JPH026422A - ３ｚ，６ｚ，８ｅ‐ドデカトリエノールの製造方法並びにこの製造方法において使用する中間体及びこれら中間体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノール
の製造方法並びにこの製造方法において使用する中間体
及びこれら中間体の製造方法に関し、その目的は天然の
シロアリ道標ベフェロモンと同じ立体配置の３Ｚ、　６
Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノールを極めて筒便な加水分
解という方法のみで、つまり高収率で合成できる前駆中
間体の創出にあり、しかもこれら前駆中間体の出発物質
が汎用的で入手が容易な、従って工程全体として工業的
生産方法に適した３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエ
ノールの製造方法並びにこの製造方法において使用する
中間体及びこれら中間体の製造方法の提供にある。

尚、この明細書において、シロアリ道標ベフエロモンと
は、ヤマトシロアリ道標ベフエロモンを意味する。

（従来技術） 一般に、等翅目ミゾガシラシロアリ科に属するヤマトシ
ロアリは、木造家屋の木質構造材の繊維質を分解して、
木材の構造力を低下させる被害を及ぼすシロアリの一種
として良く知られている。

従来、シロアリの駆除剤として有機塩素系農薬が使われ
てきたが、強い残留毒性のため、昭和６２年に使用禁止
となった。

現在、有機塩素系農薬に替わるシロアリ防除に使用する
物質として、シロアリの産生ずる道標ベフェロモンであ
る３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノールが研究さ
れている。

該フェロモンの合成に関する技術として例えば、ａ）　
３．４−エポキシブタノールを原料とする方法、ｂ）　
ブタナールを原料とする方法等が知られている。

［（ａ）　Ｊ、　Ｉｎ５ｅｃ、　Ｐｈｙｓｉｏｌ、、　
１７．１８１−１８８（１９７１）。

（ｂ）　Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ、、　３４（７）、
　２１８０−２１８２．１しかし、これらの方法は以下
に示すような欠点を有している。

（従来技術の欠点） すなわち、ａ）の３．４−エポキシブタノールを原料と
する方法、ｂ）のブタナールを原料とする方法で得られ
たドデカトリエノールは、いずれの場合も３位、８位の
二重結合は天然フェロモンと同じくそれぞれシス体（Ｚ
）　、ｌ−ランス体（Ｅ）に制御されているものの、６
位の二重結合はシス体（Ｚ）とトランス体（Ｅ）の混合
物として得られ、結局天然フェロモンとは立体配置が異
なったドデカトリエノールが混在するものであった。

シロアリ道標ベフェロモンである３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ
−ドデカトリエノールの６位の二重結合は、シス体に制
御されていなければシロアリ道標ベフェロモンとしての
有効性が認められず（Ｔａｉ　ｅｔ　ａｌ、、　Ｊ。

Ｉｎ５ｅｃｔ、　Ｐｈｙｓｉｏｌ、、　１７．１８Ｈ１
９７１）、）　、結局前記従来方法ではいずれも幾何異
性体の分離操作を必ず必要とし、好ましいシロアリ道標
ベフエロモンを簡単に高収率で得ることは困難であった
。

（発明の解決課題） そこでこの発明者らは、天然のシロアリ道標べフェロモ
ンと同じ立体配置の３２．６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエ
ノールを極めて簡便な加水分解という方法のみで、つま
り高収率で合成できる中間体を創出し、しかもこれら中
間体の出発物質が汎用的で入手が容易な、従って工業的
生産方法に適した３Ｚ。

６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノールの製造方法並びにこ
の製造方法において使用する中間体及びこれら中間体の
製造方法を創出せんとした。

（発明の解決手段） 即ち、この発明者らは１−ＯＲ−３Ｚ，６Ｚ、　８Ｅ−
ドデカトリエン（次式１）を加水分解することを特徴と
する３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノール（次式
２）の製造方法並びにこの製造方法において使用する中
間体及びこれら中間体の製造方法を提供することにより
特定の合成中間体から天然のシロアリ道標ベフェロモン
と同じ立体配置の３２．６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノ
ールを加水分解という極めて簡単な方法のみで、つまり
高収率で合成できる前駆中間体の創出に成功し、しかも
これら前駆中間体はぞの出発物質が汎用的で入手が容易
な、従って工程全体として工業的生産方法に適した３Ｚ
、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノールの製造方法並び
にこの製造方法において使用する中間体及びこれら中間
体の製造方法を得ることに成功し、この発明方法等の完
成に至ったものである。

（発明の構成） 以下、この発明の構成について詳細に説明する。

この発明においては、まず主たる発明物質である３Ｚ、
　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒドロビラニロキシドデ力トリ
エン（次式４）、あるいは他の１−ＯＲ−３Ｚ、　６Ｚ
。

８Ｅ−ドデカトリエンを溶媒に溶解し、酸触媒の存在下
で、０℃〜５０℃好ましくは室温〜４０°Ｃの条件下で
攪拌する。

この反応液にエーテルを加えて水及び飽和食塩水で順次
洗浄した後、エーテルを留去する。

これにより得られた残留物を吸着クロマト（シリカゲル
を吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする）によ
り精製して、３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノー
ル（次式２）を得る。

この特定発明方法において、酸触媒を使用するのは３Ｚ
、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒドロビラニロキシドデ力ト
リエン（式４）のアセタールをアルコールに変換するた
めであり、酸触媒として添加する酸は特に限定するもの
ではないが、例示すればＩ］−トルエンスルホン酸、塩
酸又はｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩等がある
。

この特定発明方法において、反応温度をＯ℃〜５０℃好
ましくは室温〜４０℃の条件下とする理由は、０℃未満
では反応の進行が困難であり、５０℃より高温では二重
結合の異性化が起こるためである。

以上、この発明に係る３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカト
リエノール（式２）の製造方法について説明したが、３
Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ〜ドデカトリエノール（式２）のア
ルコール性水酸基を保護するものは、前述のテトラヒド
ロビラ二ロキシル基に特に限定されず、前記の如＜ＯＲ
で示される水酸基とエーテル又はエステル結合するもの
であれば全てよ（、Ｒとして例示すれば、エトキシエチ
ル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、アルキル
基又はアリール基を置換させたベンジル基等を挙げるこ
とができる。

この特定発明方法で使用する発明物質、つまりフェロモ
ン合成中間体である３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒド
ロビラニロキシドデ力トリエン（式４）の好適な製造方
法について述べる。

（ＺＬ６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセニル
トリフェニルホスホニウムハライド（次式６）を乾燥溶
媒に溶解して、−４０℃〜室温、好ましくは一３０℃〜
０℃の条件下で塩基を作用させて、ホ（ただし、式中Ｘ
は塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか） この調製されたホスホニウムイリドの反応系に、同一温
度条件下、トランス−２−ヘキサナールを続けて滴下し
、反応させる。

この反応液を水中に投入し、炭化水素系溶媒で抽出する
。

この有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄した後、溶媒を
留去する。

これにより得られた残留物を吸着クロマト（シリカゲル
を吸着剤とし、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする）
により精製して、３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒドロ
ビラニロキシドデ力トリエン（式４）この方法において
、系内の反応中の温度を一り０℃〜室温、好ましくは一
３０℃〜０℃とする理由は、４０℃未満では反応の進行
が遅（、室温より高温ではイリドの分解が起こるためで
ある。

この方法において、上記工程中塩基を作用させる理由は
、ホスホニウム塩のα位の水素を引き抜きホスホニウム
イリドを形成させるためである。

従って、この条件を満たす塩基であれば、特に限定する
ものではないが、特に例示すれば、ｎ−ブチルリチウム
、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化リチウム
、ナトリウムアミド、カリウムアミド、リチウムアミド
、カリウムメチラート、カリウムエチラート、カリウム
−１−プロピラード、カリウム−ｔ−ブチラード、ナト
リウムアルコラートがある。

以上、発明物質である３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒ
ドロビラエコキシドデ力トリエン（式４）の製造方法に
ついて説明した。

尚、保護基としてのテトラヒドロビラニロキシル基を一
般式ＯＲで表されるアルコール性水酸基の保護基に変更
することも可能であり、Ｒとして例示すれば、エトキシ
エチル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、アル
キル基又はアリール基を置換させたベンジル基等を採用
し、上記３Ｚ、　６Ｚ。

８Ｅ−テトラヒドロビラエコキシドデカトリエン（式４
）と同じ製造方法に準ずれば、この発明の中の関連発明
方法とすることができる。

上記主たる発明物質の前駆中間体である第２発明物質た
る（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３＝ヘキセ
ニルトリフェニルホスホニウムハライド（弐〇）の好適
な製造方法について述べる。

（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン
ｌ−ハライド（次式７）とトリフェニルホスフィンとを
溶媒を用いずに６０℃〜１５０℃好ましくは８０℃〜１
２０℃で加熱するか、オートクレーブ中非プロトン性溶
媒に溶解して、６０℃〜１８０℃好ましくは１００℃〜
１５０℃で加熱しながら反応させ、（Ｚ）６−チトラヒ
ドロビラニロキシー３−ヘキセニルトリフェニルホスホ
ニウムハライド（弐６）を得る。

（ただし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
か） この方法の工程において、反応温度を６０〜１８０℃と
する理由は反応温度が１８０℃を超えた場合は、原料及
び生成物の二重結合の異性化及び分解が起こり、６０℃
未満の場合は、反応が進行しなくなり、結局いずれの場
合も好ましくないからである。

この方法の工程において、溶媒を使用する場合には、こ
の反応の進行を妨げる溶媒以外なら全て好適に使用する
ことができ、特に好ましいものとして非プロトン性溶媒
が有るが、この発明で使用できる溶媒を例示すれば、テ
トラヒドロフラン、ベンゼン、クロルベンゼン、ジメチ
ルホルムアミド、トルエン、四塩化炭素、クロロホルム
、メタノール等がある。

以上、第２発明物質である（Ｚ）−６−チトラヒドロビ
ラニロキシー３−へキセニルトリフェニルホスホニウム
ハライド（弐６）の製造方法について説明した。

尚、上記（ＺＬ６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘ
キセニルトリフェニルホスホニウムハライド（弐６）の
保護基をテトラヒドロビラ二ロキシル基に限定せず、Ｏ
Ｒで示されるＲとしてエトキシエチル基、ベンジル基、
ベンゾイル基、アシル基、アルキル基、又はアリール基
を置換させたベンジル基等とすれば、第２関連発明とす
ることができる。

この発明方法の一例である第２関連発明方法で使用する
（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン
−１−ハライド（式７）の好適な一製造方法について述
べる。

（ＺＬ６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン−
１−オール（次式８）に、ピリジン存在下、反応温度を
氷温以下として、ｐ−トルエンスルフォニルクロライド
（トシルクロライド）を滴下し置換反応させる。

この反応液を水中に投入し、エーテルにて抽出操作を行
い、このエーテル層をＩＮ塩酸、飽和硫酸銅水溶液、水
、飽和炭酸ナトリウム水溶液及び食塩水で順次洗浄する
。

これを濃縮して、トシルエステルを得る。

理由は、氷温より高温ではトシル化した後、反応系中に
含まれる塩素アニオンによって反応生成物の塩素化が進
行するためである。

この方法において、ピリジンを必要とする理由は、反応
により生じる系中の塩化水素を中和し、反応を促すため
である。

従って、塩基であれば、上述の如（ピリジンにのみ限定
するものではない。

次に、得られたトシルエステルに炭酸水素ナトリウムと
ハライドリチウム（次式９）を加え、反応温度が４０’
Ｃ〜５０℃の条件で置換反応させる。

この反応液を水中に投入し、エーテル抽出後エーテル層
を飽和食塩水で洗浄する。

これを濃縮後、吸着クロマト（シリカゲルを吸着剤とし
、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする）により精製し
、（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキジー３−ヘキセ
ン−１−ハライド（式７）を得る。

この工程において、反応温度を氷温以下とするＬｉ　　
Ｘ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（９）（た
だし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれか） この工程でハライドリチウム（弐９）を加えるのはトシ
ルエステル基をハロゲンに変換させるためである。

前記実施例においてハライドリチウムを好適な置換剤と
して記載したが、必ずしも置換剤はハライドリチウムに
限定されるものではなく、ハライドアニオンを得られる
化合物であれば、この方法においては全て好適に使用で
きる。

この工程において、前述の如く炭酸水素ナトリウムを加
えて反応系を弱アルカリ性に保つのは、反応系が酸性に
なるとテトラヒドロビラニロキシル基が脱離してしまう
からである。

尚、反応温度を４０℃〜５０°Ｃの条件化で行う理由は
、４０°Ｃ未満の場合には反応の進行が極めて遅くなり
、５０°Ｃより高温の場合には中間体及び反応生成物の
分解が起こるためである。

次に、この製造方法で使用する（Ｚ）−６−チトラヒド
ロピラニロキシー３−ヘキセン−１−オール（式８）の
好適な一製造方法について述べる。

６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキシン−１オー
ル（次式１０）を溶媒中に溶解し、第１触媒の存在下、
反応温度を氷温以下として、水素雰囲気中で攪拌しなが
ら接触半還元する。

この反応液を濾過し、氷冷した塩酸、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液、水及び食塩水で順次洗浄した。

これを濾過し、濃縮した後に残留物を得る。

この残留物を吸着クロマト（シリカゲルを吸着剤、ヘキ
サンとエーテルを展開溶媒とする）により生成して、（
ＺＬ６−チトラヒドロビラニロキシー３ヘキセン−１−
オール（弐８）を得る。

この製造工程で使用する上記第１触媒としては、炭酸カ
ルシウム又は硫酸バリウムを担体として、パラジウムを
担持させた還元触媒のうち少なくとも一種の触媒であっ
て、場合によればこの触媒にキノリンを混合した触媒が
望ましく使用でき、要するに還元触媒としての活性の比
較的弱いものであれば特に限定されることなく好適に使
用できる。

その理由は、炭酸カルシウム又は硫酸バリウムを担体と
して、パラジウムを担持させた還元触媒を用いることに
より、工業生産上反応効率良く還元させることができる
からである。

更にこの工程において、キノリンの混合物を採用する理
由は、これらの触媒毒としての機能即ち還元触媒の活性
を弱め三重結合が完全に還元された飽和化合物となる可
能性を排除するためである。

この工程において、接触半還元をする際の反応温度を氷
温以下とする理由は、温度が氷温より高温になると、三
重結合を還元した際に、トランス体を生成する可能性が
高くなり好ましくないからである。

この製造方法で使用する６−チトラヒドロビラニロキシ
ー３−ヘキシン−１−オール（式１０）の好適な一製造
方法について述べる。

乾燥窒素ガス雰囲気中でエチルマグネシウムブロマイド
のエーテル類溶媒溶液に３−ブチン−１−オールテトラ
ヒドロピラニルエーテル（次式１１）を加えて４０℃〜
５０℃の条件下で攪拌し、縮合反応を行う。

次に、エチレンオキシドを氷温以下の条件で添加し、攪
拌して反応させる。

この反応液を塩化アンモニウム水溶液に投入し、エーテ
ルで抽出操作を行う。

この有機層を飽和食塩水で洗浄した後、濾過して濃縮す
る。

これにより得られた残留オイルを蒸留操作により精製し
て、６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキシン−１
−オール（弐１０）を得る。

この工程において、乾燥窒素ガス雰囲気中で反応を行う
理由は、エチルマグネシウムブロマイドが空気中の水蒸
気、酸素、二酸化炭素等と反応してしまうためであり、
乾燥した不活性ガスであれば特に窒素ガスに限定するも
のではない。

この工程において、エーテル類溶媒を使用するのは、エ
チルマグネシウムブロマイドを安定化させるためであり
、エーテル類溶媒としては特に限定するものではないが
、特に例示すればテトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル等がある。

この工程において、エチルマグネシウムブロマイドを使
用する理由は、３−ブチン−１−オールテトラヒドロピ
ラニルエーテルのメチン基の水素ヲマグネシウムハライ
ドに置換させるためであり、有機ハロゲン化物を金属マ
グネシウムと処理して調製された試薬であれば、エチル
マグネシウムブロマイドに特に限定するものではない。

上記工程において、４０℃〜５０°Ｃの条件下で反応を
行う理由は、メチン基の水素を完全にマグネシウムハラ
イドに置換するためである。

この工程において、エチレンオキシドを氷温以下の条件
で反応させる理由は、エチレンオキシドの沸点が１０．
７℃であるため、氷温より高温になると、反応系中のエ
チレンオキシドが少なくなって反応の進行が妨げられる
ためである。

最後にこの製造方法で使用する３−ブチン−１−オール
テトラヒドロピラニルエーテル（式１１）の好適な一製
造方法について述べる。

３−ブチン−１−オール（次式１２）の溶媒溶液中に酸
触媒を添加し、２，３−ジヒドロビランを加えて、氷温
以下で反応させた後、更に室温〜４０℃で反応させる。

この反応液を水中に投入し、有機溶媒で抽出操作を行い
、炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗
浄する。

これを濾過して濃縮し、残留オイルを得る。

得られた残留オイルを蒸留操作により精製して、３−ブ
チン−１−オールテトラヒドロピラニルエーテル（式１
１）を得る。

この工程において、氷温以下で反応させた後、更に室温
〜４０℃で反応させる理由は、反応の進行を促進し、反
応を完結させるためである。

この工程において、酸触媒を使用するのは、２゜３−ジ
ヒドロピランの不飽和結合に３−ブチン−１−オールの
アルコール性水酸基が反応してエーテルを形成させるた
めであり、酸触媒として添加する酸は特に限定するもの
ではないが、特に例示すればｐ−トルエンスルホン酸、
メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ
酢酸、トリクロル酢酸、ｐ−二トロ酢酸、ｐ−ニトロ安
息香酸等がある。

以下にこの発明方法及び発明物質を図示する。

第一関連発明方法 特定発明方法 第二関連発明方法 第一関連発明物質 第二関連発明物質 （ただし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
かを意味し、式中Ｒはテトラヒドロピラニル基、エトキ
シエチル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、ア
ルキル基又は了り−ル基を置換させたベンジル基のいず
れかを意味する。）（発明の効果） 以上詳述した如く、この発明に係る３Ｚ、　６Ｚ、　８
Ｅ−ドデカトリエノールの製造方法並びにこの製造方法
において使用する中間体及びその中間体の製造方法は、
新規中間体１−ＯＲ−３Ｚ，６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリ
エンとこの中間体を加水分解することを主たる特徴とす
る３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノールの製造方
法等であるから、天然のシロアリ道標ベフエロモンと同
じ立体配置の３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−ドデカトリエノー
ルを極めて簡便な加水分解という方法のみで、つまり高
収率で合成できる前駆中間体の創出であり、しかもこれ
ら前駆中間体の出発物質が汎用的で入手が容易な、従っ
て工程全体として工業的生産方法に適した３Ｚ、　６Ｚ
、　８Ｅ−ドデカトリエノールの製造方法並びにこの製
造方法において使用する中間体及びこれら中間体の製造
方法であるという効果を奏する。

以下に実施例、比較例及び参考例を示すことにより、こ
の発明の効果をより一層明確にする。

［第一関連発明物質である３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テト
ラヒドロビラコロキシドデカトリエンより３Ｚ、　６Ｚ
、　８Ｅ−ドデカトリエノールを合成する場合の実施例
コ（実施例１） ３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒド口ビラニロキシドデ
カトリエン６３　ｇ　（２４０ｍｍｏｌ）　のメタノー
ル溶液５００ｍ　ｌに、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジ
ニウム塩３．２ｇ（１３ｍｍｏｌ）を加えて、４０℃で
約５時間反応させた。

この反応液をエーテル中に投入し、水及び飽和食塩水で
順次洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。

これを濾過し、濃縮した後、残留物を吸着クロマト（シ
リカゲルを吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とす
る）により精製して反応生成物を得た。

この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行っ
た結果を、下記第１表に記載する。

第　　１　　表 （ＣＩ２）１２００　　　　Ｆ、Ｗ、−１８０，２９）
この反応生成物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数は（
ｃｍ−’）は、３３４０（ｂｒ、ｓ）、３０２０（ｓ）
　、２９５５（ｓ）　　、２９２０（ｓ）　　、２８６
０（ｓ）　　、１６４５（ｗ）　　、１４５５（ｍ）　
　、１４３５（ｍ）　　、１４００（ｍ）　　、１３８
０（ｍ）　　、１３３５（ｗ）　　、１２６０（噴、１
０４５（ｓ）　、９８０（ｓ）　、９４５（ｓ）であっ
た。

測定は、試料をフィルム法により調製し、測定を行った
。

更に、プロトン核磁気共鳴スペクトルの共鳴周波数（Ｈ
ｚ）は、０．９０３（３Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３　Ｈｚ）、
１．４１０（２Ｈ，ｔｑ、Ｊ＝７．３，７．３　Ｈｚ）
　、２．０７８（２Ｈ，ｄａｔ、Ｊ＝６．７，１．４，
６．７Ｈ２）、２．３６４　（２Ｈ，ｄｄｔｔ、Ｊ＝６
．４，１．５，６．４，０．７　Ｈｚ）、２．９６０（
２Ｈ，ｄｄｄｄ、Ｊ＝７．３．７．３．１．５．１．５
　Ｈｚ）、３．６５４（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．６　Ｈｚ）
、５．２４３（ＬＨ，ｄｔ、Ｊ＝１０．６１１ｚ）、５
゜４０６（ＬＨ，ｄｔｔ、Ｊ＝１１．０，７．３，１．
５　Ｈｚ）　、５．５５２（１８，ｄｔｔ。

Ｊ＝１０．６．７．３．１．５Ｈｚ）、５．６８５（Ｌ
Ｈ，ｄｔ、Ｊ＝１５．０，７．７Ｈｚ）、５．９６５（
Ｉｌｌ、ｄｄ、Ｊ＝１０．６，１０．６　Ｈｚ）　、６
．３０８（ＬＨ，ｄｄｄｔ。

Ｊ＝１１．０，１５．０，１．５，１．５　Ｈｚ）であ
った。

測定は、試料をクロロホルム−ｄに溶解し、周波数が４
００ＭＨｚのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。

以上の結果から、反応生成物は、３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ
−ドデカトリエノールが得られていることが分かった。

この反応生成物の重量は４０ｇであり、収率は９３％で
あった。

なお、第１図に赤外線吸収スペクトル図を第２図にプロ
トン核磁気共鳴スペクトル図をそれぞれ記載する。

（実施例２及び３） 酸触媒を下記第２表の触媒に変化した以外は実施例１と
全（同様に処理及び同定して得られた３Ｚ、　６Ｚ、　
８Ｅ−ドデカトリエノールの収率を第２表に併せて記す
。

第２表 （ただし、酸触媒はそれぞれ実施例１と同様に１３ｍｍ
ｏｌ添加した。） ［第二関連発明物質である（ＺＬ６−チトラヒドロピラ
ニロキシー３−ヘキセニルトリフェニルホスホニウムハ
ライドより第一関連発明物質である３Ｚ、　６Ｚ８Ｅ−
テトラヒドロビラニロキシドデ力トリエンを合成する場
合の実施例及び比較例Ｊ （実施例４） （Ｚ）　−６−テトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセ
ニルトリフェニルホスホニウムブロマイド１８０ｇ（３
４２ｍｍｏｌ）を、乾燥テトラヒドロフラン（以下ＴＨ
Ｆと略す）１．５Ａ及び乾燥へキサメチルホスホリック
トリアミド１．５１に溶解し、−４０℃の条件下でｎ−
ブチルリチウム（１，６Ｎ　２４０ｍ　ｆ！　３８０ｍ
ｍｏｌ）を滴下した。

反応溶液を一３０°Ｃに保持して１時間反応させた後、
１−ランス−２−ヘキサナール３５ｇ　（３５０ｍｍｏ
ｌ）を−気に加え、温度を３０分毎に５°Ｃ昇温するよ
うに徐々に０℃まで上げた。

この反応液を水中に投入し、ペンタンで抽出した。

この有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥さ
せた。

これを濾過し濃縮した後、残留物を吸着クロマト（シリ
カゲルを吸着剤、ペンタンとエーテルを展開溶媒とする
）により精製して反応生成物を得た。

この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行っ
た結果を下記第３表に記載する。

第３表 （Ｃ，ＪｔａＯ□　　　Ｆ、Ｗ、＝２６４．４１）この
反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数（ｃｍ−’）
は、３０２０（ｍ）　、２９３０（ｓ）　、２８６０（
ｓ）　、１６７０　（ｗ）、１６５０　（ｗ）、１４５
５　（ｗ）、１４４０（ｗ）　、１２１０（ｍ）、１１
４０（ｓ）、１１２０（ｓ）、１０８０（ｓ）　、１０
３０（ｓ）　、９８０（ｍ）であった。

測定は、試料をフィルム法により調製し、測定を行った
。

更に、プロトン核磁気共鳴スペクトルの共鳴周波数（Ｈ
ｚ）を測定した。

測定は、試料をクロロホルム−ｄに溶解し、周波数が４
００ＭＨｚのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行った。

以上の結果から、反応生成物は、３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ
テトラヒドロビラニロキシドデ力トリエンが得られてい
ることが分かった。

この反応生成物の重量は６３ｇであり、収率は７０％で
あった。

なお、第３図に赤外線吸収スペクトル図を、第４図にプ
ロトン核磁気共鳴スペクトル図をそれぞれ記載する。

（実施例５〜８並びに比較例１及び２）トランス−２−
ヘキサナール添加後の反応中の温度を下記第４表の如く
変化した以外は実施例４と全く同様に処理及び同定して
得られた３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅテトラヒドロピラニロキ
シドデ力トリエンの収率を第４表に併せて記す。

第４表 （実施例９） 塩基をｔ−ブチルオキシカリウム（３８０ｍｍｏｌ）と
変化した以外は、実施例４と全く同様に処理及び同定し
て得られた３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒドロピラニ
ロキシドデ力トリエンの収率は４５％であった。

［第２関連発明方法である（ＺＬ６−チトラヒドロビラ
ニロキシー３−ヘキセン−１−ハライドより第二関連発
明物質である（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキジー
３−へキセニルトリフェニルホスホニウムハライドを合
成する場合の実施例及び比較例コ（実施例１０） （Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン
＝１−ハライド１００ｇ　（３８０ｍｍｏ　ｌ）　　と
トリフェニルホスフィン１０５ｇ（４００ｍｍｏｌ）を
混合し、１００℃で約３時間加熱した。

得られた粘稠液をドライアイス−アセトンペーストを用
いて冷却した後、乾燥エーテルで数回洗浄した。

エーテルを留去して反応生成物を得た。

この反応生成物を質量スペクトルにより元素分析を行な
った結果を、下記第５表に記載する。

第５表 （ＣｚＪｈＪｒＯｚＰ　　Ｆ、Ｗ、＝５２５．４７）こ
の反応物の赤外線吸収スペクトルの吸収波数（ｃｍ−’
）は、３０６０　（ｍ）、３０２０　（ｍ）、２９３０
　（ｓ）、２８６０　（ｓ）、１６２０　（ｗ）、１５
９０（ｍ）、１４８５（ｍ）、１４４０（ｓ）、１３５
０　（ｍ）、１３２０　（ｍ）、１２００（ｍ）、１１
１５（ｓ）、１０７５　（ｓ）、９９５　（ｍ）、７４
５　（ｓ）、７２０　（ｓ）、６９０　（ｓ）、５３０
（ｓ）、５１０（ｓ）であった。

試料をフィルム法により調製し、測定を行った。

更にプロトン核磁気共鳴スペクトルの共鳴周波数（Ｈｚ
）を測定した。

測定は、試料をクロロホルム−ｄに溶解し、周波数が４
００ＭＨｚのプロトン核磁気共鳴スペクトルにより測定
を行なった。

以上の結果から、反応生成物は、（ＺＬ６−テトラヒド
ロビラニロキシ−３−へキセニルトリフェニルホスホニ
ウムハライドが得られていることが分かった。

この反応生成物の重量は１８０ｇであり、収率は９０％
であった。

なお、第５図に赤外線吸収スペクトル図を、第６図にプ
ロトン核磁気共鳴スペクトル図をそれぞれ記載する。

（実施例１１．１２及び比較例３．４）反応温度を６０
℃（実施例１１）、１８０℃（実施例１２）　、５０℃
（比較例３）及び２００℃（比較例４）と変化した以外
は、実施例１０と全く同様に処理及び同定して得られた
（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−へキセニ
ルトリフェニルホスホニウムブロマイドの収率を下記第
６表に記す。

第６表 （実施例１３） 溶媒を使用して反応させる場合に、溶媒としてクロルベ
ンゼンを２００ｍ　ｌ添加した以外は実施例１０と全く
同様に処理及び同定して得られた（Ｚ）−６−チトラヒ
ドロビラニロキシー３−ヘキセニルトリフェニルホスホ
ニウムブロマイドの収率は６０％であった。

［（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセ
ン−１−オールより（Ｚｒ２−チトラヒドロビラニロキ
シ３−ヘキセン−１−ハライドを合成する場合の参考例
］ （参考例１） （Ｚｒ２−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン１
−オール１４０ｇ　（７００ｍｍｏｌ）をピリジン８０
０ｍ　ｌ；ｌに溶解し、氷温以下の条件でｐ−）ルエン
スルホニルクロライド２００ｇ　（１、０５ｍｏ　ｌ）
を加えた。

氷温以下の条件で３時間反応させた後、３°Ｃにて一晩
放置した。

この反応液を水中に投入し、エーテルにて抽出操作を行
なった。

このエーテル層をＩＮ塩酸、飽和硫酸銅水溶液、水、飽
和炭酸水素すｌ−ＩＪウム水溶液及び食塩水で順次洗浄
し、硫酸ナトリウムにて乾燥させた。

これを濾過後濃縮し、２４０ｇの粗製トシレートを得た
。

この粗製トシレート２４０ｇを乾燥アセトン２１に溶解
し、炭酸水素ナトリウム１１８ｇ（１，４ｍｏｌ）と臭
化リチウム９１．２ｇ（１，０５ｍｏｌ）を加えて、室
温で５時間更に４０〜５０℃で５時間反応させた。

この反応液を水中に投入し、エーテル抽出を行なった後
、食塩水で洗浄した。

これを硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過し、濃縮し
て残留物を得た。

この残留物を吸着クロマト（シリカゲルを吸着剤、ペン
タンとエーテルを展開溶媒とする）により精製し、１４
７ｇの（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘ
キセン−１−ブロマイドを得た。収率は８０％であった
。

（参考例２） トシレートを合成する際の反応温度を室温と変化した以
外は、参考例１と全く同様に処理して得られた（Ｚ）−
６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセン−１−ブ
ロマイドの収率は６０％であった。

（参考例３） トシレートを合成する際に添加したピリジンを添加しな
かった以外は、参考例１と全く同様に処理して得られた
（Ｚ）−６−チトラヒドロピラニロキシー３−ヘキセン
−１−ブロマイドの収率は０％であった。

（参考例４及び５） 臭化リチウムを下記第７表の如く変化した以外は参考例
１と全く同様に処理して得られた（ＺＬ６テトラヒドロ
ビラニロキシー３〜ヘキセン−１−ブロマイドの収率を
第７表に併せて記す。

第７表 （ただし、各々のハロゲン化物は参考例１と同様に１．
０５ｍｏｌを添加した） （参考例６） ハロゲン化する際に、反応温度を４０℃〜５０℃とした
のを、氷温以下の条件と変化した以外は、参考例１と全
く同様に処理して得られた（Ｚ）−６−チトラヒドロビ
ラニロキシー３−ヘキセン−１−ブロマイドの収率は１
０％であった。

［６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキシン−１オ
ールより（Ｚ）−６−チトラヒドロピラニロキシ〜３ヘ
キセン−１−オールを合成する場合の参考例コ（参考例
７） ６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキシン−１オー
ル１６０ｇ　（ＢＯ８ｍｍｏ　１）をペンタ７１！！に
？容解し、硫酸バリウムを担体としてパラジウムを担持
させた触媒８ｇとキノリン８ｇを加えて、氷温以下水素
雰囲気中激しく攪拌した。

約５時間後ガスクロマトグラフィーにより反応が終了し
たことを確認して、反応液をセライト濾過し、濾液を濃
縮した。

これにエーテル１１を加えて、氷冷した０、５Ｎ塩酸、
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び食塩水で順次洗
浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥した。

エーテルを留去し、残留物を吸着クロマト（シリカゲル
を吸着剤、ヘキサンとエーテルを展開溶媒とする）によ
り精製し、１５４ｇの（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニ
ロキシー３−ヘキセン−１−オールを得た。

収率は９５％であった。

（参考例８） 還元触媒を炭酸カルシウムを担体としてパラジウムを担
持させた触媒に変化した以外は参考例７と全く同様に処
理して得られた（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシ
ー３−ヘキセン−１−オールの収率は９０％であった。

（参考例９） 触媒毒としてのキノリンを添加しなかった以外は参考例
７と全く同様に処理して得られた（Ｚ）−６テトラヒド
ロビラニロキシー３−ヘキセン−１−オールの収率は８
０％であった。

（参考例１０） 反応温度を室温とした以外は、参考例７と全く同様に処
理して得られた（Ｚ）−６−チトラヒドロピラニロキシ
ー３−ヘキセン−１−オールの収率は７３％で゛あった
。

［３−ブチン−１−オールテトラヒドロピラニルエーテ
ルより６−チトラヒＦロビラニロキシ〜３−ヘキシン−
１−オールを合成する場合の参考例コ（参考例１１） 乾燥窒素ガス雰囲気中でエチルマグネシウムブロマイド
１３３ｇ（１ｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ溶液５００ｍ　ｌに
、３−ブチン−１−オールテトラヒドロピラニルエーテ
ル１４０ｇ（９１０ｍｍｏｌ）の乾燥ＴＨＦ溶液１１を
、４０゛Ｃ〜５０℃の条件下で滴下した。

滴下終了後２時間４０℃〜５０℃の条件下で撹拌した。

この反応液に、エチレンオキシド６０ｇ（１，３７ｍｏ
ｌ）の乾燥ＴＨＦ溶液２００ｍ　ｌを氷温以下で滴下し
た。

滴下終了後、室温で約１２時間攪拌した。

この反応液を塩化アンモニウム水溶液に投入し、エーテ
ルで抽出操作を行なった。

この有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウム
にて乾燥させ、濾過した後、濃縮した。

得られた残留オイルを蒸留することにより生成して、１
６２ｇの６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキシン
−１−オールを得た。収率は９０％であった。

（参考例１２） エチルマグネシウムブロマイドをメチルマグネシウムク
ロライド（１ｍｏｌ）と変化した以外は、参考例１１と
全（同様に処理して得られた６−チトラヒドロビラニロ
キシー３−ヘキシン−１−オールの収率は８８％であっ
た。

（参考例１３） 乾燥窒素ガス雰囲気中で反応を行なうのを大気中で反応
を行なうと変化した以外は、参考例１１と全く同様に処
理して得られた６−チトラヒドロビラニコキシー３−ヘ
キシン−１−オールの収率は６０％であった。

（参考例１４） エチルマグネシウムブロマイドと３−ブチン−１＝オー
ルテトラヒドロピラニルエーテルを反応させる場合に、
４０℃〜５０℃の条件下で反応させたのを、氷温以下の
温度条件に変化した以外は、参考例１１と全く同様に処
理して得られた６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘ
キシン−１−オールの収率は２０％であった。

（参考例１５） エチレンオキシドを氷温以下の条件で反応させるのを、
室温で反応させた以外は、参考例１１と全く同様に処理
して得られた６−チトラヒドロピラニロキシー３−ヘキ
シン−１−オールの収率は１０％であった。

［３−ブチン−１−オールより３−ブチン−１−オール
テトラヒドロピラニルエーテルを合成する場合の参考例
コ （参考例１６） ３−ブチン−１−オール８０ｇ（１，１４ｍｏｌ）及び
２．３−ジヒドロピラン１１５ｇ（１，３７ｍｏｌ）の
乾燥ＴＨＦ溶液に氷温以下の条件下で、ｐ−）ルエンス
ルホン酸０．４ｇ（１，２ｍｍｏｌ）を添加した。

氷温以下の条件で１時間、更に室温にて４時間反応させ
た。

この反応液を水中に投入し、エーテルにて抽出操作を行
なった。

この有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩
水で順次洗浄した後、硫酸ナトリウムにて乾燥した。

濾過後、濃縮して残留オイルを得た。

この残留オイルを蒸留することにより精製して、１６７
ｇの３−ブチン−１−オールテトラヒドロピラニルエー
テルを得た。収率は９５％であった。

（参考例１７） 酸触媒として添加したｐ−）ルエンスルホン酸をトリク
ロル酢酸（１，２ｍｍｏｌ）と変化した以外は参考例１
６と全く同様に処理して得られた３−ブチン−１オール
テトラヒドロピラニルエーテルの収率は９２％であった
。

（参考例１８） 室温にて４時間反応させたのを氷温以下の条件と変化し
た以外は参考例１６と全く同様に処理して得られた３−
ブチン−１−オールテトラヒドロピラニルエーテルの収
率は５０％であった。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、それぞれ３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−
ドデカトリエノールの赤外線吸収スペクトル図及びプロ
トン核磁気共鳴スペクトル図、第３図及び第４図はそれ
ぞれ３Ｚ、　６Ｚ、　８Ｅ−テトラヒドロビラニロキシ
ドデ力トリエンの赤外線吸収スペクトル図及びプロトン
核磁気共鳴スペクトル図、第５図及び第６図はそれぞれ
（Ｚ）−６−チトラヒドロビラニロキシー３−ヘキセニ
ルトリフェニルホスホニウムハライドの赤外線吸収スペ
クトル図及びプロトン核磁気共鳴スペクトル図を示す。 代理人　　弁理士　　清　原　義　博

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）１−ＯＲ−３Ｚ，６Ｚ，８Ｅ−ドデカトリエン（
   次式１）を加水分解することを特徴とする３Ｚ、６Ｚ、
   ８Ｅ−ドデカトリエノール（次式２）の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （ただし、式中Ｒはテトラヒドロピラニル基、エトキシ
   エチル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、アル
   キル基又はアリール基を置換させたベンジル基のいずれ
   か） ▲数式、化学式、表等があります▼（２）
2. （２）（Ｚ）−６−ＯＲ−３−ヘキセニルトリフェニル
   ホスホニウムハライド（次式３）に、塩基の存在下で、
   トランス−２−ヘキサナールを縮合反応させることを特
   徴とする１−ＯＲ−３Ｚ、６Ｚ、８Ｅ−ドデカトリエン
   （式１）の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （ただし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
   かを意味し、Ｒはテトラヒドロピラニル基、エトキシエ
   チル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、アルキ
   ル基又はアリール基を置換させたベンジル基のいずれか
   を意味する。）
3. （３）３Ｚ，６Ｚ，８Ｅ−ドデカトリエノール（式２）
   の中間体である３Ｚ，６Ｚ，８Ｅ−テトラヒドロピラニ
   ロキシドデカトリエン（次式４）。 ▲数式、化学式、表等があります▼（４）
4. （４）（Ｚ）−６−ＯＲ−３−ヘキセン−１−ハライド
   （次式５）にトリフェニルホスフィンを縮合反応させる
   ことを特徴とする、（Ｚ）−６−ＯＲ−３−ヘキセニル
   トリフェニルホスホニウムハライド（式３）の製造方法
   。 ▲数式、化学式、表等があります▼（５） （ただし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
   かを意味し、Ｒはテトラヒドロピラニル基、エトキシエ
   チル基、ベンジル基、ベンゾイル基、アシル基、アルキ
   ル基又はアリール基を置換させたベンジル基のいずれか
   を意味する。）
5. （５）３Ｚ，６Ｚ，８Ｅ−ドデカトリエノール（式２）
   の中間体である（Ｚ）−６−テトラヒドロピラニロキシ
   −３−ヘキセニルトリフェニルホスホニウムハライド（
   次式６）。▲数式、化学式、表等があります▼（６） （ただし、式中Ｘは塩素、臭素、ヨウ素の原子のいずれ
   か）
6. （６）前記の塩基が、ｎ−ブチルリチウム、アルカリ金
   属アミド、アルカリ金属ハイドライドもしくはアルコラ
   ートのうち少なくとも一種であることを特徴とする請求
   項２記載の１−ＯＲ−３Ｚ，６Ｚ，８Ｅ−ドデカトリエ
   ン（式１）の製造方法。