JPH0269922A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0269922A JPH0269922A JP22174488A JP22174488A JPH0269922A JP H0269922 A JPH0269922 A JP H0269922A JP 22174488 A JP22174488 A JP 22174488A JP 22174488 A JP22174488 A JP 22174488A JP H0269922 A JPH0269922 A JP H0269922A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/0425—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体電解コンデンサに関するものである。
従来の技術
従来のデイツプ形、チップ形固体電解コンデンサは、タ
ンタル、アルミニウム等の弁作用金属に陽極酸化法によ
り誘電体膜を形成し、更に二酸化マンガンの様な半導体
層その上をカーボン層で形２７、−７ 成した後、陰極層として銀ペイントが使用されている。
ンタル、アルミニウム等の弁作用金属に陽極酸化法によ
り誘電体膜を形成し、更に二酸化マンガンの様な半導体
層その上をカーボン層で形２７、−７ 成した後、陰極層として銀ペイントが使用されている。
しかし陰極層に銀ペイントを使用した場合、外装に樹脂
を使用した固体電解コンデンサは、高温高湿雰囲気下で
放置すると、銀ペイント中のＡｇ＋イオンが、コンデン
サの素子を形成する積層構造中を移動する事象がありＡ
［＋イオンが陽極酸化皮膜に達することにより短絡等の
不良が生じる。
を使用した固体電解コンデンサは、高温高湿雰囲気下で
放置すると、銀ペイント中のＡｇ＋イオンが、コンデン
サの素子を形成する積層構造中を移動する事象がありＡ
［＋イオンが陽極酸化皮膜に達することにより短絡等の
不良が生じる。
これを防止するために、陰極層として銀板外の金属をア
ーク溶射又は、プラズマ溶射によって形成させたもの等
がある。
ーク溶射又は、プラズマ溶射によって形成させたもの等
がある。
発明が解決しようとする課題
近年、電子機器の信頼性向上が望まれる中で、そのセッ
トに使用される電子部品に対する信頼性向上の要望も厳
しくなっている。特にタンタル固体電解コンデンサの場
合、陰極層に銀が使用され、高温高湿雰囲気下で放置し
た場合、外装樹脂より水分の侵入が起こシ、銀ペイント
中のＡｇ＋イオンが移動し、陽極酸化皮膜に達すること
で、短絡又は漏れ電流大不良が発生する。そこで耐湿特
性としては４０〜６０℃９５％ＲＨ１０００時間の保３
７、−７ 証しか出来ていないのが現状である。タンタル固体電解
コンデンサに対しては、特に耐湿特性の向上が望まれて
おシ、最近では８５℃８５％１０ｏ。
トに使用される電子部品に対する信頼性向上の要望も厳
しくなっている。特にタンタル固体電解コンデンサの場
合、陰極層に銀が使用され、高温高湿雰囲気下で放置し
た場合、外装樹脂より水分の侵入が起こシ、銀ペイント
中のＡｇ＋イオンが移動し、陽極酸化皮膜に達すること
で、短絡又は漏れ電流大不良が発生する。そこで耐湿特
性としては４０〜６０℃９５％ＲＨ１０００時間の保３
７、−７ 証しか出来ていないのが現状である。タンタル固体電解
コンデンサに対しては、特に耐湿特性の向上が望まれて
おシ、最近では８５℃８５％１０ｏ。
時間保証やプレッシャークツカーテストに対する保証の
要求も強まって来ておシ、そこで、耐湿特性の向上のた
めに陰極層を銀板外の金属、例えば錫−鉛合金やニッケ
ル、銅等をアーク溶射又は、プラズマ溶射にて形成する
方法が出て来ている。
要求も強まって来ておシ、そこで、耐湿特性の向上のた
めに陰極層を銀板外の金属、例えば錫−鉛合金やニッケ
ル、銅等をアーク溶射又は、プラズマ溶射にて形成する
方法が出て来ている。
この方法では、例えば錫−鉛合金の場合、第４図（Ｃ）
に示す様に高温高湿雰囲気下でも短絡や漏れ電流不良は
殆んどなくなる。しかしこのままでは、外装樹脂より侵
入した水分が積層各部の界面に至り、容量変化や、ｔａ
ｎδ劣化を招き、漏れ電流以外の特性については、保証
が難かしい。
に示す様に高温高湿雰囲気下でも短絡や漏れ電流不良は
殆んどなくなる。しかしこのままでは、外装樹脂より侵
入した水分が積層各部の界面に至り、容量変化や、ｔａ
ｎδ劣化を招き、漏れ電流以外の特性については、保証
が難かしい。
そこで本発明は耐湿試験において、漏れ電流のみならず
、容量変化やｔａｎδ劣化についても解決する事を目的
とする。
、容量変化やｔａｎδ劣化についても解決する事を目的
とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は、上記の問題点を解決するために、カーボン層
形成後の電極体上にシリコンオイル層を形成し、そして
陰極層として銀ペイント以外の錫。
形成後の電極体上にシリコンオイル層を形成し、そして
陰極層として銀ペイント以外の錫。
鉛、銅、ニッケル、アルミニウムの単体又は、２種以上
の合金からなる金属層をアーク溶射又は、プラズマ溶射
にて吹きつけて形成し、その金属粒子の一部をシリコン
オイル層を貫通させてカーボン層に達する構成としたも
のである。
の合金からなる金属層をアーク溶射又は、プラズマ溶射
にて吹きつけて形成し、その金属粒子の一部をシリコン
オイル層を貫通させてカーボン層に達する構成としたも
のである。
作用
この構成によシ、陰極層に銀を用いない事で高温高湿下
でも短絡や漏れ電流が大きいという不良を大巾に低減す
る事が出来る。又カーボン層と、アーク溶剤又は、プラ
ズマ溶射により形成された金属陰極層間にあるシリコン
オイル層によシミ楔体内部への水分の侵入を防止出来、
容量変化、ｔａｎδ劣化も大きく改善する事が出来る。
でも短絡や漏れ電流が大きいという不良を大巾に低減す
る事が出来る。又カーボン層と、アーク溶剤又は、プラ
ズマ溶射により形成された金属陰極層間にあるシリコン
オイル層によシミ楔体内部への水分の侵入を防止出来、
容量変化、ｔａｎδ劣化も大きく改善する事が出来る。
実施例
以下、本発明の一実施例を示す第１図〜第４図を用いて
説明する。
説明する。
第１図に本発明の一実施例による固体電解コンデンサの
素子部を示しておシ、図において１は弁作用金属からな
る陽極リード線、２は陽極リード５７、−７ 線１を埋め込んだ状態で弁作用を有する金属粉末を成形
し、焼結した陽極体、３は陽極酸化による誘電体層、４
は二酸化マンガン等の半導体層、５はカーボン層、６は
シリコンオイル層、７はアーク溶射又はプラズマ溶射に
よシ金属粒子を吹きつけて形成した溶射層で、第２図の
様にとの溶射層の一部はシリコンオイル層６を貫通して
カーボン層５に達している。さらに、これらの誘電体層
３から溶射層７までの各層は、陽極体２上に順次積層形
成されている。
素子部を示しておシ、図において１は弁作用金属からな
る陽極リード線、２は陽極リード５７、−７ 線１を埋め込んだ状態で弁作用を有する金属粉末を成形
し、焼結した陽極体、３は陽極酸化による誘電体層、４
は二酸化マンガン等の半導体層、５はカーボン層、６は
シリコンオイル層、７はアーク溶射又はプラズマ溶射に
よシ金属粒子を吹きつけて形成した溶射層で、第２図の
様にとの溶射層の一部はシリコンオイル層６を貫通して
カーボン層５に達している。さらに、これらの誘電体層
３から溶射層７までの各層は、陽極体２上に順次積層形
成されている。
次に、製造方法について説明する。
タンタル粉末を陽極引出し線であるタンタル線と共に成
形し、焼結した後、陽極酸化によＪＴａ２０５皮膜を形
成し更に二酸化マンガン層、カーボン層を順次形成した
後、第３図（ａ）に示す様に電極体１゜をシリコンオイ
ル１１に浸漬する。使用したシリコンオイルは希釈剤に
て約３０〜５ Ｑ Ｏ９ｐ、 Ｓの粘度に調整したもの
を用い、浸漬後の乾燥は約１８Ｑ℃の熱風循環式炉で１
２０分間放置した。乾燥後のシリコン膜厚はＯ−０，０
６μｍ程度であった。そ６ヘー／ の上に、アーク溶射又は、プラズマ溶射による金属陰極
層を形成する。その時、金属粒子の一部がシリコンオイ
ル層を貫通しカーボン層に到達する事によシ、よシ確実
な電気導電性が確保出来る。
形し、焼結した後、陽極酸化によＪＴａ２０５皮膜を形
成し更に二酸化マンガン層、カーボン層を順次形成した
後、第３図（ａ）に示す様に電極体１゜をシリコンオイ
ル１１に浸漬する。使用したシリコンオイルは希釈剤に
て約３０〜５ Ｑ Ｏ９ｐ、 Ｓの粘度に調整したもの
を用い、浸漬後の乾燥は約１８Ｑ℃の熱風循環式炉で１
２０分間放置した。乾燥後のシリコン膜厚はＯ−０，０
６μｍ程度であった。そ６ヘー／ の上に、アーク溶射又は、プラズマ溶射による金属陰極
層を形成する。その時、金属粒子の一部がシリコンオイ
ル層を貫通しカーボン層に到達する事によシ、よシ確実
な電気導電性が確保出来る。
なお貫通していない部分に関しても上記程度のシリコン
オイル膜厚では１〜３ｖ程度の直流電圧で、絶縁破壊す
る事も確認されている。この様に構成した後、第３図（
ｂ）の様に陽極リード線１と陽極引き出し端子１２を接
合し、陰極形成後の電極体１５と陰極引き出し端子１３
は、導電性接着剤１４によって接合し、第３図（０）の
様にエポキシ樹脂１６によってトランスファーモールド
成形を行ない、陽極引き出し端子１２及び陰極引き出し
端子１３をモールド樹脂に沿って折り曲げてチップタン
タル固体電解コンデンサを完成した。
オイル膜厚では１〜３ｖ程度の直流電圧で、絶縁破壊す
る事も確認されている。この様に構成した後、第３図（
ｂ）の様に陽極リード線１と陽極引き出し端子１２を接
合し、陰極形成後の電極体１５と陰極引き出し端子１３
は、導電性接着剤１４によって接合し、第３図（０）の
様にエポキシ樹脂１６によってトランスファーモールド
成形を行ない、陽極引き出し端子１２及び陰極引き出し
端子１３をモールド樹脂に沿って折り曲げてチップタン
タル固体電解コンデンサを完成した。
完成したチップタンタルコンデンサは１６ｖ２２μＦで
、本発明品と従来品について比較試験を行った。
、本発明品と従来品について比較試験を行った。
第４図は、耐湿試験における電気特性の確認であシ同図
体）は静電容量変化率、同図（ｂ）はｔａｎδ、７７、
−７ 同図（Ｃ）は漏れ電流の特性を示しておシ、全ての特性
で明らかに本発明品の方が良い結果が得られた。
体）は静電容量変化率、同図（ｂ）はｔａｎδ、７７、
−７ 同図（Ｃ）は漏れ電流の特性を示しておシ、全ての特性
で明らかに本発明品の方が良い結果が得られた。
発明の詳細
な説明したように、本発明によると、従来品と比較し、
短絡、漏れ電流が大きいという不良の大幅な低減及び容
量変化、ｔａｎδ劣化の改善を行うことができる。
短絡、漏れ電流が大きいという不良の大幅な低減及び容
量変化、ｔａｎδ劣化の改善を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例による固体電極コンデンサの
素子部を示す断面図、第２図は同素子部の要部を示す拡
大図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同コンデンサの要部製造
工程を示す工程図、第４図（＋！Ｌ）〜（０）は本発明
品と従来品の耐湿特性図である。 １・・・・・・陽１ｆ、リード線、２・・・・・・陽極
体、３・・・・・・誘電体層、４・・・・・・半導体層
、５・・・・・・カーボン層、６・・・・・・シリコン
オイル層、７・・・・・・溶射層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名憾 ＼０ Φ
素子部を示す断面図、第２図は同素子部の要部を示す拡
大図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同コンデンサの要部製造
工程を示す工程図、第４図（＋！Ｌ）〜（０）は本発明
品と従来品の耐湿特性図である。 １・・・・・・陽１ｆ、リード線、２・・・・・・陽極
体、３・・・・・・誘電体層、４・・・・・・半導体層
、５・・・・・・カーボン層、６・・・・・・シリコン
オイル層、７・・・・・・溶射層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名憾 ＼０ Φ
Claims (1)
- 弁作用を有する金属粉末を成形し、陽極引き出しとして
弁作用金属線を埋め込み焼結した陽極体上に、誘電体層
，半導体層，カーボン層，シリコンオイル層，アーク溶
射又はプラズマ溶射により形成され一部が上記シリコン
オイル層を貫通して上記カーボン層に達した陰極層を順
次積層形成したことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22174488A JPH0269922A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22174488A JPH0269922A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269922A true JPH0269922A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16771545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22174488A Pending JPH0269922A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269922A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000022636A1 (de) * | 1998-10-12 | 2000-04-20 | Epcos Ag | Tantal-elektrolytkondensator |
| CN107824796A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-23 | 安徽工业大学 | 一种结构中含有有序纳米沉积物的多主元合金粉体材料的制备方法 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22174488A patent/JPH0269922A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000022636A1 (de) * | 1998-10-12 | 2000-04-20 | Epcos Ag | Tantal-elektrolytkondensator |
| CN107824796A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-23 | 安徽工业大学 | 一种结构中含有有序纳米沉积物的多主元合金粉体材料的制备方法 |
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