JPH027528A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH027528A JPH027528A JP15879988A JP15879988A JPH027528A JP H027528 A JPH027528 A JP H027528A JP 15879988 A JP15879988 A JP 15879988A JP 15879988 A JP15879988 A JP 15879988A JP H027528 A JPH027528 A JP H027528A
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- metal silicide
- insulating film
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- resistance
- silicide layer
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラトランジスターを一部又は全領域に
集積した半導体装置に関し、特にバイポーラトランジス
ターの構造に関する。 〔従来の技術〕 従来の構造の断面を第２図に示す、２０２はコレクター
、２０８はベース、２０７はエミッタをそれぞれ示し、
エミッタからは２０９の多結晶シリコンにより電極が引
き出され、ベースからは２１１の金属配線により電極が
引きだされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 トランジスターのスピードを向上し、かつ電流槽中率を
向上するためには、ベースの不純物濃度を下げるか、ま
たは、ベース長を短かくして、キャリアのベース内走行
時間を短縮する必要がある。但しこのように構造変更を
すると、ベース抵抗が高くなるため、総合的には、殆ん
ど性能向上が望めなくなる。特に第２図に示す従来構造
では、２１１のベースの金属電極接触部と２０７のエミ
ッタ部の距離があるためこの弊害が顕著である０本発明
は、かかるペース抵抗の高抵抗化を抑止しペース抵抗を
下げ、トータルなトランジスター性能を向上することを
目的として考案されたものである。 ［課題を解決するための手段］ ベース抵抗を低減するためにベース領域の一部に金属シ
リサイドを接触構成せしめ、該金属シリサイドと、エミ
ッタとの距離を短かくするために該金属シリサイドとエ
ミッタ電極との分離に、全面被着後全面エッチングによ
り形成したサイドウオール絶縁膜を一部に用いる。
集積した半導体装置に関し、特にバイポーラトランジス
ターの構造に関する。 〔従来の技術〕 従来の構造の断面を第２図に示す、２０２はコレクター
、２０８はベース、２０７はエミッタをそれぞれ示し、
エミッタからは２０９の多結晶シリコンにより電極が引
き出され、ベースからは２１１の金属配線により電極が
引きだされている。 〔発明が解決しようとする課題〕 トランジスターのスピードを向上し、かつ電流槽中率を
向上するためには、ベースの不純物濃度を下げるか、ま
たは、ベース長を短かくして、キャリアのベース内走行
時間を短縮する必要がある。但しこのように構造変更を
すると、ベース抵抗が高くなるため、総合的には、殆ん
ど性能向上が望めなくなる。特に第２図に示す従来構造
では、２１１のベースの金属電極接触部と２０７のエミ
ッタ部の距離があるためこの弊害が顕著である０本発明
は、かかるペース抵抗の高抵抗化を抑止しペース抵抗を
下げ、トータルなトランジスター性能を向上することを
目的として考案されたものである。 ［課題を解決するための手段］ ベース抵抗を低減するためにベース領域の一部に金属シ
リサイドを接触構成せしめ、該金属シリサイドと、エミ
ッタとの距離を短かくするために該金属シリサイドとエ
ミッタ電極との分離に、全面被着後全面エッチングによ
り形成したサイドウオール絶縁膜を一部に用いる。
本発明の構造の断面を第１図に示す、ベース１０９上に
、金属シリサイド層１１０を示す。 １１０の金属シリサイド層と１１１の半導体材料を成分
とする配線材との分離に、１０６の絶縁膜と、１０７の
サイドウオール絶縁膜が用いられる。コレクター１０２
、や素子分離１０３、金属配線１０４，１１２，１１３
等は、従来構造とほぼ同様であり、これらにより本発明
は限定されない０次に第３図の断面図を用いて本発明の
構造を実現する製造方法を示す、この断面図には本発明
の製造方法を説明するための最小部分のみを示す、先ず
素子分離３０２及びベース３０３を形成し、全面に金属
な被着する０次に熱アニールをすることで３０５の金属
が下地シリコンと反応し金属シリサイドになる。この後
適当な溶液により３０４の金属のみをエツチングし３０
５は残す０次に全面に絶縁膜な被着し、フォトリソグラ
フィ、エツチング等によりエミッタ部を開口し、その後
、３０７の第２の絶縁膜を被着する。（Ｂ）図 次に全面をエツチングすると（Ｃ）図３０９のようにサ
イドウオールを形成することができる。 この後エミッタ形成、エミッタ電極形成、配線工程等通
常の方法を用いて第１図の構造が得られる。金属シリサ
イドのための金属としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａなど
が適している。また金属シリサイドを残して金属のみを
エツチングする溶液としては、アンモニアと過酸化水素
との混合液等が適している。 ［発明の効果］ 本発明の効果を第１図、第２図を比較して説明する。金
属シリサイドの抵抗は、通常ベースの不純物拡散抵抗に
較べて著しく低いため、ベース抵抗を極めて低くするこ
とができる。また、第２図の２１１の電極と２０７のエ
ミッタの距離に較べて第１図の１１０の金属シリサイド
と１０８のエミッタの距離を著しく短かくすることがで
きるため更にベース抵抗を低減できる。また第３図３０
７の絶縁膜の膜厚を制御することにより、金属シリサイ
ドとエミッタとの距離が制御できるために、１０８のエ
ミッタ拡散層の横への拡がりを考慮して最適な、１１０
と１０８の距離を設定できる。 以上本発明により、ベース抵抗を低減しかつ、高速・高
電流増巾率をもつトランジスターが実現できる。 するための製造工程順断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）
、金属シリサイド層１１０を示す。 １１０の金属シリサイド層と１１１の半導体材料を成分
とする配線材との分離に、１０６の絶縁膜と、１０７の
サイドウオール絶縁膜が用いられる。コレクター１０２
、や素子分離１０３、金属配線１０４，１１２，１１３
等は、従来構造とほぼ同様であり、これらにより本発明
は限定されない０次に第３図の断面図を用いて本発明の
構造を実現する製造方法を示す、この断面図には本発明
の製造方法を説明するための最小部分のみを示す、先ず
素子分離３０２及びベース３０３を形成し、全面に金属
な被着する０次に熱アニールをすることで３０５の金属
が下地シリコンと反応し金属シリサイドになる。この後
適当な溶液により３０４の金属のみをエツチングし３０
５は残す０次に全面に絶縁膜な被着し、フォトリソグラ
フィ、エツチング等によりエミッタ部を開口し、その後
、３０７の第２の絶縁膜を被着する。（Ｂ）図 次に全面をエツチングすると（Ｃ）図３０９のようにサ
イドウオールを形成することができる。 この後エミッタ形成、エミッタ電極形成、配線工程等通
常の方法を用いて第１図の構造が得られる。金属シリサ
イドのための金属としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａなど
が適している。また金属シリサイドを残して金属のみを
エツチングする溶液としては、アンモニアと過酸化水素
との混合液等が適している。 ［発明の効果］ 本発明の効果を第１図、第２図を比較して説明する。金
属シリサイドの抵抗は、通常ベースの不純物拡散抵抗に
較べて著しく低いため、ベース抵抗を極めて低くするこ
とができる。また、第２図の２１１の電極と２０７のエ
ミッタの距離に較べて第１図の１１０の金属シリサイド
と１０８のエミッタの距離を著しく短かくすることがで
きるため更にベース抵抗を低減できる。また第３図３０
７の絶縁膜の膜厚を制御することにより、金属シリサイ
ドとエミッタとの距離が制御できるために、１０８のエ
ミッタ拡散層の横への拡がりを考慮して最適な、１１０
と１０８の距離を設定できる。 以上本発明により、ベース抵抗を低減しかつ、高速・高
電流増巾率をもつトランジスターが実現できる。 するための製造工程順断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）
第１図は、本発明の構造の断面図。
第２図は、従来の構造の断面図。
Claims (1)
- バイポーラ型トランジスターを一部又は全領域に集積し
て構成された半導体装置に於いて、該バイポーラトラン
ジスターのベース領域の一部に金属シリサイド層が構成
され、またエミッタ領域から半導体を成分として含む配
線材により電極が引き出されており、該金属シリサイド
と該配線材とが、全面被着後全面エッチングにより形成
されたサイドウォール絶縁膜を一部に用いて分離されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15879988A JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
| KR1019890006455A KR900001034A (ko) | 1988-06-27 | 1989-05-15 | 반도체장치 |
| GB8913801A GB2220102B (en) | 1988-06-27 | 1989-06-15 | Method of making a bipolar transistor |
| SG41994A SG41994G (en) | 1988-06-27 | 1994-03-22 | Method of making a bipolar transistor |
| HK41194A HK41194A (en) | 1988-06-27 | 1994-04-28 | Method of making a bipolar transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15879988A JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027528A true JPH027528A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15679607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15879988A Pending JPH027528A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040641A1 (fr) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Michel Marchisseau | Procede et dispositif pour modifier le taux de compression afin d'optimiser le fonctionnement des moteurs a pistons alternatifs |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP15879988A patent/JPH027528A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040641A1 (fr) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Michel Marchisseau | Procede et dispositif pour modifier le taux de compression afin d'optimiser le fonctionnement des moteurs a pistons alternatifs |
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