JPH0254618A - 出力バッファー - Google Patents

出力バッファー

Info

Publication number
JPH0254618A
JPH0254618A JP63205831A JP20583188A JPH0254618A JP H0254618 A JPH0254618 A JP H0254618A JP 63205831 A JP63205831 A JP 63205831A JP 20583188 A JP20583188 A JP 20583188A JP H0254618 A JPH0254618 A JP H0254618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type mos
mos transistor
turned
channel mos
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63205831A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Azuma
東 洋二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP63205831A priority Critical patent/JPH0254618A/ja
Publication of JPH0254618A publication Critical patent/JPH0254618A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は出力バッファーに関し、特にMO3型集積回路
の出力バッファーに関する。
〔従来の技術〕
従来この種の出力バッファーは第2図に示すように、P
型MOSトランジスタ1とN型MoSトランジスタ2の
ドレイン同士を共通に接続し、P型MOSトランジスタ
1のソースを電源端子に接続し、N型MOSトランジス
タ2のソースを接地端子に接続し、前記2ケのトランジ
スタのゲートを共通に接続し入力信号を与えていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の出力バッファーは、出力が高電位の時の
駆動能力はP型MOSトランジスタの出力インピーダン
スで決定される。しかしながら、集積回路において、P
型MOSトランジスタの駆動能力はN型MOSトランジ
スタの駆動能力に比べ低い為に、駆動能力を大きくする
為には非常に大きな面積を必要とする欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の出力バッファーは、P型MOSトランジスタの
ソースと第1のN型MOSトランジスタのドレインを共
通に電源端子に接続し、前記P型MOSトランジスタの
ドレインと、第1のN型MOSトランジスタのソースを
共通に第2のN型MOSトランジスタのドレインに接続
し、該第2のN型トランジスタのソースを接地端子に接
続し、前記P型MOSトランジスタのゲートと第2のN
型MOSトランジスタのゲートを共通に接続し第1の入
力信号を与え、該第1の入力信号と論理値が逆となる信
号を前記第1のN型MOSトランジスタのゲートに与え
ることを含んで構成される。
〔・実施例〕
第1図は本発明の一実施例の回路接続図である。
P型MOSトランジスタ1に並列にN型MOSトランジ
スタ3を接続し、そのゲートにはP型MOSトランジス
タ1のゲートの反転入力をインバータGを介して与えて
いる。
入力端子1が低電位の時インバータGの出力は高電位と
なる為、トランジスタ1,3はオン、トランジスタ2は
オフとなり出力端子Oは高電位となる。
、次に入力端子■が高電位の時、インバータGの出力は
低電位となる為、トランジスタ1,3はオフ、トランジ
スタ2はオンとなり出力端子Oは低電位となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、従来の出力バッファーの
P型MoSトランジスタと並列にN型MOSトランジス
タを接続し、各トランジスタのゲートに反対の論理値を
与えることにより、従来の出力バッファーと論理的に等
価となり、又出力が高電位の時P型MOSトランジスタ
とN型MOSトランジスタがオンとなり、P型MOS)
−ランジスタに比べN型MOSトランジスタは小さい面
積で同等の駆動能力が得られることから、チップ面積の
小さい、すなわち、集積度の高い集積回路が得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路接続図、第2図は従来
の一例を示す回路接続図である。 1・・・P型MO9)−ランジスタ、2,3・・・N型
MOSトランジスタ、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. P型MOSトランジスタのソースと第1のN型MOSト
    ランジスタのドレインを共通に電源端子に接続し、前記
    P型MOSトランジスタのドレインと、第1のN型MO
    Sトランジスタのソースを共通に第2のN型MOSトラ
    ンジスタのドレインに接続し、該第2のN型トランジス
    タのソースを接地端子に接続し、前記P型MOSトラン
    ジスタのゲートと第2のN型MOSトランジスタのゲー
    トを共通に接続し第1の入力信号を与え、該第1の入力
    信号と論理値が逆となる信号を前記第1のN型MOSト
    ランジスタのゲートに与えることを特徴とする出力バッ
    ファー。
JP63205831A 1988-08-18 1988-08-18 出力バッファー Pending JPH0254618A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63205831A JPH0254618A (ja) 1988-08-18 1988-08-18 出力バッファー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63205831A JPH0254618A (ja) 1988-08-18 1988-08-18 出力バッファー

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0254618A true JPH0254618A (ja) 1990-02-23

Family

ID=16513434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63205831A Pending JPH0254618A (ja) 1988-08-18 1988-08-18 出力バッファー

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0254618A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58215827A (ja) 論理回路
JPH0435224A (ja) 半導体装置
JPH03132115A (ja) 半導体集積回路
JPH0254618A (ja) 出力バッファー
JPH01276915A (ja) 論理回路
JP2830244B2 (ja) トライステートバッファ回路
JPS62135013A (ja) 出力回路
JP2734531B2 (ja) 論理回路
JPS62208715A (ja) 半導体集積回路
JPH03179814A (ja) レベルシフト回路
JPH01246861A (ja) 半導体装置
JP3066645B2 (ja) 半導体装置
JPH05300007A (ja) 2入力or回路
JPS59200524A (ja) Cmosマルチプレクサ
JPH0522109A (ja) マイクロコンピユータ
JP2527199Y2 (ja) Icのテストモード設定回路
JPH0431630Y2 (ja)
JPH04213919A (ja) 半導体集積回路
JPS60173795A (ja) トランジスタ回路
JPH04239817A (ja) BiCMOS型半導体集積回路
JPH05252011A (ja) 出力バッファ回路
JPH0481120A (ja) Cmosレベルシフト回路
JPH01209814A (ja) 半導体集積回路
JPH0396117A (ja) 半導体装置
JPH03283915A (ja) 出力回路