JPH027528A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH027528A JPH027528A JP15879988A JP15879988A JPH027528A JP H027528 A JPH027528 A JP H027528A JP 15879988 A JP15879988 A JP 15879988A JP 15879988 A JP15879988 A JP 15879988A JP H027528 A JPH027528 A JP H027528A
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- metal silicide
- insulating film
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- resistance
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラトランジスターを一部又は全領域に
集積した半導体装置に関し、特にバイポーラトランジス
ターの構造に関する。 〔従来の技術〕 従来の構造の断面を第2図に示す、202はコレクター
、208はベース、207はエミッタをそれぞれ示し、
エミッタからは209の多結晶シリコンにより電極が引
き出され、ベースからは211の金属配線により電極が
引きだされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 トランジスターのスピードを向上し、かつ電流槽中率を
向上するためには、ベースの不純物濃度を下げるか、ま
たは、ベース長を短かくして、キャリアのベース内走行
時間を短縮する必要がある。但しこのように構造変更を
すると、ベース抵抗が高くなるため、総合的には、殆ん
ど性能向上が望めなくなる。特に第2図に示す従来構造
では、211のベースの金属電極接触部と207のエミ
ッタ部の距離があるためこの弊害が顕著である0本発明
は、かかるペース抵抗の高抵抗化を抑止しペース抵抗を
下げ、トータルなトランジスター性能を向上することを
目的として考案されたものである。 [課題を解決するための手段] ベース抵抗を低減するためにベース領域の一部に金属シ
リサイドを接触構成せしめ、該金属シリサイドと、エミ
ッタとの距離を短かくするために該金属シリサイドとエ
ミッタ電極との分離に、全面被着後全面エッチングによ
り形成したサイドウオール絶縁膜を一部に用いる。
集積した半導体装置に関し、特にバイポーラトランジス
ターの構造に関する。 〔従来の技術〕 従来の構造の断面を第2図に示す、202はコレクター
、208はベース、207はエミッタをそれぞれ示し、
エミッタからは209の多結晶シリコンにより電極が引
き出され、ベースからは211の金属配線により電極が
引きだされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 トランジスターのスピードを向上し、かつ電流槽中率を
向上するためには、ベースの不純物濃度を下げるか、ま
たは、ベース長を短かくして、キャリアのベース内走行
時間を短縮する必要がある。但しこのように構造変更を
すると、ベース抵抗が高くなるため、総合的には、殆ん
ど性能向上が望めなくなる。特に第2図に示す従来構造
では、211のベースの金属電極接触部と207のエミ
ッタ部の距離があるためこの弊害が顕著である0本発明
は、かかるペース抵抗の高抵抗化を抑止しペース抵抗を
下げ、トータルなトランジスター性能を向上することを
目的として考案されたものである。 [課題を解決するための手段] ベース抵抗を低減するためにベース領域の一部に金属シ
リサイドを接触構成せしめ、該金属シリサイドと、エミ
ッタとの距離を短かくするために該金属シリサイドとエ
ミッタ電極との分離に、全面被着後全面エッチングによ
り形成したサイドウオール絶縁膜を一部に用いる。
本発明の構造の断面を第1図に示す、ベース109上に
、金属シリサイド層110を示す。 110の金属シリサイド層と111の半導体材料を成分
とする配線材との分離に、106の絶縁膜と、107の
サイドウオール絶縁膜が用いられる。コレクター102
、や素子分離103、金属配線104,112,113
等は、従来構造とほぼ同様であり、これらにより本発明
は限定されない0次に第3図の断面図を用いて本発明の
構造を実現する製造方法を示す、この断面図には本発明
の製造方法を説明するための最小部分のみを示す、先ず
素子分離302及びベース303を形成し、全面に金属
な被着する0次に熱アニールをすることで305の金属
が下地シリコンと反応し金属シリサイドになる。この後
適当な溶液により304の金属のみをエツチングし30
5は残す0次に全面に絶縁膜な被着し、フォトリソグラ
フィ、エツチング等によりエミッタ部を開口し、その後
、307の第2の絶縁膜を被着する。(B)図 次に全面をエツチングすると(C)図309のようにサ
イドウオールを形成することができる。 この後エミッタ形成、エミッタ電極形成、配線工程等通
常の方法を用いて第1図の構造が得られる。金属シリサ
イドのための金属としては、Ti、W、Mo、Taなど
が適している。また金属シリサイドを残して金属のみを
エツチングする溶液としては、アンモニアと過酸化水素
との混合液等が適している。 [発明の効果] 本発明の効果を第1図、第2図を比較して説明する。金
属シリサイドの抵抗は、通常ベースの不純物拡散抵抗に
較べて著しく低いため、ベース抵抗を極めて低くするこ
とができる。また、第2図の211の電極と207のエ
ミッタの距離に較べて第1図の110の金属シリサイド
と108のエミッタの距離を著しく短かくすることがで
きるため更にベース抵抗を低減できる。また第3図30
7の絶縁膜の膜厚を制御することにより、金属シリサイ
ドとエミッタとの距離が制御できるために、108のエ
ミッタ拡散層の横への拡がりを考慮して最適な、110
と108の距離を設定できる。 以上本発明により、ベース抵抗を低減しかつ、高速・高
電流増巾率をもつトランジスターが実現できる。 するための製造工程順断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(他1名)
、金属シリサイド層110を示す。 110の金属シリサイド層と111の半導体材料を成分
とする配線材との分離に、106の絶縁膜と、107の
サイドウオール絶縁膜が用いられる。コレクター102
、や素子分離103、金属配線104,112,113
等は、従来構造とほぼ同様であり、これらにより本発明
は限定されない0次に第3図の断面図を用いて本発明の
構造を実現する製造方法を示す、この断面図には本発明
の製造方法を説明するための最小部分のみを示す、先ず
素子分離302及びベース303を形成し、全面に金属
な被着する0次に熱アニールをすることで305の金属
が下地シリコンと反応し金属シリサイドになる。この後
適当な溶液により304の金属のみをエツチングし30
5は残す0次に全面に絶縁膜な被着し、フォトリソグラ
フィ、エツチング等によりエミッタ部を開口し、その後
、307の第2の絶縁膜を被着する。(B)図 次に全面をエツチングすると(C)図309のようにサ
イドウオールを形成することができる。 この後エミッタ形成、エミッタ電極形成、配線工程等通
常の方法を用いて第1図の構造が得られる。金属シリサ
イドのための金属としては、Ti、W、Mo、Taなど
が適している。また金属シリサイドを残して金属のみを
エツチングする溶液としては、アンモニアと過酸化水素
との混合液等が適している。 [発明の効果] 本発明の効果を第1図、第2図を比較して説明する。金
属シリサイドの抵抗は、通常ベースの不純物拡散抵抗に
較べて著しく低いため、ベース抵抗を極めて低くするこ
とができる。また、第2図の211の電極と207のエ
ミッタの距離に較べて第1図の110の金属シリサイド
と108のエミッタの距離を著しく短かくすることがで
きるため更にベース抵抗を低減できる。また第3図30
7の絶縁膜の膜厚を制御することにより、金属シリサイ
ドとエミッタとの距離が制御できるために、108のエ
ミッタ拡散層の横への拡がりを考慮して最適な、110
と108の距離を設定できる。 以上本発明により、ベース抵抗を低減しかつ、高速・高
電流増巾率をもつトランジスターが実現できる。 するための製造工程順断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(他1名)
第1図は、本発明の構造の断面図。
第2図は、従来の構造の断面図。
Claims (1)
- バイポーラ型トランジスターを一部又は全領域に集積し
て構成された半導体装置に於いて、該バイポーラトラン
ジスターのベース領域の一部に金属シリサイド層が構成
され、またエミッタ領域から半導体を成分として含む配
線材により電極が引き出されており、該金属シリサイド
と該配線材とが、全面被着後全面エッチングにより形成
されたサイドウォール絶縁膜を一部に用いて分離されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15879988A JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
KR1019890006455A KR900001034A (ko) | 1988-06-27 | 1989-05-15 | 반도체장치 |
GB8913801A GB2220102B (en) | 1988-06-27 | 1989-06-15 | Method of making a bipolar transistor |
SG41994A SG41994G (en) | 1988-06-27 | 1994-03-22 | Method of making a bipolar transistor |
HK41194A HK41194A (en) | 1988-06-27 | 1994-04-28 | Method of making a bipolar transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15879988A JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027528A true JPH027528A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15679607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15879988A Pending JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027528A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001040641A1 (fr) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Michel Marchisseau | Procede et dispositif pour modifier le taux de compression afin d'optimiser le fonctionnement des moteurs a pistons alternatifs |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15879988A patent/JPH027528A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001040641A1 (fr) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Michel Marchisseau | Procede et dispositif pour modifier le taux de compression afin d'optimiser le fonctionnement des moteurs a pistons alternatifs |
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