JPH02737A - ジアルキルアミノエチルアミンの製造法 - Google Patents

ジアルキルアミノエチルアミンの製造法

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JPH02737A
JPH02737A JP63326405A JP32640588A JPH02737A JP H02737 A JPH02737 A JP H02737A JP 63326405 A JP63326405 A JP 63326405A JP 32640588 A JP32640588 A JP 32640588A JP H02737 A JPH02737 A JP H02737A
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Hanswilhelm Bach
ハンスヴイルヘルム・バツハ
Klaus Mathieu
クラウス・マチユー
Claus Kniep
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/20Carbon compounds
    • B01J27/232Carbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C209/00Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C209/44Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by reduction of carboxylic acids or esters thereof in presence of ammonia or amines, or by reduction of nitriles, carboxylic acid amides, imines or imino-ethers
    • C07C209/48Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton by reduction of carboxylic acids or esters thereof in presence of ammonia or amines, or by reduction of nitriles, carboxylic acid amides, imines or imino-ethers by reduction of nitriles

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジアルキルアミンエチルアミンを、ジアルキ
ルアミノアセトニトリルなコバルト触媒を用いて水素添
加することにより製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
ジアルキルアミンエチルアミンは、一連の医薬を製造す
るだめの化学工業における、需要のある中間生成物であ
る。そこで、ジエチルアミノエチルアミン化合物は、プ
ロカインアミド(Procainamid)、アンベノ
ニウムクロリド(Ambenoniumchlorid
)、メトクロプラミド(Metoc’lopramLd
)およびキンコカインを合成するための重要な原料であ
る。
ジアルキルアミノエチルアミンは、数種の方法で得られ
る。文献に種々の変法で記載されている方法は、カリウ
ム−フタル酸イミドとジアルキルアミノエチルハロデニ
ドとを反応させることである。また、この反応はカリウ
ム−フタル酸イミドの代わりにアンモニアまたはへキサ
メチレンテトラミンを用いて実施することもできる。こ
の方法の欠点は、高い化学薬品消費量、および反応生成
物によって惹起される廃水負荷である。したがって、こ
の方法を工業的規模で使用することは制限されている。
極めて廉価なのは、エチレンイミンとジアルキルアミン
とを反応させることである。しかしながらこの反応は、
高い貴注のエチレンイミンの存在を義務づけられている
ジアルキルアミノエチルアミンを導くもう1つの方法は
、ジアルキルアミン、ホルムアルデヒドおよびシアン化
アルカリのマンニッヒ反応(Mannich−Reak
tion)でちシ、この反応によりジアルキルアミノア
セトニトリルが得うレル。
水素添加により、これらのアセトニトリルから屓終的に
所望のジアミンが得られる。
ニトリル基をアミノ基に変換することは、ナトリウムま
たは水素化アルミニウムリチウムを用いて行なうことが
できる。これら方法は、工業的重要性を有しない。工業
において水素添加は、融媒の存在で水素を用いて実施さ
れる。
すなわち、ジエチルアミノアセトニトリルは、ウイナン
ス(Winans)およびアドキンス(Adkin8)
〔Am、 Boa、第55巻、第4167頁(1933
年)〕によれば、ラニー・ニッケルを用いて水素添加し
て、67%の収率でジアミンに変えることができる。こ
のような収率が工業的方法のためには少なすぎることは
別として、ウイナンスおよびアドキンスのデータは、容
易に再現することはできなかった(”Houben−W
eyl”l 1/ 1、第566頁参照)。
英国l特許第745684号明細書には、N。
N−ジアルキルアミノアセトニトリルを指示気圧および
110℃よシも下の温度で接触水素添加することにより
、N、N−ジアルキルアミノエチルアミンを製造する方
法が記載されている。
この方法は92%の収率を提示するが、しかし液体アン
モニアおよびラニー・コバルトの使用を必要とし、この
ラニー・コバルトの製造は費用がかかる。その上、ラニ
ー触媒は固定層として配置することはできず、たんに懸
濁液で使用することができるにすぎない。
〔発明を達成するための手段〕
したがって、公知技術水準の前記欠点を克服しかつジア
ルキルアミノアセトニトリルの水素添加を、代表的な工
業的薬剤によって高い収率で可能とする方法を開発する
という課題が生じた。
本発明の対象は、ジアルキルアミノエチルアミンを、ジ
アルキルアミノアセトニトリルをコバルト触媒の存在で
水素添加することによシ製造する方法において、水素添
加を40〜120℃および4〜15 MPaで、コバル
ト塩の水溶液から20〜95℃で炭酸アルカリ(Alk
ali −carbonat)水溶液を用いて炭酸コバ
ルトを沈殿させ、濾過し、洗浄し、場合によって触媒材
料を成形しかつ引き続き200〜300℃の間、特に2
20〜280℃の間の温度で水素を用いて還元すること
によって得られた触媒を用いて行なうことを特徴とする
、ジアルキルアミノエチルアミンの製造法である。
意外にも、本発明による新規方法により、ジアルキルア
ミノアセトニトリルを簡単に、高い収率および高い選択
率でシアルキルアミノエチルアミンに変えることが可能
となる。
本発明の本質的な特徴は、特定の方法で製造されたコバ
ルト触媒を、二) IJルの水素添加に使用することで
ある。
これらの触媒は、還元された状態でコl々ルトからなる
。有利な1構成によれば、これらの触媒は、さらに0.
25〜15重量%のSiO2、MnO2、ZrO2、A
J 2 o3またはMgOを酸化物、水酸化物または酸
化物水和物の形で含有する。これらの添加剤は、個々に
使用されるか、またはこれらの物質の2種または数種の
組み合わせ物として使用される。これらの添加剤の含量
は、1〜8重量%および殊に2〜5重量%であるのが有
利である。前記の全ての重量%値は、遣元前の無水状態
での全触媒材料に対するものである。
ん 上記の構造式は、た鞠に触媒材料の定量的組成を説明す
るために用いられるにす−ぎず、これらの式が必ずしも
添加剤の正確な化学構造な表わtとはかぎらない。酸化
物としての他に、これらの添加剤は還元されてない触媒
ならびに還元された触媒中に、水酸化物および殊に酸化
物水和物として含まれていてもよい。
添加剤の作用様式は、詳細には明らかにされていない。
試験結果が、これらの添加剤が触媒の構造、殊にその表
面構造を高い温度での焼結効果に対して安定化すること
を証明している。
さらにこれらの添加剤は、触媒材料から製造された成形
体の機械的安定性をも高める。
コバルト触媒を製造するためには、20〜95℃でコノ
マルト塩の水溶液から炭酸アルカリ(Allcalic
arbonat)水溶液を用いて炭酸コ/4ルトな沈殿
させる。概念炭酸コバル) (Koba’1tcar−
bonat)とは、簡単に言えば選択された反応条件下
でのコバルト塩と炭酸アルカリとからの反応生成物を意
味するが、この反応生成物は式coc3に一致する必要
はなく、たとえば塩基性炭酸コバルトを包含することも
できる。適当なコア々ルト塩は、たとえば窒化コバルト
、塩化コノ々ルト、硫酸コバルト、酢酸コバルトである
。炭酸アルカリとしては、殊にナトリウム−またはカリ
ウム化合物が挙げられる。原料の溶液は、コノマルト塩
ないしは炭酸アルカリを、それぞれ溶液11あたりco
ないしは炭酸アルカリ25〜150Iの濃度で含有する
。コノマルト塩と炭酸アルカリとは、等モル量で互いに
反応させることができるが、しかし炭酸アルfi IJ
過剰量で作業するはうが、有利である。コバルト塩1モ
ルにつき炭酸アルカリ1.1〜1.5モルおよび殊に1
.2〜1.3モルを使用することが有利であることが立
証された。
1種または数種の添加剤を含有するコバルト触媒を製造
するためには、相応する物質をコバルト塩の溶液または
炭酸アルカリ溶液中に懸濁させることができる。しかし
添加剤の可溶性塩を沈殿前にコバルト塩溶液に加え、か
つ炭酸コバルトと添加剤とを一緒に沈殿させることも、
同様に十分に有効に行なうことができる。最後に、炭酸
コバルトの沈殿を別個に行ない、引き続き添加剤を炭酸
コバルト上に落下させることも可能である。
触媒の能力に関して極めて重要なことは、触媒の還元、
ひいては触媒の活性化を実施することである。この還元
は、200℃、有利に220℃ではじまりかつ300℃
1有利に280℃を越えない温度範囲内で行なわれる。
少なくとも3時間に、段階的に上昇する温度で還元する
ことが特に有利である。
還元剤としては、水素が使用される。この水素は、常圧
で触媒11および1時間あたりH2200〜2000A
’ (200〜2000VH/vKat−h)、有利に
300〜1000vH/vKat ’ hおよび殊に4
00〜700vH/vKat−hの空間速度で、触媒堆
積物に通される。
第1段階で220〜250℃、特に230〜240℃の
温度を調節しかつ1〜4時間、殊に2〜6時間維持する
ことが、有利であることが立J1Eされた。第2段階で
還元は、245〜260°01特に250〜255℃で
、1〜5時間、殊に2〜6時間で行なわれる。引き続き
、還元は255〜280℃1特に260〜270℃で、
さらに1〜5時間、殊に2〜3時間で終結される。
還元された触媒は、発火性でかつ空気中で自己発火性で
ある。したがって、良好な取シ扱いのためには、この触
媒は、不活性ガスによって強力に希釈されている酸素を
用いて処理される。
例えば、酸素を約0.5〜約1容量−の濃度で含の状態
で、空気中で約80℃までは安定であり、かつ自己発火
性でない。
本発明による新規方法は、ジアルキルアミノアセトニト
リルを極めて選択的にかつ高い収率で、相応するジアル
キルアミノエチルアミンに変えることができる。これら
のニトリルは市販の工業的形で、水素添加に使用するこ
とができ、たとえば製造に起因する不純物を除去するだ
めの特別な前処理は必要ない。水素添加それ自体は、4
0〜120℃の温度および4〜15MPaの圧力で実施
される。45〜100℃1特に50〜80℃および6−
12MPa、特に8〜1Q MPaで作業することが、
特に有利であることが立証された。
ジアルキルアミノアセトニトリルは、固体で使用するこ
とができる。しかし、ジアルキルアミノアセトニトリル
を不活性溶剤中に溶かして水素添加反応器に供給するこ
とが有利である。
溶剤としては、脂肪族、脂環式および芳香族炭化水素お
よび脂肪族アルコールを使用することができる。適当な
溶剤は、たとえばシクロヘキサン、トリオール、ブタノ
ール、2−エチルヘキサノールである。シクロヘキサン
が特に有利であることが立証された。溶液中でのジアル
キルアミノアセトニトリルの濃度は、(それぞれ溶液に
対して)5〜50重量%の間、特に10〜40重量%お
よび殊に15〜60重量%である。
有利な1構成によれば、ニトリルにアンモニアが添加さ
れる。これによシ、ジアルキルアミノエチルアミンに対
する水素添加の選択率を90チよりも上に高めることが
達成される。ニトリル1モルにつきアンモニア1〜20
モルを使用することが有利であることが立証された。
特に良好な結果は、出発混合物中にニトリル1モルにつ
きアンモニア1.5〜15モル、殊に2〜10モルが含
まれている場合に得られる。
本発明による新規方法は、一般式: 〔ただし、R1およびR2は同じかまたは異なっており
、かつそれぞれ1〜9個の炭素原子を有する非分枝また
は分枝アルキル基を表わす〕で示されるジアルキルアミ
ノアセトニトリルを水素添加して、相応するジアミンに
変えることができる。本発明による方法は、R1および
R2が同一であり、かつそれぞれ1〜6個の炭素原子を
有する非分枝または分枝アルキル基、殊にそれぞれ2〜
4個の炭素原子を有する非分枝または分校アルキル基を
表わすようなアルキルアミノアセトニトリルを水素添加
するために特に適当である。
ジアルキルアミノアセトニトリルを水素添加することは
、不連続的にも、殊に連続的にも実施することができる
。連続的に実施する場合、触媒は、出発混合物が底部か
ら供給される管中に配置されている。装入物質を十分に
予熱することを規定すべきである。空間速度を、触媒1
容量および1時間あたりジアルキルアミノアセトニトリ
ルないしはソアルキルアミノアセトニトリル溶液0,0
5〜1.0容量の間、殊に0.1〜0.5容量の値に調
節することが推奨される。
次の実施例で、本発明により使用される触媒の製造およ
びジアルキルアミノアセトニトリルの水素添加を記載す
る。しかし、本発明をこれらの特殊な実施例だけに制限
することを意図するものではない。
〔実施例〕
例1:添加剤なしのコバルト触媒の製造脱イオン水7.
51中のNa2GO38001の90℃に加熱された溶
液中に、強力な攪拌下に、脱イオン水7.51中のCo
(NO3)2・6H20(含675gco)1852g
の95℃に加熱された溶液を、2分間に流入させる。8
.2〜8.4の?H−値を有する水中の炭酸コバルトの
懸濁液が生じる。
沈殿生成物を濾別しかつ凝縮水(Kondθn5at 
−Wassar) (温度=70℃)約901!で激し
く洗浄し、その結果、洗浄水の導電率は、洗浄過程の終
了後に100μsよりも小さくなる。なお湿った触媒前
生成物を、再び脱イオン水中に懸濁させ、その後に噴霧
乾燥する。この材料は、コバルト約53.5重量%を含
有する。
還元のために、管状反応器(直径:50朋)中で、乾燥
した触媒材料0.51に240℃で2時間で、N220
0I!/hを通す。その淡に、温度を250℃に高め、
さらに2時間N22001/hで還元し、かつ、触媒を
さらに2時間、260℃でN22001 / hで処理
することにより還元を終了させる。安定化のため′に、
この粉末を50〜70℃で、020.7容量チを含有す
るN2−流で処理し、引き続きこの粉末をタブレットに
圧縮する。
例2:添加剤を有するコバルト触媒の製造脱イオン水7
.51中のNa2CO3840gの90℃に加熱された
溶液中に、強力な攪拌下に、脱イオン水7.51中の0
0 (NO3)2・6H20(含675gco)185
2.!i’およびMn(NO3)2 ・4H2085,
73Nの95°OK加熱された溶液を、2分間に均一に
流入させる。8.2〜8.4の…値を有する、水中の炭
酸コバルトおよび炭酸マンガンの懸濁液が生じる。沈殿
生成物を濾別しかつ70℃の熱い凝縮水的906で激し
く洗浄し、その結果、洗浄水の導電率は、洗浄過程の終
了後に100μsよりも小さくなる。
なお湿った触媒前生成物を、再び脱イオン水中に懸濁さ
せ、その後に噴霧乾燥する。この材料は、CO約52重
量%およびMnO2約4.1重量%を含有する。
触媒の還元を、例1に記載されたようにして行なう。
例6:ジエチルアミノアセトニトリルの水素添加 28 =、rxO内X[径および3mの長さの加熱可能
な二重ジャケット管(Doppelmantelroh
r)中に、例1に記載されたコバルト触媒1.81を、
61m!の直径を有するタブレットの形で固定層として
配置する。70℃に加熱し、751つ水素を3 MPa
の圧力下に、ならびにぎストンポンプによシ1時間につ
き連続的にシクロヘキサン中のジエチルアミノアセトニ
トリルの溶液(溶液に対してニトリル15蓋量%)30
0mJを、反応管の底部から供給する。反応器ヘッドか
ら流出する生成物は、ジエチルアミノアセトニトリルを
含有しない。ガスクロマトグラフィにより、溶剤86.
5 %と共に、ジエチルアミノエチルアミン11%を検
出する。
例4ニジエチルアミノアセトニトリルの水素添加 例6の反応器中で、例2からの触媒1.81の使用下に
、60℃および8MPaのN2圧で、シクロヘキサン中
の60重量%の溶液(溶液に対して)の形の2エチルア
ミノアセトニトリルを反応させる。同時に、反応器にニ
トリル1モルあたりNH32−5モルを供給し、かつ通
過量を9007IIl/hに高める。ジエチルアミノア
セトニトリルは、完全に変換されている。反応生成物は
、ガスクロマトグラフィの評価によればシクロヘキサン
76.2%およびジエチルアミノエチルアミン25.1
 %を含有する。
例5ニジエチルアミノアセトニトリルの水素添例6の反
応器中で、50℃シよび8MPaのH2圧で、未希釈の
ジエチルアミノアセトニトリルを反応させる。ニトリル
1モルにつき、NH32,5モルを反応器に供給し、通
過量を180m1 / h 含V / Vh = Q、
 I K調節する。ニトリルを完全に反応させ、反応生
成物はがスクロマトグラフィ分析によれば、ジエチルア
ミノエチルアミン89.7 %を含有し、残シは分解生
成物である。反応生成物の麦処浬を、24の理論段数を
有する塔中で行なう。ジエチルアミノエチルアミンを、
99%よりも多い純度で得る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ジアルキルアミノエチルアミンを、ジアルキルアミ
    ノアセトニトリルをコバルト触媒の存在で水素添加する
    ことにより製造する方法において、水素添加を40〜1
    20℃および4〜15MPaで、コバルト塩の水溶液か
    ら20〜95℃で炭酸アルカリ水溶液を用いて炭酸コバ
    ルトを沈殿させ、濾過し、洗浄し、場合によつて触媒材
    料を成形しかつ引き続き200〜300℃の間の温度で
    水素を用いて環元することによつて得られた触媒を用い
    て行なうことを特徴とする、ジアルキルアミノエチルア
    ミンの製造法。 2、触媒が付加的に、全触媒材料に対してSiO_2、
    MnO_2、ZrO_2、Al_2O_3またはMgO
    0.25〜15重量%を個々にまたはこれらの物質の2
    種または数種の組み合わせ物として、酸化物、水酸化物
    または酸化物水和物の形で含有する、請求項1記載の方
    法。 3、SiO_2、MnO_2、ZrO_2、Al_2O
    _3またはMgOが、全触媒材料に対して1〜8重量%
    の量で触媒中に含まれている、請求項2記載の方法。 4、還元を少なくとも3時間に、段階的に上昇する温度
    で行なう、請求項1から3までのいずれか1項記載の方
    法。 5、還元を、第1段階では220〜250℃の温度で、
    第2段階では245〜260℃でかつ第3段階では25
    5〜280℃で実施する、請求項4記載の方法。 6、水素添加を、45〜100℃で行なう、請求項1か
    ら5までのいずれか1項記載の方法。 7、水素添加を、6〜12MPaで行なう、請求項1か
    ら6までのいずれか1項記載の方法。 8、ジアルキルアミノアセトニトリルを、不活性溶剤中
    に溶かして使用する、請求項1から7までのいずれか1
    項記載の方法。 9、溶液中のジアルキルアミノアセトニトリルの濃度が
    、5〜50重量%である、請求項8記載の方法。 10、水素添加をアンモニアの存在で行ない、その際ジ
    アルキルアミノアセトニトリル1モルあたり1〜20モ
    ルを使用する、請求項1から9までのいずれか1項記載
    の方法。
JP63326405A 1987-12-30 1988-12-26 ジアルキルアミノエチルアミンの製造法 Granted JPH02737A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE19873744506 DE3744506A1 (de) 1987-12-30 1987-12-30 Verfahren zur herstellung von dialkylaminoethylaminen
DE3744506.5 1987-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02737A true JPH02737A (ja) 1990-01-05
JPH05377B2 JPH05377B2 (ja) 1993-01-05

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US (1) US5124485A (ja)
EP (1) EP0322761B1 (ja)
JP (1) JPH02737A (ja)
AT (1) ATE73125T1 (ja)
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US4962065A (en) * 1989-02-13 1990-10-09 The University Of Arkansas Annealing process to stabilize PECVD silicon nitride for application as the gate dielectric in MOS devices

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