JPH0258523A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPH0258523A
JPH0258523A JP21148588A JP21148588A JPH0258523A JP H0258523 A JPH0258523 A JP H0258523A JP 21148588 A JP21148588 A JP 21148588A JP 21148588 A JP21148588 A JP 21148588A JP H0258523 A JPH0258523 A JP H0258523A
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JP
Japan
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epoxy resin
polyphenol
component
resin
synthesis example
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Application number
JP21148588A
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Yoshitomo Nakano
中野 義知
Masumi Kada
加田 真澄
Satoshi Ito
慧 伊藤
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
詳しくは、Tgが高くてハンダリフローもしくはハンダ
浴浸漬温度での強度が強く、しかも吸湿性が少くて、吸
湿後のハンダ処理によるパッケージクラックの人いりに
くい半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
[従来の技術] 従来、半導体封止には、オルトクレゾールノボランク樹
脂とエピハロヒドリンから製造されたエポキシ樹脂にフ
ェノールノボラック樹脂を加え、硬化促進剤、無機充填
材を混合したエポキシ樹脂組成物が用いられ、おもにト
ランスファー成形により半導体素子の封止が行われてき
た。
近年、半導体素子が高集積、大型化し、さらに多ビンの
フラットパッケージが実用化されて厚さが薄くなるに従
い、パッケージ及び封止樹脂にかかる応力が大きくなっ
てきた。とくに、封止樹脂が水分を吸湿した状態で、実
装のためハンダリフローまたはハンダ浴(215〜26
0℃)を通す工程で熱応力を強くうけ、パッケージにタ
ラックを生ずる問題が生じてきた。
このような問題を解決するには、樹脂のガラス転移点を
上げて、高温のハンダで処理されても充分な強度を保持
すること、樹脂の吸水率を下げて、封止樹脂の水分の吸
湿を少くすることが必要であるが、従来から用いられて
きたオルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂とフェノ
ールノボラック樹脂の組合せでは充分高いガラス転移点
は得られない。
〔発明が解決しようとする課題] 上記問題点を解決するためにポリフェノールのグリシジ
ルエーテルを用いてガラス転移点を上げるこころみか成
されてきた。しかしながら、フェノールの縮合物では吸
水率が上がって、吸湿後のハンダリフローテストで、ク
ランクを生じ、一方、アルキルフェノールの縮合物を用
いると、吸水率は低下するが、置換基の炭素の数が多い
とガラス転移点が低下し、また、アルキル置換基の立体
障害のため反応性が低下し、硬化時間が遅くなったり、
未反応基が残り、架橋密度が上がらないので吸湿後のハ
ンダリフローテストでクランクを生じてしまうという問
題点があった。
し課題を解決するための手段] 本発明は、前記課題を解決した次記: a)m−クレゾールと下記一般式[A]または[B]で
あられされるヒドロキシベンズアルデヒド−1■との縮
合物であるポリフェノール■■―と、エピハロヒドリン
から製造されたポリエポキシ樹脂 HO (式中、Rは水素または一〇CH,1基を表わす。)b
)1分子中に2以上のOH基を存するポリフェノール■
−− C)硬化促進剤 d)無機充填材 を含んでなるギ導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供す
るものである。
本発明のエポキシ樹脂組成物において、a)成分のエポ
キシ樹脂のエポキシ基1当量に対し、b)成分のポリフ
ェノールのOH基0.5〜2.0当量、およびa)成分
のエポキシ樹脂100重量部に対し、C)成分の硬化促
進剤0.01〜20重量部の割合で配合し、d)成分の
無機充填材を全組成物の、うち50〜90重量%となる
ように配合する。
本発明において使用されるa)成分のエポキシ樹脂は、
m−クレゾールと下記一般式[A]または[B]であら
れされるヒドロキシベンズアルデヒドとを酸性触媒下で
縮合して得られたポリフェノールを原料に用いる。
(式中、Rは、水素または一〇−基を表わす。)上記式
[A]または[B]であられされるヒドロキシベンズア
ルデヒドとしては、サリチルアルテヒド、p−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、バニリン、などがあげられる。
m−クレゾールと上記アルデヒドとの反応は、酸性触媒
の存在下、該アルデヒド1モルに対しm−クレゾール2
〜100モル、好ましくは、3〜50モルの割合で50
〜180℃、好ましくは60〜130℃の温度で1〜8
時間反応させることにより行われる。反応終了後触媒を
溜去するか、水洗するか、苛性ソーダ、苛性カリ、水酸
化カルシウム、炭酸ソーダ、炭酸水素ナトリウム等のア
ルカリで中和した後、脱水、脱m−クレゾールを行うか
、さらに水不溶の溶剤を加えて水洗、脱溶剤を行う事に
より原料ポリフェノールを得る。この際脱水、脱m−ク
レゾール、脱溶剤等の蒸溜によるプロセスは、230℃
以下で行う事が望ましい。
上記アルデヒド類は単独、または2種以上併用して用い
られる。
またm−クレゾールには全体の30%を越えない範囲で
フェノール、0−クレゾール、p−クレゾールを併用す
る場合もある。
反応に使用する酸触媒は、硫酸、塩酸、硝酸、臭化水素
、過塩素酸などの鉱酸、もしくは、パラトルエンスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸等のスルホン酸類、シュウ酸
、コハク酸、マロン酸、モノクロル酢酸、ジクロル酢酸
などのカルボン酸類が利用できる。
触媒の使用量は、反応条件により異るが、通常はm−ク
レゾール100重量部に対し0,01〜20重量部、好
ましくは0.1〜10重量部用いられる。
この縮合反応は特に溶媒は必要としないがベンゼン、ト
ルエン、キシレン、ブチルエーテル、グライム、テトラ
ヒドロフランのような溶媒を用いてもよい。
こうして得られたポリフェノールとエピハロヒドリンを
反応されることにより、エポキシ樹脂を製造する。
具体的には (1)  ポリフェノール化合物と過剰のエピハロヒド
リンとをアルカリ金属水酸下物の存在下で付加反応させ
、ポリフェノールのエピハロヒドリンの付加反応と、エ
ポキシ環を形成する閉環反応Oを同時に行ってポリエポ
キシ化合物を製造する1段法 (2)  ポリフェノールと過剰のエピハロヒドリンと
を塩基性触媒の存在下で付加反応させ、次いでアルカリ
金属水酸化物を添加し閉環反応を行ってポリエポキシ化
合物を製造する2段法が挙げられる。
エピハロヒドリンとしてはエピクロルヒドリン、エピク
ロルヒドリン、β−メチルエピクロルヒドリン、β−メ
チルエピブロモヒドリン、β−メチルエビヨードヒドリ
ン等が挙げられるが、−1にエピクロルヒドリンが使用
される。
また、アルカリ金属水酸化物としては苛性カリ、苛性ソ
ーダが使用でき、これらは固体のままで、あるいは40
〜50%のアルカリ水溶液として添加される。
塩基性触媒としてはテトラメチルアンモニウムクロリド
、テ+ラメチルアンモニウムフ゛ロミト、トリエチルメ
チルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウム
アイオダイド、セチルトリエチルアンモニウムプロミド
等の四級アンモニウム塩が使用できる。
前記1段法においては60〜150℃、好ましくは80
〜120℃の範囲の温度で反応が行われる。アルカリ金
属水酸化物はポリフェノールの水酸基1当量に対して0
.8〜1.5モル倍、好ましくは0.9〜1.2モル倍
使用する。
また、前記2段法においては、前段の反応はビハロヒド
リンの使用量は1.3〜20倍モル量、好ましくは1.
5〜14倍モル量であり、過剰に使用したエピハロヒド
リンは蒸留回収することにより再利用可能である。また
、塩基性触媒はポリフェノールのフェノール性水酸基に
対して0.002〜0.5モル%の量使用される。
後段の反応は60〜150℃、好ましくは80〜120
℃で行ない、アルカリ金属水酸化物は生成したハロヒド
リンに対して等モル量〜1.1倍モル量用いられる。こ
れら前段および後段の反応はメチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン、トルエン等の不活性有機溶媒の存在
下で行ってもよい。
これら(1)および(II)の反応終了後、反応生成物
は温水で洗浄して例えば食塩の如きアルカリ金属塩を除
去し、次いで水を留去して精製する。
あるいは反応生成物を水に不審または離溶性の有機溶媒
、例えばメチルイソブチルケトン、シクロヘキサンノン
、トルエン等に溶解し、この溶液を水又は温水と接触さ
せて食塩等の無機不純物を水相に熔解し、その後有機溶
媒を留去して精製を行なう。
b)成分のポリフェノールは、2個以上のOH基を有す
るものであるが、好ましくは3個以上のOH基を存する
ものである。具体的には、フェノール、アルキル置換フ
ェノール、たとえば0−クレゾール、p−クレゾール、
t−ブチルフェノール、クミルフェノール、ビニルフェ
ノールなどのフェノール類と、ホルムアルデヒドとを、
酸性触媒下に縮合して得られるフェノールノボラック樹
脂があげられる。
このほか、フェノールや置換フェノールとホルムアルデ
ヒド以外のアルデヒド、例えばサリチルアルデヒド、バ
ニリン、テレフタルアルデヒド、ヘンズアルデヒド、ク
ロトンアルデヒド、グリオキザール等とを酸性触媒の存
在下で縮合したポリフェノール化合物、レゾルシンやハ
イドロキノンとホルムアルデヒドを縮合したポリフェノ
ール、ビニルフェノールやイソプロペニルフェノールの
重合物もしくは、これらの化合物と重合性不飽和基をも
つ化合物との共重合体であるポリフェノール等があげら
れる。
なかでも、m−クレゾール及びフェノールの一種または
混合物とサリチルアルデヒド、p−ヒドロキシヘンズア
ルデヒド、バニリンの一種または混合物との縮合により
得られたポリフェノールを用いると、とくにガラス転移
点が高くなり好ましい。とくにm−クレゾールを原料に
用いたポリフェノールは吸水性も下るのでいっそう好ま
しい。
b)成分のポリフェノールは、エポキシ樹脂のエポキシ
基1当量に対しポリフェノールのOH基が0.5〜2.
0当量、好ましくは0.7〜1.5当量の割合で配合す
る。
C)成分の硬化促進剤は、エポキシ樹脂と多価フェノー
ル化合物の反応を促進し、硬化を速めるものである。
硬化促進剤は二級アミン、三級アミン、イミダゾール、
1.8−ジアザ−ビシクロ−(5,4,O)ウンデセン
−7またはこれらのカルボン酸塩またはBF3塩、有機
ホスフィン、有機ホスフィンアルキルボレート、有機ホ
スファイト、アミンアルキルボレート、シラン化合物が
あげられる。具体的には、例えば2−(ジメチルアミノ
メチル)フェノール、2,4.6−)リス(ジメチルア
ミノメチル)フェノール、ヘンシルジメチルアミン、α
−メチルヘンシルジメチルアミンのような第三級アミン
、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダヅール
、2−ウンデシルイミダヅール、2−ヘプタデシルイミ
ダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイ
ミダゾール類BFよ。
ピペリジン、BF□ ・モノエチルアミン、BF32−
メチルイミダゾール、2,4.6−トリス(ジメチルア
ミノメチル)フェノールの2−エチルヘキサン酸塩、1
.8−ジアザビシクロ=(5゜4.0)ウンデセン−7
の2−エチルヘキサン酸塩、2−メチルイミダゾールア
セテート、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホ
スフィンテトラフェニルボレート、1.8−ジアザビシ
クロ−(5,4,O)ウンデセン−7のテトラフェニル
ボレート、ピリジンのテトラフェニルボレート、トリフ
ェニルホスフィンオキシト、トリフェニルホスファイト
、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン等
のシラン類、N−P−クロロフェニル−N、N’−ジメ
チル尿素、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホス
ファイト)チタネート等があげられる。
その配合量はエポキシ樹脂100重量部に対し0.01
〜20重量部、好ましくは0.1〜5重量部である。
d)成分の無機充填材は、通常、無機質充填材として使
用されているものであれば如何なるものでもよい。この
ような無機質充填材としては、;容融シリカ粉、結晶性
シリカ粉、石英ガラス粉、タルク、ケイ酸カルシウム粉
、ケイ酸ジルコニウム粉、アルミナ扮、炭酸カルシウム
粉、クレー↑5)、硫酸バリウム粉及びガラス繊維等が
挙げられ、これらから成る群より選ばれた1種若しくは
2種以上のものが使用されるが、シリカ粉末が特に好ま
しい。
無機充填材の配合量は、種々の配合物を合計した全組成
物のうち50〜90重四%、好ましくは60〜85重量
%である。
任意成分 本発明の組成物には必要により、無機充填材と樹脂の接
着を向上する為のカップリング剤、流れを増し、離型性
を良くする流動調整剤、離型剤、難燃性を高める難燃化
剤を配合してもよい。カンプリング剤としては、β〜(
3,4−エボキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシ
シラン、γグリシドキシプロビルメチルジェトキシシラ
ン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノメチルトリ
メトキシシランのようなシラン系カップリング剤、イソ
プロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、
テトライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チ
タネートのようなチタン系カップリング剤その他があげ
られる。このようなカップリング剤は無機充填材の重量
100に対し0.001〜1重量部の割合で配合しあら
かじめ充填材を処理するか、樹脂に配合して用いられる
流動調整剤または雛型剤としては各種ワックス、例えば
カルナバワックス、化石ワックスであるモンクンワノク
ス(エステル、カルボン酸、金属石ケン)、酸化ポリエ
チレンワックス、オレイン酸やステアリン酸とそのアミ
ド化合物等があげられる。
樹脂の合計100重量部に対し0.1〜5重量部の割合
で配合される。
難燃化剤は、ホウ酸鉛、メタホウ酸バリウム等のホウ素
化合物、リン、トリフェニルホスフェート、トリス(ブ
ロモプロピル)ホスフェート、トリフェニルホスフィン
オキシト等のリン化合物を用いることができる。これら
は通常樹脂の合計100重量部に対し1〜80重量部配
合される。
また三酸化アンチモン、トリフェニルスチビン、トリメ
チルスチビン等のアンチモン化合物を用いると良い。ア
ンチモン化合物は、樹脂の合計100重u部に対し1〜
15重量部配合される。
また難燃化のために、エポキシ樹脂の一部を芳香族ハロ
ゲン置換体であるエポキシ樹脂に代える方法も用いられ
る。たとえば臭素化フェノールノボラック型エボ;)・
ン樹脂や、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂があ
げられる。
IC封止材に可撓性を与え、素子への応力を下げる目的
でエラストマーを配合することができる。
これらの可(発性付与成分は、混合するか、エポキシ樹
脂またはポリフェノールと一部反応させた状態で配合さ
れる。各種のシリコン樹脂や、ポリブタジェン−アクリ
ロニトリル共重合樹脂やカルボキンル基含有ポリブタジ
ェン−アクリロニトリル共重合樹脂のようなゴム成分が
あげられる。
さらに顔料としてカーボンブランク等の着色剤を加えて
もよい。これらは、樹脂100重量部に対し0.5〜I
O重量部の割合で用いる。
封止材の製造 封止材の製造は常法に従い、a)〜d)の成分に上記助
剤を必要に応じて加えて微粉砕しトライブレンドするか
、熱ロール又はエクストルーダーを用いて溶融混練した
後粉砕し、必要に応じてタブレットに圧縮成形して用い
られる。半導体の封止には、トランスファー成形法がも
っとも一般的である。
[発明の効果] 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、ガラス転
移点が高く、吸湿性が少く、反応性がよく未反応基が残
らないので、吸湿後ハンダ処理してもパッケージクラッ
クが入りにくい。
本発明のa)成分として用いるボキシ樹脂は、原料ポリ
フェノールにm−クレゾールの縮合物を用いるので、0
11基の隣にメチル基は無く、また芳香族のついたメチ
レン基がくる確率が低いので、硬化速度は速くガラス転
移点も高くなる。
[実施例] 以下に実験例を示して、本発明をより具体的に説明する
。尚、例中、特に規定ない限り、割合は重分割合を示す
合成例1 還流冷却25、撹拌器、温度計および滴下が斗を備えた
反応器内にm−クレゾール1728g (1,6−T−
ル)とサリチルアルデヒド244g(2モル)を加え内
容物を撹拌しながら80℃に加温する。滴下が斗から濃
塩酸26gをゆっくりと滴下し、激しい発熱の無いよう
にコントロールしながら100℃まで昇温し、100°
Cにて3時間反応させた。
次に前記反応器の還流冷却器を冷却分離器にかえて系内
を150°Cまで上昇し、さらに5tmHgの減圧下で
190℃まで加熱して塩酸、水、未反応フェノールを情
夫し、生成物608gを得た。この樹脂の顕微鏡法によ
る軟化点は110℃であった。
(水酸基当量105) 合成例2 サリチルアルデヒドの代りにp−ヒドロキシベンズアル
デヒド244g(2モル)を用いる他は合成例1と同様
にして生成物602gを得た。この樹脂の顕微鏡法によ
る軟化点は113℃であった。
合成例3 サリチルアルデヒドの代りにバニリン304g(2モル
)を用いる他は合成例1と同様にして生成物665gを
得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は117 ’C
であった。
合成例4 サリチルアルデヒドを366g(3モル)用いる他は合
成例1と同様にして生成物610gを得た。この樹脂の
顕微鏡法による軟化点は、122°Cであった。
合成例5 m−クレゾールの代りにフェノール1504 g (1
6モル)を用いる他は合成例1と同様にして生成物55
2gを得た。この樹脂の顕微鏡法による軟化点は98゛
Cであった。(水酸基当N96)合成例6 m−クレゾールの代りに0−クレゾールを用いる他は合
成例1と同様にして生成物609gを得た。この樹脂の
顕微鏡法による軟化点は106℃であった。
合成例7 m−クレゾールの代りにp−クレゾールを用いる他は合
成例1と同様にして生成物608gを得た。この樹脂の
顕微鏡法による軟化点は118°Cであった。
合成例8 撹拌装置、還流冷却器を備えた反応器内に合成例1で得
た樹脂320g、エピクロルヒドリン2220 g、テ
トラメチルアンモニウムクロリド1.8gを仕込み加熱
還流下で2時間付加反応を行わせた。次いで内容物を6
0℃に冷却し、水分除去装置を付けて、水酸化ナトリウ
ム88gを加え、反応温度55〜60℃、減圧度100
〜1501菖Hgで生成する水を連続的に共沸除去させ
なから閉環反応を行わせた。反応生成物をが過し、さら
に水洗して生成した食塩を除いた後に、炉液を減圧薄情
し、残存エピクロルヒドリンを回収した。このようにし
てエポキシ当量176のエポキシ樹脂を得た。顕微鏡法
による軟化点は57℃であった。
合成例9 合成例2で得た樹脂320gを用いる他は合成例8と同
様にしてエポキシ樹脂を得た。エポキシ当1175、顕
微鏡法による軟化点は61°Cであった。
合成例10 合成例3で得た樹脂350gを用いる他は合成例8と同
様にしてエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量185、B
fA倣鏡法による軟化点は63℃であった。
合成例11 合成例4で得た樹脂320gを用いる他は合成例8と同
様にしてエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量179、顕
微鏡法による軟化点は68℃であった。
合成例12 合成例5で得た樹脂292gを用いる他は合成例8と同
様にしてエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量167、顕
微鏡法による軟化点は43°Cであった。
合成例13 合成例6で17た樹脂320gを用いる他は合成例8と
同様にしてエポキシ樹脂を得た。エポキシ当量175、
顕微鏡法による軟化点は53゛Cであった。
合成例14 合成例7で得た樹脂320gを用いる他は合成例8と同
様してエポキシ樹脂を得た。エポキシ当ff1181、
顕微鏡法による軟化点は65℃であった。
実施例1〜4 合成例8〜11のエポキシ樹脂に、表−1に示す割合で
臭素イヒフェノールノボラックエボキシ樹脂(ブレン 
エポキシ当W285 日本化薬製)、フェノールノボラ
ック樹脂(クマノール752水酸基当ff1104  
加用化学製)、硬化促進剤としてトリフエノールホスフ
ィン、可撓性付与剤としてジメチルジメトキシシランと
γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシランを縮合し
て得られるシリコン樹脂、さらに溶融シリカ、シランカ
ップリング剤(NUCシリコーンA−186ロ本ユニカ
ー社製)、離型剤としてのカルナバワックス、I燃性付
与剤の二酸化アンチモンを加え、二本ロールを用いて7
0〜110℃にて混練し、混練物を冷却後粉砕し、タブ
レフトマシーンにてタブレ−/ )に加圧し成形した。
こうして得られた成形材料を、トランスファー成形機を
用いて180°C1圧カフ Q kg/ aJにて3分
間で成形した後、180℃で6時間のポストキュアを行
った。
上記材料を用い、8−■×8鶴のグイボンディングブレ
ート上に素子を置き、14層厘×20朧鳳×2、25 
mmの大きさの80ピン(luadフラットバッゲージ
の成形を行った。
成形したバフケージを85°C185%RHの条件にて
72時間吸湿させた後215℃のVaporphase
ハンダ処理を90秒行い、クランク発生の有無を観測し
た。
同様に6.4璽鳳X 5.4 mlのグイボンディング
ブレート上に素子を置き、フラントパッケージを成形し
た。同様の吸湿処理後260℃のハンダ浴に10秒浸漬
処理しクランクの発生を観測した。
その他の特性テスト結果も併せ、表−2に示す。
実施例5 エポキシ樹脂として合成例8の樹脂、硬化剤として合成
例5の樹脂を用いる他は、実施例1と同様にして封止材
を製造した。組成を表−1、特性テストの結果を表−2
に示す。
実施例6 エポキシ樹脂として合成例8の樹脂、硬化剤として合成
例1の樹脂を用いる他は実施例1の様にして封止材を製
造した。組成を表−1に示す。特性テストの結果を表−
2に示す。
比較例1 エポキシ樹脂として0−クレゾールノボラックエポキシ
樹脂(エピコート180  油化シュルエボキシ商品名
 エポキシ当i210)を用いる他は実施例1の様にし
て封止材を製造した。
比較例2 エポキシ樹脂として合成例12のエポキシ樹脂を用いる
他は実施例1の様にして封止材を製造した。
比較例3 エポキシ樹脂として合成例13のエポキシ樹脂を用いる
他は実施例1の様にして封止材を製造した。
比較例4 エポキシ樹脂として合成例14のエポキシ樹脂を用いる
他は実施例1の様にして封止材を製造した。比較例1〜
4の組成を表−3、特性テストの結果を表−4に示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)a)m−クレゾールと下記一般式[A]または[
    B]であらわされるヒドロキシベンズアルデヒドとの縮
    合物であるポリフェノールとエピハロヒドリンから製造
    されたエポキシ樹脂 [A]▲数式、化学式、表等があります▼ [B]▲数
    式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは、水素または−OCH_3基を表わす。)
    b)1分子中に2以上のOH基を有するポリフェノール c)硬化促進剤 d)無機充填材 を含んでなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP21148588A 1988-08-25 1988-08-25 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPH0258523A (ja)

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JP21148588A JPH0258523A (ja) 1988-08-25 1988-08-25 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0280424A (ja) * 1988-09-16 1990-03-20 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPH02245016A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Nippon Kayaku Co Ltd 高耐熱難燃性樹脂組成物

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