JPH026418A - ｐ−イソブチルスチレンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ｐ−イソブチルエチルベンゼンからｐ−イソ
ブチルスチレンを製造する方法に間するものである。

ｐ−イソブチルスチレンは、オキソ反応、あるいはレッ
ベ反応などによりカルボニル化することにより、有用な
医薬などを得ることができる、重要な有機中間体である
。

［従来の技術および発明が解決しようとする課題］例え
は、従来ｐ−イソブチルスチレンは、特公昭５９−３５
８９９号公報の中に開示されているように、ｐ−イソブ
チルアセトフェノンを水素添加したのち、脱水して製造
されることが知られている。また、特開昭８１−２４５
２７号公報の中に開示されているように、イソブチルベ
ンゼンとアセトアルデヒドとを硫酸触媒存在下で反応さ
せてｌ。

１−ビス（ｐ−イソブチルフェニル）エタンとし、この
】。

１−ビス（ｐ−イソブチルフェニル）エタンを酸触媒存
在下で接触分解してｐ−イソブチルスチレンを製造して
いる。

しかしこれらは、工程数が多いとか、大量の触媒を消費
する上に、使用済みの廃触媒が強酸であるため、廃棄）
＜容易でないといった問題点があるため、ｐ−イソブチ
ルスチレンの製造コストがどうしても高くなってしまう
。

ざらに、芳香族炭化水素の脱水素反応における従来技術
をみると、構造の異なるアルキル基を複数もち、かつと
のアルキル基も脱水素される可能性のあるようなポリア
ルキルヘンゼンの、特定の１つの置換基のみを選択的に
脱水素するような技術は、今まで知られていない０例え
ば、特公昭６２−６５２８号、特開昭５６−１３５４２
５号、特開昭５８−１８９０３４号、特開昭５９−１２
０２４３号、特開昭（３１−１５８９４０号なとの公報
に見られるようなメチルエチルベンゼンを脱水素してメ
チルスチレンを製造する方法、あるいは特開昭５６−１
５１５６４８号、特開昭５６−１５５８４９号、特開昭
５６−１５１５６５０号、特開昭５６−１５５６５１号
、特開昭５６−１　！５５（３５２号、特開昭６０−１
１５５３４号なとの公報に見られるようなターシャリ−
ブチルエチルベンゼンを脱水素してターシャリ−ブチル
スチレンを製造する方法、さらには特開昭６２−２９５
３７号公報などに見られるようなジエチルベンゼンを脱
水素してエチルスチレンまたはジビニルベンゼンを製造
する方法などが開示されている。しかし、メチルエチル
ベンゼンおよびターシャリ−ブチルエチルベンゼンは、
脱水素される可能性のあるエチル基をどちらも持ってい
るが、もう一つの置換基はメチル基とターシャリ−ブチ
ル基であり、共に脱水素される可能性のないものである
。従って、これらの化合物の脱水素反応における副反応
はクラッキング反応であり、脱水素反応そのものの選択
性は問題とならない、また、ジエチルベンゼンを脱水素
する場合は、脱水素される可能性のあるアルキル基、す
なわちエチル基を二つ持っているが、どちらのエチル基
が一つ脱水素されても生成するのはエチルスチレンただ
一つであり、二つの置換基のどちらか一方を選択する必
要はない上、目的生成物はジビニルベンゼンであるので
、前記エチルスチレンの残りのエチル基をさらに脱水素
すればよい、つまり二つのエチル基に区別がなく、特に
問題ではないのである。

本発明におけるｐ−イソブチルエチルベンゼン（以下、
ＰＢＥと称することがある）の選択的脱水素によるｐ−
イソブチルスチレン（以下、ＰＢＳと称することがある
）の製造技術は、これらの公知の従来技術と根本的に異
なる。

具体的には、原料のｐ−イソブチルエチルベンゼンのベ
ンゼン核に結合している置換基はエチル基とイソブテニ
ル基であり、これらはどちらも脱水素されてそれぞれビ
ニル基とイソブテニル基などになる可能性を持っている
。すなわち、ｐ−イソブチルエチルベンゼンのエチル基
のみが脱水素されるとｐ−イソブチルスチレンとなり、
イソブチル基のみが脱水素されるとｐ−イソブテニルエ
チルベンゼン（以下、ＥＤＳと称することがある）など
になる、また、エチル基とイソブチル基の両方が脱水素
されると、ｐ−イソブテニルスチレン（以下、ＶＤＳと
称することがある）なととなる。このように、ｐ−イソ
ブチルエチルベンゼンは脱水素され得る異なるアルキル
基を二つ持ち、しかもどちらが脱水素されるかによって
生成物が全く異なる。

ざらに、報文Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｃａｔａｌｙ
ｓｉｓｌユ、１６７〜１７４　（１９７４）によると、
クメンの脱水素の反応速度定数は、Ｂ１２ＵＯａ−酸化
ウラン系触媒を用いた場合、エチルベンゼンの脱水素反
応速度定数の約２倍であると報している。また、報文Ａ
ｚｅｒｂ、Ｋｈｉｍ、　Ｚｈ、　１９６Ｂ、　（２）、
　！５９−６２　（Ｒｕｓｓ）によると、イソプロピル
エチルベンゼンを脱水素して同一分子内のアルキル基の
脱水素選択性を比較すると、イソプロピル基のみ脱水素
されたイソプロペニルエチルベン士ンの生成量の、エチ
ル基のみ脱水素されたイソプロピルスチレンの生成量に
対する比は２以上であり、選択率を上げるために反応温
度を下げると、この比は３以上になると報じている。こ
れらの公知文献かられかることは、分岐型のイソプロピ
ル基と直鎖型のエチル基とでは、約２〜３倍分岐型のイ
ソプロピル基の方が脱水素され易いということである。

また、本発明者らの検討によると、銅−クロム系触媒の
存在下にｐ−５ｅｃ−ブチルエチルベンゼン（以下、Ｓ
ＢＥと称することがある）を脱水素した場合、反応温度
５５０℃、ｐ−５ｅｅ−ブチルエチルベンゼンに対する
スチームのモル比９３、ｐ−８ｅｃ−ブチルエチルベン
ゼンの触媒との接触時間０．２ｆｊの条件で、ｐ−５ｅ
ｃ−ブチルエチルベンゼンの転化率が４３．４重量％、
ｐ−５ｅｃ−ブテニルエチルベンゼン：ｐ−５ｅｅ−ブ
チルスチレンの比がおよそ２：　ｌとなり、５ｅｃ−ブ
チル基の方がエチル基の約２倍脱水素されやすく、反応
条件等を変化させても、この傾向が逆転することはない
ことが確かめられた。この事実から、前述のイソプロピ
ルエチルベンゼンの文献と同様に、分岐型の炭素数４の
５ｅｃ−ブチル基の方が、直鎖型のエチル基よりも脱水
素されやすいと考えられる。シかじ、このような方法で
は本発明の目的を達成することはできない。

すなわち、本発明の目的生成物は、エチル基のみ脱水素
されたｐ−インブチルスチレンである。そのため、ｐ−
イツブチルスチレンの選択率の高いｐ−イソブチルエチ
ルベンゼンの脱水素方法、すなわち、ｐ−イソブチルエ
チルベンゼンのもつエチル基とイソブチル基のうちエチ
ル基のみを選択的に脱水素する方法の開発が切に望まれ
ていた。

上記のような事情に鑑み、ｐ−イソブチルスチレンを安
価で経済的に製造するために解決しなければならない問
題点をまとめると、以下のようなる。

（イ）反応工程数が少なく、かつ単位操作が少なく容易
なこと。

（ロ）安価な試薬または触媒を利用すること。

（ハ）触媒の消費量は、できるだけ少なくすること。

（ニ）原料のロスが少ないこと。

（ホ）反応生成物から、高純度の目的生成物の分離が容
易なこと。

（へ）反応生成物から、高純度の未反応原料の分離が容
易なこと。

本発明は、これらの事項を充足することを目的として為
されたものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、ｐ−イソブチルエチルベンゼン（Ｐ　Ｂ　Ｅ
）を、銅−クロム系触媒の存在下、４００〜７００℃、
好ましくは４５０〜６５０℃の範囲内の温度で、触媒層
との接触時間を０．００５〜２０秒、好ましくは０．０
１〜１０秒の範囲にとり、ｐ−イソブチルエチルベンゼ
ンの転化率を４０重量％以下になるようしながら脱水素
し、エチル基を選択的に脱水素してｐ−イソブチルスチ
レンを得て、これを蒸留により回収することを特徴とす
るｐ−イソブチルスチレン（Ｐ　Ｂ　Ｓ）の製造方法に
間するものである。

本発明の方法を反応式で表すと、下記の通りである。

以下、本発明の技術を更に具体的に説明する。

本発明は、鋼−クロム系触媒の存在下、ｐ−イソブチル
エチルベンゼンのエチル基のみを選択的に脱水素してｐ
−イソブチルスチレンを製造する方法に関するものであ
る。

本発明の出発原料であるｐ−イソブチルエチルベンゼン
は、公知の方法で得られるいずれのものも使用できる。

ｐ−イソブチルエチルベンゼンの製造方法としては、例
えば、Ｂｅ１ｌｓｔｅｉｎ　　ＥＩＶＩ５（Ｓｙｓ、Ｎ
ｒ、４７０／Ｈ４４５）あるいはＥｍ５　（Ｓｙｓ、Ｎ
ｒ、４７０／Ｈ５，４４６）なとがある。また、特開昭
６１−３７７４３号公報の実施例で開示されているよう
な１，１−ビス（ｐ−イソブチルフェニル）エタンの接
触分解反応の副生成物としてのｐ−イソブチルエチルベ
ンゼンなとも、もちろん有効に使用しうる。

本発明における脱水素の触媒は、銅−クロム系触媒すな
わち銅とクロムとを有効成分とする触媒であり、この銅
−クロム成分の他に添加される得る成分としては、亜鉛
、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、
イリジウム、ルテニウム、バナジウム、ニオブ、モリブ
デン、チタン、ジルコニウム、カリウム、アルミニウム
、カルシウム、マグネシウム、セリウム、セシウム、ル
ビジウームなどの金属化合物があり、それら単独または
複数用い適宜の量を添加したものも有効に使用しつる。

Ｗ４とクロームの含有割合は、鋼１〜９９ｆ［１１％、
クローム９９〜１重量％の範囲から適宜に選択できる。

鋼及びクロームとも好ましくは酸化物である。さらに該
触媒を成形するために、かつ／または触媒の細孔を増し
て表面積を大きくする目的で、酸化珪素、アルミナ、マ
グネシアなどを適宜含有させてもよい。

また本発明の触媒は、脱水素反応に使用する前に２００
〜５００℃の温度で水素の流れの中に置くことによる水
素処理をしても差し支えない。

一般に脱水素触媒は、長時間使用しているとコーキング
等によりしだいに少しづつ活性が低下してくるので、そ
の場合は触媒を、例えば５００℃程度の高温で、空気等
でデコーキングすることにより、初期の活性を再現する
ことができる。

脱水素温度は、触媒の組成、接触時間、希釈モル比など
に応じて４００〜７００℃好ましくは４５０〜６５０℃
の範囲内で選択することができる０反応温度がこの範囲
より高くなると、ｐ−イソブチルスチレン生成反応との
競争反応のみならず、生成したｐ−イソブチルスチレン
が右らに脱水素されたりあるいは分解されるといった副
反応が急激に多くなり、ｐ−イソブチルスチレンの選択
率が著しく低下する。これはｐ−イソブチルエチルベン
ゼンの損失が大きいだけでなく、生成物分布が非常に複
雑になって蒸留等によるｐ−イソブチルスチレンおよび
ｐ−イソブチルエチルベンゼンなとの分離が困難になる
ので好ましくない、また、反応温度がこの範囲より低い
と、ｐ−イソブチルスチレンの選択率は高いが反応速度
が著しく低下して経済性が悪くなるのでこれも好ましく
ない。

脱水素反応によって生成するオレフィンは重合性である
ため、反応槽中でのオレフィン濃度が高い状態を高温で
続けると、せっかく生成したｐ−イソブチルスチレンの
一祁が重合して損失となる。これを避けるためには、非
還元性ガス、例えば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴン
ガス、スチーム、酸素ガスなどを同伴させて水素ガス濃
度を希釈により下げたり、あるいは酸化性雰囲気を保っ
たりすることが有効である。ヘンゼンなどの脱水素され
にくい溶媒で希釈することもできる。また、脱水素の触
媒活性を維持するために、反応層にスチームを同伴して
脱水素を行うのもよい、スチームは一般に銅−クロム系
触媒の活性を高−く保つ効果をもち、そのためにｐ−イ
ソブチルスチレンの選択率を幾分下げる効果も合わせも
っているが、スチームの量には特に制限はない。

反応形式は固定床、移動床、流動床のいずれを用いても
、本発明の目的を達成できる。

反応圧力は、上記反応条件下で生成したｐ−イソブチル
スチレンが気化しうる範囲であれは特に制限はないが、
通常常圧ないし１０ｋｇ／ｃｍ２以下が経済的である。

本発明における原料ｐ−イソブチルエチルベンゼンと触
媒の接触時間は、０．００５〜２０秒、好ましくは０．
０１−１０秒の範囲で適宜選択できるが、更に好ましく
は０゜０５〜５秒の範囲で選択するのが適当である。接
触時間がこれより短いと、反応率が低くて好ましくない
、また、接触時間がこれより長いと、生成したｐ−イソ
ブチルスチレンがざらに脱水素されるなどの副反応が大
きくなり、ｐ−イソブチルスチレンの選択率が下がるの
で、これも好ましくない。反応形式、反応ガス組成、触
媒の組成、反応温度、あるいは原料ガスの予熱温度等の
種々の組合せの相違により、上記範囲内で適宜変化せし
めることができる。

以上、反応条件およびそれぞれの因子の反応に及１ｚす
影響について述べてきたが、本発明の条件でｐ−イソブ
チルエチルベンゼンの脱水素を行うと、反応条件および
それぞれの因子の反応に与える影響についてはすべて、
ｐ−イソブチルエチルベンゼンの転化率とｐ−イソブチ
ルスチレンの選択率との関係でまとめることができるこ
とが本発明者等の研究から明らかになった。すなわち、
前記反応条件下で得られるｐ−イソブチルエチルベンゼ
ンの任意の転化率Ｘに対して、ｐ−イソブチルスチレン
への選択率ｙは一次関数 ｙ＝ａｘ＋ｂ （ａ、ｂは触媒固有の定数） の間係にある。図に、後述の実施例で得られたｐ−イソ
ブチルエチルベンゼンの転化率とｐ−イソブチルスチレ
ンの選択率の関係（以後、脱水素性能直線と呼ぶ）の例
を示す。

例えば、前記反応条件内で、ある条件を設定すれば、そ
のときの転化率に対応する脱水素性能直線上の点は、実
際に得られるｐ−イソブチルスチレンの選択率を示して
いる。

本発明の方法において、転化率を好まｂくは４０重量％
以下、さらに好ましくは３０重量％以下に保つのが適当
である。転化率が４０ｆＩ量％を越えるとｐ−イソブチ
フレスチレンへの選択率が急激に低下し、副生成物であ
るｐ−イソブテニルエチルベンゼン、ｐ−イソブテニル
スチレンのみならず、クラッキング生成物も多くなり好
ましくない。転化率が４０重量％以下の場合、転化率が
低ければ低いぼど選択率は高くなるが、ｐ−イソブチル
スチレンの生成率は前記転化率と選択率の積であるから
、あまり転化率を低くとるのも、後に続く蒸留などによ
る未反応ｐ−イソブチルエチルノ＼ンゼンの分離回収操
作にかかる負担が大きくなり好ましくない、経済的には
５重量％以上の転化率に保つのが適当であろう。

本発明の方法で行われる脱水素反応は、ｐ−イソブチル
スチレンの選択率が高く、これにより得られた脱水素反
応ｉαは、ｐ−イソブチルエチルベンゼンおよびｐ−イ
ソブチルスチレンの分離精製を困難にするような副生成
物をほとんど含有しないため、例えば単蒸留などの簡単
な単位操作で、高純度のｐ−イソブチルスチレンおよび
未反応ｐ−イソブチルエチルベンゼンを得ることができ
る。この未反応ｐ−イソブチルエチルベンゼンは、もぢ
ろん回収して再び脱水素の原料とすることができる。ま
たさらに、副生成物であるｐ−イソブテニルエチルベン
ゼンおよび／ま売はｐ−イソブテニルスチレンは、公知
の方法で水素添加し蒸留等でＩ＆１すれば、ｐ−イソブ
チルエチルベンゼンとして再び脱水素原料とすることも
できる。

［発明の効果］ 本発明の方法でｐ−イソブチルエチルベンゼンの転化率
を４０重量％以下に慄つ条件を選べば、選択率が５０重
量％あるいはそれ以上という高選択率てｐ−イソブチル
スチレンを製造できる。従って前述したように、本発明
の方法で得られた脱水素反応イαを、例えば気液層から
分液し、乾燥後、単蒸留などといった二〜三の間車な単
位操作だけで、高純度のｐ−イソブチルスチレンおよび
未反応のｐ−イソブチルエチルベンゼンが得られる。ま
たこの未反応ｐ−イソブチルエチルベンゼンは、回収し
て再び脱水素の原料とすることができ、副生成物である
ｐ−イソブテニルエチルｌベンゼンおよび／またはｐ−
イソブテニルスチレンは、水素添加してｐ−イソブチル
エチルベンゼンとして再び脱水素原料とすることもでき
る。また、鋼−クロム系触媒を利用するので、イソブチ
ル基の骨格異性化反応や、ｐ−イソブチルスチレンの重
合反応が少ない。従って未反応ｐ−イソブチルエチルベ
ンゼンを高回収率で、および目的生成物であるｐ−イソ
ブチルスチレンを高選択率で得ることができる。このこ
とは経済的観点、すなわち本発明の方法を安価にかつ経
済的なものとするために重要なことである。このような
経済上大変有利な効果を実現し得たのは、脱水素される
可能性のあるイソブチル基とエチル基を同時に持フてい
るｐ−イソブチルエチルベンゼンの、エチル基のみを高
い選択率て脱水素する技術を、確立し得たからである。

また、本発明の方法で得られる脱水素反応液は、蒸留な
どによりｐ−イソブチルスチレンを分離して、あるいは
反応液をそのまま、例えばカルボニル化反応なとの原料
として供することができる。　以上述べてきたように、
本発明は、ｐ−イソブチルエチルベンゼンかられずか一
工程でｐ−イソブチルスチレンを製造するものであり、
なおかつ安価な銅−クロム系触媒をデコーキングなとの
再生操作により繰り返し使用することにより、効率良く
ｐ−イソブチルスチレンを製造する方法を完成させたも
のであり、画期的な発明ということができる。

以下、実施例により本発明を詳述する。

（実施例） 実遊［ユ、」２ Ｃｕ０　４３重量％、Ｃｒ２０３４２重量％、５ＩＯ２
１５重量％からなる鋼−クロム系の脱水素触媒な粒径１
−〜２Ｍに調整し、内径１２ｍ、長さ１ｍのステンレス
管に２０ｍ１充填し、３００℃で約２時間水素を１００
〜１５０時空間速度で流したのち、系内な窒素で置換し
た。

純度９７．　８！ｆｆｉ％のｐ−イソブチルエチルベン
ゼンを１０ｍ１／ｌｕ・、および水９０ｍ１／ｈｒを、
予熱管を経て、温度５５０℃で触媒層に通し脱水素させ
たく触媒との接触時間０．２秒、ｐ−イソブチルエチル
・ベンゼンに対するスチームのモル比９３）。脱水素物
は冷却し、気液を分離したのち、有機相についてＧＬＣ
分析によりｐ−イソブチルエチルベンゼンの転化率およ
びｐ−イソブチルスチレンの選択率を確認した。

脱水素物の有機相の組成は、次のようであった。

ＰＢＥ　　　　　　　７８゜ Ｐ　Ｂ　Ｓ　　　　　　　　１４゜ ＥＤＳ　　　　　　　　　３゜ ＶＤＳ　　　　　　　　　Ｏ。

不明分　　　　　３゜ ７ｗｔ％ ２ｗｔ％ ２　　　ｗｔ％ ２　　ｗｔ％ ７　　　ｗｔ％ １重量％であることがわかり、高い選択率で脱水素され
ていることが確認できた。

脱水素物の各成分を分対し、Ｍａ　ｓ　ｓ、　　Ｉ　Ｒ
，ＮＭＲで確認したところ、ｐ−イソブチルエチルベン
ゼンについては原料に用いたものと全く同一であり、５
ｅｃ−ブチルベンゼンやｔｅｒｔ−ブチルベンゼンの生
成は認められずイソブチル基の異性化等の副反応は生じ
ていないことが確認できた。またｐ−イソブチルスチレ
ンについても、ブチル基はイソブチル基であり、その置
換位置はｐ−位であった。

１Ｎｏ、　２〜５ 実施例Ｎｏ、１　　に準じて、反応温度を変えて脱水素
反応を行った。得られた結果を実施例Ｎ０９１と一緒に
表１に示した。

これから、 ｐ−イソブチルエチルベンゼンの転化率は１肌 ６重量％、 ｐ−イソブチルスチレンの選択率は７４゜表」− 表２ Ｎｏ。

反応温度（℃） 反応温度（’Ｃ） 接触時間（秒） スチームモル比 ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ 接触時間（秒） ０．０６ ０．１０ ０．２１ ０．２８ ０．３８ ＰＢＥ転化率（％）５ スチームモル比 ＰＢＳ選択率（％）８０ ＰＢＥ転化率（％）１４ １　　ｏ、　６〜ｌ 実施例Ｎｏ、１　　に準じて、接触時間を変えて脱水素
反応を行った。得られた結果を表２に示した。

ＰＢＳｉ！！択率（％）７５ Ｎｏ、　　１　　〜１３ 実施例Ｎｏ、１　　に準じて、スチームのモル比を変え
て脱水素反応を行った。得られた結果を表３に示した。

■ 夏庄 Ｎｏ。

反応温度（Ｃ） 接触時間（秒） ０．２０ ０．２１ ０．２０ ！３ 反応温度（°Ｃ） 接触時間（秒） スチームモル比 Ｎ２モル比 ＰＢＥ転化率（％） ＰＢＳ選択率（％） スチームモル比 ＋０５ ０、２０ ＰＢＥ転化率（％） ＰＢＳ選択率（％） Ｘ嵐五及立工１】 実施例Ｎｏ、１　　に準じて、窒素ガスのみを希釈剤と
して脱水素反応を行った。得られた結果は表５の通りで
あった。

１施１■臼り一上ユ 実施例Ｎｏ、　　１　　に準じて、 窒素ガスとスチーム等希釈 剤として脱水素反応を行った。

結果は表４の通りであった。

１旦 表１− 反応温度（’Ｃ）　　　　　５５０ 接触時間（秒）　　　　　０．２１ スチ一ムモル比　　　　　Ｏ Ｎ２モル比　　　　　　　９６ ＰＢＥ転化率（％）　　　１１ ＰＢＳ選択率（％）７４ １Ｎｏ、　　１６〜２０ Ｃ「２０３１８！量％、ＣｕＯ３９重量％、Ｚｎ０３８
重量％からなる鋼−クロム系脱水素触媒を使用して、実
施例Ｎｏ、　　１　　に準じて脱水素反応を行った。得
られた結果を表６に示した。

反応温度（’Ｃ）　　４５０ 接触時間（秒） ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ スチームモル比 ＰＢＥ転化率（％）２６ ＰＢＳ選択＄（％）７８　７６、　７２　　　６４　　
　４７、１〜 Ｃｒ２０３１２重量％、Ｍｇ０３重量％、Ａｌ２０３８
５重量％からなる脱水素触媒を使用して、実施例Ｎｏ、
１に準じて脱水素反応を行った。得られた結果を表７に
示し表１− １旦 Ｎｏ。

反応温度（′Ｃ） 接触時間（秒） ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ ０．２ スチームモル比 ＰＢＥ転化率（％）０．１ ＰＢＳ選択率（％）４０ 比較１口こし一旦 実施例Ｎｏ、１　　に準じて、ｐ−５ｅｃ−ブチルエチ
ルベンゼン（純度９７．５重量％）の脱水素反応を行フ
た。

結果は表８の通りであった。

反応温度（℃） 接触時間（秒） スチームモル比 ＰＢＥ転化率（％） 反応物の組成 ＢＥ ｐ−ｓｅｃ−ブチル スチレン ｐ−５ｅｃ−ブテニル エチルベンゼン ｐ−５ｅｃ−ブテニル スチレン 不明分 ０、２０ ４３、４ ５５．４ｗｔ％ ６．５ｗｔ％ １３．３ｗｔ％ １４．６ｗｔ％ １０．２ｗｔ％〜

【図面の簡単な説明】

図は、ｐ−イソブチルエチルベンゼンの転化率とｐ−イ
ソブチルスチレンの逼択率の関係を示す０図において、
実線は本発明の実施例を、 また破線は同じく比較例を示す。 特 許出願人　　日本石油化学株式会社 ゛１１！、 転化季 （％） 手続補正書

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ｐ−イソブチルエチルベンゼンを高温気相で脱水素
   してｐ−イソブチルスチレンを製造するに際し、触媒層
   温度が４００〜７００℃、ｐ−イソブチルエチルベンゼ
   ンの触媒との接触時間が０．００５〜２０秒の範囲でも
   ってｐ−イソブチルエチルベンゼンを含有する供給流を
   気相で銅−クロム系触媒と接触させ、該ｐ−イソブチル
   エチルベンゼンの転化率を４０重量％以下に保ちながら
   脱水素し、得られたｐ−イソブチルスチレンを蒸留で回
   収することを特徴とする、ｐ−イソブチルスチレンの選
   択的な製造方法。 ２）触媒層温度が４５０〜６５０℃、ｐ−イソブチルエ
   チルベンゼンの触媒との接触時間が０．０１〜１０秒の
   範囲にある請求項１記載の方法。