JPH0255339A - 反射型アクティブマトリックスアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置に用い
る反射型アクティブマトリックスアレイに関するもので
ある。

従来の技術 近年、液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数が
増え、従来から用いられている単純マトリックス液晶表
示装置では表示コントラストや応答速度が低下するため
、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティブマト
リックス型液晶表示装置が利用されつつある。また前記
アクティブマトリックス型液晶表示装置には光を透過し
て表示をおこなう透過型と反射して表示をおこなう反射
型の２種類がある。透過型アクティブマトリックス液晶
表示装置には透過型アクティブマトリックスアレイが、
反射型アクティブマトリックス液晶表示装置には反射型
アクティブマトリックスアレイが用いられる。しかしな
がら、アクティブマトリックスアレイには一枚の基板上
に数万個以上の絵素駆動用のスイッチング素子、たとえ
ば薄膜トランジスタ（以後、ＴＰＴと呼ぶ、）を形成す
る必要がある。したがってすべてのＴＰＴを無欠陥で形
成することは困難である。そこで作製されたアクティブ
マトリックスアレイに修正を加え、歩留まりをあげるこ
とのできるアレイが持ち望まれていた。

次にＴＰＴの欠陥について説明する。ここではＴＰＴの
ドレイン端子が反射電極に接続されているものとして説
明する。ＴＰＴの欠陥には３種類ある。第１番目はＴＰ
Ｔのソース・ゲート間短絡欠陥であり、表示としては線
欠陥と呼ばれる表示モードになる。第２番目はＴＰＴの
ゲート・ドレイン間短絡欠陥であり、表示としては黒欠
陥とよばれる絵素欠陥になる。Ｉｋ後はＴＰＴのソース
・ドレイン間短絡欠陥であり、表示としては白欠陥とよ
ばれる絵素欠陥になる。前述の欠陥は液晶表示装置の表
示品位を低下させるため、修正をおこなう必要がある。

以下、従来の反射型アクティブマトリックスアレイにつ
いて説明する。第１４図は従来の反射型アクティブマト
リックスアレイの平面図である。

また第１５図（ａ）は第１４図のＩビ線による断面図、
第１５図（ロ）は第１４図の！ビ線での断面図である。

第１　’４図および第１５図（ａ）、　（ｂ）において
１ａ、−１ｃはソース信号線、２ａ−２ｃはゲート信号
線、３ａ−３ｄはＴＰＴのソース端子、４ａ４ｄはＴＰ
Ｔのゲート端子、５ａ−５ｄはＴＰＴのドレイン端子、
７ａ−７ｄは反射電極とドレイン端子とを接続するため
のコンタクトホール、８、ａ　−８ｄは反射電極、１）
は絶縁基板、１２は絶縁体膜である。ここで反射型アク
ティブマトリックスアレイの図面において拡大あるいは
縮小した部分が存在する。また反射電極の形成された面
を表面、絶縁基板の方を裏面と呼ぶことにする。

以上のことは以下の図面においても同様である。

従来の反射型アクティブマトリックスアレイではソース
信号線に接続されたソース端子とゲート信号線に接続さ
れたゲート端子およびドレイン端子でＴＰＴが構成され
、前記ドレイン端子はコンタクトホールを通じて反射１
！橿に接続されている。

ゲート信号線およびソース信号線に印加する信号により
ＴＰＴは制御され、所定の電圧を反射電極に印加する。

第１６図は従来の反射型アクティブマトリックスアレイ
の等価回路図である。第１６図においてＣ；、−Ｇ、は
ゲート信号線、５１Ｓ３はソース信号線、ＴＩＩ　−Ｔ
ａ３はＴＦＴ、Ｐ、。

Ｐｄ２は絵素として反射電極である。また第１７図は反
射型アクティブマトリックスアレイに対向電極基板など
を取り付け、液晶表示装置として組みたてた後の断面図
である。第１７図において、２９は反射電極の表面に形
成された配向膜、３０は液晶、３３はガラスなどの透明
基板、３２は透明基板３３上に形成されたＩＴＯからな
る透明電極、３１は透明電極３２上に形成された配向膜
である。動作としては、反射電極に印加された電圧によ
り液晶３０は変化する。ガラス基板３３から入射した光
は前記液晶３０により偏光され、反射電極で反射される
。前記反射された光により映像が写しだされる。

次に従来のアクティブマトリックスアレイの修正方法に
ついて説明する。ＴＰＴに欠陥が発生した場合、比較的
めだちにくい黒欠陥にする方法がとられていた。前記修
正方法としてはＴＰＴにレーザなどを照射し、ＴＰＴを
破壊することにより行なう。

発明が解決しようとする課題 しかしながら従来のアクティブマトリックスアレイでは
、レーザ光などによりＴＰＴを破壊しても、線欠陥およ
び白欠陥を黒欠陥にすることしかできなかった。前記黒
欠陥は当然のことながら欠陥は欠陥であり、表示品質を
著しく悪化させる。

またＴＰＴ全体を破壊するため、レーザなどによりＴＰ
Ｔの構成物質が剥離し、上層の反射電極と短絡する危険
性が非常に高い。前述の短絡が発生すれば、はとんどの
場合線欠陥となり、アレイを救済する方法はない、また
レーザの照射状態によってはＴＰＴのゲートのみが切断
されフローティング状態となり、ＴＰＴが異常な信号を
反射電極にかきこみレーザ照射前の状態よりも悪化させ
ることも多い、したがって、従来の反射型アクティブマ
トリックスアレイでは修正はほとんどおこなわれていな
いのが現状であった。ゆえに非常に歩留りが悪く、高コ
ストになり、また絵素数が数万個以上となると、まず１
枚のアレイ上のＴＰＴをすべて無欠陥に製造するのは不
可能である。

本発明は上記問題点に鑑み、映像を表示した際、視覚に
は全く無欠陥とみえるように修正することのできる反射
型アクティブマトリックスアレイを提供するものである
。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するため、本発明の反射型アクティブマ
トリックスアレイはスイッチング素子の一端子と反射電
極とを接続する第１の配線と、前記反射電極の近傍の反
射電極の下層に絶縁体膜を介して形成された接続電極と
、前記第１の配線と前記接続電極とを電気的に接続する
第２の配線とを具備し、かつ、前記接続電極の上層に半
導体物質と絶縁体物質のうち少なくとも一方からなる薄
膜が形成され、前記薄膜の上層に金属物質からなる金属
ＩＩ膜が形成され、前記金属薄膜の上層に絶縁体物質が
形成されたものである。

作用 本発明の反射型アクティブマトリックスアレイは、従来
の反射型アクティブマトリックスアレイにも形成されて
いるスイッチング素子のドレイン端子と反射電極とを接
続している第１の配線と、隣接した反射電極の下層に前
記反射電極に電気的に接続がないように形成された接続
電極と前記ドレイン端子とを接続する第２の配線を有し
ている。

スイッチング素子が不良の場合、まず前記スイッチング
素子が駆動している反射電極に電圧が印加されないよう
に第１の配線またはスイッチング素子の端子を切断する
。つぎに前記切りはなされた反射電極の下層に形成され
ている接続電極にレーザなどを照射する。すると接続電
極は溶解し、上層の金属薄膜を介して、反射電極と接続
される。

すると、前記反射電極は前記反射電極に隣接した反射電
極を駆動するスイッチング素子により電圧が印加される
ようになる。つまり１つのスイッチング素子が２つの反
射電極に電圧を印加するようになる０表示状態は前記２
つの反射電極に位置する絵素は同一表示をおこなうこと
に存るが、テレビ画像などの動画の場合、・隣接した絵
素とはほとんど色・輝度が同一のため、視覚的には正常
点燈にみえる。また、通常スイッチング素子の駆動能力
は大きめに設計されるので、ｌスイッチング素子は２つ
の反射電極も十分駆動できる。

実施例 以下、本発明の一実施例の反射型アクティブマトリック
スアレイについて図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の反射型アクティブマトリックスアレイ
の表面からみたときの平面図である。また第２図（ａ）
は第１図のＡＡ−線での断面図であり、第２図Φ）は第
１図のＢＢ’線での断面図である。

第１図および第２図（ａ）、　（ｂ）において１）はガ
ラスなどの絶縁基板、１ａ＝１ｃはソース信号線、２ａ
−２ｂはソース信号線、３ａ−３ｄはＴＦＴのソース端
子、４ａ−４ｄはＴＰＴのゲート端子、５、ａ−５６は
ＴＰＴのドレイン端子、６ａ−６ｄはＴＰＴのドレイン
端子と反射電極とを接続するための配線（以後、反射電
極配線と呼ぶ、）、７ａ−７ｄはコンタクトホール、８
ａ−８ｆは反射電極、１０ａ−１０ｄは隣接した反射電
極の下層に形成された電極（以後、接続電極と呼ぶｅ）
ｑａ−９ｄは前記接続電極１０ａ−１０ｄとＴＦＴのド
レイン端子などと電気的に接続された配線（以後、接続
配線と呼ぶ、）、１ｌａ−１ｉｄは前記接続’ｉ！１ｌ
Ｏａ−１０ｄ上に形成された半導体物質または絶縁体物
質からなる薄＃（以後、上部薄膜と呼ぶ、）、１２ａ−
１２ｄは前記上部薄膜１）ａ−１ｉｄ上に形成された金
属物質からなる薄膜（以後、金属薄膜と呼ぶ、）、１３
はガラスなどの絶縁基板、１４はＳｉＮｘなどの絶縁体
膜であ第１図および第２図（ａ）、　（ｂ）で明らかな
ように、ＴＰＴのドレイン端子は、反射電極端子により
反射電極に接続されており、また接続配線により接続電
極に接続されている。前記接続電極はＴＩ・Ａ２・Ｃｒ
などの金Ｈ薄膜で形成され、その膜厚は５００Å以上必
要であり、好ましくは２０００Å以上あることが望まし
い、前記膜厚は以下に示す反射電極と接続電極との接続
において影響する。

また前記くびれは加工手段による切断性をよくするため
のもので、加工手段がレーザなどの場合、そのビーム径
よりも狭く形成するのが好ましい。

また上部薄膜はＳｉＮｘなどの薄膜またはその上にアモ
ルファスシリコンを積層したものであり、その上層の金
属３ＷａはＴｉ　・Ａｆｆｉ−Ｃｒで形成され、その膜
厚は５００Å以上必！であり、好ましくは２０００Å以
上あることが望ましい。

本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの製造方
法としては、絶縁基板１３上にＴＰＴのゲート端子・ゲ
ート信号線および接続電極などを形成する。つぎに、Ｔ
ＰＴを構成するためにゲート端子上に５（Ｎｘ膜および
アモルファスシリコン膜を形成する。同時に接続端子上
にも前記物質からなる上部薄膜を形成する０次にＴＰＴ
のソース端子・ドレイン端子などをＡｌなどの金属物質
にて形成する。そのとき前記物質を用いて上部薄膜上に
金属薄膜を形成する０次にＳｉＮｘなどの絶縁体膜１４
を形成し、コンタクトホール７ａ７ｄの穴あけ加工をお
こなう、その後、反射電極を形成するため、主としてＡ
ｌからなる薄膜を形成する。最後に反射電極をエツチン
グにより、隣接絵素と分離して完成する。

第３図は本発明の第１の実施例における反射型アクティ
ブマトリックスアレイの等価回路図である。第３図にお
いて、１５はＴＰＴ、１６はソース信号線、１７はゲー
ト信号線、１日は接続配線、１９は絵素としての反射電
極、２０は反射電極の下層に形成された接続電極である
。

各ＴＦＴ１５は反射電極１９に接続され、また前記反射
電極１９の下方に隣接した反射電極の下層に形成された
接続電極に接続されている。

なお、反射電極配線を形成するとしたが、これはＴＰＴ
のドレイン端子を含めたものと考えてもよい。

次に本発明の反射型アクティブマトリンクスアレイの修
正方法について説明する。まず第４図は第１図のＢＢ”
線での断面図である。第４図において、１９はＹＡＧな
どのレーザ光あるいはキセノンランプなどの光源からの
光を集束させた光線の軌跡（以後、光線と呼ぶ、）であ
る。本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの修
正をおこなうために、加工手段（図示せず）が発生する
光線を絶＆！基板１３を透過させ、加工位置の構成物質
を加熱することによりおこなう、第５図は反射型アクテ
ィブマトリックスの平面図を示している。第５図におい
て、２２および２３は光線の照射位置（以後、照射位置
と呼ぶ、）、１５ａおよび１５ｄはＴＦＴである。なお
、第５図ではＴＦＴ１５ｄにソース・ドレイン間短絡欠
陥（以後、白欠陥と呼ぶ、）またはゲート・ドレイン間
短絡欠陥（以後、黒欠陥と呼ぶ、）が発生した場合に修
正をおこなったところを示している。

まず欠陥が発生したＴＦＴ１５ｄから反射電極８ｄに電
圧が印加されないように、反射電極配線６ｄを照射位置
２３で切断する。前記切断のさい、上層に形成されてい
る反射電極８ｄに短絡させないように、光線のパワーを
極力低くし、複数回にわけて同一箇所に照射する。前記
加工手段にレーザを用いる場合、反射電極配線の構成物
質に吸収されにくい波長のものが好ましく、ＹＡＧレー
ザなどが最適である。また、パルス数は２パルス以上照
射位置２２に照射して切断するのがよく、好ましくは５
パルス以上で切断できるようにレーザパワーを調整する
のがよい。

次に照射位置２２にレーザ光を照射し、接続量！４１０
　ａと上層に形成された反射電極８ｄとを接続する。前
記加工にレーザを用いる場合、接続電極の構成物質に吸
収されやすい波長のものが好ましく、ＹＡＧレーザの第
２高波波などが最適である。また、レーザパワーは１パ
ルスあたりのエネルギーを強くし、極力パルス数を少な
くする方が良好に接続することができる。また、ＹＡＧ
レーザの１．０６μｍの波長のものを用いてもよいが、
その際には前記照射位置２３に印加したレーザパルスの
２倍以上のレーザパワーを印加すればよい。

まずレーザ光は接続電極１０ａを加熱する。すると前記
接続電極を構成する金属は溶解あるいは蒸発し、上層の
上部薄膜を破壊する０次にレーザ光はさらに上層の金属
薄膜を加熱する。そのさい、上部薄膜にアモルファスシ
リコンが用いられている場合は前記アモルファスシリコ
ンはレーザ光の吸収率が金属と比較してよいため、金Ｉ
２１：薄膜を効率よく加熱することができる。加熱され
た金属薄膜は溶解あるいは蒸発し、上層の絶縁体膜１４
を破壊し、反射電極８ｄにぶちあたる、特に前記金属薄
膜にＡｌが用いられている場合は、ＡＮは融点と沸点の
差が大きいため、溶解状態が長く、反射電極８ｄとの接
続性は良好となる。なお、接続電極はＡ２を用いずとも
、上層の上部薄膜の膜厚は２０００Å以下と非常にうす
いため容易に接続電極と金属薄膜とは接続がとれる０以
上のようにして接続電極と反射電極は電気的に接続され
る。

第７図（ａ）、　（ｂ）は修正が終了したときの反射型
アクティブマトリックスの断面図である。なお、第７図
（ａ）は第５図のＣＣ°線での断面図、第７図（ロ）は
第５図のＤＤ’線での断面図である。第７図（ａ）。

（ｂ）であきらかなように加工位置２３は電気的に切断
されており、照射位置２２は上部薄膜１）ａおよび絶縁
体膜１４を破壊し、上層の反射電極８ｄと接続されてい
る。

なお、照射位置２３を加工し、つぎに照射位置２２を加
工するとしたが、前記工程の順序が逆でもよいことはい
うまでもなか、また、ＴＦＴ１５ｄにゲート・ソース間
短絡欠陥（以後、線欠陥と呼ぶ、）が発生している場合
は、ＴＦＴ１５ｄのソース端子３ｄとゲート端子４ｄま
たはドレイン端子５ｄを切断する。

以上の修正方法は以下の発明の反射型アクティブマトリ
ックスアレイにおいても同様である。

以下、本発明の第２の実施例の反射型アクティブマトリ
ックスアレイについて説明する。第８図は本発明の第２
の実施例の反射型アクティブマトリンクスアレイの平面
図である。第８図において２４および２５は加工位置で
ある。第９図（ａ）は第１０図のＥＥ”線での断面図、
第９図（ｂ）は第８図のＦＦ”線での断面図である。第
２の実施例では反射電極配線およびＴＰＴのゲート端子
の上層に反射電極が形成されでいない。したがって、加
工位置２５またはゲート端子にレーザ光などを照射し切
断する際、切断部の絶縁体膜１４にピンホールなどが生
していてもまたレーザパワーの調整を誤っても、端子ま
たは配線が上層の反射電極と短絡するおそれがない。ゆ
えに、レーザパワーの調整に精度を必要とせず、またア
レイの修正の際不良品を生じさせるという問題点がなく
なる。なお第１０図は本発明の第２の実施例における反
射型アクティブマトリックスアレイの等価回路図である
。

以下、本発明の第３の実施例の反射型アクティブマトリ
ックスアレイについて説明する。第１）図は本発明の第
３の実施例におけるアクティブマトリンクスアレイの平
面図である。また第１２図（ａ）は第１）図のＣＧ’線
での断面図、第１２図（ｂ）は第１）図のＨＨ“線での
断面図、第１３図は本発明の第３の実施例の反射型アク
ティブマトリックスアレイの等価回路図である。第１）
図、第１２図（ａ）、ら）および第１３図において２６
．２７は照射位置であり、２日はソース信号線上に形成
された絶縁体膜であり、接続配線９ａ−９ｄがソース信
号線と電気的に接続されないように形成される。

第１）図から明らかなように、反射電極はソース信号線
とゲート信号線の上層部には形成されていない、また形
成しても、極力少なくなるように形成する。以上のよう
に反射型アクティブマトリックスアレイを形成すること
により、絶縁体膜１２のピンホールにより反射電極とゲ
ート・ソース信号線と直接接続されて欠陥を発生させる
ことおよび前記信号線と反射電極の容量結合し表示品質
を低下させることをなくすることができる。修正は前記
の実施例と同様に照射位置２６と２７を加工することに
より行なうことができる。

なお、本発明の実施例において、スイッチング素子はＴ
ＰＴとしたがこれに限るものではなく、たとえばダイオ
ードなどの２端子素子でもよい。

また、接続電極をレーザ光などで溶解させ、金属薄膜と
接続するとしたが、これに限るものではなく、たとえば
反射型アクティブマトリックスアレイの形成時、あらか
じめ、上部薄膜にコンタクトホールをあけ、金属薄膜と
接続電極を電気的に接続しておいてもよ（、また前記の
構成の場合、レーザ光などを直接金属薄膜に照射し、金
属薄膜と反射電極を接続してもよい。

また接続配線は隣接した反射電極の下層に形成されてい
る接続電極を接続するとしたがこれに限るものではなく
、近傍の反射電極の下層に形成された接続電極間を接続
するものでもよいことは明らかである。

発明の効果 本発明の反射型アクティブマトリックスアレイは、スイ
ッチング素子の端子のうちｌ端子以上を切断できるよう
に構成し、また各反射電極の下層には隣接した反射電極
を駆動するスイッチング素子のドレイン端子に接続され
た接続電極および前記接続電極の上層に金属薄膜を形成
したものである。したがって本発明の反射型アクティブ
マトリックスアレイの修正は、まず、不良スイッチング
素子の端子を切断し、前記スイッチング素子が反射電極
に信号を印加しないようにする。次に、前記反射電極の
下層に形成されている接続電極にレーザ光などを照射し
、接続電極と反射電極を接続する。以上の方法により、
不良スイッチング素子が接続されていた反射電極は隣接
したスイッチング素子により正常に駆動されるようにな
る。以上の反射型アクティブマトリックスアレイおよび
その修正方法により、はぼすべてのスイッチング素子の
欠食を救済できることになり、前記アレイの歩留まりは
、１００％近くに上昇する。したがって反射型アクティ
ブマトリンクスアレイの製造コストを大幅に低減させる
ことができる。このことは、−アレイ上に形成する絵素
数が増大するほど絶大になり、いままで、良品が一枚も
製造できなかったような数１０万絵素のものでも容易に
製造できるようになるという大きな効果を有する。

また本発明の反射型アクティブマトリックスアレイの形
成方法も、ＴＰＴの形成と同時に上部薄膜および金属薄
膜を形成できるから、従来の反射型アクティブマトリン
クスの形成方法と比較して、マスク枚数が増加すること
もなく、同様に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第５図は本発明の第１の実施例における反射型
アクティブマトリンクスアレイの平面図、第２図（ａ）
　、　（ｂ）、第４図は第１図の断面図、第３図。 第６図は本発明の第１の実施例における反射型アクティ
ブマトリックスアレイの等価回路図、第７図（ａ）、（
ロ）は第５図の断面図、第８図は本発明の第２の実施例
における反射型アクティブマトリックスアレイの平面図
、第９図（ａ）、［有］）は第８図の断面図、第１Ｏ図
は本発明の第２の実施例における反射型アクティブマト
リンクスアレイの等価回路図、第１）図は本発明の第３
の実施例における反射型アクティブマトリックスアレイ
の平面図、第１２図（ａ）、　（ｂ）は第１）図の断面
図、第１３図は本発明の第３の実施例における反射型ア
クティブマトリックスアレイの等価回路図、第１４図は
従来の反射型アクティブマトリンクスアレイの平面図、
第１５図（ａ）、　（ｂ）は第１４図の断面図、第１６
図は従来の反射型アクティブマトリックスアレイの等価
回路図、第１７図は液晶表示装置の断面図である９１ａ
−１ｃ・・・・・・ソース信号線、２ａ−２ｃ・・・・
・・ゲート信号線、：３ａ−３ｄ・・・・・・ソース端
子、４ａ４ｄ・・・・・・ゲート端子、５ａ−５ｄ・・
・・・・ドレイン端子、６ａ−６ｄ・・・・・・反射電
極配線、７ａ−７ｄ・・・・・・コンタクトホール、８
ａ−ＢＥ・・・・・・反射電極、９ａ−９ｄ・・・・・
・接続配線、１０ａ−１０ｄ・・・・・・接続電極、１
ｌａ−１ｉｄ・・・・・・上部薄膜、１２ａ−１２ｄ・
・・・・・金属薄膜、１３・・・・・・絶縁基板、１４
・・・・・・絶縁体膜、１５．１５　ａ、１５　ｂ−・
−・−ＴＦＴ、１６・・・・・・ソース信号線、１７・
・・・・・ゲート信号線、１８・・・・・・接続配線、
１９・・・・・・反射電極、２０・・・・・・接続電極
、２１・・・・・・光線の軌跡、２２，２３゜２４．２
５，２６．２７・・・・・・照射位置、２８・・・・・
・絶縁体膜、Ｇ１〜Ｇ、・・・・・・ゲート信号線、Ｓ
１〜Ｓ３・・・・・・ソース信号線、ＴＩＩ〜Ｔ４３・
・・・・・ＴＦＴ。 Ｐ　　＝Ｐ−＊・・・・・・反射電極、２９．３１・・
・・・・配向膜、３０・・・・・・液晶、３２・・・・
・・透明基板、３３・・・・・・対向電極。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名区へ く〔 １ｍ−４Ｃ−−ソー　ｚ＋ｔ！釈に ２（Ｌ−２，−−−ゲー１４１９Ｍ ５、−ｙ、−−−Ｌ’ｔｌソＭ＋ 一〜６ａ−・【材を極りｌ１ 龜〜１６ｄ−蹄管Ｅ覧陽 ５−ＴＦｒ １６−−−ソース俤１Ｅ（ ＋ｑ−１ｉ　詐−ｔ５ ２０−−一締絖支極 区 渠 図 田 区　乞 第１０ 図 （Ｔ ミ 第１３図 ｂ 第１６図 Ｑ＋峙イーシーＬ橿月議 Ｓ丁〜δ３−−−ソースづ４；二チｊシ１：【。 万ｊ−功−ＴＦＴ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）反射型アクティブマトリックスアレイであって、
   スイッチング素子の一端子と反射電極とを接続する第１
   の配線と、前記反射電極の近傍の反射電極の下層に金属
   物質からなる形成された接続電極と、前記第１の配線と
   前記接続電極とを電気的に接続する第２の配線とを具備
   し、かつ、前記接続電極の上層に半導体物質と絶縁体物
   質のうち少なくとも一方からなる薄膜が形成され、前記
   薄膜の上層に金属物質からなる金属薄膜が形成され、前
   記金属薄膜の上層に絶縁体物質が形成されたことを特徴
   とする反射型アクティブマトリックスアレイ。
2. （２）スイッチング素子は２端子素子あるいは３端子素
   子であり、前記素子が有する端子のうち少なくとも一端
   子を反射電極またはスイッチング素子に信号を印加する
   信号線から切り離せる切断部位を具備することを特徴と
   する請求項（１）記載の反射型アクティブマトリックス
   アレイ。
3. （３）少なくとも１つの切断部位上に反射電極が形成さ
   れていないことを特徴とする請求項（２）記載の反射型
   アクティブマトリックスアレイ。