスピンコーテイング法に
より塗布する。ついで通常の光学露光法により所
定時間だけ露光を行ない現像してパターン化す
る。次いでこのパターン化されたフオトレジスト
層全面が感光する様に再度露光を行なう。その後
250℃前後の加熱処理を施し、焼締めフオトレジ
スト層１５を形成する。更にメツキ法等でコイル
１６を形成した後、コイル１６による段差を解消
する為、フオトレジストパターンが形成され、前
述の通りこのフオトレジストパターン全面が感光
する様に再度露光を行ない、ついで250℃前後の
加熱処理を施こし焼締めフオトレジスト層１７を
形成する。
先ず、基板１１上にスパツタリング等によつてア
ルミナなどの絶縁層１２を形成し、ついでパーマ
ロイなどの軟磁性体をスパツタリングあるいはメ
ツキ法等によつて成膜し、下部磁性体１３を形成
する。その後ギヤツプＧを形成する為、所定膜厚
のアルミナなどの絶縁層１４を形成し、ついでリ
ア・ギヤツプ部Ｂの不要絶縁層をエツチングにて
除去する。その後この下部磁性体１３の段差を解
消する為、フオトレジスト、例えばシプレー社の
AZ系フオトレジストをスピンコーテイング法に
より塗布する。ついで通常の光学露光法により所
定時間だけ露光を行ない現像してパターン化す
る。次いでこのパターン化されたフオトレジスト
層全面が感光する様に再度露光を行なう。その後
250℃前後の加熱処理を施し、焼締めフオトレジ
スト層１５を形成する。更にメツキ法等でコイル
１６を形成した後、コイル１６による段差を解消
する為、フオトレジストパターンが形成され、前
述の通りこのフオトレジストパターン全面が感光
する様に再度露光を行ない、ついで250℃前後の
加熱処理を施こし焼締めフオトレジスト層１７を
形成する。
その後、下部磁性体１３の形成と同様にして上
部磁性体１８を形成し薄膜磁気ヘツドのトランス
デユーサー部を構成している。
部磁性体１８を形成し薄膜磁気ヘツドのトランス
デユーサー部を構成している。
ここで、焼締めフオトレジスト層１５，１７を
パターン化した後、加熱処理を施こす前の再露光
の露光時間は通常、パターン化に要する露光時間
と同程度の時間で良いが、厳密には実際のトラン
スデユーサーの寸法、形状あるいはコイルピツチ
更には下地の状態等を考慮に入れて適宜増減する
ことが望ましい。
パターン化した後、加熱処理を施こす前の再露光
の露光時間は通常、パターン化に要する露光時間
と同程度の時間で良いが、厳密には実際のトラン
スデユーサーの寸法、形状あるいはコイルピツチ
更には下地の状態等を考慮に入れて適宜増減する
ことが望ましい。
以上、述べてきた様に、パターン化されたフオ
トレジスト層に対して再露光を行ないついで250
℃前後の加熱処理を施こして焼締めフオトレジス
ト層を形成する方法を用いることにより再露光を
せずに加熱処理を行なつた場合（第２図のｂ）に
比較して、より一層なだらかなテーパー角θを有
する焼締めフオトレジスト層が得られ、従つて、
この上に、所定形状の上部磁性体を形成する為の
フオトレジストを塗布すると、フオトレジスト膜
厚がより均一となり上部磁性体形成用のフオトレ
ジストパターンが容易にかつ正確に形成され生産
性（良品率）が大幅に改善されることになり、結
果として上部磁性体が正確に形成され薄膜磁気ヘ
ツドの電磁変換特性も保証されるという利点が実
現されることとなる。
トレジスト層に対して再露光を行ないついで250
℃前後の加熱処理を施こして焼締めフオトレジス
ト層を形成する方法を用いることにより再露光を
せずに加熱処理を行なつた場合（第２図のｂ）に
比較して、より一層なだらかなテーパー角θを有
する焼締めフオトレジスト層が得られ、従つて、
この上に、所定形状の上部磁性体を形成する為の
フオトレジストを塗布すると、フオトレジスト膜
厚がより均一となり上部磁性体形成用のフオトレ
ジストパターンが容易にかつ正確に形成され生産
性（良品率）が大幅に改善されることになり、結
果として上部磁性体が正確に形成され薄膜磁気ヘ
ツドの電磁変換特性も保証されるという利点が実
現されることとなる。
第１図は薄膜磁気ヘツドの概略断面図、第２図
は加熱処理を行なつた際のフオトレジストの変化
を示す概略断面図であり、第３図は従来の方法で
形成された焼締めフオトレジスト層上に、上部磁
性体形成用のフオトレジストを塗布した時の膜厚
を示す略図である。 １１，２１，３１……基板、１２，１４……絶
縁層、１５，１７，２２，３２……焼締めフオト
レジスト層、１３……下部磁性体、１８……上部
磁性体、２０，３４……フオトレジストパター
ン、３３……金属膜。
は加熱処理を行なつた際のフオトレジストの変化
を示す概略断面図であり、第３図は従来の方法で
形成された焼締めフオトレジスト層上に、上部磁
性体形成用のフオトレジストを塗布した時の膜厚
を示す略図である。 １１，２１，３１……基板、１２，１４……絶
縁層、１５，１７，２２，３２……焼締めフオト
レジスト層、１３……下部磁性体、１８……上部
磁性体、２０，３４……フオトレジストパター
ン、３３……金属膜。
Claims (1)
- １ 磁気回路をなす下部磁性体と上部磁性体との
間にコイルおよび焼締めフオトレジスト層が狭み
込まれた構造を有する薄膜磁気ヘツドにおいて、
前記焼締めフオトレジスト層の形成に際して、フ
オトレジストを塗布する工程、塗布されたフオト
レジストを露光・現像して所定形状にパターン化
する工程および前記フオトレジストパターン形成
工程後このフオトレジストパターン全面を再露光
する工程、前記再露光工程後に、所定の温度で加
熱処理を施こす工程とを有することを特徴とする
薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16055181A JPS5862812A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16055181A JPS5862812A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862812A JPS5862812A (ja) | 1983-04-14 |
| JPH02767B2 true JPH02767B2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15717430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16055181A Granted JPS5862812A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862812A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241440A (en) * | 1989-08-23 | 1993-08-31 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and manufacturing method therefor |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP16055181A patent/JPS5862812A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5862812A (ja) | 1983-04-14 |
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