JPH0257844A - クリーンルームの湿度制御方法 - Google Patents
クリーンルームの湿度制御方法Info
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- JPH0257844A JPH0257844A JP20776588A JP20776588A JPH0257844A JP H0257844 A JPH0257844 A JP H0257844A JP 20776588 A JP20776588 A JP 20776588A JP 20776588 A JP20776588 A JP 20776588A JP H0257844 A JPH0257844 A JP H0257844A
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- Japan
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Landscapes
- Central Air Conditioning (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はクリーンルームの湿度制御方法に係り、特に半
導体の製造等に要求される清浄作業環境を作り出すため
のクリーンルームの湿度制御方法に関する。
導体の製造等に要求される清浄作業環境を作り出すため
のクリーンルームの湿度制御方法に関する。
近年、半導体産業、精密産業等、その生産行程に於いて
塵埃管理を必要としたエリアが急増し、これに伴いクリ
ーンルームの建設が活発に行われている。
塵埃管理を必要としたエリアが急増し、これに伴いクリ
ーンルームの建設が活発に行われている。
第2図は従来のクリーンルームの構造を示す説明図であ
る。第2図に示すようにクリーンルームlOは外室12
と内室14とが形成され、内室14内は清浄室内15と
なっている。外室12の上面と内室I4の上面との間に
は天井チャンバが形成され、内室14の上面には、送風
器と高性能フィルタで構成された複数のファンフィルタ
ユニット16.16・・・が配せられる。清浄エアはこ
れらのファンフィルタユニット16から清浄室内15に
吹き出される。吹き出されたエアはダウンフローした後
、グレーチング床面(通気面)18を通って床下チャン
バに20に吸い込まれる。床下チャンバ20はグレーチ
ング床18と外室12の基礎床との間に形成される。
る。第2図に示すようにクリーンルームlOは外室12
と内室14とが形成され、内室14内は清浄室内15と
なっている。外室12の上面と内室I4の上面との間に
は天井チャンバが形成され、内室14の上面には、送風
器と高性能フィルタで構成された複数のファンフィルタ
ユニット16.16・・・が配せられる。清浄エアはこ
れらのファンフィルタユニット16から清浄室内15に
吹き出される。吹き出されたエアはダウンフローした後
、グレーチング床面(通気面)18を通って床下チャン
バに20に吸い込まれる。床下チャンバ20はグレーチ
ング床18と外室12の基礎床との間に形成される。
床下チャンバ20のエアは吸い込み口22及び風導管2
4を介して空調器26に送られる。空調器26内にはス
プレー式加湿装置28、冷却器30、加熱器32及びフ
ィルタ34が設けられ、床下チャンバ20からのエアは
これらの装置によって調温調湿された後、風導管36及
び給気ファン38を通ってファンフィルタユニット16
.16・・・に送風される。送風エアはファンフィルタ
ユニット16によって清浄エアとされた後、再び清浄室
内15に吹き出され循環されている。
4を介して空調器26に送られる。空調器26内にはス
プレー式加湿装置28、冷却器30、加熱器32及びフ
ィルタ34が設けられ、床下チャンバ20からのエアは
これらの装置によって調温調湿された後、風導管36及
び給気ファン38を通ってファンフィルタユニット16
.16・・・に送風される。送風エアはファンフィルタ
ユニット16によって清浄エアとされた後、再び清浄室
内15に吹き出され循環されている。
また、空調器26内のスプレー式加湿装置28には超純
水製造装置40からの超純水がポンプ42及び調節弁4
4を介して注入され、超純水は加湿装置28のノズルか
らスプレーされる。床下チャンバ20からのエアは、噴
霧された超純水と気液接触して蒸発作用で加湿される。
水製造装置40からの超純水がポンプ42及び調節弁4
4を介して注入され、超純水は加湿装置28のノズルか
らスプレーされる。床下チャンバ20からのエアは、噴
霧された超純水と気液接触して蒸発作用で加湿される。
超純水の調節弁44は制御装置46によって制御され、
制御装置46は清浄室内15の湿度センサ48の測定値
に基づいて調節弁44の制御をしている。
制御装置46は清浄室内15の湿度センサ48の測定値
に基づいて調節弁44の制御をしている。
このような超純水はクリーンルーム内の空調に特に必要
とされる。通常の市水を使用すると、各種不純物が含有
されるため、加湿によってエア中に不純物が混入し、フ
ァンフィルタユニ7)16内の高性能フィルタの目詰ま
りを速め、清浄室内15での清浄度の維持にも悪影響を
与える。そこで、製造コストの高い超純水(市水の5乃
至10倍の1.000〜2.000円/m′)が使用さ
れる。
とされる。通常の市水を使用すると、各種不純物が含有
されるため、加湿によってエア中に不純物が混入し、フ
ァンフィルタユニ7)16内の高性能フィルタの目詰ま
りを速め、清浄室内15での清浄度の維持にも悪影響を
与える。そこで、製造コストの高い超純水(市水の5乃
至10倍の1.000〜2.000円/m′)が使用さ
れる。
尚、床下チャンバ20からのエアは風導管24から分岐
した排気管50より一部排出される。また、外気の一部
は外気導入口52及び外気処理用空調器54を通って風
導管24より空調器26に送風される。
した排気管50より一部排出される。また、外気の一部
は外気導入口52及び外気処理用空調器54を通って風
導管24より空調器26に送風される。
このような構成に於いて、清浄エアは空調器26によっ
て調湿されてると共に、ファンフィルタユニット16の
高性能フィルタによって清浄化されて清浄室内15に吹
き出される。制御装置46は清浄室内15の湿度センサ
48の計測値に基づいて超純水用調節弁44を調節し、
スプレー式加湿装置28で噴霧される超純水量を調節し
ている。
て調湿されてると共に、ファンフィルタユニット16の
高性能フィルタによって清浄化されて清浄室内15に吹
き出される。制御装置46は清浄室内15の湿度センサ
48の計測値に基づいて超純水用調節弁44を調節し、
スプレー式加湿装置28で噴霧される超純水量を調節し
ている。
これにより、吹き出される清浄エアの湿度は制御装置4
6によって調節される。
6によって調節される。
清浄エアは従来から清浄室内15の湿度が40乃至45
%(RH)に維持されるように調湿される。清浄室内1
5の湿度が45%以上になると、半導体のレジスト等の
製造プロセスに於いて品質に支障が生じる。また、清浄
エアの湿度を極端に下げると、従来のクリーンルームの
内壁面又はプロセス装置等に強力な帯電を生じ、度埃は
これらに付着し、清浄室内15に集積し易くなる。この
為清浄室内15での清浄度が低下し、被加工物の塵埃付
着量が増加する不具合がある。また、このような静電気
は60乃至100ボルトに達するため、清浄室内15で
製造される半導体RAM等の静電破壊を招く環境を誘発
する。このため、清浄室内15の湿度は40%以上に維
持されている。
%(RH)に維持されるように調湿される。清浄室内1
5の湿度が45%以上になると、半導体のレジスト等の
製造プロセスに於いて品質に支障が生じる。また、清浄
エアの湿度を極端に下げると、従来のクリーンルームの
内壁面又はプロセス装置等に強力な帯電を生じ、度埃は
これらに付着し、清浄室内15に集積し易くなる。この
為清浄室内15での清浄度が低下し、被加工物の塵埃付
着量が増加する不具合がある。また、このような静電気
は60乃至100ボルトに達するため、清浄室内15で
製造される半導体RAM等の静電破壊を招く環境を誘発
する。このため、清浄室内15の湿度は40%以上に維
持されている。
しなしながら、最近の材料技術の目覚ましい発展、特に
帯電防止技術の発展に伴い、クリーンルーム内で使用さ
れる内装材等において、従来のものより帯電し難いもの
が使用されるに至っている。
帯電防止技術の発展に伴い、クリーンルーム内で使用さ
れる内装材等において、従来のものより帯電し難いもの
が使用されるに至っている。
このため、従来のように清浄室内15の湿度を40%以
上に維持する必要がなく、清浄室内15で使用される内
装材に生じる帯電電位に対応した湿度まで下げても問題
にならない。
上に維持する必要がなく、清浄室内15で使用される内
装材に生じる帯電電位に対応した湿度まで下げても問題
にならない。
しかし、従来のクリーンルームの湿度制御方法において
は、内装材等の改良により低湿度にして良いにもかかわ
らず、清浄エアは湿度センサ48に基づいて清浄室内1
5が常に40%以上に維持されるように調湿される。こ
のため、製造コストの高い超純水が空調器26の加湿装
置28において余分に使用される不具合が生じると共に
、加湿装!i!!28のランニングコストにも無駄が生
じる不具合がある。
は、内装材等の改良により低湿度にして良いにもかかわ
らず、清浄エアは湿度センサ48に基づいて清浄室内1
5が常に40%以上に維持されるように調湿される。こ
のため、製造コストの高い超純水が空調器26の加湿装
置28において余分に使用される不具合が生じると共に
、加湿装!i!!28のランニングコストにも無駄が生
じる不具合がある。
本発明はこのような事情に鑑みたもので、最近の帯電防
止技術に伴い、半導体製造時に被製造物に影響を与える
ことなく、クリーンルーム内を低コストで調湿するクリ
ーンルームの湿度制御方法を提案することを目的として
いる。
止技術に伴い、半導体製造時に被製造物に影響を与える
ことなく、クリーンルーム内を低コストで調湿するクリ
ーンルームの湿度制御方法を提案することを目的として
いる。
本発明は前記目的を達成するために、クリーンルーム内
に吹き出しされる清浄エアを純水を使用して調湿するク
リーンルームの湿度制御方法に於いて、前記クリーンル
ーム内に設置した物の帯電電位を計測し、該計測値に基
づいて清浄エアを調湿することを特徴とした。
に吹き出しされる清浄エアを純水を使用して調湿するク
リーンルームの湿度制御方法に於いて、前記クリーンル
ーム内に設置した物の帯電電位を計測し、該計測値に基
づいて清浄エアを調湿することを特徴とした。
本発明に係るクリーンルームの湿度制御方法によれば、
クリーンルーム内の構造物或いはプロセス機器等の物の
帯電電位が計測され、清浄エアはその計測値に基づいて
調湿される。このため、従来のように必ずしもクリーン
ルーム内の湿度を40%以上に維持する必要がない場合
には、前記帯電電位値に基づいて出来る限り清浄エアの
湿度を下げてそのエアを供給することができる。従って
、清浄エアの湿度を低下させることにより、使用される
純水は低減され、また、調湿するための運転コストに無
駄がない。
クリーンルーム内の構造物或いはプロセス機器等の物の
帯電電位が計測され、清浄エアはその計測値に基づいて
調湿される。このため、従来のように必ずしもクリーン
ルーム内の湿度を40%以上に維持する必要がない場合
には、前記帯電電位値に基づいて出来る限り清浄エアの
湿度を下げてそのエアを供給することができる。従って
、清浄エアの湿度を低下させることにより、使用される
純水は低減され、また、調湿するための運転コストに無
駄がない。
以下添付図面に従って本発明に係るクリーンルームの湿
度制御方法の好ましい実施例を詳説する。
度制御方法の好ましい実施例を詳説する。
第1図は本発明に係るクリーンルームの湿度制御方法を
示した説明図である。第1図に示すクリーンルーム11
は第2図で示した従来のクリーンルームlOと略同様な
構成になっており、第2図で示したクリーンルーム10
と同様な部品又は構成部材については同一の符号を付し
てその詳しい説明は省略する。
示した説明図である。第1図に示すクリーンルーム11
は第2図で示した従来のクリーンルームlOと略同様な
構成になっており、第2図で示したクリーンルーム10
と同様な部品又は構成部材については同一の符号を付し
てその詳しい説明は省略する。
本発明に係るクリーンルーム11の清浄室内15には帯
電電位計70が設けられ、帯電電位計70で計測された
構造物の電位計測値は制御装置72に入力される。制御
装置72は帯電電位計70で計測された帯電電位値に基
づいて純水調節弁44の調節をしている。尚、清浄室内
15の内壁等の構造物は、従来のものと相違し帯電防止
塗料等が塗布されており、帯電電位が50ボルトになる
場合は、その清浄室内15の湿度は40%RH以下の低
湿度のときである。
電電位計70が設けられ、帯電電位計70で計測された
構造物の電位計測値は制御装置72に入力される。制御
装置72は帯電電位計70で計測された帯電電位値に基
づいて純水調節弁44の調節をしている。尚、清浄室内
15の内壁等の構造物は、従来のものと相違し帯電防止
塗料等が塗布されており、帯電電位が50ボルトになる
場合は、その清浄室内15の湿度は40%RH以下の低
湿度のときである。
前記の如く構成された本発明に係るクリーンルームの湿
度制御方法によれば、制御装置72は帯電電位計70の
電位計測値に基づいて、純水調節弁44を調節し加湿装
置28での噴霧量を調節している。そして、その調節は
、清浄室内15の帯電電位計70の計測値が50ボルト
を超えないように設定される。このため、ファンフィル
タユニット16から吹き出される清浄エアは、清浄室内
15の構造物が50ボルト以下の帯電電位になる範囲で
調湿され、清浄室内15の湿度は従来と比べて40%R
H以下に押さえられる。従って、清浄エアの湿度は従来
より低減され、スプレー式加湿装置28で加湿に要する
超純水量が低減すると共に加湿装置28の運転コストも
少なくなる。更に、従来より低湿度で製品製造を行うの
で、被製造物は湿度による悪影響を受けず歩留りがよく
なる。
度制御方法によれば、制御装置72は帯電電位計70の
電位計測値に基づいて、純水調節弁44を調節し加湿装
置28での噴霧量を調節している。そして、その調節は
、清浄室内15の帯電電位計70の計測値が50ボルト
を超えないように設定される。このため、ファンフィル
タユニット16から吹き出される清浄エアは、清浄室内
15の構造物が50ボルト以下の帯電電位になる範囲で
調湿され、清浄室内15の湿度は従来と比べて40%R
H以下に押さえられる。従って、清浄エアの湿度は従来
より低減され、スプレー式加湿装置28で加湿に要する
超純水量が低減すると共に加湿装置28の運転コストも
少なくなる。更に、従来より低湿度で製品製造を行うの
で、被製造物は湿度による悪影響を受けず歩留りがよく
なる。
前記実施例では清浄室内15の内壁面に帯電電位計70
を1個のみ設けたが、これに限るものではなく、複数の
帯電電位計を内壁あるいはプロセス装置等に設けて、き
めの細かい湿度制御をしてもよい。
を1個のみ設けたが、これに限るものではなく、複数の
帯電電位計を内壁あるいはプロセス装置等に設けて、き
めの細かい湿度制御をしてもよい。
また前記実施例において、湿度制御するために帯電電位
計70のみに基づいて制御装置72を制御した。しかし
、この帯電電位計70の他に清浄室内15に湿度センサ
48を設けてもよい。湿度センサ48は清浄室内15の
湿度を測定し、その測定値を制御装置72に出力する。
計70のみに基づいて制御装置72を制御した。しかし
、この帯電電位計70の他に清浄室内15に湿度センサ
48を設けてもよい。湿度センサ48は清浄室内15の
湿度を測定し、その測定値を制御装置72に出力する。
これにより制御装置72は、帯電電位計70に基づく計
測値だけでなく、湿度センサ48に基づく測定値によっ
て、半導体の悪影響となる45%以上の湿度に達しない
ように上限を設定し、安全な制御をすることができる。
測値だけでなく、湿度センサ48に基づく測定値によっ
て、半導体の悪影響となる45%以上の湿度に達しない
ように上限を設定し、安全な制御をすることができる。
尚、前記実施例において、スプレー式加湿装置28を使
用したが、これに限るものではな(、加湿制御ができれ
ば、どんな加湿制御方法の装置でもよい。
用したが、これに限るものではな(、加湿制御ができれ
ば、どんな加湿制御方法の装置でもよい。
以上説明したように本発明に係るクリーンルームの制御
方法にいれば、クリーンルーム内の物に生じる帯電電位
を計測し、その帯電電位の計測値に基づいて清浄エアの
調湿を行ったので、高価な純水等を多量に必要としたこ
となく、低コストで加湿を行うことができる。また、被
製造物はできる限り良好な環境で製造される。
方法にいれば、クリーンルーム内の物に生じる帯電電位
を計測し、その帯電電位の計測値に基づいて清浄エアの
調湿を行ったので、高価な純水等を多量に必要としたこ
となく、低コストで加湿を行うことができる。また、被
製造物はできる限り良好な環境で製造される。
第1図は本発明に係るクリーンルームの制御方法の説明
図、第2図は従来のクリーンルームの制御方法の説明図
である。 11・・・クリーンルーム、 12・・・外室、14
・・・内室、 15・・・清浄室内、 16・・・フ
ァンフィルタユニット、 18・・・グレーチング床
、20・・・床下チャンバ、 26・・・空調器、 2
8・・・スプレー式加湿装置、 40・・・超純水製造
装置、 42・・・ポンプ、 44・・・純水調節弁、
48・・・湿度センサ、 70・・・帯電電位計、
72・・・制御装置。
図、第2図は従来のクリーンルームの制御方法の説明図
である。 11・・・クリーンルーム、 12・・・外室、14
・・・内室、 15・・・清浄室内、 16・・・フ
ァンフィルタユニット、 18・・・グレーチング床
、20・・・床下チャンバ、 26・・・空調器、 2
8・・・スプレー式加湿装置、 40・・・超純水製造
装置、 42・・・ポンプ、 44・・・純水調節弁、
48・・・湿度センサ、 70・・・帯電電位計、
72・・・制御装置。
Claims (2)
- (1)クリーンルーム内に吹き出される清浄エアを純水
を使用して調湿するクリーンルームの湿度制御方法に於
いて、 前記クリーンルーム内に設置した物の帯電電位を計測し
、該計測値に基づいて清浄エアを調湿することを特徴と
したクリーンルームの湿度制御方法。 - (2)前記クリーンルーム内に湿度センサを設け、湿度
センサの湿度測定値に基づいてクリーンルーム内の湿度
の上限を設定し、クリーンルーム内の湿度が該上限値以
下に維持されるように清浄エアを調湿することを特徴と
した請求項第1項記載のクリーンルームの湿度制御方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20776588A JPH0257844A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | クリーンルームの湿度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20776588A JPH0257844A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | クリーンルームの湿度制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0257844A true JPH0257844A (ja) | 1990-02-27 |
JPH0463975B2 JPH0463975B2 (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=16545171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20776588A Granted JPH0257844A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | クリーンルームの湿度制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0257844A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745603A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造工程の管理方法 |
JP2000329374A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-30 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 空調用加湿方法及び加湿装置 |
US6911064B2 (en) | 1992-12-02 | 2005-06-28 | Ebara Research Co., Ltd. | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
JP2013026568A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20776588A patent/JPH0257844A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911064B2 (en) | 1992-12-02 | 2005-06-28 | Ebara Research Co., Ltd. | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
US7029518B2 (en) | 1992-12-02 | 2006-04-18 | Ebara Research Co., Ltd. | Method and apparatus for the preparation of clean gases |
JPH0745603A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造工程の管理方法 |
JP2000329374A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-30 | Takasago Thermal Eng Co Ltd | 空調用加湿方法及び加湿装置 |
JP2013026568A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0463975B2 (ja) | 1992-10-13 |
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