JPH025449A - 電子基板及び多層セラミック電子基板用の緻密なセラミック薄板の熱圧縮 - Google Patents

電子基板及び多層セラミック電子基板用の緻密なセラミック薄板の熱圧縮

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JPH025449A
JPH025449A JP1015184A JP1518489A JPH025449A JP H025449 A JPH025449 A JP H025449A JP 1015184 A JP1015184 A JP 1015184A JP 1518489 A JP1518489 A JP 1518489A JP H025449 A JPH025449 A JP H025449A
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ジヤツク・ハリソン・エンロー
John Wing-Keung Lau
ジヨン・ウイン―ケウン・ロー
Christian B Lundsager
クリスチヤン・ベント・ランドセイジヤー
Roy W Rice
ロイ・ウオレン・ライス
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 従来の技術の背景： ■、熱圧縮 セラミック粉末を緻密な多結晶物質へと押し固めるため
の熱圧縮方法は高温と一軸的な圧力の同時的な付与から
成っている。一般に、きわめて低い多孔度、細かい粒径
及び良好な均一性の達成によって、無圧力下の焼結によ
って得られるものよりもすぐれた性質を獲得できるため
に、この方法が行なわれる。この方法は、化合物の固有
の耐火性、貧弱な粉末性（たとえば、大きな凝縮物、低
い表面積）又は両者の組合わせのために、通常の手段（
高温のみ）によっては高密度に焼結することが困難な粉
末に対して適用される。このような耐火性化合物は、酸
化物（たとえばＡ　１ｆｆＯ３、Ｂｅ０）、窒化物（た
とえば、Ａ１８％　Ｓｉ、Ｎ、、ＢＮ）、炭化物（たと
えば、５ｉＣＳＢ、Ｃ，Ｗｅ）　、及びほう化物（たと
えば、ＴｉＢ＊）、並びに多酸分相を包含することがで
きる。圧力を一方向で加えるから、この方法は一般には
高対称性（すなわち、平板、短かい棒及び円筒など）の
形状に限定される。
第１図は簡単なホットプレス形状を゛示す。黒鉛工具（
たとえば、ラム及びディスク）が一般に用いられるが、
それは黒鉛が望ましい物理的性質（すなわち、高耐火性
、良好な機械的性質、良好な高温強度、低い摩擦係数及
び低い熱膨張係数）を有していること並びに価格が低廉
で入手し易いことによる。しかしながら、黒鉛工具は空
気中では高温で劣化し、それ故、保護的な非酸化雰囲気
（これは熱圧縮による非酸化物粉末の酸化を防ぐために
も必要とすることが多い）を必要とする。
薄片（たとえば厚さ５ｍｍ未満）の熱圧縮に伴なう一般
的な問題は、加工前の均一な粉末の型充填の達成である
。型の不均一な充填は、厚さと性質（たとえば、密度、
強度）の変動、並びにラムの不整合を生じる不均一応力
分布に基づくラム及び／又は型の破壊をみちびく可能性
がある。均一な型の充填の達成は、熱圧縮すべき片の面
積が増大するにつれて且つ粉末の間に黒鉛スペーサーを
使用して複数のセラミック層を同時に熱圧縮する試みを
行なう場合に（製造コストを低下させるために一般的に
行な−うように）、次第に困難となる。
型の充填の間における多量の粉末の処理にも問題が付随
する。それらの問題は、型からの汚染（特に型の充填工
程の間）並びに空気中に飛散する微粒子に伴なう衛生上
の危険を包含する。黒鉛工具を用いる熱圧縮に伴なう別
の問題は加工材料の炭素汚染である。これは材料の著る
しい変色を生じさせるおそれがあり且つ同時に電気的に
及び物理的性質に影響する可能性がある。
上記の粉末取扱い上の問題は、熱圧縮すべき粉末及び有
機材料から成る、均一に調製した、未焼成の薄板の使用
によって著るしく軽減することができる。゛生地セラミ
ック薄板”として公知の、これらの薄板は、たとえば押
出し又はテープ注型のような、通常のセラミック粉末加
工手順によって、高均一性に調製することができる。有
機成分は、粉末をその未焼成状態で容易に取扱うことが
でき且つ型中に充填することができるような具合に、粉
末と混合することによって、薄板の加工を容易にすると
共にセラミック体に十分な強度を付与するように選ぶ。
生地セラミック薄板の使用は、複数のセラミック層を同
時に熱圧縮する場合に特に有利である。
生地セラミック薄板に強度（及び取扱い性）を付与する
ほか、有効な有機結合剤系の他の要件は、緻密化後にセ
ラミック中に残る残留物（たとえば炭素）によって望ま
しくない性質をもたらすことがないように、加熱の間に
それを除去することができることである。結合剤のこの
性質は、結合剤の除去に酸化がかかわっていない場合で
すら、般に“清浄燃焼″と呼ばれる。清浄燃焼の性質は
焼成の間の環境的な条件に依存する。たとえば、通常の
焼結を空気中で行なう場合には、結合剤の除去は酸素の
存在によって助けられ、それが熱分解からの炭素質残留
物の酸化の可能性を提供する。
結合剤の清浄燃焼は、酸化を有効に排除する非酸化又は
還元条件下に焼結する場合には、−層達成が困難となる
。黒鉛工具を用いる熱圧縮（非酸化雰囲気中）は、黒鉛
が雰囲気中の多少の酸素に対して結合剤残留物と競合す
るから、結合剤除去の問題を一層悪化させる。かくして
、結合剤除去を促進するための少量の酸素又は水蒸気の
添加（しばしば水蒸気の添加によって行なわれる）によ
る利点が最低となる。結合剤除去の問題は、生地体が工
具によって囲まれており、かくして結合剤連発物はラム
と型の間の割れ目を通って逸出することが必要であると
いう事実によって、熱圧縮の間に一層悪化する。すなわ
ち、生地結合剤揮発物に対しては生地成形体を通じる長
い拡散径路が存在゛する。この囲まれた系中の局部的な
雰囲気の制御に対する機会もまた、はとんど存在しない
。上記の点についての考慮から、熱圧縮は従来の焼結よ
りも効果的な結合剤系に対して一層の制限を課し、かく
して通常の焼結プロセスに対して用いる場合に清浄燃焼
するものとみなされる一部の有機物は考慮から除外する
ことが結論されている。
セラミックの熱圧縮において克服すべきもう一つの一般
的な問題は、緻密化後の黒鉛工具へのセラミックの付着
である。窒化ほう素（Ｂ　Ｎ）粉末は、しばしば黒鉛工
具を用いる熱圧縮に対する効果的な離型剤として用いら
れる。それは一般にＢＮ含有スラリーを塗布又は噴霧す
ることによって黒鉛表面（これはセラミック粉末と接触
する）に付与する（たとえば、米国特許環４．５１８．
７３６号）。ＢＮ粉末は黒鉛又は多くの耐火性セラミッ
クのいずれとも容易には反応せず且つそれ自体は容易に
は緻密化しないために有用である。これは、その板状の
粒子形態と結びついていて、熱圧縮後の黒鉛からのセラ
ミックの容易な剥離を可能とする。
（炭素のセラミック中への拡散のより良い障壁としての
必要のため、あるいは、ＢＮと他の材料の間の僅かな反
応のために）比較的厚いＢＮ層を必要とする場合には、
生地セラミック薄板の製造に対して先に記したものと同
一の手順を用いて、生地薄板としてＢＮ粉末を成形する
ことができる。
ＢＮ生地薄板の製造のために用いる結合剤系は、セラミ
ック生地薄板に対して先に記したものと同様な強度と清
浄燃焼についての基準に合致しなければならない。日本
特許公開６１−１００７４においては、ＳｉＣホットプ
レス焼結に対して窒化ほう素離形剤を用いている。薄板
材料は、その主成分として、たとえばポリビニルブチラ
ール（ＰＶＢ）又はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）の
ような熱可塑性樹脂及び、たとえばブチルフタリルアク
リル酸ブチル又はポリニチレングリコールのような可塑
剤、及び、たとえばグリセリン又はオクタデシルアミン
のようなベプタイザーを含有する結合剤を有している。
薄板に対して必要な強度と柔軟性を保持するためには、
組成の適当な範囲は、８２〜８８重量％の離型材料、８
〜１２重量％の結合剤、４〜６重量％の可塑剤、及び５
重量％未満のベプタイザーとして与えられている。ある
種の用途に対しては、この日本特許によって示唆されて
いるＰＶＢ及びＰＶＡ結合剤は、非酸化性雰囲気中の熱
分解においてかなりの残留物を残すことから、有効では
ないことがある（第２図参照）。これらの結合剤からの
残留物は熱圧縮する材料へと移行して、その性質に影響
するおそれがある。
■、電子基板 セラミック材料は、しばしば、電子成分（たとえば、シ
リコンベース集積回路）を支持するために用いられる。
基板と呼ばれるこれらの材料は、一般に平板形態のもの
であり且つその表面及び／又はその内部において金属化
（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）しであることが多い。
この金属化は電気信号径路、接地面、アンテナとして、
又は構造物中のその他の受動あるいは能動的電気成分と
して働らくことができる。また、金属化はセラミック材
料を他の材料に接着させるための引続く加工（たとえば
、鑞付け、めっき）に対する基体として働らくこともで
きる。セラミック材料は一般に最適の熱的及び機械的性
能を与えるために高比重のものである。
基板の説明及びその製造法については多くの専門用語が
ある。単層基板はその表面上にのみ金属化パターンを有
する基板をいう。多層基板は、普通には、金属化パター
ンの内部層を有し且つまた表面金属化をも有している。
多層基板の異なる層上の金属化パターンはセラミック層
中の穴又はバイアス（ｖｉａｓ）による金属化によって
相互に連結していることが多い。共焼成基板とは、その
中で生地セラミック粉と金属インキパターンが結合させ
てあり且つ単独の焼成工程で緻密化しであるものをいう
。単一又は多層金属化のいずれかをもつ基板は、時によ
るとこの分野において、それぞれ、単層文は多層パッケ
ージと呼ばれることもある。
セラミック電子基板を製造するための一般的な方法は、
セラミック（及び金属）粉末の焼結である。これは通常
は前記のようにセラミック粉末及び有機材料から成る薄
板の製造を包含する。生地薄板から金属化してない基板
を製造しようとする場合は、薄板を単に結合剤の気化と
その後のセラミック粉末の焼結を可能とする条件下に加
熱する。
非金属化基板は、時にとると、セラミックの焼結後に（
且つ通常は別個の焼成工程により）表面に対して電子導
体パターンを付与することから、プレ焼成基板と呼ばれ
る。
共焼成法においては、金属導体パターンを、たとえば、
スクリーン印刷によって、通常は金属粉と有機物を含有
するインキ又はペーストとして、生地薄板の表面に対し
て付与する。次いで金属化した薄板を焼成して電子回路
パターンをもつ単層基板を製造することができる。場合
によっては、セラミック基板への金属被覆の機械的な結
合を助長するためにガラス粉を金属インキに加える。し
かしながら、これは金属化の電気伝導性に対しては不利
となるおそれがある。
多層共焼成法においては、バイアス（すなわち、セラミ
ックを通る電気的相互連絡）を、セラミック薄板中に穴
をあけ、それに金属を充填することによって、形成させ
ることができる。各層の直中の金属化パターンは、たと
えば、スクリーン印刷金属インキによって、付与するこ
とができる。これらの生地テープの金属化薄板は、結合
する層中の重合体の相互の結合を生じさせるために十分
な圧力と最低限の加熱によって積層し且つ相互に融着さ
せることができる。金属化した積層構造物を次いで単層
基板と同様にして焼結することによって緻密な多層基板
を製造することができる。このようにして製造しＩ；構
造物は“多層、共焼成”基板として公知である。
以下の説明において、焼結によって電子基板を製造しよ
うとする場合に遭遇する可能性のある問題のいくつかを
詳細に考察する。しばしば遭遇する一つの問題は生地薄
板中の不均一性のため又は薄板の不均等な加熱のための
不均一な焼結である。
これらの問題は焼成製品の反りを生じさせる可能性があ
り、それは収率に著るしく影響する可能性がある。これ
らの問題は基板の大きさの増大につれて一層顕著となる
。
前記のように、電子基板として用いるいくつかの化合物
（たとえば、Ａ　Ｉ　Ｎ、　Ｓ　ｌ　３Ｎ４）は本質的
に焼結が困難である。これは、これらの物質中の強い共
有結合が原子的運動性を低くするためである。これらの
化合物の生地薄板からの高密度のセラミックの取得は、
きわめて微細な粉末を入手することが可能（これは実際
には不可能なことが多い）でない限りは、無圧力焼結に
よっては不可能である。
金属パターンとのセラミック共焼成において生しる別の
問題は、金属及びセラミック粉末の両者の焼結の間の横
方向の収縮を（粉末形態の制御によって）制御すること
かできないことである。これはセラミンク−金属界面に
著るしい残留応力をもたらすおそれがあり、それは基板
の反りと金属の層状剥離をみちびく可能性がある。横方
向の収縮の制御不良は、必要とする寸法許容度に合格し
ない基板をもたらす可能性もある。この第二の点は、す
べてが有用であるために規定の公差に合致しなければな
らない多くの基板を製造する場合には、特に厄介である
。これは基板の大きさが大きくなるにつれて一層大きな
問題となる。
発明の目的 本発明の目的は、熱圧縮によって電子基板に対して適す
る緻密なセラミック薄板を製造するための改良方法を提
供することにある。
本発明の別の目的は、導電性の回路パターンを有するセ
ラミ７り基板を製造するためにセラミックと金属の粉末
を共焼成するための改良方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、相互に結合した導電性の回
路パターンの多数の層をもつセラミック基板の製造のた
めの改良方法を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、焼結が困難な粉末を電子基
板に対して適する材料に緻密化するための方法を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、複数の基板の同時的熱圧縮によっ
て電子基板を製造するための経済的な方法を提供するこ
とにある。
本発明の別の目的は、熱圧縮によって電子基板を製造す
ることができるような具合に、酸素の不在における熱分
解において望ましくない残留物を残すことがない結合剤
系を提供することにある。
発明の要約 本発明は、熱圧縮によって電子的応用のための非金属化
、単層金属化、及び多層セラミック基板を製造すること
を目的とする。この方法は、焼結が難しい粉末（コンポ
ジット混合物を包含する）を緻密なセラミックに押し固
めることを可能とする。この方法は反りの効果的な排除
によって収率の向上をもたらす。反りの排除は、一方に
おいて、容易に製造することができる基板の大きさを増
大させる。その上、加工の間の電子回路パターンの横方
向の収縮は、押し固めが主として基板の面に対して垂直
であるために、効果的に排除される。
これは寸法的な制御と向上した収率の両方を提供する。
上記の利点は、酸素の不在における熱分解において望ま
しくない残留物を残すことがない結合剤系の使用によっ
て可能となる。
電子基板に対して適する緻密なセラミック薄板は、先ず
セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解において
望ましくない残留物を残すことがない有機結合剤を含有
する少なくとも一つのセラミック生地薄板を調製するこ
とによって製造する。
ほう化窒素（ＢＮ）及び酸素の不在における熱分解にお
いて好ましくない残留物を残すことがない有機結合剤か
ら成る窒化ほう素薄板を、次いで、セラミック薄板の各
側上に置いてコンポジットを形成させる。この複合体を
結合剤の除去とセラミックの緻密化を促進する条件下に
熱圧縮する。最後に、緻密なセラミック薄板の各側上の
ＢＮ層を除去する。
複数の緻密なセラミック薄板は、セラミックの生地薄板
に接して窒化ほう素（Ｂ　Ｎ）薄板を置くことによって
ＢＮ−セラミック−［ＢＮ−セラミック］ｘ−ＢＮ（こ
こでＸは熱圧縮前の正の整数である）の形状の積み重ね
とすることによって同時に製造することができる。セラ
ミックの生地薄板の好適な製造方法は、セラミック粉末
、ポリエチレン及び油を混合し、その混合物を高温で混
練してポリエチレンの溶融を促進する方法である。混練
した混合物をダイを通じて押出すことにより成形して薄
板を形成させたのち、油を有機溶剤による抽出によって
除去する。あるいは、混練した混合物）を抽出工程前に
平らな薄板状に圧縮することによってセラミック生地薄
板を形成させることもできる。
表面上に一つ以上の緻密な導電性金属回路パターンを有
する緻密なセラミック電子基板は、この手順において、
セラミック生地薄板を製造したのち、たとえばセラミッ
クと適合する適当な金属によるセラミック薄板上へのス
クリーン印刷によって所望の金属回路パターンを堆積さ
せることによって製造することができる。次いで、隣接
する窒化ほう素薄板と共に熱圧縮したのちに、かくして
得た生成物は所望の回路パターンを有している。
複数の金属化緻密セラミック層は、窒化ほう素薄板を金
属化セラミック薄板に接して積み重ねることによっても
、同時に製造することができる。
金属化のための好適な金属はタングステン（Ｗ）である
。窒化ほう素薄板は容易な作業のためにセラミック生地
薄板の両側上に積層することができる。
本発明の別の特色は、いくつかの層において金属回路間
に内部的な連絡をもつようにして、多層セラミック電子
基板を製造することができるということである。セラミ
ック生地薄板を前記のようにして調製し且つセラミック
薄板中に穴をあけて金属粉末で詰めることによって、一
つ以上のセラミック薄板中に金属充填バイアスを作製す
る。次いで所望の金属回路パターンを置いたのち、各層
上の金属化パターンとバイアスの整合を保持するように
して所望数のセラミック薄板を積層することによって、
生地多層セラミック−金属コンポジットを形成させる。
その生地コンポジットの各側上に窒化ほう素の薄板を置
き、次いで前記の手順を用いて熱圧縮することによって
、コンポジットとする。
金属粉末及び酸素の不在における熱分解において望まし
くない残留物を残さない有機結合剤を用いて製造した金
属含有薄板を形成させることによってバイアス中に金属
粉末を置くことができる。セラミック生地薄板中に穴を
あけ、次いでそのセラミック生地薄板に接して金属粉末
含有薄板を置き、且つ打印作用によってセラミック生地
薄板中の穴に対して金属含有材料を押し込む。基板中に
表面キャビティーを所望する場合には、コンポジットの
表面上に存在することになるセラミック薄板中に穴をあ
け、積層する前にその穴を同様な厚さのＢＮテープ材料
で詰めればよい。
好適実施形態の説明 一実施形態において、金属化してない（裸の）基板を製
造する。初段階はセラミック粉末及び未焼成セラミツク
薄板に対して強度と靭性を与える有機結合剤から成る取
扱い可能な薄板の製造から成る。セラミック薄板は多結
晶基板に対して望ましい化合物又は加熱によって望まし
い化合物に変化する前駆体でなければならない。電子基
板用として適当な誘電的及び熱的性質を有するセラミッ
ク化合物の例はＡ　ｌ　２０　ｓ、ＢｅＯ及びＡＩＮで
あるが、しかしこれらに限定されることはない。
有機結合剤は、セラミック粉末の圧縮に先立つ熱分解に
おいて望ましくない残留物を残してはならない。この必
要条件は、かかる残留物（すなわち、炭素）がセラミッ
クの物理的及び電気的性質の両方に対して有害な影響を
与えるおそれがあることによる。たとえば、米国特許第
４．６４２゜１４８号は、残留炭素濃度がｌｏｏｐｐｍ
を越えるときＩこはセラミック回路板における誘電的破
壊電圧が著るしく低下することを指示するデータを示し
ている。非酸化的な雰囲気中で熱圧縮を行なうことが望
ましいから（非酸化物セラミック粉末又は黒鉛工具の酸
化を防止するため）、結合剤の熱分解は酸素の不在にお
いて行なう必要がある。このことは、熱分解の残留物除
去の手段として酸素を排除しているから、結合剤系に対
して一層厳しい条件を課する。この基準に合致する結合
剤候補は高密度ポリエチレンである。例えば、米国特許
第３，７５５，２０４Ｊ＋は、結合剤として高密度ポリ
エチレンを、可塑剤として油を使用する成形セラミック
プリフォームの形成段階を包含する多孔性セラミック支
持体の製造方法を記している。
この混合物は重合体結合剤の溶融を促進するための加熱
下に配合することができ、次いで配合した混合物をダイ
の使用による押出しのような方法により、又は平らな薄
板への配合混合物のプレスによって、薄板状に成形する
ことができる。いずれの場合においても、混合物の流動
性を向上させるために高い温度で混合物を配合すること
が好ましい。薄板の形成後、しかし熱圧縮前に、たとえ
ば１−リクロロエタンのような適当な溶媒を用いる抽出
によって、この系から油を除去することができる。抽出
工程は熱圧縮の間に除去すべき有機物の全量を低下させ
且つきわめて清浄燃焼性のポリエチレン以外のすべてを
除去する。
第２図は酸素の不在におけるポリエチレンの清浄燃焼性
を指示するデータを示している。−射的に用いられる有
機結合剤、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及びポリビ
ニルブチラール（ＰＶＢ）に対するデータをも示してい
る。６００００以上ではポリエチレンに対しては測定で
きる残留物は存在しないのに対して、ＰＶＡ及びＰＢＢ
は、それぞれ、０．４及び１．４重量％の残留物を残す
。
第２図から、ポリエチレンは他の再結合剤と比較すると
狭い温度範囲で揮散することを示している。
これは迅速な気体の発生の指標であるが、これは生地の
微細構造を破り、それによって焼成密度を低下させる傾
向があるので、焼結に対しては望ましくない。しかしな
がら、熱圧縮に対しては、結合剤の迅速な揮発は、生地
本体が工具によって拘束されており且つ粒子間の緊密な
接触を保持又は回復するために圧力を加えることができ
るから、許容することができる。実際に、迅速な揮散は
加工サイクルを促進することができるから、望ましいこ
とである。
黒鉛工具と加工するセラミックの間の相互作用を減する
ためには、低い反応性を有する材料の層を黒鉛／セラミ
ック界面に導入すればよい。そのような材料は窒化ほう
素である。
ＢＮ薄板はＢＮ粉末及び熱分解において望ましくない残
留物を残すことがない有機結合剤を用いて製造する。Ｂ
Ｎは、大部分のセラミック粉末の熱圧縮に対して必要な
条件下に不活性である（すなわち、焼結又は基板材料と
相互作用しない）。
かくして、黒鉛からセラミック材料を隔離するため且つ
加工後にホットプレス工具からの基板材料の薄板をはが
すために、あるいはセラミック薄板の同時的な加工の場
合には、基板材料の薄板間の剥離層として作用させるた
めに、ＢＮを用いる。
ＢＮは工具（たとえば、炭素）による基板材料の汚染を
防ぐための非反応性障壁をも提供する。この点に関して
は、それは剥離層として薄い黒鉛薄板を使用するという
従来の方法を越えた改善を提供する。ＢＮテープの使用
は、黒鉛箔と比較するときに、焼成したセラミック薄板
上により滑らかな表面を与えるということもまた見出さ
れている。
これは、熱圧縮工程後のセラミック薄板の表面加工に対
する必要を最低限とするか又は排除する。
ポリエチレンは、その清浄燃焼性がセラミック−ＢＮ界
面における炭素質残留物とセラミックの間の反応の潜在
的な問題を排除するから、ＢＮ薄板に対する効果的な結
合剤である。この点に関して、ＢＮテープ中の結合剤と
してのポリエチレンの使用は、ＰＶＡとＰＶＢを推薦結
合剤としている日本特許第６１−１００７４号に記載の
方法と比較して改善を表わす。前記のように、ＰＶＡと
ＰＶＢは酸素の不在における熱分解においてかなりの残
留物を残す。ＢＮ薄板は熱圧縮すべきセラミック薄板に
対して先に記しｔ；ようにポリエチレンと油を使用して
作製することができる。
セラミック基板の単一の薄板を製造するためには、ＢＮ
薄板をセラミック生地薄板の両側に積層し且つ熱圧縮を
、先ず結合剤を除去し次いでセラミックを緻密化するた
めに必要な条件下に、遂行すればよい。ＢＮ薄板を必ず
しもセラミック生地薄板の両側に積層する必要はない。
ＢＮ薄板をセラミック生地薄板のいずれかの側上に置い
てもよい。積層の利点は、セラミック生地薄板を取り扱
うときのその汚染をさらに防止するということである。
製造コストを低下させるための複数の層の同時的な熱圧
縮は、形態（ＢＮ−セラミック薄板−ＢＮ−硬質スペー
サ）の複数の単位セルをホットプレス中で相互に積み重
ねるような具合に、前記の積層構造物間に工具材料の硬
質スペーサーを置くとによって行なうことができる。あ
るいは、形態（ＢＮ薄板−セラミック薄板−［ＢＮ薄板
−セラミック薄板］Ｘ−硬質スペーサ−）（ここでＸは
正の整数である）の単位セルを構築することによって、
プロセスの経済性を一層向上させることができる。この
構築手順においては、ＢＮ薄板をセラミック薄板の一方
の側のみに対して積層するか、あるいはＢＮ薄板とセラ
ミック薄板を交互に加えることによって積み重ねを製造
する。
熱圧縮後に、基板薄板を黒鉛工具及び／又は相互から容
易に分離することができる。緻密なセラミック薄板の表
面上のＢＮは、その後に洗浄及び／又はグリッドブラス
トによって除くことができる。
別の実施形態においては、表面上に緻密な導電性金属回
路パターンを有するセラミック電子基板を製造する。前
記実施形態におけるように、セラミック粉末と清浄熱分
解性結合剤をもつＢＮの取扱い可能な薄板を製造する。
セラミック薄板上に、可能な任意の方法（たとえば、金
属粉末含有インキのスクリーン印刷、金属粉末充填７オ
トポリマーからのパターンイメージング）によって金属
化パターンを付与する。収縮は基板の面に対して一方向
的に垂直（圧縮の軸に対して平行）であるから、回路パ
ターンを生じさせるだめの方法は未圧縮粉末を使用する
方法には限定されない。たとえば、細い金属線をこの実
施形態における導電ラインとして用いることができる。
この分野の習熟者は、適切な導体−セラミック系の選択
は、個々の成分の最終的な性質に依存するばかりでなく
、加工の間のそれらの適合性にも依存する。適合する系
は、基板を緻密体として圧縮するために必要な条件下に
化学的に分解又は」工作用することがない成分を有して
いる。このような系の例はＡＩ、Ｏ，−Ｗ、ＡＩ、Ｏ，
−Ｍｏ及びＡＩＮ−Ｗであるが、これらに限定されるこ
とはない。
金属パターンの付与後に、ＢＮ薄板を金属化セラミック
に積層し且つ結合剤の除去とセラミック及び金属の両者
の緻密化のために適当な条件下に熱圧縮する。黒鉛工具
を用いる場合には、黒鉛と大部分の耐火性金属の間の直
接の接触は加熱の間に炭化物の生成をもたらし、それは
導電性パターンの電気的性能に影響するから、ＢＨの使
用は必須である。
セラミック及びＢＮ薄板中におけるポリエチレンのよう
な清浄燃焼性の結合剤の使用は、炭素質残留物は高い加
工温度において耐火性金属と反応して望ましくない金属
炭化物を生じるから、この方法の成功に対して決定的で
ある。
先行実施形態におけると同様に、複数の金属化薄板の同
時的な加工は非金属化薄板に対して先に記したような積
重ねの構築によって可能である。
前記のように、この方法は金属化の横方向の収縮と基板
のひずみを効果的に排除することができるから、向上し
た収率に対する可能性を提供する。
この方法は、しばしばセラミック（たとえばガラスフリ
ット）への結合を増進するために用いられる耐火性金属
インキへの添加剤の必要をも排除する。この方法によっ
て、グレン境界において比較的僅かな不純物のみが存在
することによる金属化の高い導電性及びこの方法によっ
て生じる金属とセラミックの間の良好な接触のために金
属−セラミック界面を通じる良好な熱伝導がもたらされ
る。
別の実施形態においては、種々の層において内部連絡金
属回路を有する多層セラミック基板を製造する。先行実
施形態におけると同様に、初段階は、それぞれ、多層基
板の加工のために必要な条件下に望ましくない残留物を
残さずに熱分解する結合剤を含有するセラミックとＢＮ
の薄板を製造することである。セラミック薄板中に穴を
あけて金属粉末を充填することによってセラミック薄板
中に金属充填バイアスを生じさせる。バイアス充填のた
めの一般的な方法は、セラミック薄板の下側に対して部
分的な真空吸引を行なって穴中にインキを吸い込みなが
ら行なう穴中への金属充填インキの連続的なスクリーン
印刷である。しかしながら、これは１層当り複数の印刷
を必要とし且つバイアスの十分な充填がこの方法によっ
て再現できるように達成できるかどうかは疑問である。
別の好適な方法は、セラミック薄板を製造するために用
いるものと同様な方法（及び結合剤）を用いて金属粉末
充填生地薄板を製造し且つセラミック薄板中に先にあけ
た大中に金属充填薄板のプラグを押し込むことである。
これは穴をあけたのちのセラミック生地薄板上に直接に
金属充填生地薄板を置き、且つ同一寸法の穴あけ具を用
いて金属生地テープから金属を第二の穴あけ作用を用い
てセラミック生地テープ中に押し込むことによって達成
することができる。この方法はバイアス中への金属の均
一な充填を可能とする。それはバイアスとセラミックテ
ープの結合剤焼却特性が同一であることをも保証する。
バイアス充填の達成後に、必要に応じ単一層基板に対し
て先に記した方法を用いて各層に対して所望の金属回路
パターンを付与することができる。
次いで金属化した生地テープの層を各層間の金属化パタ
ーンの整合を保つようにして積層する。前実施形態と同
様に、ＢＮ薄板を多層構造物の各側に対して積層し且つ
全パッケージを結合剤の除去と多層構造物の緻密化のた
めに必要な条件下に熱圧縮する。最後に、ＢＮを除去し
て内部導電パターンをもつ緻密なセラミック基板を与え
る。多層基板は前記の方法を用いて一熱圧縮作業におい
て製造することもできる。
多層基板を製造するｔ；めのこの方法は、単一層基板に
対して先に挙げた利点のすべてを有している。その上に
、これは熱圧縮の間の単一方向の圧縮が層の緻密な接触
と結合を確実にするから、焼結前又は焼結中の層の剥離
の可能性に関する問題を排除する。
この方法を用いて非平面的形状をも達成することができ
る。たとえば、熱圧縮方法を用いて露出した表面キャビ
ティーを与えることが可能である。
これは圧密化させるべき生地セラミック薄板の表面層内
のＢＮ薄板の適ゾな使用によって達成される。たとえば
、表面キャビティーが必要な場合は、セラミック薄板中
に必要とする寸法の穴をあけ、同一寸法のＢＮプラグで
充填すればよい。この方法は金属薄板の代りにＢＮ薄板
を用いる以外は、前記のバイアス充填方法と同様にして
行なうことができる。このＢＮ充填セラミック薄板は熱
圧縮すべき多層プリフォーム上の外層である。熱圧縮工
程後に、キャビティー内のＢＮは前記のようにグリッド
ブラスト又は洗浄により除くことができる。
本発明を実施例によってさらに例証する。
実施例　ｌ この実施例は電子基板用として望ましい、焼結の困難な
化合物（ＡＩＮ）の緻密な薄板を製造するための熱圧縮
方法の有用性を例証する。
ＣａＣ０１を添加した高純度ＡＩＮ粉末、ポリエチレン
及び油から成る配合物を第１表中に示す重量百分率で各
成分を混合することにより約１６０°Ｃにおいて成形可
能な配合物として調製した。すべての他の元素状不純物
は０．０２％未満であった。同様に、ＢＮ配合物を第１
表中に示した重量百分率で約１６０°Ｃにおいて配合し
た。配合物を約１６０’（！において平らな薄板として
プレスして、プリフォームの熱圧縮に対して使用すべき
黒鉛型に適合する寸法（３“×３“）に切断した。薄板
の厚さはＡＩＮに対して約０．０４０“、ＢＮに対して
約０．０３０”であった。薄板をトリクロロエタン浴中
に入れて油を抽出し、平らにプレスしたのち、約１１０
°Ｃで５００ｐｓｉ未満の圧力で積層して、ＢＮ−ＡＩ
Ｎ−ＢＮの形態のプリフォーム堆積とした。この堆積を
黒鉛型中に充填し且つ黒鉛ラムをＢＮ層と接触させて置
いた。熱圧縮サイクルの主要素は次のとおりであった：
　（１）減圧下にラム圧力なしで温度を６００°Ｃに保
って結合剤の揮散を促進する、（２）窒素中で１９００
℃の最高温度と１０００ｐｓｉのラム圧力でＡＩＮを緻
密化する。熱圧縮後に、堆積を型から取り出したのち、
ＢＮをグリッドブラストによりＡＩＮ表面から容易に取
り除くことができた。
か（して得たＡＩＮ薄板は高度に透明であったが、それ
は高純度、高密度、黒鉛工具とのきわめて僅かな相互作
用及びポリエチレン結合剤の清浄燃焼性を示している。
表面の粗さと反りは、それぞれ、４９ミクロインチと０
．０４％であることが測定された。同じ方法によって製
造した、比較的厚い試験片について測定した熱伝導率は
１．８Ｗ／ｃｍ’　Ｋであった。上記の性質は、はとん
ど又は全く機械加工を必要としない良好な品質の窒化ア
ルミニウム基板を、この方法によって製造することがで
きるということを示す。
第１表 ＡＩＮ配合物　６８．ＯＡＩＮ粉末 （徳山ソーダＦ級） ３　、４　　　０ａ　ＣＯｓ粉末 ３．４　　　ポリエチレン ２５．２　　鉱油 ＢＮ配合物　　６１．０　　　　ＢＮ粉末６．０　　　
ポリエチレン ３３．０　　鉱油 実施例　２ この実施例は熱圧縮方法を使用するＡＩＮに対する共焼
成接着導電性金属化に対する可能性を例証する。
ポリエチレン結合剤を用いるＡＩＮの薄板を、第２表中
に示した配合を用いて実施例１に従う熱圧縮のために調
製した。ＢＮ薄板をも実施例１に従って調製した。抽出
工程後の積層前に、スクリーン印刷ＷインキによりＡＩ
Ｎ薄板に対してＷ金属パターンを付与した。インキは、
第３表中に示した成分を、滑らかな、均一なコンシスチ
ンシーが得られるまで混合することによって調製した。
金属化したＡＩＮ薄板を実施例１と同様にしてＢＮ薄板
に対して積層し、最高温度を１７００°Ｃとしたほかは
、実施例１に従って、熱圧縮した。緻密なＡＩＮ薄板を
グリッドプラストすることによって清浄化して、表面上
に導電性Ｗ金属化を有する緻密なＡＩＮ薄板を得た。金
属パターンは横方向のひずみの徴候を示す事なく、且つ
完全に付着していた（ブリットブラスト工程中に完全に
保たれるという事実によって確証される）。Ｗ金属化の
薄板の固有抵抗の測定値はｌｌミリオーム／スクエアで
あった。
暮又遣 ＡＩＮ配合物 ８１．０ ４．０ ３．０ １２．０ 第３表 ＡＩＮ粉末 （Ｈ，Ｃ，スタークＡ級） ＣａＣＯ，粉末 ポリエチレン 鉱油 配合物　（重量％）　成　分 Ｗインキ配合物　７０．８　　　Ｗ粉末−１，７μｍ平
均粒径２３．６　　　Ｗ粉末−０，５ｕｍ平均粒径０．
３　　　エチルセルロース ４．２　　　ａ−テルピネオール １．０　　　　　　分散剤ＫＦロイキフド９８−Ｃ）実
施例　３ この実施例は熱圧縮方法を使用する、埋め込んだ導電性
Ｗ金属化を有するＡＩＮ基板の製造の可能性を゛例証す
る。埋め込んだパターンは新規バイアス充填方法を用い
て製造したＷ充填波は穴（バイアス）によって表面に電
気的に接続している。
ＡＩＮ及びＢＮ薄板は、実施例１に従って、ＡＩＮ薄板
に対して約０．０５０“、ＢＮ薄板に対して０．０３０
“の厚さとして調製した。Ｗ粉末（９６，５％）、ポリ
エチレン（０，７％）及び油（２，８％）を約１６０℃
で混合することによって０．０５０”のＷ薄板を製造し
た。Ｗ薄板からの油の抽出は薄板をヘキサン中に浸漬す
ることによって行なった。ＡＩＮとＢＮ薄板からの抽出
はトリクロロエタン中で行なった。
基板表面に対して垂直なＷバイアスの使用によって基板
表面に突き出ている埋め込んだＷ回路パターンを有する
ＡＩＮ基板を次のようにして製造した。先ず、０．０２
５“の直径の穴を同一直径の円筒棒を用いてＡＩＮ薄板
中にあけた。ＡＩＮ薄板上にＷ薄板を置き且つ同一の穴
あけ作用によって大中にＷ材料を押し込むことによって
、これらの穴をＷ薄板材料で充填した。２枚の生地ＡＩ
Ｎ薄板中にＷ充填穴の配列を生じさせるようにこの手順
を遂行した。次いでスクリーン印刷したＷ線の末端がＷ
バイアスと整列するような具合に、Ｗインキを用いて、
これらのＡＩＮ薄板の表面上に回路パターンをスクリー
ン印刷した。スクリーン印刷後に、一方の側から突き出
ているＷバイアスを有するＡＩＮ層間にスクリーン印刷
パターンを挟み込むような具合にして、各金属化薄板に
対して第二のＡＩＮ薄板を積層した。次いでＢＮ薄板を
二つのＡＩＮプリフォームに対して積層して形態ＢＮ−
ＡＩＮ−ＢＮ−ＡＩＮ−ＢＮの堆積を生じさせな。この
堆積を実施例１に記した条件によって熱圧縮した。型か
らの取り出しに際して、基板は容易に分離し且つグリッ
ドブラストによって清浄化した。
このようにして得た基板は高度に透明であり、それは埋
め込まれたＷパターンの位置を容易に示した。この金属
化は突き出ているＷバイアスを通して測定したときに低
い比抵抗（約１１ミリオーム／スクエア）を有していた
。
実施例　４ この実施例は熱圧縮方法を使用する、埋め込んだ導電性
Ｗ金属化を有するＡ１□Ｏ１基板を製造する可能性を例
証する。この実施例はバイアス方法及び埋め込んだ金属
化をキャビティー内に露出させることができるような具
合に熱圧縮基板中に表面キャビティーを生じさせる可能
性をも実証する。
第４表中に示した成分を成形可能な配合物として混合し
且つ約１６０℃において平らな薄板状にプレスした。
第４表 実施例４に対するプリフォームの組成 Ａｌ２Ｏ，配合物　８１．６　　　　ＡｈＯｓ粉末２．
９　　　　Ｓｉｎ、粉末 ０．５　　　ＭｇＯ粉末 ３．０　　　ポリエチレン １２．０　　　鉱油 ＢＮ薄板は実施例１に従って調製し、Ｗ薄板は実施例３
に従って調製した。Ａ　１．０　、、Ｗ及びＢＮ薄板の
厚さは約０．０５０インチであった。実施例３中に記し
た手順を用いてＡ　１２０３薄板中にＷ充填した穴の配
列を生じさせた。次いで、スクリーン印刷したＷ線の末
端がＷバイアスと整列するような具合にＷインキ（実施
例２に従って調製）を用いて、これらのＡ　ｔ、ｏ　３
薄板に回路パターンをスクリーン印刷した。第二のＡＩ
、Ｏ，薄板に対して、正方形の穴（１辺約１／２インチ
）をあけ、Ｗ充填穴をあけるために用いたものと同一の
穴あけ方法を用いてＢＮ薄板材料で充填した。このＢＮ
充填Ａ１．Ｏ，薄板を、二つのＡ１．Ｏ，層の間にスク
リーン印刷したＷパターンを挾むような具合に金属化Ａ
　Ｉ２０　、薄板に対して積層した。この積層物をアル
ゴン雰囲気中で約１０００ｐｓｉのラム圧力を用いて１
６００℃の温度で熱圧縮した。型からの取り出し後に、
グリッドブラストによってＡＩ、Ｏ，表面からＢＮを除
いた。
かくして得たＡｌ２Ｏ３基板は透明であって、表面キャ
ビティーの顕著な横方向の反りは認められなかった。金
属化はキャビティー内で接着し且つ約１１ミリオーム／
スクエアの薄板比抵抗を有していた。
上記の詳細な説明は単に例証のために示したものであっ
て、本発明の精神から逸脱することなく多くの変更を行
なうことができる。
本発明の主な特徴および態様を記すと次のとおりである
。
１、下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
おいて望ましくない残留物を 残さない有機結合剤から成る少なくと も一のセラミック生地薄板を調製し； （ｂ）段階（ａ）において調製したセラミック生地薄板
の各側上に、窒化ほう素（Ｂ　Ｎ）及び酸素の不在にお
ける熱分解において望ましくない残留物を残さない有機
結合剤から成る窒化ほう素薄板を置いてコンポジットを
形成させ： （ｃ）段階（ｂ）において調製したコンポジットを結合
剤の除去とセラミックの緻密化を促進するために必要な
条件下に熱圧縮し：且つ （ｄ）緻密なセラミック薄板の各側上のＢＮ層を除去す
る から成ることを特徴とする電子基板に対して適する緻密
なセラミック薄板の製造方法。
２、セラミック粉末は電子基板に対して適する性質を有
する、上記ｌに記載の方法。
３、ＢＮ層を洗浄又はグリッドブラストによって除去す
る、上記ｌに記載の方法。
４、段階（ｂ）において窒化ほう素薄板をセラミック生
地薄板の各側上に積層する、上記１に記載の方法。
５、段階（ｃ）に先立って、窒化ほう素（ＢＮ）薄板を
セラミック生地薄板に隣接して置いて形態ＢＮ−セラミ
ック−［ＢＮ−セラミック］ｘ−ＢＮ１ここでＸは正の
整数である、の堆積物を生ぜしめる、上記ｌの記載に従
って同時に複数の緻密なセラミック薄板を製造するため
の方法。
６、段階（ａ）におけるセラミック生地薄板を：（ｉ）
セラミック粉末、ポリエチレン及び油を混合し；且つポ
リエチレンの溶融を促進するための高い温度で混合物を
混練し； （ｉｊ）段階（ｉ）において混練した混合物をダイを通
じる押出しによって薄板状に成形し；且っ（ｉｉｉ）有
機溶剤を用いる抽出によって油を除去する ことによって製造する、上記ｌに記載の方法。
７、セラミック生地薄板を、段階（ｉｊ　）において、
段階（ｉ）における混練混合物を平らな薄板にプレスす
ることによって形成せしめる、上記６に記載の方法。
８、段階（ｂ）の窒化ほう素薄板を： （ｉ）窒化ほう素粉末、ポリエチレン及び油を混合し；
且つポリエチレンの溶融を促進するための高い温度で混
合物を混線し； （Ｕ）段階（ｉ）において混練した混合物をダイを通じ
る押出しによって薄板状に成形し；且つ（ｉｉｉ）有機
溶剤を用いる抽出によって油を除去する ことによって製造する、上記ｌに記載の方法。
９、セラミック粉末は主としてＡＩＮである、上記ｌに
記載の方法。
１０、セラミック粉末はＡｌ２Ｏ３である上記ｌに記載
の方法。
１１、下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
おいて望ましくない残留物を残さない有機結合剤から成
るセラミック生地薄板を調製し； （ｂ）セラミックと適合する適当な金属によりセラミッ
ク薄板に対して所望の金属回路パターンを堆積させ； （ｃ）段階（ｂ）における金属回路パターンを有するセ
ラミック薄板の各側上に窒化はう素生地薄板を置き； （ｄ）セラミック及び金属粉末の両者を緻密化するため
に必要な条件下に金属化した薄板を熱圧縮し；且つ （ｅ）緻密なセラミック薄板の各側からＢＮ層を除去す
る から成ることを特徴とする（両）表面上に緻密な導電性
金属回路パターンを有する緻密なセラミック電子基板の
製造方法。
１２、セラミック粉末は電子基板に対して適する性質を
有する、上記１１に記載の方法。
１３、所望の金属回路パターンを金属ペーストのスクリ
ーン印刷によって付与する、上記１１に記載の方法。
１４、段階（ｄ）に先立って、金属化したセラミッり薄
板に隣接して窒化ほう素の薄板を置いて形態ＢＮ−金属
化セラミック−［ＢＮ−金属化セラミック１ｘ−ＢＮ、
ここでＸは正の整数である、の堆積を生ぜしめる、上記
１１項記載に従って同時に複数の金属化した緻密なセラ
ミック層を製造するための方法。
１５、セラミック粉末は主としてＡ１．Ｎであり且つ金
属はＷである、上記１１に記載の方法。
１６、セラミンク粉末はＡ　Ｉ２０　、であり且つ金属
はＷである、上記ＩＨこ記載の方法。
１７、段ＩＩＩ　（ａ）においてセラミンク生地薄板を
（ｉ）セラミック粉末、ポリエチレン及び油を混合し；
且つポリエチレ：／の溶融を促進するための高い温度で
混合物を混練し； （ｉ）段階（１）において混練した混合物をダイを通じ
る押出しによって薄板状に成形し；且つ（ｉｉｉ）有機
溶剤を用いる抽出によって油を除去する ことによって製造する、上記１１に記載の方法。
１８、段階（ｃ）における窒化ほう素薄板をセラミック
生地薄板の各側上に積層する、上記１１に記載の方法。
１９、下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
おいて望ましくない残留物を残さない有機結合剤から成
るセラミック生地薄板を調製し； （ｂ）セラミック薄板中に穴をあけ且つ金属粉末で充填
することによって段階（ａ）のセラミックの薄板中に金
属充填したバイアス（ｖｉａｓ）を生ぜしめ： （ｃ）段階（ｂ）のセラミンク薄板に望ましい金属回路
バター〉・を堆積させ； （ｃｌ）望ましい数の段階（ｃ）のセラミック薄板を各
層上の金属化パターン及びバイアスの整合を保つような
具合に相互に積層して生地多層セラミック−金属コンポ
ジットを形成させ； （ｅ）段階（ｄ）のコンポジットの各側上に窒化ほう素
の薄板を置き： （ｆ）段階（ｅ）のＢＮ−コンポジット−ＢＮ生成物を
結合剤の除去及びセラミックと金属粉末の両者の緻密化
を促進するＩ；めに必要な条件下に熱圧縮し：且つ （ｇ）緻密なセラミック薄板の各側上のＢＮ層を除去す
る から成ることを特徴とする、・各層に内部的に相互に連
絡する金属回路をもつ多層セラミック電子基板の製造方
法。
２０、所望の金属回路パターンを金属ペーストのスクリ
ーン印刷によって付与する、上記１９に記載の方法。
２１、ＢＮ層を洗浄又はグリッドブラストによって除去
する、上記１９に記載の方法。
２２、段階（ｅ）における窒化ほう素薄板をセラミック
生地薄板の各側上に積層する、上記１９に記載の方法。
２３、段階（ａ）におけるセラミック生地薄板を＝（ｉ
）セラミック粉末、ポリエチレン及び油を混合し；且つ
ポリエチレンの溶融を促進するための高い温度で混合物
を混練し； （ｉ）段階（ｉ）において混練した混合物をダイを通じ
る押出しによって薄板状に成形し；且つ（ｉｉ）有機溶
剤を用いる抽出によって油除去する ことによって製造する、上記１９に記載の方法。
２４、段階（ｆ）に先立って、窒化ほう素薄板を段階（
ｄ）の多層セラミック−金属コンポジットに隣接して置
くことにより形態ＢＮ−コンポジット−［ＢＮ−コンポ
ジット］ｘ−ＢＮ、ここでＸは正の整数である、の堆積
を生ぜしめる、上記１９に従って同時に複数の多層セラ
ミンク基板を製造するための方法。
２５、セラミック粉末は電子基板に対して適する性質を
有する、上記１９に記載の方法。
２６、セラミック粉末はＡＩＮであり且つ金属はＷであ
る、上記１９に記載の方法。
２７、セラミック粉末はＡ　Ｉ２０３であり且つ金属は
Ｗである、上記１９に記載の方法。
２８、段階（ｂ）を： （１）金属粉末及び酸素の不在における熱分解において
望ましくない残留物を残さない有機結合剤から成る金属
粉末含有薄板を調製し：且つ（ｉｉ）段階（ａ）のセラ
ミック生地薄板中に穴（複数）をあけ、その後にセラミ
ック生地薄板に接して段階（ｉ）の金属粉末含有薄板を
置き且つ穴あけ作用によってセラミック生地薄板中の穴
に金属含有材料を押し込む ことによって置き換える、上記１９の記載に従って多層
セラミック電子基板を製造するための方法。
２９、基板中に表面キャビティーを： （ｉ）段階（ｄ）のコンポジットの表面上に存在スべき
段Ｉｆｆ　（ａ）のセラミック薄板中に穴（複数）をあ
け；且つ （ｉ）段階（ｉ）中の穴を段階（ｄ）における層の積層
に先立って同様な厚さのＢＮテープ材料で充填する ことによって生ぜしめる、上記１９の記載に従っ
【図面の簡単な説明】
第１図は簡単な熱圧縮装置の断面図である。 第２図は酸素の不在における加熱の間の有機結合剤の熱
重量分析である。 て多層セラミック電子基板を製造するための方法。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. １．下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
    おいて望ましくない残留物を 残さない有機結合剤から成る少なくと も一のセラミック生地薄板を調製し； （ｂ）段階（ａ）において調製したセラミック生地薄板
    の各側上に、窒化ほう素（ＢＮ） 及び酸素の不在における熱分解において 望ましくない残留物を残さない有機結合 剤から成る窒化ほう素薄板を置いてコン ポジットを形成させ； （ｃ）段階（ｂ）において調製したコンポジットを結合
    剤の除去とセラミックの緻密化 を促進するために必要な条件下に熱圧縮 し；且つ （ｄ）緻密なセラミック薄板の各側上のＢＮ層を除去す
    る から成ることを特徴とする電子基板に対して適する緻密
    なセラミック薄板の製造方法。
  2. ２．下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
    おいて望ましくない残留物を残 さない有機結合剤から成るセラミック生 地薄板を調製し； （ｂ）セラミックと適合する適当な金属によりセラミッ
    ク薄板に対して所望の金属回路 パターンを堆積させ； （ｃ）段階（ｂ）における金属回路パターンを有するセ
    ラミック薄板の各側上に窒化ほ う素生地薄板を置き； （ｄ）セラミック及び金属粉末の両者を緻密化するため
    に必要な条件下に金属化した薄 板を熱圧縮し；且つ （ｅ）緻密なセラミック薄板の各側からＢＮ層を除去す
    る から成ることを特徴とする（両）表面上に緻密な導電性
    金属回路パターンを有する緻密なセラミック電子基板の
    製造方法。
  3. ３．下記段階： （ａ）セラミック粉末及び酸素の不在における熱分解に
    おいて望ましくない残留物を残 さない有機結合剤から成るセラミック生 地薄板を調製し； （ｂ）セラミック薄板中に穴をあけ且つ金属粉末で充填
    することによって段階（ａ）の セラミックの薄板中に金属充填したバイ アス（ｖｉａｓ）を生ぜしめ； （ｃ）段階（ｂ）のセラミック薄板に望ましい金属回路
    パターンを堆積させ； （ｄ）望ましい数の段階（ｃ）のセラミック薄板を各層
    上の金属化パターン及びバイア スの整合を保つような具合に相互に積層 して生地多層セラミック−金属コンポジッ トを形成させ； （ｅ）段階（ｄ）のコンポジットの各側上に窒化ほう素
    の薄板を置き； （ｆ）段階（ｅ）のＢＮ−コンポジット−ＢＮ生成物を
    結合剤の除去及びセラミックと 金属粉末の両者の緻密化を促進するため に必要な条件下に熱圧縮し；且つ （ｇ）緻密なセラミック薄板の各側上のＢＮ層を除去す
    る から成ることを特徴とする、各層に内部的に相互に連絡
    する金属回路をもつ多層セラミック電子基板の製造方法
    。
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