JPH0258354A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、気密封止型半導体装置に関するもので、特に
キャップを接着剤にて取り付けたのち。

ベークして封止する半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

気密封止型半導体装置とじ−て、最近セラミック製のピ
ングリットアレイ（以下、ＰＧＡと（・う）に代り、コ
ストが安いプラスチック製ＰＧＡが適用されつつある。

第４図は、従来のプラスチック製ＰＧＡの断面図であり
、以下図面を用（・て説明して（・く。１はチップ取付
基板であり、その表面には半導体チップ２が銀ペースト
３により取り付けられて（・る。４は外部リードであり
、半導体チップ２０表面に形成した電極２ａとボンディ
ングワイヤ５、チップ取付基板１の表面上に形成した配
線２ｂを介して接続している。６はリング形状のダム部
であり、チップ取付基板１の周辺に１例えばシリコーン
ゴム系接着材７により接着されて（・ろ。チップ取付基
板１とダム部６で構成されるキャビティ部８には、チッ
プ２．ボンディングワイヤ５及び配＠２ｂの耐湿のため
にコーティング材９が塗布されている。１０はダム部６
上の平坦面に接着材１１を介して取付けたキャップであ
り。

外気がキャビティ８内に進入しないよう気密封止してい
る。なお、本例のような半導体装置については特開昭６
０−１３６３４５号公報に記載されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、このような半導体装置にあっては、キャップ
ｌＯをダム部６に接合するためには、接着材１１を熱硬
化させろ必要があるため１００数十度でベークしなけれ
ばならない。そのため、ベークの際、温度の上昇に伴な
ってキャビテイ８内部の圧力が外気に比べて高くなり、
キャビティ８内のガスが硬化前の接着剤１１を押しのけ
、第５図に示すようなブローホール１２が生じてしまう
。

これは、外気の水分がキャビティ８内に進入することと
なり極めて大きな歩留及び信頼性低下要因の問題となっ
て（・る。

本発明の目的は、耐湿性の向上した半導体装置を提供す
るものである。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

〔課題を解決するだめの手段〕

本願にお（・て開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明丁れば、下記のとおりである。

丁なわち、硬化前の接着剤がキャビティ内圧の上昇（伴
なって移動しな（・ように、接着剤の流れ止めを設ける
ものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、流れ止め部分にて接着剤の移動
が停止するので、ブローホールの発生を防止でき、耐湿
性を飛躍的に向上できろものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である半導体装置。

第２図は第１図の半導体装置の主要部拡大図、第３図は
第１図の半導体装置の上面図である。以下、本実施例に
ついて詳細に説明する。１５は絶縁性のプラスチックか
らなるチップ取付基板であり。

その主表面中央部には銀ペースト、エポキシ系接着材等
の接合材１６により半導体チップ１７が取付けられて（
・る。このチップ取付基板１５の主表面には、一端を半
導体チップ１７に近接させた金。

銅などの良導体金属からなる配線１８が形成されており
、半導体チップ１７上の電極とボンディングワイヤ１９
を介して電気的に接続している。２０はチップ取付基板
１５０表裏を連通したスルーホール２１に形成され配線
１８の他端と接続するスルーホールメツキであり、前記
スルーホール２１に嵌挿されたコンタクトビン２２と電
気的に接続している。なお、２３は半田であり、前記コ
ンタクトビ／２２を固定して（・る。２４は前記チップ
取付基板１５０周辺に沿ってリング状に形成された絶縁
性のダム部であり、絶縁性の接着剤、例えばシリコーン
ゴム系接着剤２５にて固着されて（・る。２６はチップ
取付基板１５及びダム部２４（以下、本実施例において
はこれらを合わせてベースと呼ぶことにする）で構成さ
れた空間であるキャビティ２７の雰囲気と外気とを遮断
する絶縁性のキャップであり、絶縁性のシリコーンゴム
系の接着剤２８によりベース（あるいはダム部２４）と
接着している。ところで、ベースとキャップ２６の境界
部には、ベーク時硬化前の接着剤２８が、キャビティ２
７の内圧の上昇により外側へ移動するのを防止する流れ
止めが設けられて（・ろ。本実施例ではダム部２４のキ
ャップ２６側表面に凸部２９を形成することにより行な
って（・ろ。この凸部２９は、第３図で示すように半導
体チップ１７を囲むように形成されており、本例のごと
く多重に形成しても良い。また、さらに接着剤２８の移
動を確実に防止するために、前記凸部２９とかみ合うよ
うな凹部３０をキャップ２６のダム部２４に対向する面
側に形成して（・る。なお、３１はキャビティ２７に塗
布された半導体チップ１７及びボンディングワイヤ１９
等のコーテイング材であるー 次に、本実施例の作用・効果につ（・て説明する。

（１）ベースとキャップの境界部に、接着剤の流れ止め
を設けることにより、ベークの際、キャビティ内の内圧
が高くなっても前記流れ止めにて硬化前の接着剤の移動
が防止できるので、ブローホールの発生を防止できると
（・う効果が得られる。

（２）ベースあるいはキャップの一方側に、接着剤の流
れ止めとしてチップを囲うごとくリング状の凸部を形成
することにより、ベークの際キャビティ内圧が外気に比
べて高くなっても、前記凸部にて硬化前の接着剤の移動
が防止でき、ブローホールの発生を防ぐことができろ。

従って、半導体装置の耐湿性を飛躍的に向上できるとい
う効果が得られる。

（３）ベースあるし・はキャップの対向する面の一方側
に凸部を、他方側に前記凸部とかみ合う凹部な形成する
ことにより、ベークの際、硬化前の接着剤の移動を確実
に防止でき、従ってブローホールの発生の防止を達成で
きるものである。

（４）ベースあるいはキャップに、凸部あるいは凹部を
設けることにより、接着材との接合面積が増大するので
、接合強度が大となり耐湿性が向上できると（・う効果
が得られるものである。

（５）ベースあるいはキャップの対向する面の一方側に
凸部を、他方側に前記凸部とかみ合う凹部な形成するこ
とにより、ベースに対するキャップの位置決めが容易と
なり、その結果耐湿性が向上すると共に、自動化が簡単
となる効果を有する。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは（・うまでもない。たとえば、本実施例
では凸部及び凹部の形状は四角状であるが、半円状酸（
・は他の形状であっても良い。また、流れ止めはベース
と一体ではなく、ベースに耐熱性の接着剤で取付けた枠
体であっても良い。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるグラスチック製ＰＧ
Ａに適用した場合について説明したが、接着剤でキャン
プな封止する半導体装置であれば、プラスチック製でな
（セラミック製であっても良い。また、デュアル・イン
・ライン型あるいは面付実装型のパッケージであっても
良（・。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明てれは、下記の通りである
。

すなわち、半導体装置の歩留が向上し、原価低減を達成
できろものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図。 第２図は！！１図の主要部拡大図。 第３図は、第１図の半導体装置の上面図。 第４図は、従来のＰＧＡの断面図、 第５図は、従来のＰＧＡのブローホール部分拡大図であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを搭載したベースと、前記ベースに接
   着剤を介してキャップを取り付け気密封止した半導体装
   置において、前記ベースあるいはキャップの互いに対向
   する面に、半導体チップを囲うごとく凸部が形成されて
   いることを特徴とする半導体装置。 ２、前記凸部が形成された面に対向するベースあるいは
   キャップを構成する面には、その凸部とかみ合う凹部が
   形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の半導体装置。 ３、前記凸部はベースあるいはキャップと一体であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２項記
   載の半導体装置。