JPH0255491B2 - - Google Patents

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JPH0255491B2
JPH0255491B2 JP57109173A JP10917382A JPH0255491B2 JP H0255491 B2 JPH0255491 B2 JP H0255491B2 JP 57109173 A JP57109173 A JP 57109173A JP 10917382 A JP10917382 A JP 10917382A JP H0255491 B2 JPH0255491 B2 JP H0255491B2
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reaction
inner cylinder
cylinder
mgcl
ticl
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Hiroshi Ishizuka
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はクロル法による金属Tiの製造方法、
特に本特許出願人の先願に係る特願昭56−74606
号(特公昭59−42060)に記載せる方法の改良に
関する。
金属Tiの工業的製造は、密閉式の容器構成内
に保持された溶融Mg上にTiCl4を導き、両者の
反応によりスポンジ状の金属Tiを得るいわゆる
クロル法が一般的である。この場合、生成する金
属Tiの回収を容易にし、また反応副生成物であ
るMgCl2の金属Tiからの分離を良好にするため
に、容器構成としては例えば特公昭32−3952等に
記載されているような、本質的に下方を閉鎖され
た円筒状の外筒乃至還元ルツボ及び下方にロスト
ルを有する内筒を組合わせたものが多用されてい
る。このような容器構成において、従来は溶融
Mgの浴面が当初この内筒の底部に取付けられた
ロストル面よりもやゝ上方となるように所定量の
Mgを内筒内に装入してからこれらを還元ルツボ
に設置し、ルツボをMgおよびMgCl2の融点以上
に加熱して溶融したMg上に、液状のTiCl4がル
ツボの上方からMgの浴面に向けて吹込まれる。
TiCl4とMgとの反応によつて生成したスポンジ
状Tiは内筒内下方の壁面沿い並びにロストル上
面に析出する。反応の進行に伴ない内筒内容物が
増加し、これに従つて反応域も次第に上方へ移動
する。副生成物のMgCl2は反応操作の途中で定期
的に内筒から排出しMgの浴面即ち反応面を下げ
てはTiCl4の吹込を続け、生成するTiのレベルが
内筒の上限に来る迄反応が継続される。内筒と還
元ルツボとの間の空間容積が小さい場合には
MgCl2を排出した後にMgが溶融状態で装入され
ることもある。
上記のTiCl4のMgによる還元反応工程は、通
常Mg浴面付近の反応領域の温度を検出し外部か
ら温度調整することによつて制御されるが、反応
の進行に従つて反応領域が次第に上方へ移動する
のでこれにつれて調整すべき領域も上昇する。こ
のため熱電対が還元ルツボの数カ所の高さに設置
され、反応温度の検出並びにその制御に供され
る。この場合TiCl4の供給速度を増して反応速度
を上げると反応による発熱が増大し反応領域の温
度上昇を来す結果、生成したTiがこれと接して
いる内筒材と合金を形成し易くなりTiの純度つ
まりは歩留りの低下を招くので、これを避けるた
めにはTiCl4の吹込量を低下するか或は反応領域
を冷却することにより、内筒内壁面の温度を約
1000℃以下のレベルに抑える必要がある。前者の
場合金属Tiの生成速度の低下という欠点は避け
られないし、また後者の手段による場合は反応領
域が移動することにより適確な温度制御は極めて
困難だつた。
一方上記の問題に加え、このような還元工程で
得られる析出金属Tiの内部にはかなりの大きさ
の埋め残し空間がしばしば見られ、一般に容器空
間の利用効率は低かつた。
従つて本発明は、反応領域における温度条件の
確実な制御を容易にし以て金属Tiの生成反応を
高能率にて進行可能ならしめること、並びに析出
金属内部の埋め残し空間を小さくし、容器容積当
りの生成可能な金属Tiの量を増し以て設備の経
済性を高めることを主な目的とする。
本発明者の知見によれば、溶融Mgを保持せる
容器の上部に位置するMg浴面でTiCl4との反応
を進行させた場合には、生成したTiは溶融状態
のMgやMgCl2中を沈降し容器底部に設けられた
ロストル面上に堆積し、また器壁面上に析出した
スポンジもある程度の大きさに成長すると器壁か
ら離れて落下して同様に堆積する。従つて本発明
はかゝる知見に基き、反応容器の上部の限定され
た部分で主たる還元反応を実施することによつて
生成したTiを容器底部のロストル上に順次堆積
せしめ、こうして一定条件下で反応を継続するこ
とを可能にし、同時に析出したTiスポンジを容
器内に緻密に堆積させてバツチ当りの析出量を増
大することも可能にしたものであつてその要旨と
するところは、本質的に下方を閉鎖された円筒状
の外筒、及び該外筒内に本質的に共軸的に配置さ
れ、開放した底部に多数の小孔を設けたロストル
状底板を有する内筒、並びに該外筒の下部から
MgCl2を溶融状態にて筒外に排出する手段を備え
た構成を用い、これらの筒内に溶融保持された金
属Mg上にTiCl4を導いて両者の反応により金属
Tiを生成し、該Tiの本質的部分を上記ロストル
上に堆積せしめる方法において、該ロストルの上
面から本質的に隔たつた該内筒の上部に浴面が位
置すべく金属Mgを溶隔保持せしめた後TiCl4
供給して反応を開始せしめ、反応により生成する
Tiをロストル上に沈降堆積させる一方、副生成
物のMgCl2を溶融状態でこれらの筒外に排出する
ことにより該MgCl2の上方に存在するMgの浴面
をロストルから隔たつた一定の範囲に保ち、更に
外筒の壁に設けた2系統の小孔を介して不活性ガ
スを内外筒間〓に導きまた排出し、内筒壁外面に
沿つて流すことによりMgの浴面付近における内
筒内空間を冷却し、反応による発生熱を除去する
ことを特徴とする金属Tiの製造方法に存する。
本発明による金属Tiの製造法の実施に関して
は、TiCl4のMgによる還元は互に本質的に共軸
配置される円筒状の内筒および外筒で構成される
反応容器を用いて行ない、この反応容器に設けら
れた適当な排出手段によつて生成Tiの析出量に
応じてMgCl2が連続的或は間歇的に容器から除去
される。外筒の上部におけるMgの浴面位制御範
囲に対応する部分には、外壁面に沿つて二系統の
冷却ガス通路がそれぞれ送気及び排気用として軸
方向に隔てて設けられ、各通路の内壁には1〜複
数箇小径孔が形成される。これらの孔の配置及び
大きさについては、反応領域の熱を効率的に取去
るために円周上にほゞ一様に設け、またガスの流
れをよくするために孔の総断面積を排出側におい
て導入側の約2倍程度とするのが望ましい。この
ように構成された孔を有する各通路は外筒の蓋を
貫通して配置された管によつて、一方が送風機ま
たは圧縮機に、他方が必要に応じてMg蒸気用の
トラツプ、さらに水冷による熱交換器を経由して
上記送風機乃至圧縮機に接続され、Arのような
不活性ガスが循環される。閉鎖回路として構成さ
れる該冷却系には排気回路、不活性ガスの補給回
路、凝縮したMg粉末の除去機構、給気及び排気
の温度検出機構、圧力計が設けられる。運転に際
しては両筒間の間隙に保持される不活性冷却ガス
の圧力を常に内筒内圧より高く維持し、溶融Mg
乃至MgCl2の浴面位が内筒内の浴面位より下方に
なるように調整する。この場合内筒内外の圧力差
を検出する差圧計及びこれに連動する圧力調節機
構を設けると操作が容易となる。
次に本発明を添附の図面に基づいて説明する。
第1図は本発明方法の実施に適した装置の一例を
示す縦断面図である。図において上方を密閉可能
な蓋1で閉鎖され一方適当な融液排出手段2を備
えた反応系を外界から遮断するための本質的に円
筒状に構成される外筒3は加熱手段としての電熱
炉4の中に設置される。この外筒3の内部には本
質的に円筒状で底部が開放された内筒5が配置さ
れる。蓋1の構成及び内筒5との係合手段には、
特願昭56−77461号(特公昭59−42060)に記載の
方式或はその他のものが利用できる。内筒5の底
部には融液流通のために多数の貫通孔を有するロ
ストル6が着脱可能に取付けられる。内筒の頂部
には液状のTiCl4を導入するための管7が備えら
れている。内筒の上部に相当する外筒3の外壁面
には、不活性の冷却ガスの導入・排出のために冷
却ガス通路8,9が、それぞれほゞ一定の高さの
円周上に取付けられ、各通路の一端は外筒フラン
ジ部10を貫通して延びている導管11,12に
連結される。各通路には内壁に小径孔(図示せ
ず)が設けられ、こゝからガスが筒間間隙へ吹込
まれ、或は該間隙から排出される。このような冷
却ガスの効率をよくするために、電熱炉4のヒー
ター13は少くともこの近くの部分において他部
から独立して制御可能とするのがよい。
上記装置構成には必要に応じて金属Mgを溶融
状態で内筒内に導入する手段を講ずることができ
る。
またTiCl4のMg浴面への散布効率を改良する
ために上記のTiCl4導入管7の下端に既知の適当
な分散板を設けたり或はTiCl4の貯槽(いずれも
図示せず)と還元装置との間に気化器を設けてこ
れを蒸気として供給すべく構成するとMg浴面全
域でTiCl4の還元が進行するので好都合である。
更に本出願人の先願に係る特願昭56−50896号
(特公昭60−5653号)または同56−124444号特公
平1−21211の各明細書に記載せるように、上記
外筒3と電熱炉4との間の空間を密閉構造とし
こゝへ外筒内圧力とほゞ同一圧力の不活性ガスを
導入する設計にすれば外筒の応力負荷が減少しこ
の肉厚を減じたりより安価なSS系鋼材製の外筒
が利用可能となり、この点で経済的に装置の大型
化が達成できる。
下記に本発明方法による操作例を示す。
実施例 本質的に第1図に示された構成の装置を用い
た。内筒は内径1.5m、長さ3.7m、肉厚19mmの
SUS410製で外筒は内径1.8m、全長4.5m、肉厚
32mmのSUS316製で、内筒の底面からそれぞれ2.2
m及び3.2mの高さに相当する部分の外面に、矩
形断面をもつ冷却ガス通路が帯状に取付けられて
いる。下方の通路には内壁に直径12mmの孔が48
個、上方の通路には直径約35mmの孔が15ケ設けら
れ、これらの各通路はそれぞれの配管を経て能力
25m3/分のブロワーに接続された。一方このよう
な外筒及び内筒から成る容器構成は、外径2.5m、
全高5mの円筒状で鉄板製の外被を有する密閉構
造の電熱炉内に置かれた。ヒーターはこれらのガ
ス通路帯の近傍が他から独立して制御可能となつ
ている外、更に幾つかの部分ごとに制御可能に構
成されている。分解されている内筒に、溶融時に
浴面が内筒の器底から約2.1mの位置に達する様
に計算された約9.5トンのMg塊が装入された。装
置を組立て外筒内の空間をアルゴン雰囲気とし、
炉により全体を約800℃まで加熱して金属Mgを
溶融した後、内筒頂部の導入管を通じてTiCl4
550Kg/時の割合で液状にて吹込んだ。反応の進
行につれて浴面位が変化するが、これはTiCl4
装入量からの計算により推定し、また内筒内外の
差圧から検知し、反応開始後4時間から外筒底部
の融液排出手段を通じて2.5時間毎に約1.4トンず
つ抜出した。反応の進行とともに浴面付近の温度
が上昇するので、この部分のヒーターへの通電の
中断、並びに冷却アルゴンガス(50℃)の導
入、排出操作によつて(排出温度=400℃)この
部分の温度を約950℃以下(内筒内面)に維持し
て生成Tiの内筒材との合金形成による汚染を避
け、一方その他の部分は約800℃に保つて融液の
抜出操作を容易にした。この際筒間間隙ではガス
圧を内筒内圧より0.25Kg/cm2高く維持し、液面を
内筒内よりも常に低く保つようにした。このよう
な工程を延べ約45時間行なつた結果、約6トンの
スポンジ状Tiを含む内容物にて内筒内空間の約
90%が充填されている内筒を回収した。
これに対し、同様の容器構成を用いる従来技術
においてはロストル面付近のMg浴面位で反応を
開始する操作方法によれば回収される生成Tiは
約4.6トン(空間充填率70%)/80時間、ロスト
ル面より隔たつた上方に設定された浴面位で反応
を開始し外筒外方からのみ冷却する本出願人の先
願発明の方法によれば同様の空間充填率は達成さ
れるが、同様の生成Tiを得るのに58時間要した。
本発明方法がこれらの技術に対して大巾な向上を
達成していることは明らかである。
以上、詳述したように本発明においては、 1 反応が主として進行する領域(反応領域)が
特定の位置に限定され反応の外部からの制御が
適確に行ない得るようになつたこと、及び冷却
手段として内筒壁面への冷却媒ガスの直接吹付
けが用いられるため反応熱が効率的に除去でき
るようになつたことにより、 a TiCl4の供給速度を増す時の反応領域の過
度の温度上昇並びにこれに起因する生成Ti
の反応容器材による汚染が効果的に回避され
るので、高収率を保つたまゝ生産速度を大巾
に向上することができる。さらに、こうして
得られる金属Tiは高多孔質のスポンジ状で
あるため、後続のMg,MgCl2分離工程も確
実かつ効率的に行なわれるので高品位の製品
が得られる。
b 反応の全期間を通じて一定速度でTiCl4
供給を行なえるのでほゞ一定の品質・性状の
Tiが得られ、製品の歩留りが向上する。
2 反応領域が生成物を保持すべきロストルから
隔たつた上方に位置することにより、析出した
Tiは順次ロストル上に堆積していくので大き
な空間の埋め残しはなく、内容空間の利用効率
が向上する、等の利点が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による方法の実施に適した装置
の一例を示す概略縦断面図である。図において各
参照番号は下記の部材を表わす。 1……外筒蓋、2……融液排出手段、3……外
筒、4……電熱炉、5……内筒、6……ロスト
ル、7……TiCl4導入管、8,9……冷却ガス通
路、10……フランジ、11,12……不活性ガ
ス導管、13……ヒーター。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 本質的に下方を閉鎖された円筒状の外筒、及
    び該外筒内に本質的に共軸的に配置され、開放し
    た底部に多数の小孔を設けたロストル状底板を有
    する内筒、並びに該外筒の下部からMgCl2を溶融
    状態にて筒外に排出する手段を備えた構成を用
    い、これらの筒内に溶融保持された金属Mg上に
    TiCl4を導いて両者の反応により金属Tiを生成
    し、該Tiの本質的部分を上記ロストル上に堆積
    せしめる方法において、該ロストルの上面から本
    質的に隔たつた該内筒の上部に浴面が位置すべく
    金属Mgを溶隔保持せしめた後TiCl4を供給して
    反応を開始せしめ、反応により生成するTiをロ
    ストル上に沈降堆積させる一方、副生成物の
    MgCl2を溶融状態でこれらの筒外に排出すること
    により該MgCl2の上方に存在するMgの浴面をロ
    ストルから隔たつた一定の範囲に保ち、更に外筒
    の壁に設けた2系統の小孔を介して不活性ガスを
    内外筒間隙に導きまた排出し、内筒壁外面に沿つ
    て流すことによりMgの浴面付近における内筒内
    空間を冷却し、以て反応による発生熱を除去する
    ことを特徴とする金属Tiの製造方法。
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JPS564132A (en) * 1979-06-22 1981-01-17 Yoshiyuki Takematsu Flash device

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